JPS58119690A - レ−ザ−光源装置 - Google Patents

レ−ザ−光源装置

Info

Publication number
JPS58119690A
JPS58119690A JP178782A JP178782A JPS58119690A JP S58119690 A JPS58119690 A JP S58119690A JP 178782 A JP178782 A JP 178782A JP 178782 A JP178782 A JP 178782A JP S58119690 A JPS58119690 A JP S58119690A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
laser diode
temperature
light source
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP178782A
Other languages
English (en)
Inventor
Jinichi Hongo
本郷 仁一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP178782A priority Critical patent/JPS58119690A/ja
Publication of JPS58119690A publication Critical patent/JPS58119690A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザー光源装置に係り、レーザー・ビーム
・プリンタなどの光源として供せられる牛導体を用いた
レーザー光源装置に関するものである。
レーザーダイオードの光出力は、温度依存性が蔦〈%ま
た使用温度が高い程、その要素が短くなるので、通常、
温度調整装置により使用時の温度を一定温度に保つよう
にしている。
従来、この温度調節は、レーザーダイオードについての
み行っており、レーザーダイオード駆動回路の温度によ
る特性変化にたいしては、当該レーザーダイオード駆動
回路に温度補償特性を持たせるか、あるいはレーザーダ
イオードの光出力をフォトダイオードなどの光’ltF
換素子で検出してフィードバック制御するなどの構成を
取っているが、その回路構成が複雑になり、費用も多く
かかり、またレーザーダイオードとレーザーダイオード
駆動回路とは、それぞれ別個、別体のものとしそ、それ
ぞれの保持板上に設けられ、すなわち、たとえばレーザ
ーダイオードとフォトダイオードなどlr<ルチェ素子
上に載せ、レーザーダイオード駆動回路は別体の基板上
に形成するなど、それぞれ独立した構造を有するため、
レーザーダイオードとレーザーダイオード駆動回路との
間の配線のインダクタンスや分布容量による波形歪が生
じるなどの欠点があったものである。
本発明は、上記の従来技術に係るものの欠点を解消し、
簡単な回路構成で、波形歪が少なく、光出力の安定した
、耐ノイズ性のよい、小蓋のレーザー光源装置の提供を
、その目的とするものである。
本発明の特徴は、レーザーダイオード食用い友レーザー
光源装置において、レーザーダイオードとレーザーダイ
オード駆動回路と會共通の基板上にハイブリッド集積回
路として形成するとともにこれらレーザーダイオードと
レーザーダイオード駆動回路とを共に温度調整をする温
度調整素子を設は念レーザー光源装置にある。
なお詳しくは、レーザーダイオードとレーダーダイオー
ド駆動回路を、温度調整素子に係るベルチェ素子の保持
板に係るセラミック絶縁板上にハイブリット集積するよ
うにしたもので−る。
次に、本発明に係る実施例を、第1.2図によシ説明す
る。
ここで、第1図は、本発明の一実施例に係るレーザー光
源装置の一部開被断面斜視図、第2図は、その回路構成
図である。
図において−1はレーザーダイオード(以下、LDとい
う。)%IAflLDベース、2Fsフオトダイオード
(以下、PDという。]、3は温度検出サーミスタ、4
tfl、温度調整素子に係るベルチェ素子、4A、4B
は、絶縁板の保持板に係るセラミック板であり、5はL
D駆動回路、6はLD温度調整回路、7はLD駆動信゛
号源、8はベース、9F1カバー、9Aはガラス窓、1
0はレーザー光源装置を示すものである。
そして、11,12,15.20は、トランジスタ、1
B、14.16〜19Fi、抵抗、21は差動アンプ、
22は可変抵抗である。なお、ベース8は、放熱フィン
としての機能をも有するもので、たとえば黄銅、アルミ
ニウムなどで形成されるものである。
また、■、は映倫信号、VtFi電流制限信号、V−M
は光モニター出力、Vthは温度検出出力を示すもので
ある。
すなわち、ベース8上に、保持板に係るセラミック板4
A、4B上に挾まれたベルチェ素子4が固定され、その
セラミック板4B上に、LD1*PD2、温度検出サー
ミスタ3および、LD駆動回路5を、ハイブリッド集積
化しているものである。
また、LDペース1ムは、LD10光軸と、PD2の受
光軸とを一致させ光モニター出力を得る念めのものであ
る。
そして、上記の構成部品をガラス窓9At有するカバー
9で覆い%N1ガスを封入してレーず一光源装置lOを
構゛成するものである。
しかして、第2図において、上記のレーダー光源装置1
0における、トランジスタ11とトランジスタ12とは
、カレントスイッチ回路を形成するもので、そのトラン
ジスタ12のベース電位は、抵抗13.14によツY−
1V m = L 4 V K Ik定@れ、 TTL
 (Transistor  ’l’ransiito
rlog1c  )レベルの映倫信号v1によってLD
Iを駆動するものである。
”t&、)ランジスタ15と抵抗19とハ、トランジス
タ11.12により形成されるカレントスイッチ回路の
定電流源となるもので、その電流値は、LD駆動信号源
7からの電流制限信号Vlにより定まるものである。
そして、PD2は、LDIの光出力のモニター用で、光
モニター出力V@Mを出力するものである。
なお、第2図において、図示のレーザー光源装置10内
の検出サーミスタ3、ベルチェ素子4を第1図に図示す
るように、すべてベルチェ素子4上にあり、温度制御さ
れるようになっている。
すなわち、温度検出サーミスタ3の出力である温度検出
出力vthを差動アンプ21で、基準値との差分會取出
し、トランジスタ200ベースに加え、ペルチェ素子4
0通電電流を制御し、温度制御をするものである。
しかして、本実施例のレーザー光源装置では、LDIお
よびLDD動回路5の温度を15Cと設定して使用に供
されるようにしたのにたいし、装置内の温度が概ね20
r〜40Cであるので、LD温温調調整回路6冷却のみ
の構成となっているが、ペルチェ素子は通電方向の変更
により、発熱と吸熱とが逆転するので、たとえば、上記
のLDI、LDD動回路5の温蜜、装置内の温度が上述
の温度とは異なって、冷却では対応できないときにたい
する変更は容易なものである。
上述した実施例によるときは、要約して、次のような諸
効果管得ることができる。
(1)LDD動回路5の動作温度が、所望の温度に固定
されるため、LDD動回路特性変化による光出力変動の
補償回路が不要となり、簡単な回路構成で安定した光出
力が得られる。
(2) トランジスタ11.12が一定温[K保たれる
ため、温度上昇によるスイッチング速度の低下と、それ
によって生じるLD駆動信号にたいする光出力の応答性
低下が防止される。
(3)LDIとLDD動回路5とが、別体に設けられる
ことなく、共通の基板上に、極めて近接して配役できる
ため、耐ノイズ性が増加し、かつLD駆動線のインダク
タンスや分布容量が極めて小さく、出力波形歪が著しく
改善される。
(4)LDIとLDD動回路5とをハイブリッド集積回
路としたことにより小型化される。
なお、上記実施例においては、LDI、LDD動回路5
などをペルチェ素子4のセラミック板4B上に形成した
ものであるが、これは、別途の基板上に形成して、この
基板をペルチェ素子の取付部上に配置するようにしても
よいものである。
以上に述べたところをも総合して、本発明によれば、L
DD動回路の温度特性補償回路が不要になり、簡単な回
路構成で安定した光出力を得ることができ、また、LD
とLDD動回路をハイブリッド集積回路化することによ
って小型のレーザー光源装置とすることができるととも
に1.L DとL I)駆動回路が極めて近接するため
、LD駆動線へのノイズ混入が少なくなり、かつLD駆
動線のインダクタンスや分布容量による波形歪が著しく
改善されるものであって、実用的効果の顕著な発明とい
うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係るレーザー光源装置の
一部開披断面斜視図、第2図は、その回路構成図である
。 1・・・レーザーダイオード、IA・・・レーザーダイ
オードベース、、3−![0出サーミスタ、4・・・ペ
ルチェ素子、4A、4B・・・セラミック板、5・・・
レーザーダイオード駆動回路、訃・・ベース、9・・・
力/(−19A・・・ガラス窓、10・・・レーザー光
源装置、11.12.15・・・トランジスタ、13,
14゜°〜゛°°“1“11          、、
Y、、、、 ’、:44

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、レーサーダイオードを用いたレーザー光源装置にお
    いて、レーザーダイオードとレーザーダイオード駆動回
    路とを共通の基板上にノ・イブリッド東積回路として形
    成するとともに、これらレーザーダイオードとレーザー
    ダイオード駆動回路とを共に温度−4Iをする温度調整
    素子を設けたことを特徴とするレーザー光源装置。 2、t+!f許詞永の範囲第1墳記載のものにおいて1
    温度心14!素子としてセラミックなどの絶縁板を保持
    板として有するペルチェ素子を用いるようにし、当該絶
    縁板をレーザーダイオードとレーザーダイオード駆動回
    路とをハイブリッド集積するための橋板とし−C用いる
    ようにしたものであるレーザー光源装置。
JP178782A 1982-01-11 1982-01-11 レ−ザ−光源装置 Pending JPS58119690A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP178782A JPS58119690A (ja) 1982-01-11 1982-01-11 レ−ザ−光源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP178782A JPS58119690A (ja) 1982-01-11 1982-01-11 レ−ザ−光源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58119690A true JPS58119690A (ja) 1983-07-16

Family

ID=11511282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP178782A Pending JPS58119690A (ja) 1982-01-11 1982-01-11 レ−ザ−光源装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58119690A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61127191A (ja) * 1984-11-26 1986-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS61158968U (ja) * 1985-03-26 1986-10-02
JPS625676A (ja) * 1985-06-21 1987-01-12 Olympus Optical Co Ltd 半導体レ−ザ駆動装置
JPS628664U (ja) * 1985-06-28 1987-01-19
JPS6276554U (ja) * 1985-11-01 1987-05-16
JPS62130584A (ja) * 1985-12-02 1987-06-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ−装置
JPS6344782A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ駆動装置
US4912715A (en) * 1987-12-18 1990-03-27 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser module incorporating driver circuit therein
JPH0316290A (ja) * 1989-06-14 1991-01-24 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ
EP1291987A2 (en) 2001-09-06 2003-03-12 Finisar Corporation Compact laser package with integrated temperature control

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61127191A (ja) * 1984-11-26 1986-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS61158968U (ja) * 1985-03-26 1986-10-02
JPS625676A (ja) * 1985-06-21 1987-01-12 Olympus Optical Co Ltd 半導体レ−ザ駆動装置
JPS628664U (ja) * 1985-06-28 1987-01-19
JPS6276554U (ja) * 1985-11-01 1987-05-16
JPS62130584A (ja) * 1985-12-02 1987-06-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ−装置
JPS6344782A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ駆動装置
US4912715A (en) * 1987-12-18 1990-03-27 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser module incorporating driver circuit therein
JPH0316290A (ja) * 1989-06-14 1991-01-24 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ
EP1291987A2 (en) 2001-09-06 2003-03-12 Finisar Corporation Compact laser package with integrated temperature control
EP1291987A3 (en) * 2001-09-06 2005-04-27 Finisar Corporation Compact laser package with integrated temperature control
US7092418B2 (en) 2001-09-06 2006-08-15 Finisar Corporation Compact laser package with integrated temperature control

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58119690A (ja) レ−ザ−光源装置
JPS6189778A (ja) ビデオカメラ
IL124989A (en) Method and apparatus for thermal gradient stabilization of microbolometer focal plane arrays
JPH07506931A (ja) レーザ・ダイオードのエネルギ出力を安定化する方法および装置
JPH0680853B2 (ja) 光伝送装置
EP0049754B1 (en) High speed temperature controlled electrometer
JPH07321392A (ja) レーザダイオードの自動温度制御回路及びこれを用いた電気/光信号変換ユニット
KR19990072839A (ko) 레이저출력측정장치
JP2536988B2 (ja) レ―ザダイオ―ドの制御方法および制御回路装置
JPS5955083A (ja) 半導体レ−ザ−出力安定化方式
JPH07131089A (ja) レーザパワーモニタ回路
JP2942163B2 (ja) 半導体レーザ装置の駆動方法および装置
JPS61232684A (ja) 光半導体素子の温度安定化装置
JPH02140985A (ja) レーザダイオード駆動方法および装置
JPH0758416A (ja) レーザーダイオード冷却装置
JPH0532917B2 (ja)
JP2005072197A (ja) 高温動作レーザダイオード装置
JPH0282659A (ja) 光発信器
JPH08235629A (ja) 半導体レーザ制御装置
JPS63144653A (ja) 半導体レ−ザアレイの駆動回路
JPH038384A (ja) 半導体レーザ装置
JPS61224478A (ja) レ−ザ駆動装置
JPH0669600A (ja) 半導体レーザのapc温度補償回路及びこれを用いた半導体レーザ装置
JP2527878B2 (ja) 光微分器
JPS61131580A (ja) 半導体レ−ザ装置