JPS61131580A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61131580A JPS61131580A JP25350284A JP25350284A JPS61131580A JP S61131580 A JPS61131580 A JP S61131580A JP 25350284 A JP25350284 A JP 25350284A JP 25350284 A JP25350284 A JP 25350284A JP S61131580 A JPS61131580 A JP S61131580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor laser
- stem
- chip thermistor
- electronic cooler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発ｕＡは電子冷却器とチップサーミスタを有し温度制
御の可能な半導体レーザ装置に関し、特に精度の高い温
度制御を行なうのに適した構造を有する半導体レーザ装
置に関するものである。
御の可能な半導体レーザ装置に関し、特に精度の高い温
度制御を行なうのに適した構造を有する半導体レーザ装
置に関するものである。
半導体レーザダイオードは周囲温度が変化すると第３図
に概略を示すように駆動電流と発光出力の関係が変動す
る。また温度が変化すると、レーザの晃振中心波長や縦
モード分布が変動する。このことは、半導体レーザを光
フアイバ通信用の光源として用いる場合に、光出力が変
・動じたり雑音が発生したプして通信の品質を劣化させ
る原因になる。この問題を改善する方法として電子冷却
器（たとえばペルチェ素子）と感温素子（たとえばチッ
プサーミスタ）とを用いて温度制御を行なうことが考え
られる。すなわち、感温素子によって測定された温度が
予め設定された目標温度より高ければ温度が下がるよう
に、逆に低ければ温度が上がるように電子冷却器の駆動
電流を調整する回路を準備すれば、レーザダイオードの
温度を一定に保つことができる。
に概略を示すように駆動電流と発光出力の関係が変動す
る。また温度が変化すると、レーザの晃振中心波長や縦
モード分布が変動する。このことは、半導体レーザを光
フアイバ通信用の光源として用いる場合に、光出力が変
・動じたり雑音が発生したプして通信の品質を劣化させ
る原因になる。この問題を改善する方法として電子冷却
器（たとえばペルチェ素子）と感温素子（たとえばチッ
プサーミスタ）とを用いて温度制御を行なうことが考え
られる。すなわち、感温素子によって測定された温度が
予め設定された目標温度より高ければ温度が下がるよう
に、逆に低ければ温度が上がるように電子冷却器の駆動
電流を調整する回路を準備すれば、レーザダイオードの
温度を一定に保つことができる。
ｗＪｚ図はこの装置の基本的な構造例を示す図である。
同図において、レーザダイオード１はヒートシンク２を
介してステム３にマウントされ、それはさらに電子冷却
器１０の上面に固定されている。光出力取出し用のファ
イバー５は固定材７によって支持台６の上に固定さ扛て
いる。レーザダイオードにはボンディングワイヤ４を通
じて駆動ｌｃ流を流すことができる。レーザダイオード
１の後方にはモニターダイオード８が備えられている。
介してステム３にマウントされ、それはさらに電子冷却
器１０の上面に固定されている。光出力取出し用のファ
イバー５は固定材７によって支持台６の上に固定さ扛て
いる。レーザダイオードにはボンディングワイヤ４を通
じて駆動ｌｃ流を流すことができる。レーザダイオード
１の後方にはモニターダイオード８が備えられている。
さらに電子冷却器１０の上にはチップサーミスタ９′が
マウントされている。この図において明らかなようにレ
ーザダイオード１とチップサーミスタ９′は共通の電子
冷却器１０の上にマウントされているので、チップサー
ミスタの抵抗値を測定しながら電子冷却器の駆動電流を
調整することによってレーザダイオードの温度をほぼ一
定に保つことができる。
マウントされている。この図において明らかなようにレ
ーザダイオード１とチップサーミスタ９′は共通の電子
冷却器１０の上にマウントされているので、チップサー
ミスタの抵抗値を測定しながら電子冷却器の駆動電流を
調整することによってレーザダイオードの温度をほぼ一
定に保つことができる。
以上説明したように、電子冷却器と感温素子とを用いて
レーザダイオードの温度制御を行なうことによって、装
置のおかれた環境温度の変動に伴なう光出力レベルの変
動や発振波長の変動を緩和ｌ し、通信品質を安定化することができる。
レーザダイオードの温度制御を行なうことによって、装
置のおかれた環境温度の変動に伴なう光出力レベルの変
動や発振波長の変動を緩和ｌ し、通信品質を安定化することができる。
しかし、第２図の構造ではレーザダイオードとチップサ
ーミスタが離れているため、レーザダイオード自体の発
熱によるレーザダイオードの温度変化をすばやくかつ正
確に補償することがむずかしいという問題がある。すな
わちレーザダイオードの単位時間当りの発熱量が変化し
た場合、レーザダイオードの温度が変化するが、その温
度変化がチップサーミスタに伝わるまでにヒートシンク
２、ステム３および電子冷却器１０の低温側を径由しな
ければならないため、温度測定に遅れ時間が生じ、レー
ザダイオードの温度が安定するまで時間がかかることに
なる。またレーザダイオードとチップサーミスタの間に
熱抵抗があるため、その熱抵抗と発熱量に比例した温度
差がレーザダイオードとチップサーミスタの間に発生す
ることになるから、レーザダイオードの発熱量が変化し
た場合に、仮にチップサーミスタの温度が一定に保たれ
ていても、レーザダイオードの温度は一定に保たれず、
結果として温度制御に誤差を生じることになる。
ーミスタが離れているため、レーザダイオード自体の発
熱によるレーザダイオードの温度変化をすばやくかつ正
確に補償することがむずかしいという問題がある。すな
わちレーザダイオードの単位時間当りの発熱量が変化し
た場合、レーザダイオードの温度が変化するが、その温
度変化がチップサーミスタに伝わるまでにヒートシンク
２、ステム３および電子冷却器１０の低温側を径由しな
ければならないため、温度測定に遅れ時間が生じ、レー
ザダイオードの温度が安定するまで時間がかかることに
なる。またレーザダイオードとチップサーミスタの間に
熱抵抗があるため、その熱抵抗と発熱量に比例した温度
差がレーザダイオードとチップサーミスタの間に発生す
ることになるから、レーザダイオードの発熱量が変化し
た場合に、仮にチップサーミスタの温度が一定に保たれ
ていても、レーザダイオードの温度は一定に保たれず、
結果として温度制御に誤差を生じることになる。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は上記のような問題点を緩和するためになされた
ものであり、感温素、子による温度測定の遅れ時間を短
縮し、かつ温關゛制−の誤差を低減した半導体レーザ装
置を提供することを目的としている。
ものであり、感温素、子による温度測定の遅れ時間を短
縮し、かつ温關゛制−の誤差を低減した半導体レーザ装
置を提供することを目的としている。
本発明の特畝は、金属パッケージの底面に電子冷却器の
高温側を固定し、・前記電子冷却器の低温側に半導体レ
ーザおよび両面にメタライズされたチップサーミスタを
マウント、シてなる半導体レーザ装置において、電子冷
却器の低温側にマウントされたチップサーミスタの上面
電極の上に半導体レーザをマウントした点にある。
・〔実施例〕 。
高温側を固定し、・前記電子冷却器の低温側に半導体レ
ーザおよび両面にメタライズされたチップサーミスタを
マウント、シてなる半導体レーザ装置において、電子冷
却器の低温側にマウントされたチップサーミスタの上面
電極の上に半導体レーザをマウントした点にある。
・〔実施例〕 。
次に本発明の実施例につ、いて図面を参照して説明する
。
。
ｆｊｇ１図は本発明による半導体レーザ装置の実施例を
示す構造図で、第２図と同一部分は同じ符号で示し、こ
こでは説明を省略する。
示す構造図で、第２図と同一部分は同じ符号で示し、こ
こでは説明を省略する。
第１図が第２図と異なるところは、Ｍ２図においては半
導体レーザｌがヒートシンク２を介してステム３にマウ
ントされているのに対し、第１図においては半導体レー
ザ１がヒートシンク２を介してチップサーミスタ９さら
にステム３にマウントされている点にある。その他は第
２図と同様の構成になっている。
導体レーザｌがヒートシンク２を介してステム３にマウ
ントされているのに対し、第１図においては半導体レー
ザ１がヒートシンク２を介してチップサーミスタ９さら
にステム３にマウントされている点にある。その他は第
２図と同様の構成になっている。
第１図よシ明らかなように半導体レーザ１より発した熱
はヒートシンク２を通過した後、ステム３や電子冷却器
の低温−を介さずに直接チップサーミスタに＠ｎこむよ
うになっている。従りて第１図に示す実施例によれば、
第２図の場合のようにステム３や電子冷却器の低温側を
熱が通過する際に遅い時間が生じるという事がない。ま
た第１図に示す実施例によれば、第２図の場合のように
ステム３や電子冷却器の低温側を熱が通過する事によっ
て熱抵抗に比例した温度差が生じるという事がない。
はヒートシンク２を通過した後、ステム３や電子冷却器
の低温−を介さずに直接チップサーミスタに＠ｎこむよ
うになっている。従りて第１図に示す実施例によれば、
第２図の場合のようにステム３や電子冷却器の低温側を
熱が通過する際に遅い時間が生じるという事がない。ま
た第１図に示す実施例によれば、第２図の場合のように
ステム３や電子冷却器の低温側を熱が通過する事によっ
て熱抵抗に比例した温度差が生じるという事がない。
従って第１図に示す実施例によれば、感温素子による温
度測定の遅れ時間が短縮され、かつ温度制御の誤差が低
減されているといえる。 □〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば感温素子による温
度測定の遅れ時間を短縮し、かつ温度制御の誤差を低減
することができるという効果がある。
度測定の遅れ時間が短縮され、かつ温度制御の誤差が低
減されているといえる。 □〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば感温素子による温
度測定の遅れ時間を短縮し、かつ温度制御の誤差を低減
することができるという効果がある。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す斜
視図、第２図は従来例の構造を示す斜視図、第３図はレ
ーザダイオードの駆動電流と発光出力との関係を示す特
性図である。 １・−・・・・レーザダイオード、２・・・・・・ヒー
トシンク、３・・・・・・ステム、４・・・・・・ボン
ディングワイヤ、５・・・・・・元ファイバ、６・・・
・・・支持台、７・・・・・・固定材、８・・・・−モ
ニターダイオード、９・・・・・・チップサーミスタ、
１０・・・・・・電子冷却器。
視図、第２図は従来例の構造を示す斜視図、第３図はレ
ーザダイオードの駆動電流と発光出力との関係を示す特
性図である。 １・−・・・・レーザダイオード、２・・・・・・ヒー
トシンク、３・・・・・・ステム、４・・・・・・ボン
ディングワイヤ、５・・・・・・元ファイバ、６・・・
・・・支持台、７・・・・・・固定材、８・・・・−モ
ニターダイオード、９・・・・・・チップサーミスタ、
１０・・・・・・電子冷却器。
Claims (1)
- 電子冷却器の低温側に半導体レーザおよび両面にメタラ
イズされたチップサーミスタをマウントしてなる半導体
レーザ装置において、前記電子冷却器の低温側にマウン
トされたチップサーミスタの上面電極の上に前記半導体
レーザをマウントしたことを特徴とする半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25350284A JPS61131580A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25350284A JPS61131580A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131580A true JPS61131580A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17252269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25350284A Pending JPS61131580A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245585A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2007092825A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Fuji Koki Corp | パイロット型電磁弁 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25350284A patent/JPS61131580A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245585A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2007092825A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Fuji Koki Corp | パイロット型電磁弁 |
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