JP2005072197A - 高温動作レーザダイオード装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザダイオードモジュールの動作温度を一定に保持し、温度変動に伴う性能劣化を防止すると共に安価に構成でき、高速・長距離伝送が可能な高温動作レーザダイオード装置を提供する。
【解決手段】高温での動作に最適化した非冷却型のレーザダイオードモジュール11にヒータ12及び感熱素子13を装着し、上記ヒータ12を温度コントロール回路14によって制御する。温度コントロール回路14は、感熱素子13によりレーザダイオードモジュール11の温度を検出し、その検出信号に基づいてヒータ12の電流を制御し、レーザダイオードモジュール11の温度を一定に保持する。
【選択図】 図1
【解決手段】高温での動作に最適化した非冷却型のレーザダイオードモジュール11にヒータ12及び感熱素子13を装着し、上記ヒータ12を温度コントロール回路14によって制御する。温度コントロール回路14は、感熱素子13によりレーザダイオードモジュール11の温度を検出し、その検出信号に基づいてヒータ12の電流を制御し、レーザダイオードモジュール11の温度を一定に保持する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、冷却する必要の無い高温動作レーザダイオードモジュールを用いた高温動作レーザダイオード装置に関する。
従来、光データ信号を伝送する光信号伝送システムにおいては、電気信号を光信号に変換するためにレーザダイオードモジュールが用いられているが、1Gbps程度以下の中低速用及び10〜20km程度以下の中・短距離では、一般に非冷却型のものが使用されている。
レーザダイオードは、図6に示すように温度によりしきい値電流や電流−光出力特性が大幅に変化するという特性を持っている。図6は、レーザダイオードの電流対光出力特性の一例を示したもので、横軸に電流をとり、縦軸に光出力をとって示した。
上記したようにレーザダイオードは、温度によりしきい値電流や電流−光出力特性が大幅に変化するため、温度が変化した場合には発光遅れによるジッターの増加や消光比の劣化を招き、データのエラーレートが劣化するという問題がある。そのため、高速・長距離伝送用のレーザダイオードモジュールとしては、クーラーを内蔵してレーザダイオードチップを25℃程度の一定の温度に保つようにした冷却型のものが使用されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかし、上記冷却型レーザダイオードモジュールは、構造が複雑で非常に高価なものとなっている。
特開平5−90698号公報
しかし、上記冷却型レーザダイオードモジュールは、構造が複雑で非常に高価なものとなっている。
上記のように、冷却型レーザダイオードモジュールは構造が複雑で非常に高価であり、また、非冷却型レーザダイオードモジュールは安価ではあるが、温度変動による性能劣化のため高速・長距離用途には使用できないという問題があった。
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、動作温度を一定に保持して温度変動に伴う性能劣化を防止でき、高速・長距離伝送が可能であり、かつ小形で安価に構成し得る高温動作レーザダイオード装置を提供することを目的とする。
本発明に係る高温動作レーザダイオード装置は、デジタル電気信号を光信号に変換する非冷却型レーザダイオードモジュールと、前記レーザダイオードモジュールを加熱するヒータと、前記レーザダイオードモジュールの温度を検出する感熱素子と、前記感熱素子の検出信号に基づいて前記ヒータの発熱量を制御して前記レーザダイオードモジュールの温度を一定に保持する温度コントロール回路とを具備したことを特徴とする。
本発明によれば、高温での動作に最適化した非冷却型のレーザダイオードモジュールの温度を温度コントロール回路により一定に保持でき、温度変動に伴う性能劣化を防止して高速・長距離伝送が可能な高温動作レーザダイオード装置を提供することができる。また、非冷却型であるので構造が非常に簡単であり、小型でかつ安価に構成することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るレーザダイオード装置の概略構成を示すブロック図である。図1において、11は非冷却型のレーザダイオードモジュールで、外部から入力されるデータ信号例えば高速のデジタル電気信号を光信号に変換し、光ケーブルを介して外部に出力する。上記レーザダイオードモジュール11には、例えばケースの外側にヒータ12が取り付けられると共に、例えば負特性サーミスタ等の感熱素子13が取り付けられる。この場合、ヒータ12及び感熱素子13は、レーザダイオードモジュール11に直接、あるいはレーザダイオードモジュール11の保持金具や保持基板等に装着される。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るレーザダイオード装置の概略構成を示すブロック図である。図1において、11は非冷却型のレーザダイオードモジュールで、外部から入力されるデータ信号例えば高速のデジタル電気信号を光信号に変換し、光ケーブルを介して外部に出力する。上記レーザダイオードモジュール11には、例えばケースの外側にヒータ12が取り付けられると共に、例えば負特性サーミスタ等の感熱素子13が取り付けられる。この場合、ヒータ12及び感熱素子13は、レーザダイオードモジュール11に直接、あるいはレーザダイオードモジュール11の保持金具や保持基板等に装着される。
上記ヒータ12の発熱量は、温度コントロール回路14によって制御され、レーザダイオードモジュール11を周囲温度より高い一定の温度に保持するようになっている。すなわち、温度コントロール回路14は、例えばレーザダイオードモジュール11を使用する装置の動作周囲温度の規格が−20°〜+40°で所要の性能が維持されることを保証している場合、レーザダイオードモジュール11を上記動作周囲温度の上限値である40℃より高い温度、例えば65℃の一定温度に保持するように動作する。この結果、レーザダイオードモジュール11は、周囲温度が上記動作周囲温度の範囲内で変化しても一定温度に保たれる。なお、レーザダイオードモジュール11としては、上記動作周囲温度より高い温度、この場合には65℃前後の温度で良好に動作するものを使用する。
上記温度コントロール回路14は、図2に示すように構成される。すなわち、直流電源回路(図示せず)から供給されるVcc電圧がヒータ12を介してパワートランジスタ21のコレクタに入力されると共に、抵抗22を介して電源ライン23に与えられる。この電源ライン23と接地間には、定電圧ダイオード24とコンデンサ25の並列回路が設けられ、電源ライン23の電圧を一定に保持している。
上記温度コントロール回路14は、図2に示すように構成される。すなわち、直流電源回路(図示せず)から供給されるVcc電圧がヒータ12を介してパワートランジスタ21のコレクタに入力されると共に、抵抗22を介して電源ライン23に与えられる。この電源ライン23と接地間には、定電圧ダイオード24とコンデンサ25の並列回路が設けられ、電源ライン23の電圧を一定に保持している。
また、電源ライン23と接地間には、上記感熱素子13に対してバイアス抵抗27、28を直列に接続した直列回路が設けられ、感熱素子13とバイアス抵抗27との接続点における分圧電圧が増幅用トランジスタ29のベースに入力される。
また、増幅用トランジスタ29は、コレクタに電源ライン23の電圧が負荷抵抗30を介して入力され、エミッタが接地される。また、増幅用トランジスタ29のコレクタ電圧は、バイアス抵抗31を介してパワートランジスタ21のベースに入力される。このパワートランジスタ21は、エミッタが接地される。
上記の構成において、レーザダイオードモジュール11の温度が低い場合、それに伴って感熱素子13の温度も低く、その抵抗値が大きくなるので、感熱素子13とバイアス抵抗27との間の分割電圧が低くなり、増幅用トランジスタ29のベース電流が低下する。この結果、増幅用トランジスタ29のコレクタ電圧が高くなり、パワートランジスタ21のベース電流が増大し、ヒータ12に流れる電流が増大してレーザダイオードモジュール11に対する加熱温度が上昇する。
上記レーザダイオードモジュール11の温度が高くなると、それに伴って感熱素子13の温度も高くなり、その抵抗値が小さくなるので、感熱素子13とバイアス抵抗27との間の分割電圧が高くなり、増幅用トランジスタ29のベース電流が増大する。この結果、増幅用トランジスタ29のコレクタ電圧が低くなり、パワートランジスタ21のベース電流が減少し、ヒータ12に流れる電流が減少してレーザダイオードモジュール11に対する加熱温度が下降する。
上記のようにして温度コントロール回路14により、レーザダイオードモジュール11の温度が一定となるようにヒータ12に対する電流制御が行なわれる。上記レーザダイオードモジュール11に対する設定温度は、バイアス抵抗27、28の値によって調整することができる。従って、レーザダイオードモジュール11が最適温度例えば65℃に保たれるようにバイアス抵抗27、28の値が設定される。
上記のように温度コントロール回路14において、感熱素子13の検出信号に基づいてヒータ12に流れる電流を制御することにより、レーザダイオードモジュール11を常に一定の温度に保持することができ、温度変動に伴ってレーザダイオードモジュール11で発生するジッターや消光比の劣化を防止することができる。
また、上記レーザダイオードモジュール11は、冷却型のレーザダイオードモジュールに比較し、小型であると共に構造が非常に簡単であり、安価に構成することができる。
(第2実施形態)
次に本発明の第2実施形態について図3を参照して説明する。
この第2実施形態に係るレーザダイオードモジュール装置は、図3に示すようにレーザダイオードモジュール11のケースに定温発熱体40を装着し、レーザダイオードモジュール11の温度を一定に保持するようにしたものである。
次に本発明の第2実施形態について図3を参照して説明する。
この第2実施形態に係るレーザダイオードモジュール装置は、図3に示すようにレーザダイオードモジュール11のケースに定温発熱体40を装着し、レーザダイオードモジュール11の温度を一定に保持するようにしたものである。
上記定温発熱体40は、正特性サーミスタを用いて構成したもので、上記正特性サーミスタに電源例えば交流電源41を供給し、正特性サーミスタの発熱を利用してレーザダイオードモジュール11を動作周囲温度より高い温度、例えば65℃の一定温度に保持する。
上記正特性サーミスタは、半導体抵抗素子で、温度の上昇に伴って急激に抵抗値が増大する性質を有し、そのスイッチング温度を材料組成によって設定することができる。正特性サーミスタは、低温域では抵抗値が低く大きな電流が流れるが、一定の温度以上になると急激に抵抗値が増大し、殆ど電流を流さない特性を有している。従って、正特性サーミスタは、上記の温度特性を利用して定温発熱体40の発熱素子として用いることができる。
上記のように正特性サーミスタによる定温発熱体40を使用してレーザダイオードモジュール11の温度を一定に保持することにより、温度コントロール回路を簡略化することができる。上記定温発熱体40は、レーザダイオードモジュール11に直接装着する他、例えばレーザダイオードモジュール11の保持金具や保持基板等に装着しても良い。
なお、上記第2実施形態では、定温発熱体40をレーザダイオードモジュール11のケースに外付けして用いた場合について示したが、上記定温発熱体40をレーザダイオードモジュール11のケース内、例えばLDチップの近傍に設け、該LDチップの温度を上記したように65℃等の一定温度に保持するようにしても良い。この場合、定温発熱体40は、そのリード線をレーザダイオードモジュール11のケースから外部に導出し、上記第2実施形態で示したように交流電源41に接続して使用する。
(第3実施形態)
次に本発明の第3実施形態について図4を参照して説明する。
この第3実施形態は、図4に示すように非冷却型のレーザダイオードモジュール11内にヒータを内蔵させた場合について示したもので、レーザダイオードモジュール11として動作周囲温度より高い温度、例えば65℃等の温度で良好に動作するものを使用する。
次に本発明の第3実施形態について図4を参照して説明する。
この第3実施形態は、図4に示すように非冷却型のレーザダイオードモジュール11内にヒータを内蔵させた場合について示したもので、レーザダイオードモジュール11として動作周囲温度より高い温度、例えば65℃等の温度で良好に動作するものを使用する。
上記レーザダイオードモジュール11は、LDチップ(レーザダイオードチップ)111、モニタPD(フォトダイオード)112、第1のレンズ113、アイソレータ114、第2のレンズ115、及び上記LDチップ111等を加熱するヒータ12からなり、ケース51内に収納する。また、上記ケース51内には、例えばLDチップ111の近傍に負特性サーミスタ等の感熱素子13を装着し、LDチップ111あるいはその近傍の温度を検出する。上記ヒータ12は、少なくともLDチップ111を加熱できるものであればよい。
上記LDチップ111から出力されるレーザ光は、第1のレンズ113、アイソレータ114、第2のレンズ115及び光ファイバ116を介して外部に取り出される。
また、上記モニタPD112は、LDチップ111から出力されるレーザ光を受光して電気信号に変換し、外部に設けられているAPC(Automatic Power Control)回路15に出力する。APC回路15は、モニタPD112からの信号に基づいてLDチップ111の光出力が常に一定となるように制御する。
また、上記感熱素子13は、レーザダイオードモジュール11の外部に設けられる温度コントロール回路14に接続される。温度コントロール回路14は、感熱素子13によりケース51内の温度、例えばLDチップ111の温度あるいはその近傍の温度を検出し、その温度検出信号に基づいてヒータ12の発熱量を駆動電流により制御し、レーザダイオードモジュール11の温度を一定値、例えば65℃程度に保持するように動作する。
上記レーザダイオードモジュール11として常温より高い温度例えば65℃で良好に動作するものを使用することにより、レーザダイオードモジュール11にヒータ12を内蔵させて温度を一定値に保持することが可能となり、簡単な構成で温度制御をきわめて容易に行なうことができる。従って、温度変動に伴って発生するジッターや消光比の劣化を確実に防止でき、高速・長距離伝送が可能な非冷却型のレーザダイオードモジュール11を構成することができる。
(第4実施形態)
次に、上記レーザダイオードモジュール11を使用したデジタル光信号送信機の構成例について、図5を参照して説明する。
図5において、入力されたデータ信号は、レーザ駆動回路62を介してレーザダイオードモジュール11に入力される。レーザダイオードモジュール11は、データ信号を光信号に変換し、光コネクタ63より光ケーブル64を介して外部に出力する。
次に、上記レーザダイオードモジュール11を使用したデジタル光信号送信機の構成例について、図5を参照して説明する。
図5において、入力されたデータ信号は、レーザ駆動回路62を介してレーザダイオードモジュール11に入力される。レーザダイオードモジュール11は、データ信号を光信号に変換し、光コネクタ63より光ケーブル64を介して外部に出力する。
また、レーザダイオードモジュール11には、図1に示したようにヒータ12及び感熱素子13が装着されると共に、図4に示したAPC回路15が接続される。温度コントロール回路14は、感熱素子13の検知信号に基づいてレーザダイオードモジュール11を65℃等の一定の温度に保持する。また、APC回路15は、レーザダイオードモジュール11の光出力が常に一定となるように制御する。
更に、上記温度コントロール回路14及びAPC回路15には、アラーム検知回路65が接続される。アラーム検知回路65は、温度コントロール回路14及びAPC回路15の動作状態を監視し、異常を検知した場合にアラーム信号をアラーム表示部66に出力する。
上記アラーム表示部66は、例えばLEDを用いて構成され、アラーム検知回路65の出力信号に基づいてLEDを駆動し、温度コントロール回路14及びAPC回路15の動作状態あるいはアラーム表示等を行なう。
上記レーザダイオードモジュール11は、温度コントロール回路14により常に一定の温度に保持されるので、温度変動に伴って発生するジッターや消光比の劣化等が防止される。また、レーザダイオードモジュール11は、APC回路15により光出力が制御され、光出力信号のレベルが常に一定に保持される。
上記のように非冷却型のレーザダイオードモジュール11を使用し、ヒータ12、感熱素子13及び温度コントロール回路14によってレーザダイオードモジュール11の温度を一定に保持することにより、冷却型のレーザダイオードモジュールを使用することなく、ジッターの発生や消光比の劣化等を防止でき、高速・長距離伝送用の高性能なデジタル光信号送信機を構成することができる。
なお、図5では、レーザダイオードモジュール11にヒータ12を外部に設けた場合について示したが、ヒータ12に代えて図3に示したように定温発熱体40を用いた場合であっても、あるいは図4に示したようにレーザダイオードモジュール11内にヒータ12を設けた場合であっても、同様にして実施し得るものである。更に、上記定温発熱体40をレーザダイオードモジュール11の内部に設けた場合であっても良い。
また、本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できるものである。
11…レーザダイオードモジュール、12…ヒータ、13…感熱素子、14…温度コントロール回路、15…APC回路、21…パワートランジスタ、22…抵抗、23…電源ライン、24…定電圧ダイオード、25…コンデンサ、27、28…バイアス抵抗、29…増幅用トランジスタ、30…負荷抵抗、31…バイアス抵抗、40…定温発熱体、41…交流電源、51…ケース、62…レーザ駆動回路、63…光コネクタ、64…光ケーブル、65…アラーム検知回路、66…アラーム表示部、111…LDチップ、112…モニタPD、113…第1のレンズ、114…アイソレータ、115…第2のレンズ、116…光ファイバ。
Claims (1)
- デジタル電気信号を光信号に変換する非冷却型レーザダイオードモジュールと、前記レーザダイオードモジュールを加熱するヒータと、前記レーザダイオードモジュールの温度を検出する感熱素子と、前記感熱素子の検出信号に基づいて前記ヒータの発熱量を制御して前記レーザダイオードモジュールの温度を一定に保持する温度コントロール回路とを具備したことを特徴とする高温動作レーザダイオード装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003298849A JP2005072197A (ja) | 2003-08-22 | 2003-08-22 | 高温動作レーザダイオード装置 |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=34404229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003298849A Pending JP2005072197A (ja) | 2003-08-22 | 2003-08-22 | 高温動作レーザダイオード装置 |
Country Status (1)
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010263026A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光増幅装置および光伝送システム |
CN102269796A (zh) * | 2011-07-12 | 2011-12-07 | 江苏奥雷光电有限公司 | 一种测试激光二极管高温数据的装置与测试方法 |
CN102749684A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-10-24 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 激光收发器件及其制造方法和提高其温度运作范围的方法 |
JP2013504200A (ja) * | 2009-09-04 | 2013-02-04 | スペクトラルス・コーポレイション | 周期的に分極された非線形材料の、効率がよくコンパクトな可視マイクロチップレーザ光源 |
US8693510B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-04-08 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical transmitter and optical transmission apparatus |
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2003
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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