JPS62269374A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62269374A JPS62269374A JP11331086A JP11331086A JPS62269374A JP S62269374 A JPS62269374 A JP S62269374A JP 11331086 A JP11331086 A JP 11331086A JP 11331086 A JP11331086 A JP 11331086A JP S62269374 A JPS62269374 A JP S62269374A
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- semiconductor laser
- light output
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置の構造に関するものであ
る。
る。
第２図は従来の半導体レーザ装置の構造例を示し、図に
おいて、１は半導体レーザチップ、２は半導体レーザチ
ップｌの光出力をモニタするフォトダイオード、３は半
導体レーザチップｌの光出力を取り出すための窓ガラス
、４はキャップ、５は半導体レーザチップ１を取り付け
るサブマウン体レーザチップｌと結ばれたレーザチップ
カソード電極、１０はＡｕワイヤ１１によりフォトダイ
オード２と結ばれたフォトダイオードアノード電極であ
る。ここで、モニタ用フォトダイオード２は、半導体レ
ーザチップ１の前側（窓側）光出力が裏側光出力とほぼ
比例する事から、裏側光出力を受光して前側光出力のモ
ニタ動作を行うのに用いられている。また、第３図は上
記半導体レーザ装置の電気的結線を示す。
おいて、１は半導体レーザチップ、２は半導体レーザチ
ップｌの光出力をモニタするフォトダイオード、３は半
導体レーザチップｌの光出力を取り出すための窓ガラス
、４はキャップ、５は半導体レーザチップ１を取り付け
るサブマウン体レーザチップｌと結ばれたレーザチップ
カソード電極、１０はＡｕワイヤ１１によりフォトダイ
オード２と結ばれたフォトダイオードアノード電極であ
る。ここで、モニタ用フォトダイオード２は、半導体レ
ーザチップ１の前側（窓側）光出力が裏側光出力とほぼ
比例する事から、裏側光出力を受光して前側光出力のモ
ニタ動作を行うのに用いられている。また、第３図は上
記半導体レーザ装置の電気的結線を示す。
次に第４図を用いて動作について説明する。第４図にお
いて、ｌは半導体レーザダイオード素子、２はモニタ用
フォトダイオード、１４ａ、１４ｂはオペアンプ、１５
はトランジスタ、１６は定電圧ダイオード、１７は電源
、１８〜２５は抵抗、２６．２７は可変抵抗である。上
記オペアンプ１４ａ、１．４ｂで差動増幅回路１４を構
成し、差動アンプ１４ｂの非反転入力に、定電圧ダイオ
ード１６と可変抵抗２７で決まる基準電圧を印加する。
いて、ｌは半導体レーザダイオード素子、２はモニタ用
フォトダイオード、１４ａ、１４ｂはオペアンプ、１５
はトランジスタ、１６は定電圧ダイオード、１７は電源
、１８〜２５は抵抗、２６．２７は可変抵抗である。上
記オペアンプ１４ａ、１．４ｂで差動増幅回路１４を構
成し、差動アンプ１４ｂの非反転入力に、定電圧ダイオ
ード１６と可変抵抗２７で決まる基準電圧を印加する。
このため、オペアンプ１４ｂの出力に正電位が生じ、抵
抗２２を介して、トランジスタ１５を駆動して、半導体
レーザ素子１に電流を流す。そして、レーザ発振が生ず
ると、半導体レーザ装置のモニタ用フォトダイオード２
に電流が流れ、これを可変抵抗２６と抵抗１８とで電圧
に変換する。変換された電圧は、オペアンプ１４ａで利
得１で増幅されオペアンプ１４ｂの反転入力に抵抗２０
を介して人力される。オペアンプ（笈動増幅器）１４ｂ
においては、反転入力と非反転入力の電圧が等しくなる
様ループが形成されており、半導体レーザチップ１は、
前側端面の光出力と裏側端面の光出力との比が変化しな
い限り、一定の光出力を窓側から出射する。
抗２２を介して、トランジスタ１５を駆動して、半導体
レーザ素子１に電流を流す。そして、レーザ発振が生ず
ると、半導体レーザ装置のモニタ用フォトダイオード２
に電流が流れ、これを可変抵抗２６と抵抗１８とで電圧
に変換する。変換された電圧は、オペアンプ１４ａで利
得１で増幅されオペアンプ１４ｂの反転入力に抵抗２０
を介して人力される。オペアンプ（笈動増幅器）１４ｂ
においては、反転入力と非反転入力の電圧が等しくなる
様ループが形成されており、半導体レーザチップ１は、
前側端面の光出力と裏側端面の光出力との比が変化しな
い限り、一定の光出力を窓側から出射する。
従来の半導体装置ではレーザチップｌの裏側の光出力を
モニタして前側の光出力を一定にするようにしているの
で、実用的な光学系において、第５図に示す様に半導体
レーザチップ１の前側端面に、 −−外部共振器
が構成され光が戻ってくる場合には、前側光出力と裏側
光出力の関係は、第６図のようになし前側光出力が変動
する。このため第４図に示す回路では、モニタフォトダ
イオードのモニタ電流が一定となるよう、すなわちレー
ザチップ１の裏側光出力が一定となる様にレーザチップ
１への駆動電流が制御され、第７図の如く、戻り光に対
して前側光出力（窓側出力）は依存性を持ち、光出力を
一定に出来ない不具合を生じる事となる。
モニタして前側の光出力を一定にするようにしているの
で、実用的な光学系において、第５図に示す様に半導体
レーザチップ１の前側端面に、 −−外部共振器
が構成され光が戻ってくる場合には、前側光出力と裏側
光出力の関係は、第６図のようになし前側光出力が変動
する。このため第４図に示す回路では、モニタフォトダ
イオードのモニタ電流が一定となるよう、すなわちレー
ザチップ１の裏側光出力が一定となる様にレーザチップ
１への駆動電流が制御され、第７図の如く、戻り光に対
して前側光出力（窓側出力）は依存性を持ち、光出力を
一定に出来ない不具合を生じる事となる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、広範囲な戻り光が有る状態で、一定の窓側光
出力（前端面光出力）を出射できる半導体レーザ装置を
得ることを目的とする。
たもので、広範囲な戻り光が有る状態で、一定の窓側光
出力（前端面光出力）を出射できる半導体レーザ装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、半導体レーザチッ
プの前側端面から出射される光出力の一部を取り込む光
学部品をパッケージ内に設け、線光の一部をモニタ光と
して受光する受光素子をパッケージ内の上記チップ裏面
以外の位置に設けたものである。
プの前側端面から出射される光出力の一部を取り込む光
学部品をパッケージ内に設け、線光の一部をモニタ光と
して受光する受光素子をパッケージ内の上記チップ裏面
以外の位置に設けたものである。
〔作用〕７．。
この発明においては、半導体レーザチップの前側光出力
の一部を光学部品により取り出し、これをモニタ光とし
て上記チップ裏面以外の位置の受光素子により受光する
ようにしたから、戻り光がある状態においてもその影響
を受けることなく、第４図のような駆動回路により前側
光出力を一定にすることができる。
の一部を光学部品により取り出し、これをモニタ光とし
て上記チップ裏面以外の位置の受光素子により受光する
ようにしたから、戻り光がある状態においてもその影響
を受けることなく、第４図のような駆動回路により前側
光出力を一定にすることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置を示し、
図において、１は半導体レーザチップ、３２はキャップ
（パッケージ）４内に設けられ該チップ１の前側端面か
ら出射される光出力の一部を取り込むハーフミ・ラー又
はプリズム、２はキャップ４内の上記チップｌ裏面以外
の位置にイオード、３は窓ガラス、５はサブマウント、
６は電極ブロック、７はステム、８はステムリード電極
、９はレーザチップのカソード電極、１０はフォトダイ
オードのアノード電極、１１はＡｕワイヤである。
図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置を示し、
図において、１は半導体レーザチップ、３２はキャップ
（パッケージ）４内に設けられ該チップ１の前側端面か
ら出射される光出力の一部を取り込むハーフミ・ラー又
はプリズム、２はキャップ４内の上記チップｌ裏面以外
の位置にイオード、３は窓ガラス、５はサブマウント、
６は電極ブロック、７はステム、８はステムリード電極
、９はレーザチップのカソード電極、１０はフォトダイ
オードのアノード電極、１１はＡｕワイヤである。
次に作用効果について説明する。
本実施例では、半導体レーザチップ１の前側端面（窓ガ
ラス側）から出射される会光出力をハーフミラ−又はプ
リズム３２で受け、その一部を、キャップ４の壁面に取
り付けられたモニタフォトダイオード２へ照射する。ま
た他の光出力は、窓ガラス３を介して外部へ出力する。
ラス側）から出射される会光出力をハーフミラ−又はプ
リズム３２で受け、その一部を、キャップ４の壁面に取
り付けられたモニタフォトダイオード２へ照射する。ま
た他の光出力は、窓ガラス３を介して外部へ出力する。
これにより通常のＡＰＣ駆動において、モニタフォトダ
イオード２により、レーザチップの前側端面の光出力を
モニタ光として受光することができ、戻り光がある状態
でも第４図に示す駆動回路を用いて前側光出力を一定に
することができ、また、各種書込み。
イオード２により、レーザチップの前側端面の光出力を
モニタ光として受光することができ、戻り光がある状態
でも第４図に示す駆動回路を用いて前側光出力を一定に
することができ、また、各種書込み。
読み取り等のセンサとして本装置を適用した場合にも安
定なレーザ発振特性を得ることができる。
定なレーザ発振特性を得ることができる。
以上のように、この発明にかかる半導体レーザ装置によ
れば、半導体レーザチップの前側端面から出射される光
出力の一部を取り込む光学部品をパッケージ内に設け、
当該光出力の一部をモニタ光として受光する受光素子を
パッケージ内の上記チップ裏面以外の位置に設けたので
、戻り光あるいは外乱があっても、一定の窓側光出力を
出射できる効果がある。
れば、半導体レーザチップの前側端面から出射される光
出力の一部を取り込む光学部品をパッケージ内に設け、
当該光出力の一部をモニタ光として受光する受光素子を
パッケージ内の上記チップ裏面以外の位置に設けたので
、戻り光あるいは外乱があっても、一定の窓側光出力を
出射できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示す図、
第２図は従来の半導体レーザ装置の構成例を示す図、第
３図は該装置の電気的結線を示す図、第４図は本発明及
び従来の半導体レーザ装置の駆動回路を示す図、第８図
は半導体レーザチップの前側端面光が戻ってくる様子を
示す図、第す図は半導体レーザチップの前端面光出力と
裏側光出力の関係を示す図、第７図は戻り光に対する前
側光出力の依存度を示す図である。 １・・・半導体レーザチップ、２・・・モニタフォトダ
イオード、３・・・窓ガラス、４・・・キャンプ、５・
・・サブマウント、６・・・電極ブロック、７・・・ス
テム、８・・・ステムリード、９・・・レーザチップカ
ソードリード、１０・・・フォトダイオードアノードリ
ード、１１・・・Ａｕワイヤ、３２・・・ハーフミラ−
又はプリズム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
第２図は従来の半導体レーザ装置の構成例を示す図、第
３図は該装置の電気的結線を示す図、第４図は本発明及
び従来の半導体レーザ装置の駆動回路を示す図、第８図
は半導体レーザチップの前側端面光が戻ってくる様子を
示す図、第す図は半導体レーザチップの前端面光出力と
裏側光出力の関係を示す図、第７図は戻り光に対する前
側光出力の依存度を示す図である。 １・・・半導体レーザチップ、２・・・モニタフォトダ
イオード、３・・・窓ガラス、４・・・キャンプ、５・
・・サブマウント、６・・・電極ブロック、７・・・ス
テム、８・・・ステムリード、９・・・レーザチップカ
ソードリード、１０・・・フォトダイオードアノードリ
ード、１１・・・Ａｕワイヤ、３２・・・ハーフミラ−
又はプリズム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体レーザチップの光出力をモニタして一定の
光出力を出射する窓形構造の半導体レーザ装置において
、 上記半導体レーザチップのパッケージ内に設けられ該チ
ップの前端面から出射される光出力の一部を取り出す光
学部品と、 上記パッケージ内の上記チップ裏側以外の位置に設けら
れ上記光出力の一部を受光する受光素子とを備えたこと
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11331086A JPS62269374A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11331086A JPS62269374A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269374A true JPS62269374A (ja) | 1987-11-21 |
Family
ID=14608993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11331086A Pending JPS62269374A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62269374A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384184A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0786837A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Integrated laser-based light source |
| EP0786838A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser based light source using diffraction, scattering or transmission |
| US5761229A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-02 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11331086A patent/JPS62269374A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384184A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0786837A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Integrated laser-based light source |
| EP0786838A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser based light source using diffraction, scattering or transmission |
| EP0786838A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-08 | Hewlett Packard Co | Laser light source with a diffractive, scattering or transmissive element |
| EP0786837A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-15 | Hewlett Packard Co | Integrated laser light source |
| US5761229A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-02 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| US5771254A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-23 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| US5809050A (en) * | 1996-01-25 | 1998-09-15 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source using diffraction, scattering and transmission |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
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