JPS6175580A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6175580A JPS6175580A JP19740884A JP19740884A JPS6175580A JP S6175580 A JPS6175580 A JP S6175580A JP 19740884 A JP19740884 A JP 19740884A JP 19740884 A JP19740884 A JP 19740884A JP S6175580 A JPS6175580 A JP S6175580A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser
- output light
- light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06213—Amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信や光情報処理等に利用される半導体レー
ザ装置に関する。
ザ装置に関する。
（従来技術とその問題点）
半導体レーザは小型でかつ電気・光変換効率が高く注入
電流による直接変誌も可能なところから、光通信用の光
源や光デイスクメモリの書き込みないし読み川し用の光
源として広く用いられている。
電流による直接変誌も可能なところから、光通信用の光
源や光デイスクメモリの書き込みないし読み川し用の光
源として広く用いられている。
しかしながら、半導体レーザは発振器としての性格から
戻り光によって動作が不安定となって信号中の雑音成分
が増大するといういわゆる戻り光雑音特性上の欠点があ
り、半導体レーザの素子構造や駆動回路に種々の改良が
加えられてきた。
戻り光によって動作が不安定となって信号中の雑音成分
が増大するといういわゆる戻り光雑音特性上の欠点があ
り、半導体レーザの素子構造や駆動回路に種々の改良が
加えられてきた。
その一つとして素子構造に改良を加えて複数の発振スペ
クトルをもついわゆる多縦モード半導体レーザとしたも
のがあり、龍の一つとして駆動電流に高周波電流を重畳
し多縦モード動作をさせるようにしたものがある（例え
ば、第４４回応用物理学会学術講演会講演予稿東第１０
２頁〜第１０３頁記戦の方法など）。これら従来技術に
よって、応用装置に必要な性能を満昆しつつ、種々の用
途に半導体レーザが使用されているが、前者の素子構造
による場合では製造上のばらつきによって個個の素子の
特性もばらつきがあり、素子の良品歩留りが低いという
欠点があり、また後者の高周波電流重畳の方法では通常
の半導体レーザが使用できるものの高周波電流源を必要
とするためコスト高になるという欠点があった。
クトルをもついわゆる多縦モード半導体レーザとしたも
のがあり、龍の一つとして駆動電流に高周波電流を重畳
し多縦モード動作をさせるようにしたものがある（例え
ば、第４４回応用物理学会学術講演会講演予稿東第１０
２頁〜第１０３頁記戦の方法など）。これら従来技術に
よって、応用装置に必要な性能を満昆しつつ、種々の用
途に半導体レーザが使用されているが、前者の素子構造
による場合では製造上のばらつきによって個個の素子の
特性もばらつきがあり、素子の良品歩留りが低いという
欠点があり、また後者の高周波電流重畳の方法では通常
の半導体レーザが使用できるものの高周波電流源を必要
とするためコスト高になるという欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、これらの欠点を除去し、戻り光雑音特
性を改善し、高周波電流源を使用することなく高周波成
分を含む駆動を可能とした半導体レーザ装置を提供する
ことにある。
性を改善し、高周波電流源を使用することなく高周波成
分を含む駆動を可能とした半導体レーザ装置を提供する
ことにある。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザ装置の構成は、光信号を検知し増
幅する光検知増幅部と、この光検知増幅部から得られる
電気信号の交流成分が印加される半導体レーザと、この
半導体レーザからの出力光の少なくとも一部を前記光検
知増幅部へ正帰還させる帰還路とを含み、前記半導体レ
ーザの出力光強度を自励撮動させることを特徴とする。
幅する光検知増幅部と、この光検知増幅部から得られる
電気信号の交流成分が印加される半導体レーザと、この
半導体レーザからの出力光の少なくとも一部を前記光検
知増幅部へ正帰還させる帰還路とを含み、前記半導体レ
ーザの出力光強度を自励撮動させることを特徴とする。
（実施例）
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の回路図である。
本実施例は、フォトダイオード１と高周波増幅器３とか
ら成る光検知増幅部と電気信号の交流成分を半導体レー
ザ５に印加するための結合コンデンサ４によって構成さ
れている。この半導体Ｖ−ザ５の出力光の一部がフォト
ダイオード１に入射し、高周波増幅器３の出力信号が再
び入力信号となって帰還するように配置されている。こ
れら半導体レーザ５とフォトダイオード１の極性は帰還
信号が正位相となるように接続されている。抵抗２及び
６はバイアス用抵抗でそれぞれ１０υΩでろ９、抵抗２
に印加される電源電圧は＋１２Ｖ１抵抗６に印加される
電源電圧は使用する半導体レーザ５の発振閾値電流及び
動作光出力によって変化するため＋２〜＋１２Ｖ程度の
可変となっている。結合コンデンサ４は容量は１０００
ｐＦ 、高周波増幅器３の帯域はＩＧＨｚ、利得は４ｏ
ｄＢである。
ら成る光検知増幅部と電気信号の交流成分を半導体レー
ザ５に印加するための結合コンデンサ４によって構成さ
れている。この半導体Ｖ−ザ５の出力光の一部がフォト
ダイオード１に入射し、高周波増幅器３の出力信号が再
び入力信号となって帰還するように配置されている。こ
れら半導体レーザ５とフォトダイオード１の極性は帰還
信号が正位相となるように接続されている。抵抗２及び
６はバイアス用抵抗でそれぞれ１０υΩでろ９、抵抗２
に印加される電源電圧は＋１２Ｖ１抵抗６に印加される
電源電圧は使用する半導体レーザ５の発振閾値電流及び
動作光出力によって変化するため＋２〜＋１２Ｖ程度の
可変となっている。結合コンデンサ４は容量は１０００
ｐＦ 、高周波増幅器３の帯域はＩＧＨｚ、利得は４ｏ
ｄＢである。
本実施例では、光を介しての正帰還と、半導体レーザの
共振特性、通常緩和振動特性と呼ばれている性質とによ
って、電気的な発根回路が構成され、半導体レーザ５の
緩和振動周波数での自励発振を生じる。この回路による
自励発振に伴い半導体レーザ５の出力光強度も振動し、
半導体レーザ出力光の可干渉ｆ’ｔ：の低下とともに戻
り光雑音特性の改善が得られる。本実施例によれば、高
周波電流重畳方式で最も有効とされる緩和振動周波数付
近の高周波成分が自動的に生成されるため特性の安定性
にも優れている。
共振特性、通常緩和振動特性と呼ばれている性質とによ
って、電気的な発根回路が構成され、半導体レーザ５の
緩和振動周波数での自励発振を生じる。この回路による
自励発振に伴い半導体レーザ５の出力光強度も振動し、
半導体レーザ出力光の可干渉ｆ’ｔ：の低下とともに戻
り光雑音特性の改善が得られる。本実施例によれば、高
周波電流重畳方式で最も有効とされる緩和振動周波数付
近の高周波成分が自動的に生成されるため特性の安定性
にも優れている。
なン、本実施例の結合コンデン？４は、高周波増幅器３
が直流遮断型の帯域増幅器である場合には除去すること
ができ、また、高周波増幅器３と半導体Ｖ−ザ５とのイ
ンピーダンス整合のため、結合コンテンツ４と直列に整
合用抵抗を挿入することもできる。また、半導体レーザ
５の出力光を信号変調する場合は抵抗６に印加される電
圧を変化するのが適当である。
が直流遮断型の帯域増幅器である場合には除去すること
ができ、また、高周波増幅器３と半導体Ｖ−ザ５とのイ
ンピーダンス整合のため、結合コンテンツ４と直列に整
合用抵抗を挿入することもできる。また、半導体レーザ
５の出力光を信号変調する場合は抵抗６に印加される電
圧を変化するのが適当である。
第２図は本発明の第２の実施例を表わす回路図である。
本実施例は、光検知と増幅を同時に行なうフォトトラン
ジスタ１１、結合コンデンサ１３．４ｊ９体レーザ５等
によって構成されている。抵抗＝５− １２及び６はそれぞれ１００Ωで、フォトトランジスタ
１１に対する負荷抵抗及び半導体レーザ５に対するバイ
アス抵抗の機能をもち、結合コンデン？１３の容量は１
ｏｏｏｐＦである。この半導体レーザ５はＡ／ＧａＡｓ
／（）ａＡｓ ＤＨ＄造の半導体Ｖ−ザであり、フォト
トランジスタ１１は受光窓付のＡ／ＧａＡｓ／ＧａＡｓ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いている。
ジスタ１１、結合コンデンサ１３．４ｊ９体レーザ５等
によって構成されている。抵抗＝５− １２及び６はそれぞれ１００Ωで、フォトトランジスタ
１１に対する負荷抵抗及び半導体レーザ５に対するバイ
アス抵抗の機能をもち、結合コンデン？１３の容量は１
ｏｏｏｐＦである。この半導体レーザ５はＡ／ＧａＡｓ
／（）ａＡｓ ＤＨ＄造の半導体Ｖ−ザであり、フォト
トランジスタ１１は受光窓付のＡ／ＧａＡｓ／ＧａＡｓ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いている。
抵抗１２に印加される電圧は＋１２ｖ、抵抗６に印加さ
れる電圧は−２〜−１２Ｖ程度である。この半導体レー
ザ５の接続極性は帰還信号が正位相となるように決定さ
れている。また、抵抗６ｔ−接地し、半導体レーザ５に
正の電圧を印加するようにしても同等である。
れる電圧は−２〜−１２Ｖ程度である。この半導体レー
ザ５の接続極性は帰還信号が正位相となるように決定さ
れている。また、抵抗６ｔ−接地し、半導体レーザ５に
正の電圧を印加するようにしても同等である。
本実施例では、フォトトランジスタの使用により簡易化
された回路構成が可能になるという特徴がある。
された回路構成が可能になるという特徴がある。
（発明の効果）
μ上詳述したように、本発明によれば、高周波電流源を
独立して設けることなく簡易な回路で効率的に高周波成
分を含む駆動が可能となり、戻り光雑音特性が改善され
た半導体レーザ装置が得られる。
独立して設けることなく簡易な回路で効率的に高周波成
分を含む駆動が可能となり、戻り光雑音特性が改善され
た半導体レーザ装置が得られる。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の回
路図である。図中、１・・・・・・フォトダイオード、
２，６及び１２・・・・・・抵抗、３・・・・・・高周
波増幅器、４及び１３・・・・・・結合コンデンテ、訃
・・・・・半導体レーザ、１１・・・・・・フォトトラ
ンジスタである。 穿／図
路図である。図中、１・・・・・・フォトダイオード、
２，６及び１２・・・・・・抵抗、３・・・・・・高周
波増幅器、４及び１３・・・・・・結合コンデンテ、訃
・・・・・半導体レーザ、１１・・・・・・フォトトラ
ンジスタである。 穿／図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光信号を検知し増幅する光検知増幅部と、この光検
知増幅部から得られる電気信号の交流成分が印加される
半導体レーザと、この半導体レーザからの出力光の少な
くとも一部を前記光検知増幅部へ正帰還させる帰還路と
を含み、前記半導体レーザの出力光強度を自励振動させ
ることを特徴とする半導体レーザ装置。 ２）光検知増幅部にフォトトランジスタを用いた特許請
求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19740884A JPS6175580A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19740884A JPS6175580A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175580A true JPS6175580A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16374017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19740884A Pending JPS6175580A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175580A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0284212A2 (en) * | 1987-03-25 | 1988-09-28 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| JPH02203580A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-13 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動装置 |
| JP2014168097A (ja) * | 2014-05-12 | 2014-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送受信システム |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19740884A patent/JPS6175580A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0284212A2 (en) * | 1987-03-25 | 1988-09-28 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| JPH02203580A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-13 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動装置 |
| JP2014168097A (ja) * | 2014-05-12 | 2014-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送受信システム |
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