JPH07273393A - 波長安定化装置 - Google Patents

波長安定化装置

Info

Publication number
JPH07273393A
JPH07273393A JP6164694A JP6164694A JPH07273393A JP H07273393 A JPH07273393 A JP H07273393A JP 6164694 A JP6164694 A JP 6164694A JP 6164694 A JP6164694 A JP 6164694A JP H07273393 A JPH07273393 A JP H07273393A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
temperature sensor
wavelength
laser light
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6164694A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohisa Fujimoto
洋久 藤本
Naoko Hisada
菜穂子 久田
Hiroshi Yugawa
浩 湯川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP6164694A priority Critical patent/JPH07273393A/ja
Publication of JPH07273393A publication Critical patent/JPH07273393A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】環境温度変化に左右されることなく、LDの発
振波長を所定モードにロックして安定化させることが可
能な波長安定化装置を提供する。 【構成】半導体レーザー光源ユニット40と、この半導
体レーザー光源ユニットから出射されるレーザー光の波
長を所定の発振モードにロックさせる波長安定化ユニッ
ト42とを備える。半導体レーザー光源ユニットには、
半導体レーザ4を加熱又は冷却するペルチェ素子10
と、半導体レーザ近傍の温度を検知するLD温度センサ
6と、このLD温度センサの出力値に対応して設定温度
を算出する設定温度演算部30と、LD温度センサによ
って検出される温度が設定温度に安定化するように、ペ
ルチェ素子を駆動制御して半導体レーザを加熱又は冷却
させる温度制御部8とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体レーザ
の発振波長を所定モードにロックして安定化させる波長
安定化装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から半導体レーザ(以下、単に“L
D”と称する)の発振波長は、わずかな温度変化や注入
電流変化によって大きく変動することが知られている。
【0003】そこで、周期的な透過スペクトル特性を有
するファブリ・ペロ共振器を用いて波長基準を規定しつ
つ、注入電流制御及び温度制御を施すことによって、L
Dの発振波長をファブリ・ペロ共振器の所定モードにロ
ックさせて、発振波長の安定化を行う方法が提案されて
いる。
【0004】その際に、ファブリ・ペロ共振器の所定モ
ード近傍でLDを発振させなければならないために、波
長安定化の前処理として、LDの温度を安定化させる必
要がある。更に、安定したスペクトル特性を得るため
に、ファブリ・ペロ共振器の温度も安定化させる必要が
ある。
【0005】図5に示すように、半導体レーザー光源ユ
ニット40には、LD保持体2内に設けられたLD4の
温度を安定化させるために、LD4近傍には、このLD
4の温度を検知するLD温度センサ6が設けられてい
る。このLD温度センサ6は、温度制御部8に電気的に
接続されており、LD温度センサ6から出力された温度
検知信号に基づいて、温度制御部8がペルチェ素子10
の駆動電流を制御して、LD4の温度を所定温度に維持
させるように構成されている。なお、ペルチェ素子10
には、放熱用のフィン12が取り付けられている。
【0006】LD4から出射されたレーザー光は、分岐
プリズム28によって振り分けられ、その一方のレーザ
ー光は、後述するファブリ・ペロ共振器を透過して光検
出器26に導光され、他方のレーザー光は、測定光とし
て使用される。
【0007】また、図5に示すように、ファブリ・ペロ
共振器の温度を安定化させるために、波長安定化ユニッ
ト42には、エタロン保持体14内に設けられた例えば
ソリッドタイプ(周期的な透過スペクトル特性を有す
る)のエタロン16近傍に、このエタロン16の温度を
検知するエタロン温度センサ18が設けられている。こ
のエタロン温度センサ18は、温度制御部20に電気的
に接続されており、エタロン温度センサ18から出力さ
れた温度検知信号に基づいて、温度制御部20がペルチ
ェ素子22の駆動電流を制御して、エタロン16の温度
を所定温度に維持させるように構成されている。なお、
同様に、ペルチェ素子22には、放熱用のフィン24が
取り付けられている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図5に
示すように、LD温度センサ6は、その測定点をLD4
の発振部に一致させることができないため、LD保持体
2内におけるLD4の環境温度が変化した場合、以下の
ような問題が発生してしまう。
【0009】かかる問題について図6を参照して説明す
る。なお、図中、横軸は、LD温度センサ6の位置を基
準とした熱抵抗値を示し、また、縦軸は温度を示す。
【0010】図6に示すように、LD温度センサ6の温
度(TA )は、基準設定温度(TAO)に温度安定化され
ており、その時のLD4の温度(TL )及び環境温度
(TB)は、図中実線上にあるものと仮定する。
【0011】いま、環境温度(TB )が上記実線で示さ
れる温度よりも低い状態で温度制御を行うと、LD温度
センサ6は、基準設定温度(TAO)に保持されるが、図
6中破線で示すように、LD4は、温度(TL )よりも
ΔTL だけ下がった温度に安定化されてしまうという問
題が発生する。
【0012】図7には、この場合の温度制御フローが示
されており、LD温度センサ6で温度(TA )が検知さ
れ(S1)、その温度検知信号に基づいて、温度制御部
8が、基準設定温度(TAO)との偏差(Δ)を演算する
(S2)。
【0013】偏差(Δ)が、ゼロ近傍で安定していれ
ば、エタロン16のモードロック制御が行われる(S
3)。
【0014】偏差(Δ)が、ゼロ近傍で安定していない
ときは、偏差(Δ)の演算値からペルチェ電流(IPL
を算出して(S4)、ペルチェ素子10の駆動電流を制
御することになる(S5)。なお、図中、Pは比例係
数、Iは積分係数、そして、Dは微分係数を示す。
【0015】ここで、図8に波長基準であるエタロン1
6の透過スペクトル特性を示す。なお、図中、横軸は波
長(λ)を示し、縦軸は光検出器26の出力(V)を示
す。即ち、LD4の温度制御によってエタロン16の所
定モード(λ0 )付近(例えば、図中斜線で示す範囲)
で発光させ、所定の注入電流を印加することによって例
えば山登り制御を行い、山の頂点にロックする。
【0016】しかし、このようなロック制御からは以下
のような弊害が発生する。
【0017】環境温度変化により波長基準であるエタロ
ン16の所定モードから大きく離れた波長でLD4が発
振してしまい、結果、モードロックできなくなったり、
他のモードにロックしてしまう(例えば、λa やλ
b (図8参照))。この場合、LD温度センサ6を複数
個使用することも考えられるが、製造コストが上がるだ
けでなく装置の大型化にもつながり、また、装置の信頼
性にも欠ける。
【0018】本発明は、このような弊害を除去するため
になされ、その目的は、環境温度変化に左右されること
なく、LDの発振波長を所定モードにロックして安定化
させることが可能な波長安定化装置を提供することにあ
る。
【0019】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の波長安定化装置は、レーザー光出射
光学系の温度変化を検知する温度センサと、前記レーザ
ー光出射光学系を加熱又は冷却する加熱冷却手段と、前
記温度センサによって検知された前記レーザー光出射光
学系に対する温度制御を行う前の温度と予め規定された
基準設定温度との差に基づいて、前記基準設定温度に所
定の補正を加えて設定温度を算出する演算部と、前記温
度センサによって検出される温度が前記設定温度に安定
化するように、前記加熱冷却手段を駆動制御して前記レ
ーザー光出射光学系を加熱又は冷却させる温度制御部と
を備える。
【0020】また、上記目的を達成するために、本発明
の他の波長安定化装置は、レーザー光出射光学系の温度
変化を検知する温度センサと、前記レーザー光出射光学
系を加熱又は冷却する加熱冷却手段と、前記温度センサ
によって検知された前記レーザー光出射光学系に対する
温度制御を行う前の温度に基づいて設定される設定温度
を記憶する記憶部と、前記温度センサによって検出され
る温度が前記設定温度に安定化するように、前記加熱冷
却手段を駆動制御して前記レーザー光出射光学系を加熱
又は冷却させる温度制御部とを備える。
【0021】また、上記目的を達成するために、本発明
に適用された前記レーザー光出射光学系には、半導体レ
ーザーと、この半導体レーザーの発振波長を所定モード
に制御する光共振器とが設けられている。
【0022】
【作用】本発明の波長安定化装置によれば、演算部が、
温度センサによって検知されたレーザー光出射光学系に
対する温度制御を行う前の温度と予め規定された基準設
定温度との差に基づいて、前記基準設定温度に所定の補
正を加えた設定温度を算出する。温度制御部は、温度セ
ンサによって検出される温度が前記設定温度に安定化す
るように、加熱冷却手段を駆動制御してレーザー光出射
光学系を加熱又は冷却させる。
【0023】また、本発明の他の波長安定化装置によれ
ば、記憶部が、温度センサによって検知されたレーザー
光出射光学系に対する温度制御が行われる前の温度に基
づいて設定される設定温度を記憶する。温度制御部は、
温度センサによって検出される温度が前記設定温度に安
定化するように、加熱冷却手段を駆動制御してレーザー
光出射光学系を加熱又は冷却させる。
【0024】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例に係る波長安定
化装置について図1を参照して説明する。
【0025】図1に示すように、本実施例の波長安定化
装置は、半導体レーザー光源ユニット40と、この半導
体レーザー光源ユニット40から出射されるレーザー光
の波長を所定の発振モードにロックさせる波長安定化ユ
ニット42とを備えている。本実施例は、半導体レーザ
ー光源ユニット40に後述する設定温度演算部30が設
けられた点に特徴を有しており、各ユニット40,42
の他の構成は、上述した従来例(図5参照)と同一の構
成を有している。このため、同一の構成には図5の構成
と同一符号を付して、その説明を省略する。
【0026】半導体レーザー光源ユニット40におい
て、半導体レーザ(以下、単にLDと称する)4は、こ
のLD4近傍に配置されたLD温度センサ6によって温
度が検知されている。このLD温度センサ6によって検
知された例えばLD温度検知信号は、温度制御部8に入
力される。LD4の温度制御を行う前、LD温度検知信
号は、温度制御部8と電気的に接続された設定温度演算
部30に受け渡された後、この設定温度演算部30にお
いて所定の演算が施される。設定温度演算部30は、演
算処理終了後、例えば演算結果信号を再び温度制御部8
に受け渡す。以後、温度制御部8は、この演算結果信号
に基づいて、加熱冷却手段即ちペルチェ素子10を駆動
制御する。この結果、LD4が所定温度に維持されるこ
とになる。
【0027】なお、設定温度演算部30から出力された
演算結果信号は、LD温度センサ6によって検知された
LD4の温度制御を行う前の温度と予め規定された基準
設定温度との差に基づいて、上記基準設定温度に所定の
補正を加えた設定温度に対応した信号である。そして、
温度制御部8は、LD温度センサ6によって検知される
温度が上記設定温度に安定化するように、ペルチェ素子
10を駆動制御する。この結果、LD4の発振波長は、
確実に所定モードにロック制御されることになる。
【0028】また、波長安定化ユニット42において、
周期的なスペクトル特性を有するソリッドタイプのエタ
ロン16は、このエタロン16近傍に配置されたエタロ
ン温度センサ18によって温度が検知されている。この
エタロン温度センサ18によって検知された例えばエタ
ロン温度検知信号は、温度制御部20に入力される。温
度制御部20は、このエタロン温度検知信号に基づい
て、加熱冷却手段即ちペルチェ素子22を駆動制御す
る。この結果、エタロン16が所定温度に維持されるこ
とになる。
【0029】いま、図3に示すように、LD温度センサ
6の温度(TA )が、所定の基準設定温度(TAO)に安
定化している場合、環境温度(TB )が、所定の基準環
境温度(TBO)にあると仮定する(図中、実線Xによっ
て、その関係を示す)。このとき、LD4の温度
(TL )は、温度(TLO)にある。
【0030】環境温度(TB )がΔTB だけ下がってT
B1となったとき、LD温度センサ6の温度(TA )は、
温度制御を行うと、上述した基準設定温度(TAO)に保
持される。
【0031】この結果、実線Xは、基準設定温度
(TAO)を支点として、その傾斜が変化して、破線Yの
状態になる。このため、LD4の温度(TL )は、温度
(TLO)から温度(TL1)までΔTL だけ変動して安定
化する。
【0032】そこで、LD温度センサ6の温度(TA
を温度(TA1)までΔTA だけ上昇させて、破線Yを一
点鎖線Zの状態にさせることによって、LD4の温度
(TL )を当初の温度(TLO)に安定させることができ
る。
【0033】ところで、LD4の温度制御を行う前は、
装置全体がほぼ環境温度に維持されているため、そのと
きの温度をLD温度センサ6を介してデータとして取り
込むことによって、環境温度を検知することが可能とな
る。
【0034】いま、LD温度センサ6とLD4との間の
熱抵抗をRAL、及び、LD4と環境温度即ち温度制御を
行う前のLD温度センサ6との間の熱抵抗をRLBとした
場合、仮に、RAL:RLB=1:50とすると、点
(TLO、TA1、TAO)で囲まれた面と点(TLO、TB1
BO)で囲まれた面とは、互いに相似形とみなされる。
このため、ΔTA :ΔTB =−1:50となることか
ら、ΔTA =(−1/50)×ΔTB と規定される。
【0035】LD温度センサ6の基準設定温度(TAO
に対してΔTA の補正を施して温度の安定化を図ること
によって、LD4の温度をほぼ温度(TLO)に保持させ
ることができる。即ち、LD温度センサ6の設定温度
(TA1)は、 TA1=TAO−{(RAL/RLB)×(TB1−TBO)} =TAO−{(1/50)×(TB1−TBO)} となる。
【0036】従って、LD温度センサ6を上式で求めた
温度(TA1)に安定化させることによって、環境温度の
変化に左右されることなく、LD4の温度をほぼ一定に
保持させることができる。
【0037】図4には、LD4に対する温度安定化方法
の具体的な温度制御フローが示されている。
【0038】図4に示すように、まず、LD4の温度制
御を行う前の温度(TA2)をLD温度センサ6によって
検知する(S1)。このとき検知された温度(TA2
は、LD温度センサ6によって例えばLD温度検知信号
(温度(TA2)に対応した信号)に変換された後、温度
制御部8を介して設定温度演算部30に入力される。
【0039】このとき設定温度演算部30に取り込まれ
た温度(TA2)は、ほぼ環境温度(TB1)とみなされ、
設定温度演算部30において、 TA1=TAO−(RAL/RLB)×(TA2−TBO) …(1) の演算が施され、LD温度センサ6の設定温度(TA1
が算出される(S2)。この後、再び、LD温度センサ
6の温度(TA )を検知して(S3)、上記設定温度
(TA1)との間の偏差Δ=(TA1−TA )が算出される
(S4)。
【0040】このとき算出された偏差Δが、ゼロ近傍で
安定している場合、エタロン16の所定モード近傍でL
D4が発振していると判断して、モードロック制御が行
われる(S5)。
【0041】一方、上記偏差Δが、ゼロ近傍で安定して
いない場合、算出された偏差Δに基づいて、ペルチェ素
子10を駆動させるペルチェ電流値(IPL)を演算し
(S6)、その値を設定する(S7)。なお、S6にお
いて、Pは比例係数、Iは積分係数、Dは微分係数を示
す。
【0042】温度制御部8は、設定されたペルチェ電流
(IPL)の値に基づいて、ペルチェ素子10を制御し
て、LD温度センサ6が設定温度(TA1)になるよう
に、LD4を加熱又は冷却させる。
【0043】このように、本実施例の波長安定化装置に
よれば、LD温度センサ6を上述した設定温度(TA1
に維持させることによって、環境温度の変化に左右され
ることなく、LD4の発振波長を確実に所定モードにロ
ック制御することが可能となる。
【0044】なお、上述した構成では、環境温度とLD
温度センサ6との内分点にLD4を配置した場合(図3
参照)について説明したが、これに限定されることはな
く、例えば、LD4を外分点に配置させる(図3におい
てLDとLD温度センサの位置を取り換える)ことも可
能である。
【0045】この場合、上記(1)式は、 TA1=TAO+(RAL/RLB)×(TA2−TBO) …(2) となる。
【0046】そして、上述したS3〜S7と同様の工程
を経て、LD温度センサ6を上述した設定温度(TA1
に維持させることによって、環境温度の変化に左右され
ることなく、DL4の発振波長を確実に所定モードにロ
ック制御することが可能となる。
【0047】次に、本発明の第2の実施例に係る波長安
定化装置について、図2を参照して説明する。なお、本
実施例の波長安定化装置は、上記設定温度演算部30
(図1参照)の代わりに、例えば設定温度が記憶された
設定温度記憶部32を備えた点に特徴を有し、他の構成
については、上述した第1の実施例と同一であるため同
一符号を付してその説明を省略する。
【0048】設定温度記憶部32には、電源投入時に、
LD温度センサ6によって検知される温度(即ち、LD
4の温度制御を行う前の温度)に対応する設定温度が記
憶されている。なお、この設定温度は、上式(1)又は
(2)に基づいて算出される。
【0049】このような構成によれば、温度制御部8
は、設定温度記憶部32に記憶されている設定温度に基
づいて、ペルチェ素子10を制御して、LD温度センサ
6が上記設定温度に安定化するように、LD4を加熱又
は冷却させる。
【0050】このように、本実施例の波長安定化装置に
よれば、LD温度センサ6を上記設定温度に維持させる
ことによって、環境温度の変化に左右されることなく、
LD4の発振波長を確実に所定モードにロック制御する
ことが可能となる。
【0051】上述した第1及び第2の実施例において、
ある程度限られた環境温度変化にある場合は、基準環境
温度より高いか低いかを判断し、温度制御の方向を指示
してモードを探し、モードロック制御することも可能で
ある。
【0052】なお、本発明は、上述した各実施例の構成
に限定されることはなく、例えば、LD4の温度制御だ
けでなく、エタロン16の温度制御に適用することも可
能である。即ち、エタロン16の温度制御を行う前にエ
タロン温度センサ18を介して検知された温度に基づい
て、設定温度を規定することによって、スペクトル特性
を所望の特性に安定化させることが可能となる。
【0053】また、エタロン16は、上述したようなソ
リッドタイプに限らず、例えばエアーギャップタイプで
も同様に適用可能である。
【0054】更に、例えば、温度制御を行う前に、LD
温度センサ6及びエタロン温度センサ18を介して検知
された温度を一定周期で記憶しておき、環境温度が安定
したことを確認した上で、温度制御を行うように構成す
ることも好ましい。この場合、環境温度が不安定であれ
ば警報等で告知することも可能である。
【0055】また、例えば、温度制御を行う前に、LD
温度センサ6及びエタロン温度センサ18を介して検知
された温度を一定周期で記憶しておき、予め求められて
いる半導体レーザー光源ユニット40の熱抵抗及び熱容
量に基づいて、環境温度を算出するように構成すること
も可能である。
【0056】この結果、電源をOFFさせた直後、再
び、電源を投入した場合でも、第1及び第2の実施例と
同様の動作が可能となる。
【0057】また、LD温度センサ6及びエタロン温度
センサ18としては、例えば、サーミスタや白金抵抗測
温体等を適用することもできる。
【0058】
【発明の効果】本発明によれば、温度センサによって検
出される温度が演算部で算出された設定温度に安定化す
るように、温度制御部によって加熱冷却手段が駆動制御
されているため、環境温度変化に左右されることなく、
LDの発振波長を所定モードにロックして安定化させる
ことが可能な波長安定化装置を提供することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る波長安定化装置の
構成を概略的に示す図。
【図2】本発明の第2の実施例に係る波長安定化装置の
構成を概略的に示す図。
【図3】LD温度センサの位置を基準とした熱抵抗と温
度との関係を示す図。
【図4】LD温度安定化する際の温度制御フローを示す
図。
【図5】従来の波長安定化装置の構成を概略的に示す
図。
【図6】LD温度センサの位置を基準として熱抵抗と温
度との関係を示す図。
【図7】LD温度安定化する際の温度制御フローを示す
図。
【図8】波長基準であるエタロンの透過スペクトル特性
を示す図。
【符号の説明】
4…半導体レーザ、6…LD温度センサ、8…温度制御
部、10…ペルチェ素子、30…設定温度演算部、40
…半導体レーザー光源ユニット、42…波長安定化ユニ
ット。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザー光出射光学系の温度変化を検知
    する温度センサと、 前記レーザー光出射光学系を加熱又は冷却する加熱冷却
    手段と、 前記温度センサによって検知された前記レーザー光出射
    光学系に対する温度制御を行う前の温度と予め規定され
    た基準設定温度との差に基づいて、前記基準設定温度に
    所定の補正を加えた設定温度を算出する演算部と、 前記温度センサによって検出される温度が前記設定温度
    に安定化するように、前記加熱冷却手段を駆動制御して
    前記レーザー光出射光学系を加熱又は冷却させる温度制
    御部とを備えていることを特徴とする波長安定化装置。
  2. 【請求項2】 レーザー光出射光学系の温度変化を検知
    する温度センサと、 前記レーザー光出射光学系を加熱又は冷却する加熱冷却
    手段と、 前記温度センサによって検知された前記レーザー光出射
    光学系に対する温度制御を行う前の温度に基づいて設定
    される設定温度を記憶する記憶部と、 前記温度センサによって検出される温度が前記設定温度
    に安定化するように、前記加熱冷却手段を駆動制御して
    前記レーザー光出射光学系を加熱又は冷却させる温度制
    御部とを備えていることを特徴とする波長安定化装置。
  3. 【請求項3】 前記レーザー光出射光学系は、半導体レ
    ーザーと、この半導体レーザーの発振波長を所定モード
    に制御する光共振器とを備えていることを特徴とする請
    求項1又は2に記載の波長安定化装置。
JP6164694A 1994-03-30 1994-03-30 波長安定化装置 Withdrawn JPH07273393A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6164694A JPH07273393A (ja) 1994-03-30 1994-03-30 波長安定化装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6164694A JPH07273393A (ja) 1994-03-30 1994-03-30 波長安定化装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07273393A true JPH07273393A (ja) 1995-10-20

Family

ID=13177202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6164694A Withdrawn JPH07273393A (ja) 1994-03-30 1994-03-30 波長安定化装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07273393A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1139105A2 (de) * 2000-03-30 2001-10-04 Siemens Aktiengesellschaft Optischer Stromsensor mit Lichtwellenleiter-Sensoreinheit
EP1245961A2 (de) * 2001-03-19 2002-10-02 Siemens Aktiengesellschaft Stabilisierte magnetooptische Strommesseinrichtung
JP2011108910A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 光半導体装置
JP2017220553A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 株式会社島津製作所 レーザダイオードモジュール
WO2019116660A1 (ja) * 2017-12-15 2019-06-20 株式会社堀場製作所 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の駆動方法及び駆動プログラム
KR20200064358A (ko) * 2018-11-29 2020-06-08 레이저닉스 주식회사 공랭식 레이저 방열 시스템

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1139105A2 (de) * 2000-03-30 2001-10-04 Siemens Aktiengesellschaft Optischer Stromsensor mit Lichtwellenleiter-Sensoreinheit
EP1139105A3 (de) * 2000-03-30 2003-04-23 Siemens Aktiengesellschaft Optischer Stromsensor mit Lichtwellenleiter-Sensoreinheit
EP1245961A2 (de) * 2001-03-19 2002-10-02 Siemens Aktiengesellschaft Stabilisierte magnetooptische Strommesseinrichtung
EP1245961A3 (de) * 2001-03-19 2003-04-23 Siemens Aktiengesellschaft Stabilisierte magnetooptische Strommesseinrichtung
JP2011108910A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 光半導体装置
JP2017220553A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 株式会社島津製作所 レーザダイオードモジュール
WO2019116660A1 (ja) * 2017-12-15 2019-06-20 株式会社堀場製作所 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の駆動方法及び駆動プログラム
JPWO2019116660A1 (ja) * 2017-12-15 2020-10-22 株式会社堀場製作所 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の駆動方法及び駆動プログラム
US11764542B2 (en) 2017-12-15 2023-09-19 Horiba, Ltd. Semiconductor laser device, and method and program for driving the same
KR20200064358A (ko) * 2018-11-29 2020-06-08 레이저닉스 주식회사 공랭식 레이저 방열 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5438579A (en) Wavelength stabilizing apparatus
JPH0728077B2 (ja) 半導体レ−ザ−の発振周波数・発振出力安定化装置
JP2669309B2 (ja) デバイスモジュール
US6859471B2 (en) Method and system for providing thermal control of superluminescent diodes
JP7175264B2 (ja) 光送信機
US9142937B2 (en) Wavelength referencing by monitoring a voltage across a laser diode
US20110158269A1 (en) Laser module, control method of the same, control data of the same, and control data generation method
JPH07273393A (ja) 波長安定化装置
US5926495A (en) Laser diode pump wavelength sensing and control apparatus and method
JPH05126639A (ja) 光源の空中波長を確定し且つ固定する方法及び装置
JPH0818145A (ja) 波長安定化装置
JPH088388B2 (ja) 光部品の温度安定化方法及び装置
JP7165144B2 (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の駆動方法及び駆動プログラム
JPH06188503A (ja) 波長安定化装置
JPH06283797A (ja) 半導体レーザの波長安定化方法及び波長安定化光源
JPS6171689A (ja) 半導体レ−ザ装置
JP4114260B2 (ja) 固体レーザ装置
JP2003075877A (ja) レーザ光源及び非線型光学素子の温度制御方法
EP0746069B1 (en) Frequency stabilization method of semiconductor laser and frequency-stabilized light source
JP2830794B2 (ja) 光送信回路
JPS6222494A (ja) 半導体レ−ザ安定装置
JPH0513862A (ja) レーザー装置
JPH05243664A (ja) 半導体レーザ装置
JP2584209B2 (ja) レ−ザ出力制御装置
JPH0376185A (ja) 半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010605