JPH0669600A - 半導体レーザのａｐｃ温度補償回路及びこれを用いた半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザのａｐｃ温度補償回路及びこれを用いた半導体レーザ装置Info
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- JPH0669600A JPH0669600A JP21614892A JP21614892A JPH0669600A JP H0669600 A JPH0669600 A JP H0669600A JP 21614892 A JP21614892 A JP 21614892A JP 21614892 A JP21614892 A JP 21614892A JP H0669600 A JPH0669600 A JP H0669600A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ素子の温度変化にかかわらず光出力を
一定にしうる半導体レーザのＡＰＣ温度補償回路を提供
する。 【構成】 レーザ駆動手段２１によって駆動されるレー
ザ素子４のモニタ光７を受光するフォトダイオード５
は、電流・電圧変換手段１２に接続される。電流・電圧
変換手段１２は差動増幅手段１５に接続され、フォトダ
イオード５にて得られたモニタ電流Ｉmon を電圧Ｖm に
変換して差動増幅手段１５に供給する。差動増幅手段１
５は光出力設定用の抵抗器１９，２０に接続され、これ
らにより設定される電圧Ｖr と上記電圧Ｖm を比較増幅
してレーザ駆動手段２１に供給する。レーザ素子４の温
度を測定する負特性のサーミスタ８を抵抗器２０と並列
に接続する。
一定にしうる半導体レーザのＡＰＣ温度補償回路を提供
する。 【構成】 レーザ駆動手段２１によって駆動されるレー
ザ素子４のモニタ光７を受光するフォトダイオード５
は、電流・電圧変換手段１２に接続される。電流・電圧
変換手段１２は差動増幅手段１５に接続され、フォトダ
イオード５にて得られたモニタ電流Ｉmon を電圧Ｖm に
変換して差動増幅手段１５に供給する。差動増幅手段１
５は光出力設定用の抵抗器１９，２０に接続され、これ
らにより設定される電圧Ｖr と上記電圧Ｖm を比較増幅
してレーザ駆動手段２１に供給する。レーザ素子４の温
度を測定する負特性のサーミスタ８を抵抗器２０と並列
に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばレーザービーム
プリンタ、光（磁気）ディスク、光通信、ＹＡＧ励起、
レーザ計測、レーザ加工、レーザ医療等に用いて好適な
半導体レーザのＡＰＣ温度補償回路及びこれを用いた半
導体レーザ装置に関する。
プリンタ、光（磁気）ディスク、光通信、ＹＡＧ励起、
レーザ計測、レーザ加工、レーザ医療等に用いて好適な
半導体レーザのＡＰＣ温度補償回路及びこれを用いた半
導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、レーザ素子から射出されるレ
ーザ・ビームの出力を一定に保つため、半導体レーザ
（レーザ・ダイオード）をＡＰＣ（Automatic Power Co
ntrol)即ち自動出力制御駆動することが行われている。
このような半導体レーザ装置としては、例えば図６に示
すようなものが知られている。すなわち、この半導体レ
ーザ装置は、パッケージ３０内にレーザ素子３１とモニ
タ用のフォトダイオード３２が設けられ、レーザ素子３
１のフロント部からガラス窓３３を介して信号光として
レーザ光３４を射出する一方、リア部から射出されるレ
ーザ光即ちモニタ光３５をフォトダイオード３２で受け
るように構成されている。そして、図７に示すような回
路によってレーザ出力を制御するようになっている。す
なわち、フォトダイオード３２にて得られたモニタ電流
は、フォトダイオード３２に接続された電流・電圧変換
器３６によって所定の電圧Ｖm に変換され、この電圧Ｖ
m が差動増幅器３７の１つの端子に入力する。一方、電
源−ＶEEに接続された抵抗器３８，３９によって設定さ
れた電圧Ｖr が差動増幅器３７のもう一方の端子に入力
され、上述の電圧Ｖm と比較増幅されてレーザ駆動手段
３８に入力する。そして、このレーザ駆動手段３８に入
力した電圧に応じてレーザ素子３１に所定の電流が流
れ、レーザ素子３１が駆動される。なお、この制御回路
は、フォトダイオード３２と共に同一半導体チップ内に
形成することも可能である。
ーザ・ビームの出力を一定に保つため、半導体レーザ
（レーザ・ダイオード）をＡＰＣ（Automatic Power Co
ntrol)即ち自動出力制御駆動することが行われている。
このような半導体レーザ装置としては、例えば図６に示
すようなものが知られている。すなわち、この半導体レ
ーザ装置は、パッケージ３０内にレーザ素子３１とモニ
タ用のフォトダイオード３２が設けられ、レーザ素子３
１のフロント部からガラス窓３３を介して信号光として
レーザ光３４を射出する一方、リア部から射出されるレ
ーザ光即ちモニタ光３５をフォトダイオード３２で受け
るように構成されている。そして、図７に示すような回
路によってレーザ出力を制御するようになっている。す
なわち、フォトダイオード３２にて得られたモニタ電流
は、フォトダイオード３２に接続された電流・電圧変換
器３６によって所定の電圧Ｖm に変換され、この電圧Ｖ
m が差動増幅器３７の１つの端子に入力する。一方、電
源−ＶEEに接続された抵抗器３８，３９によって設定さ
れた電圧Ｖr が差動増幅器３７のもう一方の端子に入力
され、上述の電圧Ｖm と比較増幅されてレーザ駆動手段
３８に入力する。そして、このレーザ駆動手段３８に入
力した電圧に応じてレーザ素子３１に所定の電流が流
れ、レーザ素子３１が駆動される。なお、この制御回路
は、フォトダイオード３２と共に同一半導体チップ内に
形成することも可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来例の構成では、特に高出力用の半導体レーザの場
合、次のような問題が生じていた。すなわち、レーザ発
光によってレーザ素子３１の温度が変わるとレーザ素子
３１の端面に形成されたコーティングの透過率（反射
率）が変わるため、レーザ素子３１のフロント部とリア
部の射出比率の変化が生じ、その結果、図７に示すよう
にリア部からの光出力に基づいてフォードバック制御し
た場合にフロント部の光出力に温度依存性による誤差が
生じてしまう。かかる誤差の比率は、温度範囲、コーテ
ィング条件、光出力等によって変化するが、概ね０．５
〜１．５％／℃となるものが多い。
従来例の構成では、特に高出力用の半導体レーザの場
合、次のような問題が生じていた。すなわち、レーザ発
光によってレーザ素子３１の温度が変わるとレーザ素子
３１の端面に形成されたコーティングの透過率（反射
率）が変わるため、レーザ素子３１のフロント部とリア
部の射出比率の変化が生じ、その結果、図７に示すよう
にリア部からの光出力に基づいてフォードバック制御し
た場合にフロント部の光出力に温度依存性による誤差が
生じてしまう。かかる誤差の比率は、温度範囲、コーテ
ィング条件、光出力等によって変化するが、概ね０．５
〜１．５％／℃となるものが多い。
【０００４】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、レーザ素子の温度
変化にかかわらずフロント部の光出力を一定にしうる半
導体レーザのＡＰＣ温度補償回路及びこれを用いた半導
体レーザ装置を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、レーザ素子の温度
変化にかかわらずフロント部の光出力を一定にしうる半
導体レーザのＡＰＣ温度補償回路及びこれを用いた半導
体レーザ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザのＡＰＣ温度補償回路は、例えば図１に示すように、
半導体レーザ素子４を駆動するためのレーザ駆動手段２
１とこの半導体レーザ素子４からのモニタ光７を受光す
る受光素子５と、この受光素子５にて得られたモニタ電
流Ｉmon をモニタ電圧Ｖm に変換する電流・電圧変換手
段１２と、上述の半導体レーザ素子４の信号光６の出力
を設定するため所定の電圧を発生させる抵抗器１９，２
０と、これらの抵抗器１９，２０によって設定された光
出力設定用電圧Ｖr と上述のモニタ電圧Ｖm との電位差
を増幅して上述のレーザ駆動手段２１に供給する差動増
幅手段１５と、上述の半導体レーザ素子４の光出力の温
度特性に応じて上述の光出力設定用電圧Ｖr を増減させ
るように制御する制御手段８とを有するものである。こ
の場合、制御手段８として負の特性を有するサーミスタ
を用いることもできる。また、本発明に係る半導体レー
ザ装置は、このようなＡＰＣ温度補償回路を用いて半導
体レーザ素子４を駆動するものである。
ザのＡＰＣ温度補償回路は、例えば図１に示すように、
半導体レーザ素子４を駆動するためのレーザ駆動手段２
１とこの半導体レーザ素子４からのモニタ光７を受光す
る受光素子５と、この受光素子５にて得られたモニタ電
流Ｉmon をモニタ電圧Ｖm に変換する電流・電圧変換手
段１２と、上述の半導体レーザ素子４の信号光６の出力
を設定するため所定の電圧を発生させる抵抗器１９，２
０と、これらの抵抗器１９，２０によって設定された光
出力設定用電圧Ｖr と上述のモニタ電圧Ｖm との電位差
を増幅して上述のレーザ駆動手段２１に供給する差動増
幅手段１５と、上述の半導体レーザ素子４の光出力の温
度特性に応じて上述の光出力設定用電圧Ｖr を増減させ
るように制御する制御手段８とを有するものである。こ
の場合、制御手段８として負の特性を有するサーミスタ
を用いることもできる。また、本発明に係る半導体レー
ザ装置は、このようなＡＰＣ温度補償回路を用いて半導
体レーザ素子４を駆動するものである。
【０００６】
【作用】かかる構成を有する本発明においては、例えば
負の特性を有するサーミスタ８を用いることにより、半
導体レーザ素子４の光出力の温度特性に応じて光出力設
定用電圧Ｖr を増減させるように制御する。従って、本
発明によれば、温度変化によって半導体レーザ素子４の
信号光３とモニタ光７の出力比が変わり、結果としてモ
ニタ電流Ｉmon 即ちモニタ電圧Ｖmが初期の値に比べて
変化した場合であっても、これに追従するように光出力
設定用電圧Ｖr も変化するため、変化分が相殺されてレ
ーザ駆動手段１９には常に一定の電圧ＶB が供給され
る。
負の特性を有するサーミスタ８を用いることにより、半
導体レーザ素子４の光出力の温度特性に応じて光出力設
定用電圧Ｖr を増減させるように制御する。従って、本
発明によれば、温度変化によって半導体レーザ素子４の
信号光３とモニタ光７の出力比が変わり、結果としてモ
ニタ電流Ｉmon 即ちモニタ電圧Ｖmが初期の値に比べて
変化した場合であっても、これに追従するように光出力
設定用電圧Ｖr も変化するため、変化分が相殺されてレ
ーザ駆動手段１９には常に一定の電圧ＶB が供給され
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図２は本発明が適用される半導体装置の全
体構成を示すものである。同図に示すように、本実施例
においては、例えばレーザビームプリンタ等の外部装置
１内に配置されるヒートシンク２内にパッケージ３が組
み込まれ、このパッケージ３内にレーザ素子４及びフォ
トダイオード５が設けられている。そして、レーザ素子
４のフロント部から装置外へ信号光６が射出される一
方、レーザ素子４のリア部からフォトダイオード５に向
ってモニタ光７が射出されるように構成されている。さ
らに、ヒートシンク２にはレーザ素子４の温度を検出す
るためのサーミスタ８が設けられている。
体構成を示すものである。同図に示すように、本実施例
においては、例えばレーザビームプリンタ等の外部装置
１内に配置されるヒートシンク２内にパッケージ３が組
み込まれ、このパッケージ３内にレーザ素子４及びフォ
トダイオード５が設けられている。そして、レーザ素子
４のフロント部から装置外へ信号光６が射出される一
方、レーザ素子４のリア部からフォトダイオード５に向
ってモニタ光７が射出されるように構成されている。さ
らに、ヒートシンク２にはレーザ素子４の温度を検出す
るためのサーミスタ８が設けられている。
【０００９】図３はレーザ素子４近傍の構成を模式的に
示すものである。同図に示すように、レーザ素子４は銅
製のブロック９に取り付けられ、そのフロント及びリア
の両端面にコーティング１０が施される。そして、ブロ
ック９には、温度上昇に伴って抵抗値が増加するサーミ
スタ８が設けられている。このブロック９はヒートシン
ク２に取り付けられる。また、ヒートシンク２上にはレ
ーザ素子４のモニタ光を受光するフォトダイオード５が
設けられ、このフォトダイオード５にて得られた信号に
基づき後述するＡＰＣ回路１１によって信号光６の出力
を自動的に一定値に制御するように構成されている。
示すものである。同図に示すように、レーザ素子４は銅
製のブロック９に取り付けられ、そのフロント及びリア
の両端面にコーティング１０が施される。そして、ブロ
ック９には、温度上昇に伴って抵抗値が増加するサーミ
スタ８が設けられている。このブロック９はヒートシン
ク２に取り付けられる。また、ヒートシンク２上にはレ
ーザ素子４のモニタ光を受光するフォトダイオード５が
設けられ、このフォトダイオード５にて得られた信号に
基づき後述するＡＰＣ回路１１によって信号光６の出力
を自動的に一定値に制御するように構成されている。
【００１０】図１は本実施例におけるＡＰＣ温度補償回
路の構成を示すものである。同図に示すように、本実施
例のＡＰＣ回路そのものは、基本的に従来例と同様の構
成を有している。ここで、レーザ素子４及びフォトダイ
オード５は接地され、レーザ素子４からモニタ光７を受
けるフォトダイオード５は、電流・電圧変換手段１２に
接続されている。この電流・電圧変換手段１２は、差動
増幅器１３と、この差動増幅器１３の出力端子と負の入
力端子間に接続された抵抗器１４とを有している。差動
増幅器１４の正の入力端子は接地される一方、負の入力
端子はフォトダイオード５の出力端子に接続されてい
る。
路の構成を示すものである。同図に示すように、本実施
例のＡＰＣ回路そのものは、基本的に従来例と同様の構
成を有している。ここで、レーザ素子４及びフォトダイ
オード５は接地され、レーザ素子４からモニタ光７を受
けるフォトダイオード５は、電流・電圧変換手段１２に
接続されている。この電流・電圧変換手段１２は、差動
増幅器１３と、この差動増幅器１３の出力端子と負の入
力端子間に接続された抵抗器１４とを有している。差動
増幅器１４の正の入力端子は接地される一方、負の入力
端子はフォトダイオード５の出力端子に接続されてい
る。
【００１１】電流・電圧変換手段１２は、差動増幅手段
１５に接続されている。差動増幅手段１５は、差動増幅
器１６と、この差動増幅器１５の出力端子と負の入力端
子間に接続された抵抗器１７とを有している。差動増幅
器１６の正の入力端子は、電流・電圧変換手段１２の差
動増幅器１３の出力端子に接続されている。一方、差動
増幅器１６の負の入力端子は、抵抗器１８を介して抵抗
器１９，２０とサーミスタ８の一方の端子に接続されて
いる。ここで、抵抗器１９の他方の端子は接地され、ま
た、抵抗器２０及びサーミスタ８の他方の端子は電源−
ＶEEに接続されている。
１５に接続されている。差動増幅手段１５は、差動増幅
器１６と、この差動増幅器１５の出力端子と負の入力端
子間に接続された抵抗器１７とを有している。差動増幅
器１６の正の入力端子は、電流・電圧変換手段１２の差
動増幅器１３の出力端子に接続されている。一方、差動
増幅器１６の負の入力端子は、抵抗器１８を介して抵抗
器１９，２０とサーミスタ８の一方の端子に接続されて
いる。ここで、抵抗器１９の他方の端子は接地され、ま
た、抵抗器２０及びサーミスタ８の他方の端子は電源−
ＶEEに接続されている。
【００１２】差動増幅手段１５は、レーザ駆動手段２１
に接続されている。レーザ駆動手段２１は、トランジス
タ２２を有し、そのベース電極が差動増幅器１６の出力
端子に接続されている。このトランジスタ２２のコレク
タ電極はレーザ素子４に接続され、またエミッタ電極は
抵抗器２３を介して電源−ＶEEに接続されている。
に接続されている。レーザ駆動手段２１は、トランジス
タ２２を有し、そのベース電極が差動増幅器１６の出力
端子に接続されている。このトランジスタ２２のコレク
タ電極はレーザ素子４に接続され、またエミッタ電極は
抵抗器２３を介して電源−ＶEEに接続されている。
【００１３】かかる構成においては、レーザ素子４から
のレーザ出力に応じたモニタ電流Ｉmon がフォトダイオ
ード５から流れ、電流・電圧変換手段１２に入力する。
電流・電圧変換手段１２からは所定の電圧Ｖm が出力さ
れ、差動増幅手段１５に入力する。差動増幅手段１５に
おいては、この電圧Ｖm と、抵抗器１９，２０によって
設定される電圧Ｖr とを比較して電圧ＶB に増幅し、レ
ーザ駆動手段２１に電流を流す。
のレーザ出力に応じたモニタ電流Ｉmon がフォトダイオ
ード５から流れ、電流・電圧変換手段１２に入力する。
電流・電圧変換手段１２からは所定の電圧Ｖm が出力さ
れ、差動増幅手段１５に入力する。差動増幅手段１５に
おいては、この電圧Ｖm と、抵抗器１９，２０によって
設定される電圧Ｖr とを比較して電圧ＶB に増幅し、レ
ーザ駆動手段２１に電流を流す。
【００１４】そして、定常状態から何らかの要因でレー
ザ素子４からの光出力が微増したとすると、フォトダイ
オード５から出力される電流Ｉmon が増加し、その結
果、電流・電圧変換手段１２から出力される電圧Ｖm は
下がる。この場合、抵抗器１９，２０によって設定され
る電圧Ｖr が固定されているため、トランジスタ２２の
ベース電圧ＶB も下がり、これに伴ってベース電流が減
少し、コレクタ電流即ちレーザ素子４のドライブ電流Ｉ
OPが減少して光出力もその分減少する。一方、レーザ素
子４からの光出力が減少した場合には、この逆の動作と
なる。すなわち、この回路によれば、電流・電圧変換手
段１２から出力される電圧Ｖm が所定の電圧Ｖr と同じ
電位になるように制御される。
ザ素子４からの光出力が微増したとすると、フォトダイ
オード５から出力される電流Ｉmon が増加し、その結
果、電流・電圧変換手段１２から出力される電圧Ｖm は
下がる。この場合、抵抗器１９，２０によって設定され
る電圧Ｖr が固定されているため、トランジスタ２２の
ベース電圧ＶB も下がり、これに伴ってベース電流が減
少し、コレクタ電流即ちレーザ素子４のドライブ電流Ｉ
OPが減少して光出力もその分減少する。一方、レーザ素
子４からの光出力が減少した場合には、この逆の動作と
なる。すなわち、この回路によれば、電流・電圧変換手
段１２から出力される電圧Ｖm が所定の電圧Ｖr と同じ
電位になるように制御される。
【００１５】ところで、このような制御はモニタ電流Ｉ
mon が一定になるようにするものであるが、現実にはモ
ニタ電流Ｉmon にレーザ素子４の温度特性に起因する温
度依存性があるため（図４参照）、レーザ素子４のリア
部からの光出力に基づいてフロント部の自動出力制御を
行っていると、レーザ素子４の温度が上昇した場合にフ
ロント部の光出力が低下してしまうことになる。そこ
で、本実施例においては次のような温度補償を行うよう
にしている。すなわち、本実施例に用いられる温度セン
サとしてのサーミスタ８は、図５に示すように、温度に
対して単調減少又は増加するもので、このサーミスタ８
を光出力設定用の抵抗器２０と並列に接続することによ
り、レーザ素子４の温度が上昇した場合に抵抗値が下が
り、電圧Ｖr も下がる。この結果、ベース電圧ＶB が上
昇しドライブ電流ＩOPも上昇する。従って、抵抗器１
９，２０の抵抗値とサーミスタ８の抵抗温度係数（Ｂ定
数）を適切な値に設定すれば、モニタ電流Ｉmon の温度
依存性をキャンセルすることができる。
mon が一定になるようにするものであるが、現実にはモ
ニタ電流Ｉmon にレーザ素子４の温度特性に起因する温
度依存性があるため（図４参照）、レーザ素子４のリア
部からの光出力に基づいてフロント部の自動出力制御を
行っていると、レーザ素子４の温度が上昇した場合にフ
ロント部の光出力が低下してしまうことになる。そこ
で、本実施例においては次のような温度補償を行うよう
にしている。すなわち、本実施例に用いられる温度セン
サとしてのサーミスタ８は、図５に示すように、温度に
対して単調減少又は増加するもので、このサーミスタ８
を光出力設定用の抵抗器２０と並列に接続することによ
り、レーザ素子４の温度が上昇した場合に抵抗値が下が
り、電圧Ｖr も下がる。この結果、ベース電圧ＶB が上
昇しドライブ電流ＩOPも上昇する。従って、抵抗器１
９，２０の抵抗値とサーミスタ８の抵抗温度係数（Ｂ定
数）を適切な値に設定すれば、モニタ電流Ｉmon の温度
依存性をキャンセルすることができる。
【００１６】一般にサーミスタは、次の式で与えられる
特性を有している。
特性を有している。
【００１７】
【数１】 Ｒth＝Ｒo exp｛Ｂ(１／Ｔth−１／Ｔo)｝ Ｒth：温度Ｔthのときの抵抗値 Ｂ：Ｂ定数 Ｒo ：基準温度Ｔo における抵抗値
【００１８】いま、図１に示す構成において、Ｒo ＝１
０ｋΩ、Ｔo ＝２５℃＝２９８ｋ、Ｂ＝３４５０ｋと
し、−ＶEE＝−５Ｖ、抵抗器１９の抵抗値を５ｋΩ、抵
抗器２０の抵抗値を１５ｋΩとすると、数１から、表１
に示すように、Ｔth＝−１０〜５０℃で２５℃を基準に
１．１％／℃の温度補償を行うことができる。
０ｋΩ、Ｔo ＝２５℃＝２９８ｋ、Ｂ＝３４５０ｋと
し、−ＶEE＝−５Ｖ、抵抗器１９の抵抗値を５ｋΩ、抵
抗器２０の抵抗値を１５ｋΩとすると、数１から、表１
に示すように、Ｔth＝−１０〜５０℃で２５℃を基準に
１．１％／℃の温度補償を行うことができる。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように本発明においては、半
導体レーザの光出力の温度特性に応じて光出力設定用電
圧を増減させるようにしたことから、温度変化にかかわ
らず信号光を一定に保つようにＡＰＣ駆動を行うことが
でき、より精度の高い光出力制御を行うことができる。
導体レーザの光出力の温度特性に応じて光出力設定用電
圧を増減させるようにしたことから、温度変化にかかわ
らず信号光を一定に保つようにＡＰＣ駆動を行うことが
でき、より精度の高い光出力制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＡＰＣ温度補償回路の実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】本発明に係る半導体レーザ装置の実施例の全体
概略構成図である。
概略構成図である。
【図３】同実施例の要部構成図である。
【図４】フォトダイオードからのモニタ電流と光出力と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図５】本実施例に用いられるサーミスタの温度特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図６】従来の半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図７】従来のＡＰＣ駆動回路を示す回路図である。
４ レーザ素子 ５ フォトダイオード ６ 信号光 ７ モニタ光 ８ サーミスタ １２ 電流・電圧変換手段 １３，１６ 差動増幅器 １５ 差動増幅手段 １４，１７，１８，１９，２０，２３ 抵抗器 ２１ レーザ駆動手段 ２２ トランジスタ Ｉmon モニタ電流 ＩOP ドライブ電流 Ｖm ，Ｖr 電圧 ＶB ベース電圧
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子を駆動するためのレー
ザ駆動手段と、上記半導体レーザ素子からのモニタ光を
受光する受光素子と、 該受光素子にて得られたモニタ電流をモニタ電圧に変換
する電流・電圧変換手段と、 上記半導体レーザ素子の信号光の出力を設定するため所
定の電圧を発生させる抵抗器と、 該抵抗器によって設定された光出力設定用電圧と上記モ
ニタ電圧との電位差を増幅して上記レーザ駆動手段に供
給する差動増幅手段と、 上記半導体レーザ素子の光出力の温度特性に応じて上記
光出力設定用電圧を増減させるように制御する制御手段
とを有することを特徴とする半導体レーザのＡＰＣ温度
補償回路。 - 【請求項２】 制御手段が負の特性を有するサーミスタ
であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザの
ＡＰＣ温度補償回路。 - 【請求項３】 請求項１又は２のＡＰＣ温度補償回路を
用いて半導体レーザ素子を駆動することを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21614892A JPH0669600A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体レーザのａｐｃ温度補償回路及びこれを用いた半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21614892A JPH0669600A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体レーザのａｐｃ温度補償回路及びこれを用いた半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669600A true JPH0669600A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16684036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21614892A Pending JPH0669600A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 半導体レーザのａｐｃ温度補償回路及びこれを用いた半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669600A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021927A (en) * | 1997-10-13 | 2000-02-08 | Osaka Ship Building Co., Ltd. | Degassing device for aerosol container and lid provided with degassing construction |
| JP2004158644A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Toshiba Corp | 半導体レーザの光出力安定化回路および光送信モジュール |
| CN109842216A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-06-04 | 北京中诺智电科技有限公司 | 一种远距离激光无线充电发射装置 |
| JP2021536038A (ja) * | 2018-08-31 | 2021-12-23 | 深▲せん▼光峰科技股▲分▼有限公司Appotronics Corporation Limited | カラーホイール回転数検出装置、光源システム及び投影装置 |
-
1992
- 1992-08-13 JP JP21614892A patent/JPH0669600A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021927A (en) * | 1997-10-13 | 2000-02-08 | Osaka Ship Building Co., Ltd. | Degassing device for aerosol container and lid provided with degassing construction |
| JP2004158644A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Toshiba Corp | 半導体レーザの光出力安定化回路および光送信モジュール |
| CN109842216A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-06-04 | 北京中诺智电科技有限公司 | 一种远距离激光无线充电发射装置 |
| JP2021536038A (ja) * | 2018-08-31 | 2021-12-23 | 深▲せん▼光峰科技股▲分▼有限公司Appotronics Corporation Limited | カラーホイール回転数検出装置、光源システム及び投影装置 |
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