JPS61127191A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61127191A JPS61127191A JP24910184A JP24910184A JPS61127191A JP S61127191 A JPS61127191 A JP S61127191A JP 24910184 A JP24910184 A JP 24910184A JP 24910184 A JP24910184 A JP 24910184A JP S61127191 A JPS61127191 A JP S61127191A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- current
- frequency
- laser
- high frequency
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光デイスクメモリ等の光情報処理装置に用い
ることができる半導体レーザ装置に関するものである。
ることができる半導体レーザ装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体レーザ装置は、小型、低消費電力で高効率
などの利点から光ディスク、レーザプリンタ、また光通
信などのシステムに使われている。
などの利点から光ディスク、レーザプリンタ、また光通
信などのシステムに使われている。
そして近年、コンパクトディスク（ＣＤ）のピックアッ
プに用いられ、大量生産されるに至っている。
プに用いられ、大量生産されるに至っている。
ところが半導体レーザを光方式のビデオディスク（ＶＤ
）に用いると、半導体レーザ光の強度雑音（ＡＭノイズ
）がＶＤの再生画質を劣化させることが問題となってい
る。
）に用いると、半導体レーザ光の強度雑音（ＡＭノイズ
）がＶＤの再生画質を劣化させることが問題となってい
る。
半導体レーザの雑音の最も大きな原因は、光ディスクか
らの戻り光が半導体レーザ自身の発振状態を不安定にす
ることにある。縦単一モード発振する屈折率導波型の現
状のレーザ素子では、０．０５％程度の微少な戻り光に
よってもＡＭノイズの発生が避は難いことが明らかにな
っている。
らの戻り光が半導体レーザ自身の発振状態を不安定にす
ることにある。縦単一モード発振する屈折率導波型の現
状のレーザ素子では、０．０５％程度の微少な戻り光に
よってもＡＭノイズの発生が避は難いことが明らかにな
っている。
ところで屈折率導波型の単一モードレーザを高周波電流
で変調すると縦モードが多モードとなる。
で変調すると縦モードが多モードとなる。
これは過渡的に利得がキャビティ損失を上回り、幾つか
の縦モードが発掘可能となるためである。
の縦モードが発掘可能となるためである。
この場合のＡＭノイズレベルは、単一モード発振状態よ
り僅かに上昇するのみである。第１図に屈折率導波型、
および高周波電流を重畳した屈折率導波型レーザの戻り
光量に対するＡＭノイズレベル（相対雑音強度）の比較
を示す。高周波を重畳したレーザでは戻り光量１チ以上
まで、相対雑音強度は一１３８ｄＢ／Ｈ２以下であり、
ＶＤＫ十分用いることができる。
り僅かに上昇するのみである。第１図に屈折率導波型、
および高周波電流を重畳した屈折率導波型レーザの戻り
光量に対するＡＭノイズレベル（相対雑音強度）の比較
を示す。高周波を重畳したレーザでは戻り光量１チ以上
まで、相対雑音強度は一１３８ｄＢ／Ｈ２以下であり、
ＶＤＫ十分用いることができる。
従来、単−縦モードで発掘する半導体レーザを、縦モー
ドが多モードになるように、半導体レーザを高周波電流
で変調するために、半導体レーザの外部に直流電源およ
び高周波電流源を接続していた。そのため、半導体レー
ザ、直流電源、高周波電流源を含む装置全体が大型にな
り実用上不便であった。
ドが多モードになるように、半導体レーザを高周波電流
で変調するために、半導体レーザの外部に直流電源およ
び高周波電流源を接続していた。そのため、半導体レー
ザ、直流電源、高周波電流源を含む装置全体が大型にな
り実用上不便であった。
発明の目的
本発明は、上記欠点に鑑み、装置を大型にすることなく
半導体レーザの戻り光によるＡＭノイズを抑えるために
、半導体レーザの直流電流に高周波電流を重畳させるこ
とのできる半導体レーザ装置を提供するものである。
半導体レーザの戻り光によるＡＭノイズを抑えるために
、半導体レーザの直流電流に高周波電流を重畳させるこ
とのできる半導体レーザ装置を提供するものである。
発明の構成
この目的を達成するために、本発明の半導体レーザ装置
は、集積化された高周波発振回路と屈折率導波型レーザ
とが同一パッケージ内に組み込まれて構成されており、
この構成によって外部の高周波電流源が不要になり、装
置の小型化が実現できる。また、さらに半導体レーザと
高周波発振回路を同一の基板上に作製し、光電子集積回
路とすることにより、一層の小型化が実現できる０実施
例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
は、集積化された高周波発振回路と屈折率導波型レーザ
とが同一パッケージ内に組み込まれて構成されており、
この構成によって外部の高周波電流源が不要になり、装
置の小型化が実現できる。また、さらに半導体レーザと
高周波発振回路を同一の基板上に作製し、光電子集積回
路とすることにより、一層の小型化が実現できる０実施
例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第２図は本発明の第１の実施例における半導体レーザ装
置のステム内の構造を示すものである。
置のステム内の構造を示すものである。
第２図において、１は半導体レーザ素子、２は高周波発
掘回路チップ、３は光出力モニタ用の受光素子である。
掘回路チップ、３は光出力モニタ用の受光素子である。
４は外部リード線、５は窓ガラス、６はヒートシンクで
ある。高周波発振回路の回路図を第３図ａに示す。発掘
周波数は７００〜９００ＭＨｚ、半導体レーザ素子の駆
動電、流に重畳させる高周波電流は１０〜２ｏｍＡであ
る。第３図すに、ステム内の各素子の結線図を示す。７
が高周波発掘器、８が半導体レーザ、そして９がホトダ
イオードである。
ある。高周波発振回路の回路図を第３図ａに示す。発掘
周波数は７００〜９００ＭＨｚ、半導体レーザ素子の駆
動電、流に重畳させる高周波電流は１０〜２ｏｍＡであ
る。第３図すに、ステム内の各素子の結線図を示す。７
が高周波発掘器、８が半導体レーザ、そして９がホトダ
イオードである。
以上のように構成された半導体レーザ装置について、以
下その動作を説明する。まずＬＤ端子に外部から直流電
流を印加し、半導体レーザ８を連続発振させる。次にｖ
Ｃｏ端子に電圧を加えて、発掘冊子を動作させると第４
図に示すように、レーザ光は高周波のパルス発振を起こ
し、発掘スペクトルは多モードとなり、スペクトル幅は
広がる。
下その動作を説明する。まずＬＤ端子に外部から直流電
流を印加し、半導体レーザ８を連続発振させる。次にｖ
Ｃｏ端子に電圧を加えて、発掘冊子を動作させると第４
図に示すように、レーザ光は高周波のパルス発振を起こ
し、発掘スペクトルは多モードとなり、スペクトル幅は
広がる。
そして第１図に示すように戻り光に対しＡＭノイズが殆
ど発生しなくなる。レーザ光の平均出力は内蔵のホトダ
イオード９で検出することができる。
ど発生しなくなる。レーザ光の平均出力は内蔵のホトダ
イオード９で検出することができる。
以上のように本実施例によれば、高周波発掘回路をレー
ザ素子と組み合わせて同一のパッケージ内に組み込むこ
とにより、装置を大型にすることなく、かつ戻り光によ
るレーザ光のＡＭノイズを抑圧することができる半導体
レーザ装置が得られる。
ザ素子と組み合わせて同一のパッケージ内に組み込むこ
とにより、装置を大型にすることなく、かつ戻り光によ
るレーザ光のＡＭノイズを抑圧することができる半導体
レーザ装置が得られる。
以下、本発明の第２の実施例について、図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第６図は、本発明の第２の実施例における半導体レーザ
装置のステム内の構造を示すものである。
装置のステム内の構造を示すものである。
同図において、１ｏはモニタ用の受光素子で、以上は第
２図の構成と同様なものである。第２図の構成と異なる
のは半導体レーザと高周波発振器を集積化し１チ、プ１
１とした点である。
２図の構成と同様なものである。第２図の構成と異なる
のは半導体レーザと高周波発振器を集積化し１チ、プ１
１とした点である。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体レーザを高周波で変調す
るための発振器を、レーザ素子と同一のパッケージ内に
組み込むことにより、小型でかつ戻り光雑音の発生しな
い安定なレーザを実現することができ、その実用的効果
は大なるものがある。
るための発振器を、レーザ素子と同一のパッケージ内に
組み込むことにより、小型でかつ戻り光雑音の発生しな
い安定なレーザを実現することができ、その実用的効果
は大なるものがある。
第１図は半導体レーザの戻り光雑音を比較した図、第２
図は、本発明の第１の実施例における半導体レーザ装置
の構造図、第３図は高周波発掘器の回路図、第４図は高
周波を重畳した時のレーザ光出力と縦モードを示す図、
そして第５図は本発明の第２の実施例における半導体レ
ーザ装置のｉｔｔ、１図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・・・・・・高周
波発振器、３・・・・・・ホトダイオード、４・・・・
・・リード線、５・・・・・・窓ガラス、６・・・・・
・ヒートシンク、７・・・・・・高周波発振器、８・・
・・・・レーザダイオード、９・・・・・・ホトダイオ
ード、１ｏ・・・・・・ホトダイオード、１１・・・・
・・集積化したレーザ素子と高周波発振器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ； ≧ ｖＪｚ図 第 ３ 図 （の２ 屁 （ｂ） （ｚＮＤ ＷＣ４図
図は、本発明の第１の実施例における半導体レーザ装置
の構造図、第３図は高周波発掘器の回路図、第４図は高
周波を重畳した時のレーザ光出力と縦モードを示す図、
そして第５図は本発明の第２の実施例における半導体レ
ーザ装置のｉｔｔ、１図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・・・・・・高周
波発振器、３・・・・・・ホトダイオード、４・・・・
・・リード線、５・・・・・・窓ガラス、６・・・・・
・ヒートシンク、７・・・・・・高周波発振器、８・・
・・・・レーザダイオード、９・・・・・・ホトダイオ
ード、１ｏ・・・・・・ホトダイオード、１１・・・・
・・集積化したレーザ素子と高周波発振器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ； ≧ ｖＪｚ図 第 ３ 図 （の２ 屁 （ｂ） （ｚＮＤ ＷＣ４図
Claims (2)
- （１）半導体レーザ素子の順方向電流に高周波電流を重
畳させるための高周波発振回路が集積化されて前記半導
体レーザ素子と同一のパッケージ内に組み込まれている
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）半導体レーザ素子と、高周波発振回路とが同一の
半導体基板上に集積化されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24910184A JPS61127191A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24910184A JPS61127191A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127191A true JPS61127191A (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=17187973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24910184A Pending JPS61127191A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61127191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344782A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| US5422900A (en) * | 1994-04-28 | 1995-06-06 | Eastman Kodak Company | Integrated laser module |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119690A (ja) * | 1982-01-11 | 1983-07-16 | Hitachi Ltd | レ−ザ−光源装置 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP24910184A patent/JPS61127191A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119690A (ja) * | 1982-01-11 | 1983-07-16 | Hitachi Ltd | レ−ザ−光源装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344782A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| US5422900A (en) * | 1994-04-28 | 1995-06-06 | Eastman Kodak Company | Integrated laser module |
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