JPH01251775A - 半導体レーザ装置及びその駆動方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその駆動方法Info
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- JPH01251775A JPH01251775A JP7962788A JP7962788A JPH01251775A JP H01251775 A JPH01251775 A JP H01251775A JP 7962788 A JP7962788 A JP 7962788A JP 7962788 A JP7962788 A JP 7962788A JP H01251775 A JPH01251775 A JP H01251775A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、追記型、書き換え型等の光デイスク用光源と
して！＆適な半導体レーザ装置及びその駆動方法に関す
る。
して！＆適な半導体レーザ装置及びその駆動方法に関す
る。
（従来の技術）
追記型、書き換え型等の光ディスクの光源としては、読
みだし時の誤りを防ぐために、雑音レベルの低い半導体
レーザか望まれる。書き換え型光ディスクでは１〜３ｍ
Ｗの低出力レベルで、戻り光１％において相対雑音強度
（ＲＩＮ）−１２０ｄＢ／Ｈｚ以下が求められている。
みだし時の誤りを防ぐために、雑音レベルの低い半導体
レーザか望まれる。書き換え型光ディスクでは１〜３ｍ
Ｗの低出力レベルで、戻り光１％において相対雑音強度
（ＲＩＮ）−１２０ｄＢ／Ｈｚ以下が求められている。
しかし光デイスク装置ではピックアップの構造上、ディ
スク慇面からの戻り光が光源である半導体レーザに入射
しやすい、一般に横モードの制御された屈折率導波型半
導体レーザでは、光の干渉性が高いから、この戻り光と
出射光が干渉しモードホップノイズが発生する。このモ
ードホップノイズにより光源の雑音レベルが上昇し、シ
ステム上問題となる。こうした半導体レーザの戻り光誘
起雑音の低減を図るために従来は外部から高周波を重畳
する方法が提案されていた（電子通信学会技術研究報告
ＥＤ８３−８４ Ｐ８５ ） 、この方法では、６００
ＭＨｚ以上の高周波を発振しきい値までふりこむように
重畳することにより注入キャリアにゆらぎを与え、縦モ
ードスペクトルを多モード化する。この多モード化によ
り光源の可干渉性が低下し、戻り光が存在する場合でも
、低い雑音レベルを維持することが可能となる。
スク慇面からの戻り光が光源である半導体レーザに入射
しやすい、一般に横モードの制御された屈折率導波型半
導体レーザでは、光の干渉性が高いから、この戻り光と
出射光が干渉しモードホップノイズが発生する。このモ
ードホップノイズにより光源の雑音レベルが上昇し、シ
ステム上問題となる。こうした半導体レーザの戻り光誘
起雑音の低減を図るために従来は外部から高周波を重畳
する方法が提案されていた（電子通信学会技術研究報告
ＥＤ８３−８４ Ｐ８５ ） 、この方法では、６００
ＭＨｚ以上の高周波を発振しきい値までふりこむように
重畳することにより注入キャリアにゆらぎを与え、縦モ
ードスペクトルを多モード化する。この多モード化によ
り光源の可干渉性が低下し、戻り光が存在する場合でも
、低い雑音レベルを維持することが可能となる。
（発明が解決しようとする課題）
しかし従来の方法では高周波重畳回路を外部に付加する
から、光ヘッドの軽量化を妨げ、アクセス時間の短縮化
が困難となる。また高周波重畳回路により、光ヘッドを
構成する部品点数が増加するから、低コスト化をも妨げ
る要因となる。このように、従来の技術にはアクセス時
間およびコスト面で解決すべき課題があった。
から、光ヘッドの軽量化を妨げ、アクセス時間の短縮化
が困難となる。また高周波重畳回路により、光ヘッドを
構成する部品点数が増加するから、低コスト化をも妨げ
る要因となる。このように、従来の技術にはアクセス時
間およびコスト面で解決すべき課題があった。
（課題を解決するための手段）
前述の課題を解決するために本発明が提供する装置は、
第一導電型半導体基板上に活性層と第二導電型半導体層
とを順に積層してなる横モード制御構造を有する半導体
レーザ装置であって、前記第二導電型半導体層を共振器
軸方向に関して電気的に分離して励起領域と吸収領域と
の二領域に分ける電気的分離構造が形成してあり、前記
吸収領域の第二導電型電極層と前記第一導電半導体基板
とを外部から供給される制御信号に応じて直接に又は抵
抗を介して接続するスイッチが設けてあり、前記励起領
域と吸収領域とは光学的に結合されていることを特徴と
する。
第一導電型半導体基板上に活性層と第二導電型半導体層
とを順に積層してなる横モード制御構造を有する半導体
レーザ装置であって、前記第二導電型半導体層を共振器
軸方向に関して電気的に分離して励起領域と吸収領域と
の二領域に分ける電気的分離構造が形成してあり、前記
吸収領域の第二導電型電極層と前記第一導電半導体基板
とを外部から供給される制御信号に応じて直接に又は抵
抗を介して接続するスイッチが設けてあり、前記励起領
域と吸収領域とは光学的に結合されていることを特徴と
する。
また、前述の課題を解決するために本発明が提供する方
法は、第一導電型半導体基板上に活性層と第二導電型半
導体層とを順に積層してなる横モード制御構造を介し、
前記第二導電型半導体層を共振器軸方向に関して電気的
に分離して励起領域と吸収領域との二領域に分ける電気
的分離構造が形成してあり、前記吸収領域の第二導電型
電極層と前記第一導電型半導体基板とを外部から供給さ
れる制御信号に応じて直接に又は抵抗を介して接続する
スイッチが設けてあり、前記励起領域と吸収領域とは光
学的に結合されている半導体レーザ装置を駆動する方法
であって、低出力動作時には前記制御信号により前記ス
イッチを導通させて前記励起領域だけに電圧を印加する
ことにより自励発振状態にし、高出力動作時には前記制
御信号により前記スイッチを遮断にし前記励起領域と前
記吸収領域とに同じ電圧を印加することを特徴とする。
法は、第一導電型半導体基板上に活性層と第二導電型半
導体層とを順に積層してなる横モード制御構造を介し、
前記第二導電型半導体層を共振器軸方向に関して電気的
に分離して励起領域と吸収領域との二領域に分ける電気
的分離構造が形成してあり、前記吸収領域の第二導電型
電極層と前記第一導電型半導体基板とを外部から供給さ
れる制御信号に応じて直接に又は抵抗を介して接続する
スイッチが設けてあり、前記励起領域と吸収領域とは光
学的に結合されている半導体レーザ装置を駆動する方法
であって、低出力動作時には前記制御信号により前記ス
イッチを導通させて前記励起領域だけに電圧を印加する
ことにより自励発振状態にし、高出力動作時には前記制
御信号により前記スイッチを遮断にし前記励起領域と前
記吸収領域とに同じ電圧を印加することを特徴とする。
（作用）
本発明の構造では、吸収領域の第二導電型電極を接地し
た状態では、この領域の活性層は完全な無バイアス状態
となるから発振光に対して過飽和吸収体として働く、半
導体レーザ媒質内に過飽和吸収体を導入すると断続的な
発振状態となる自励発振現象が発生する。自励発振は緩
和振動に相当する高い周波数で発振が断続的に繰り返さ
れるから、注入キャリヤがゆらぎ、縦モードが多モード
化する。このように縦モードが多モード化すると、可干
渉性が低下し、戻り光に強い低雑音特性が得られる。吸
収領域を接地したままでは一般に微分効率が低いから、
高出力特性は得にくいが、吸収領域にも電圧を印加しキ
ャリヤを注入すれば横モードが安定したままで、窩い出
力が得られる。
た状態では、この領域の活性層は完全な無バイアス状態
となるから発振光に対して過飽和吸収体として働く、半
導体レーザ媒質内に過飽和吸収体を導入すると断続的な
発振状態となる自励発振現象が発生する。自励発振は緩
和振動に相当する高い周波数で発振が断続的に繰り返さ
れるから、注入キャリヤがゆらぎ、縦モードが多モード
化する。このように縦モードが多モード化すると、可干
渉性が低下し、戻り光に強い低雑音特性が得られる。吸
収領域を接地したままでは一般に微分効率が低いから、
高出力特性は得にくいが、吸収領域にも電圧を印加しキ
ャリヤを注入すれば横モードが安定したままで、窩い出
力が得られる。
低雑音特性が要求されるのは読みだし時の低出力レベル
（〜３ ｍ Ｗ ）であるから、吸収領域を接地した状
態と吸収領域にも励起領域と同じ電圧を印加した状態と
を電気的に切り替えることにより、再生時に低雑音、記
録時に高出力とそれぞれ望ましい特性が得られる。この
ような原理により本発明の構造の半導体レーザは、高周
波重畳回路を用いなくとも追記型、書き換え型光ディス
ク等の光源として最適な高出力低雑音特性を実現するこ
とができる。また、本発明の駆動方法は、本発明の半導
体レーザ装置を追記型、書き換え型の光ディスクに適用
し得るように適切に駆動する方法である。
（〜３ ｍ Ｗ ）であるから、吸収領域を接地した状
態と吸収領域にも励起領域と同じ電圧を印加した状態と
を電気的に切り替えることにより、再生時に低雑音、記
録時に高出力とそれぞれ望ましい特性が得られる。この
ような原理により本発明の構造の半導体レーザは、高周
波重畳回路を用いなくとも追記型、書き換え型光ディス
ク等の光源として最適な高出力低雑音特性を実現するこ
とができる。また、本発明の駆動方法は、本発明の半導
体レーザ装置を追記型、書き換え型の光ディスクに適用
し得るように適切に駆動する方法である。
（実施例）
以下に図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置を示す斜
視図、第２図はその実施例の平面図、第３図乃至第４図
はその実施例を駆動する回路の例を示す図である。
視図、第２図はその実施例の平面図、第３図乃至第４図
はその実施例を駆動する回路の例を示す図である。
図において１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型電 ！Ｊ０
．４１Ｇ ａ ０．５９Ａ Ｓクラッド層、３はｎ型電
ρｏ、 ｓｓＧ ａ ｏ６ｓＡ ｓ光導波層、４はＡｆ
Ｊｏ、ｏ＊Ｇ ａ ｏ、 ９２Ａ Ｓ活性層、５はＰ型
電ｊ！ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓＡｓ光反射層、６はＰ型電
ｊ！ ｏ、 ｉａＧ ａ ０．６２Ａ Ｓクラッド層
、７はｎ型ＧａＡｓ電極層、８はＰ＋拡散層、９はｎ型
電極、１０はｐ梨型極、１１は吸収領域、１２は励起領
域、１３は電極分離溝、１４は切り替えスイッチ、１５
及び１６は入力端子をそれぞれ示す、第１図の実施例の
製造においては、まずｎ型ＧａＡｓ基板１上にＮＨ，Ｏ
Ｈ系のエッチャントを用いて＜０１１＞に平行な７字型
の溝幅５．０１ｍ、深さ２．Ｏｕｎの溝を形成する。そ
の後に液相成長法により、成長層２，３，４，５．６．
−７を順次に成長する。それぞれの層は平坦部で順に０
．２ｇ＋ｎ。
．４１Ｇ ａ ０．５９Ａ Ｓクラッド層、３はｎ型電
ρｏ、 ｓｓＧ ａ ｏ６ｓＡ ｓ光導波層、４はＡｆ
Ｊｏ、ｏ＊Ｇ ａ ｏ、 ９２Ａ Ｓ活性層、５はＰ型
電ｊ！ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓＡｓ光反射層、６はＰ型電
ｊ！ ｏ、 ｉａＧ ａ ０．６２Ａ Ｓクラッド層
、７はｎ型ＧａＡｓ電極層、８はＰ＋拡散層、９はｎ型
電極、１０はｐ梨型極、１１は吸収領域、１２は励起領
域、１３は電極分離溝、１４は切り替えスイッチ、１５
及び１６は入力端子をそれぞれ示す、第１図の実施例の
製造においては、まずｎ型ＧａＡｓ基板１上にＮＨ，Ｏ
Ｈ系のエッチャントを用いて＜０１１＞に平行な７字型
の溝幅５．０１ｍ、深さ２．Ｏｕｎの溝を形成する。そ
の後に液相成長法により、成長層２，３，４，５．６．
−７を順次に成長する。それぞれの層は平坦部で順に０
．２ｇ＋ｎ。
０゜３ ｕＩｌ、 ０．０８ｍｍ、 ０．３ ｕｎ、
１．０ ｕｍ、 ０．７ Ｈｔｒとする。
１．０ ｕｍ、 ０．７ Ｈｔｒとする。
清が深いために、ｎ型クラッド層２が溝部で平坦とはな
らず、第１図に示すように発光部で光導波層３の厚い構
造となり、水平方向に屈折率導波機種が形成される。５
ＩＯｉをマスクとして発光領域にＰ＋拡散層８を形成し
た後、Ｐ型電極１０、Ｎ梨型［！９を形成する。さらに
フォトリソグラフィーの手法によりウェットエツチング
を用いて幅１０＋ｍ、間隔５００１ＪＩ＋）電極分Ｍ消
１３を発光領域の近傍３０ＩＪｓｎの領域を除いてｎ型
基板１に到達するまで形成する０発光領域の近傍３０μ
ｍの領域はｎ型ＧａＡｓ電極層７のみ除去する。このよ
うに形成した電極分離溝１３により、吸収領域１１と励
起領域１２との光学的な結合をした。ｔまで、半導体＄
１層構造を吸収領域１１と励起領域１２とに電気的に分
離することができる。Ｉ＆後に励起領域１２が４６０１
１ｍ、吸収領域１１が３０１Ｊ１１となるようにへき開
面を形成して、本発明の一実施例である半導体レーザ装
置が形成される。なお、実施例では電極分離をエツチン
グを用いて行なっているが、電極分離をプロトン注入な
ど他の方法を用いて行なっても同様に本発明の半導体レ
ーザの構造が得られる。
らず、第１図に示すように発光部で光導波層３の厚い構
造となり、水平方向に屈折率導波機種が形成される。５
ＩＯｉをマスクとして発光領域にＰ＋拡散層８を形成し
た後、Ｐ型電極１０、Ｎ梨型［！９を形成する。さらに
フォトリソグラフィーの手法によりウェットエツチング
を用いて幅１０＋ｍ、間隔５００１ＪＩ＋）電極分Ｍ消
１３を発光領域の近傍３０ＩＪｓｎの領域を除いてｎ型
基板１に到達するまで形成する０発光領域の近傍３０μ
ｍの領域はｎ型ＧａＡｓ電極層７のみ除去する。このよ
うに形成した電極分離溝１３により、吸収領域１１と励
起領域１２との光学的な結合をした。ｔまで、半導体＄
１層構造を吸収領域１１と励起領域１２とに電気的に分
離することができる。Ｉ＆後に励起領域１２が４６０１
１ｍ、吸収領域１１が３０１Ｊ１１となるようにへき開
面を形成して、本発明の一実施例である半導体レーザ装
置が形成される。なお、実施例では電極分離をエツチン
グを用いて行なっているが、電極分離をプロトン注入な
ど他の方法を用いて行なっても同様に本発明の半導体レ
ーザの構造が得られる。
第３図では、本発明の半導体レーザの駆動方法の一実施
例を回路図で概念的に示す、切り替えスイッチ１４をＢ
に接続すると吸収領ｔ！！ｉ１１が接地され、この吸収
領域１１が過飽和吸収体として働くから、自励発振が発
生し、光出力１〜３ｍＷ、戻り光１％において、相対雑
音強度（ＲＩＮ）−１２０ｄＢ／Ｈｚ以下の低雑音特性
が得られる。
例を回路図で概念的に示す、切り替えスイッチ１４をＢ
に接続すると吸収領ｔ！！ｉ１１が接地され、この吸収
領域１１が過飽和吸収体として働くから、自励発振が発
生し、光出力１〜３ｍＷ、戻り光１％において、相対雑
音強度（ＲＩＮ）−１２０ｄＢ／Ｈｚ以下の低雑音特性
が得られる。
一方切り替えスイッチ１４をＡに接続すれば、吸収領域
１１にも励起領域１２と同様にキャリヤが注入されるか
ら、低しきい値で高効率となり３０ｍ Ｗ以上の高出力
特性が得られる。従って、高出力時の駆動電圧■２と低
出力時の駆動電圧Ｖ、の切り替えと同期させて、スイッ
チ１４を切り替えれば低雑音発振と高出力発振とが交互
に得られる。
１１にも励起領域１２と同様にキャリヤが注入されるか
ら、低しきい値で高効率となり３０ｍ Ｗ以上の高出力
特性が得られる。従って、高出力時の駆動電圧■２と低
出力時の駆動電圧Ｖ、の切り替えと同期させて、スイッ
チ１４を切り替えれば低雑音発振と高出力発振とが交互
に得られる。
第４図は第３図実施例の変形例を示し、第３図の切り替
えスイッチ１４を電気的に構成した例である。入力端子
１６に電圧が印加されていない状態では、トランジスタ
Ｔｒ３のインピーダンスが高いから、入力端子１５の入
力信号に応じて吸収領域１１と励起領域１２に均一にキ
ャリヤが注入され、高出力な特性が得られる。入力端子
１６に電圧を印加するとトランジスタＴｒ３のインピー
ダンスが低くなり、吸収領域１１が接地状態となる。従
って、入力端子１５の入力信号に応じて励起領域１２だ
けにキャリヤが注入され、低雑音特性が得られる。
えスイッチ１４を電気的に構成した例である。入力端子
１６に電圧が印加されていない状態では、トランジスタ
Ｔｒ３のインピーダンスが高いから、入力端子１５の入
力信号に応じて吸収領域１１と励起領域１２に均一にキ
ャリヤが注入され、高出力な特性が得られる。入力端子
１６に電圧を印加するとトランジスタＴｒ３のインピー
ダンスが低くなり、吸収領域１１が接地状態となる。従
って、入力端子１５の入力信号に応じて励起領域１２だ
けにキャリヤが注入され、低雑音特性が得られる。
なおレーザ構造としてｎ型基板を用いたＬＰＥ法による
ＰＣＷ構造（昭和６１年度春季信学全大ｐ９２０ ）を
用いて説明を行なったが、本発明の半導体レーザ装置で
はｐ型基板を用いてもよい９また、本発明の装置では、
ＭＯＣＶＤ法によるセルファライン構造等の他の横モー
ドの制御された半導体レーザでも全く同様な構造が可能
である。
ＰＣＷ構造（昭和６１年度春季信学全大ｐ９２０ ）を
用いて説明を行なったが、本発明の半導体レーザ装置で
はｐ型基板を用いてもよい９また、本発明の装置では、
ＭＯＣＶＤ法によるセルファライン構造等の他の横モー
ドの制御された半導体レーザでも全く同様な構造が可能
である。
またＡρＧａＡｓ系のみならずＡＩＧａＩｎＰ。
ＧａＩｎＡｓＰ等の他の材料系でも、本発明の装置を適
用して全く同様の構造が形成できる。
用して全く同様の構造が形成できる。
（発明の効果）
本発明の構造では、吸収領域の第二導電型電極を接地し
た状態では、この領域の活性層は完全な無バイアス状態
となるから発振光に対して過飽和吸収体として働く、半
導体レーザ媒質内に過飽和吸収体を導入すると断続的な
発振状態となる自励発振現象が発生する。自励発振は緩
和振動に相当する高い周波数で発振が断続的に繰り返さ
れるから、注入キャリヤがゆらぎ、樅モードが多モード
化する。この結果可干渉性が低下し、１〜３ｍＷの低出
力でも戻り光１％において相対雑音強度（ＲＩＮ）−１
２０ｄＢ／Ｈｚ以下の低雑音な特性が得られる。吸収領
域を接地しなくても、低注入状態とするだけで自励発振
特性が得られる場合もあるが、再現性が乏しく歩留りが
低い、この点、本発明のように吸収領域と基板とを同電
位にすれば、この領域の活性層を完全な無バイアス状態
にできるから、再現性、歩留りの高い自励発振特性が得
られる。吸収領域を接地したままでは一般に微分効率が
低いから、高出力特性は得にくいが、吸収領域にも電圧
を印加しキャリヤを注入すれば、３０ｍ Ｗ以上の高出
力まで横モードが安定した特性が得られる。低雑音特性
が要求されるのは読みだし時の低出力レベル（〜３ ｍ
Ｗ ）であるから吸収領域を接地した状態と吸収領域
にも励起領域と同様にキャリヤを注入した状態とを電気
的に切り替えることにより、再生時に低雑音、記録時に
高出力とそれぞれ望ましい特性が得られる０以上より本
発明の構造によれば、高周波重畳回路を用いなくとも追
記型、書き換え型光ディスク等の光源として最適な高出
力低雑音特性の半導体レーザ装置と、この半導体レーザ
装置の駆動方法とが得られる。
た状態では、この領域の活性層は完全な無バイアス状態
となるから発振光に対して過飽和吸収体として働く、半
導体レーザ媒質内に過飽和吸収体を導入すると断続的な
発振状態となる自励発振現象が発生する。自励発振は緩
和振動に相当する高い周波数で発振が断続的に繰り返さ
れるから、注入キャリヤがゆらぎ、樅モードが多モード
化する。この結果可干渉性が低下し、１〜３ｍＷの低出
力でも戻り光１％において相対雑音強度（ＲＩＮ）−１
２０ｄＢ／Ｈｚ以下の低雑音な特性が得られる。吸収領
域を接地しなくても、低注入状態とするだけで自励発振
特性が得られる場合もあるが、再現性が乏しく歩留りが
低い、この点、本発明のように吸収領域と基板とを同電
位にすれば、この領域の活性層を完全な無バイアス状態
にできるから、再現性、歩留りの高い自励発振特性が得
られる。吸収領域を接地したままでは一般に微分効率が
低いから、高出力特性は得にくいが、吸収領域にも電圧
を印加しキャリヤを注入すれば、３０ｍ Ｗ以上の高出
力まで横モードが安定した特性が得られる。低雑音特性
が要求されるのは読みだし時の低出力レベル（〜３ ｍ
Ｗ ）であるから吸収領域を接地した状態と吸収領域
にも励起領域と同様にキャリヤを注入した状態とを電気
的に切り替えることにより、再生時に低雑音、記録時に
高出力とそれぞれ望ましい特性が得られる０以上より本
発明の構造によれば、高周波重畳回路を用いなくとも追
記型、書き換え型光ディスク等の光源として最適な高出
力低雑音特性の半導体レーザ装置と、この半導体レーザ
装置の駆動方法とが得られる。
従って本発明の装置を追記型、書き換え型の光ディスク
に採用すれば、軽量な光ヘッドを形成することができ、
アクセス時間が早く低コストな光デイスクシステムを構
成することが可能となる。
に採用すれば、軽量な光ヘッドを形成することができ、
アクセス時間が早く低コストな光デイスクシステムを構
成することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置を示す斜
視図、第２図はその実施例の平面図、第３図乃至第４図
はその実施例を駆動する回路の例を示す図である。 １・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・ｎ型電ρ。 ４１Ｇ ａ Ｏ，Ｓ９Ａ Ｓクラッド層、３ ・−ｎ型
電ρ０．。 Ｇ ａ Ｑ、 ６５Ａ Ｓ光導波層、４ ・Ａρｏ、
ｏｓＧ ａ ０．９２Ａｓ活性層、５ ・ｐ型Ａｆ）
ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａｓ光反射層、６−ｐ型Ａ Ａ
０．３１１０ ａ ｏ、 ６２Ａ Ｓクラッド層、７・
・・ｎ型ＧａＡｓ電極層、８・・・Ｐ＋拡散層、９・・
・ｎ型電極、１０・・・ｐ梨型極、１１・・・吸収領域
、１２・・・励起領域、１３・・・電極分離溝、１４・
・・切り替えスイッチ、１５・・・入力端子、１６・・
・入力端子。
視図、第２図はその実施例の平面図、第３図乃至第４図
はその実施例を駆動する回路の例を示す図である。 １・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・ｎ型電ρ。 ４１Ｇ ａ Ｏ，Ｓ９Ａ Ｓクラッド層、３ ・−ｎ型
電ρ０．。 Ｇ ａ Ｑ、 ６５Ａ Ｓ光導波層、４ ・Ａρｏ、
ｏｓＧ ａ ０．９２Ａｓ活性層、５ ・ｐ型Ａｆ）
ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａｓ光反射層、６−ｐ型Ａ Ａ
０．３１１０ ａ ｏ、 ６２Ａ Ｓクラッド層、７・
・・ｎ型ＧａＡｓ電極層、８・・・Ｐ＋拡散層、９・・
・ｎ型電極、１０・・・ｐ梨型極、１１・・・吸収領域
、１２・・・励起領域、１３・・・電極分離溝、１４・
・・切り替えスイッチ、１５・・・入力端子、１６・・
・入力端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第一導電型半導体基板上に活性層と第二導電型半導
体層とを順に積層してなる横モード制御型半導体レーザ
において、前記第二導電型半導体層を共振器軸方向に関
して電気的に分離して励起領域と吸収領域との二領域に
分ける電気的分離構造が形成してあり、前記吸収領域の
第二導電型電極層と前記第一導電型半導体基板とを外部
から供給される制御信号に応じて直接に又は抵抗を介し
て接続するスイッチが設けてあり、前記励起領域と吸収
領域とは光学的に結合されていることを特徴とする半導
体レーザ装置。 ２、第一導電型半導体基板上に活性層と第二導電型半導
体層とを順に積層してなる横モード制御構造を有し、前
記第二導電型半導体層を共振器軸方向に関して電気的に
分離して励起領域と吸収領域との二領域に分ける電気的
分離構造が形成してあり、前記吸収領域の第二導電型電
極層と前記第一導電型半導体基板とを外部から供給され
る制御信号に応じて直接に又は抵抗を介して接続するス
イッチが設けてあり、前記励起領域と吸収領域とは光学
的に結合されている半導体レーザ装置を駆動する方法に
おいて、低出力動作時には前記制御信号により前記スイ
ッチを導通させて前記励起領域だけに電圧を印加するこ
とにより自励発振状態にし、高出力動作時には前記制御
信号により前記スイッチを遮断にし前記励起領域と前記
吸収領域とに同じ電圧を印加するとこを特徴とする半導
体レーザ装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7962788A JPH01251775A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体レーザ装置及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7962788A JPH01251775A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体レーザ装置及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251775A true JPH01251775A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13695315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7962788A Pending JPH01251775A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体レーザ装置及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01251775A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004186678A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
| US7005680B2 (en) | 2000-11-01 | 2006-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device including a divided electrode having a plurality of spaced apart conductive members |
| US7199398B2 (en) | 2002-11-20 | 2007-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting device having electrode electrically separated into at least two regions |
| US11594855B2 (en) * | 2017-11-02 | 2023-02-28 | Sony Corporation | Semiconductor laser drive circuit, method for driving semiconductor laser drive circuit, distance measuring apparatus, and electronic apparatus |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7962788A patent/JPH01251775A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005680B2 (en) | 2000-11-01 | 2006-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device including a divided electrode having a plurality of spaced apart conductive members |
| JP2004186678A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
| US7199398B2 (en) | 2002-11-20 | 2007-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting device having electrode electrically separated into at least two regions |
| JP2010118702A (ja) * | 2002-11-20 | 2010-05-27 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
| US11594855B2 (en) * | 2017-11-02 | 2023-02-28 | Sony Corporation | Semiconductor laser drive circuit, method for driving semiconductor laser drive circuit, distance measuring apparatus, and electronic apparatus |
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