JPH0282659A - 光発信器 - Google Patents

光発信器

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Publication number
JPH0282659A
JPH0282659A JP63235871A JP23587188A JPH0282659A JP H0282659 A JPH0282659 A JP H0282659A JP 63235871 A JP63235871 A JP 63235871A JP 23587188 A JP23587188 A JP 23587188A JP H0282659 A JPH0282659 A JP H0282659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
light emitting
emitting diode
substrate
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63235871A
Other languages
English (en)
Inventor
Akemichi Okimoto
沖本 明道
Kenji Tsuge
拓植 憲治
Yoshiaki Kamejima
義明 亀嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP63235871A priority Critical patent/JPH0282659A/ja
Publication of JPH0282659A publication Critical patent/JPH0282659A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し産業上の利用分野] この発明は光フアイバセンサ、光学式センサ等のセンサ
部を用いた光計測システムに使用される光発信器に関す
るものである。
U従来の技術] 従来、この種の光発信器として、例えば第6図に示すよ
うな光計測系に適用されるものが一服的に知られている
即ち、この光計測系では、発光ダイオード等の発光素子
70を有する光発信器7Iから出射されたた光が、光フ
ァイバ72を介してセンサ部73に導かれ、同センサ部
73にて計測対象に照射されて強度変調されたりした後
、再び光ファイバ72を介してフォトダイオード等の受
光素子74を有する光受信器75に導かれる。光受信器
75に導かれた光信号は、光、電変換され、増幅等され
てから計測信号としで出力される。
[発明が解決しようとする課題] 前記従来の光発信器71においては、発光素子駆動回路
として、発光素子70を定電流で駆動するもの、発光素
子70の発光量を一定にするために供給電流を変化させ
たりするもの等がある。しかしながら、発光ダイオード
等の発光素子では、同素子70自体の温度変化によって
発光波長が変化するという特徴があり、光計測系の精度
の点で問題があった。
即ち、周囲の温度変化によって発光素子70自体の温度
が変化し、これによって発光波長が変化すると、発光素
子70からセンサ部73に導かれた光の光学効果が変化
し、センサ部73から出力される光信号に誤差を生じる
ことになった。
この発明は前述した事情に鑑みてなされたものであって
、その目的は、発光素子からセンサ部へ出射される発光
波長を、周囲の温度変化に影響されることなく一定に保
つことが可能な光発信器を提供することにある。
[課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するためにこの発明においては、光出
射用の発光素子を備えた光発信器において、発光素子の
温度を調整するための温度調整手段と、発光素子の温度
を検出するための温度検出手段と、温度検出手段による
検出温度に基いて発光素子を所定温度に保つべく温度調
整手段を駆動制御する制御手段とを備えている。
[作用コ 従って、温度検出手段が発光素子の温度を検出すること
により、制御手段がその検出温度を所定温度に保つため
に温度調整手段を駆動制御する。
[第1実施例コ 以下、この発明を具体化した第1実施例を図面に基いて
詳細に説明する。
第1図に示すように、この実施例の光発信器はアルミ類
の支持板1を備え、その上面にはステンレスよりなる箱
状の外ケース2が取付けられている。この外ケース2の
内壁面及び支持板1の上面には発泡スチロールよりなる
断熱板3が貼着され、これら支持板1、外ケース2及び
断熱板3により保温性のよい断熱ケース4が構成されて
いる。
断熱ケース4の内側には発光素子としての発光ダイオー
ド5が内包されて配設されている。即ち、断熱ケース4
の内側には伝熱性のよい銅よりなる断面り字状の基板6
が取付けられ、同基板6の起立部6aに対して発光ダイ
オード5が取付けられている。そして、接続端子7を介
して発光ダイオード5に接続された光ファイバ8の一端
が、断熱ケース4の外側へ導出されている。又、発光ダ
イオード5のリード線5aは、断熱ケース4の外側へ導
出され、図示しない発光ダイオード用駆動回路に接続さ
れている。
又、基板6の基部6bの上面には、同基板6を介して発
光ダイオード5の温度を調整するための温度調整手段と
しての加熱用トランジスタ9が熱伝導の良い接着剤等を
介して固着されている。更に、同基部6b中には、基板
6を介して発光ダイオード5の温度を検出するための温
度検出手段としてのサーミスタIOが熱伝導の良い接着
剤等を介して埋設されている。そして、加熱用トランジ
スタ9及びサーミスタ10の各リード線9a。
10aは断熱ケース4の外側へ導出されている。
次に、発光ダイオード5を所定温度に保つためにサーミ
スタ10の検出温度に基いて加熱用トランジスタ9を駆
動制御する制御手段について説明する。
第2図に示すように、制御手段としての制御回路11は
2つのトランジスタ12.13、複数の抵抗14〜24
及びヒユーズ25により構成されている。そして、抵抗
14にはサーミスタ1oが並列接続されている。又、抵
抗24及びヒユーズ25の間には加熱用トランジスタ9
が介装され、同トランジスタ90ベースが抵抗1.9.
20間に接続されている。前記両トランジスタ12.1
3及び各抵抗18〜21は差動増幅回路を構成しており
、これによって温度変化の影響による加熱用トランジス
タ9への出力のドリフトを防止している。
尚、この実施例では、加熱用トランジスタ9の設定温度
を調整するために、抵抗16の抵抗値が所定範囲内で変
更可能になっている。
従って、発光ダイオード5と共に基板6の温度が低下す
ると、サーミスタ1oの温度が低下してその抵抗値が大
きくなる。このため、サーミスタ10及び各抵抗14〜
17によって決定されるトランジスタ12のベース電圧
が増大し、加熱用トランジスタ9へのベース電圧が増大
して同トランジスタ9の通電が増大し、その発熱量が増
大する。
加熱用トランジスタ9の発熱量が増大すると、基板6を
介して発光ダイオード5が加熱されると共に、断熱ケー
ス4内が加熱される。
そして、発光ダイオード5が加熱されてその温度が所定
温度に達すると、サーミスタ10の温度が上昇してその
抵抗値が小さくなる。このため、トランジスタ12のベ
ース電圧が小さくなり、加熱用トランジスタ9のベース
電圧が低減して同トランジスタ19の通電が減少し、そ
の発熱量が低減する。
加熱用トランジスタ9の発熱量が低減すると、基板6を
介して発光ダイオード5の温度上昇が抑えられ、やがて
サーミスタ10の温度が再び低下し始めてトランジスタ
12のベース電圧が増大し、加熱用トランジスタ9の発
熱量が再び増大する。
このように、サーミスタIOによる温度検出に基いて加
熱用トランジスタ9の通電が制御され、その発熱量が制
御されると、発光ダイオード5が予め設定された所定の
温度で略一定に保たれる。
この結果、発光ダイオード5からの発光波長を略一定の
値に保持することができ、光フアイバセンサ等のセンサ
部に対して安定した波長の光を供給することができる。
よって、発光波長の変化による計測誤差の発生を未然に
防止することができる。
ここで、前記加熱用トランジスタ9及びサーミスタ10
を用いた温度制御に関する実験結果を第3図に示す。こ
の図において、横軸は周囲の温度、即ち光発信器の周囲
の温度を示し、縦軸は発光ダイオード5の温度を測定し
たセンサの出力変化率を示している。尚、前記センサは
基板6に取付けられたものである。
この図からも明らかなように、温度制御有りの実線のグ
ラフは、25°Cの周囲温度を基準にして0℃から50
°Cまでの周囲温度の間でのセンサ出力変化率が、+0
.24〜−0.36%と小さく、発光ダイオード5の温
度が略一定に保たれていることがわかる。これに対して
、温度制御無しの破線のグラフは、25℃の周囲温度を
基準にして、0℃から50°Cまでの周囲温度の間での
センサ出力変化率が、+2.72〜−2.85%と大き
く、発光ダイオード5の温度が一定に保たれていないこ
とがわかる。
[第2実施例] 次に、この発明を具体化した第2実施例を図面に基いて
説明する。尚、この実施例において、前記実施例と同様
の部材については同様の符号を付して説明を省略し、異
なった点についてのみ説明する。
第4図に示すように、この実施例では、支持板1の下側
に対して支持板lと同形状の2枚の補助板31が所定の
間隔隔てて組付けられ、これら各板1,31により放熱
板32が構成されている。
又、断熱ケース4内において、支持板1上には断熱板3
を施さない露出部1aが設けられ、同露出部la上にお
いて温度調整手段としてのベルチェ素子33が配設され
ている。このベルチェ素子33はベルチェ効果を応用し
た電子冷凍可能な周知の素子である。このベルチェ素子
33の下側面は支持板1に当接固定され、上側面は基板
6に当接固定されている。
そして、この実施例では、加熱用トランジスタ9に代わ
って冷却用のベルチェ素子33を設けた点で前記第1実
施例と異なっており、ベルチェ素子33を通電すること
より、その上側面側が吸熱されると共にに下側面側が発
熱される。又、前記上側面側の吸熱により、基板6を介
して発光ダイオード5の吸熱が行われ、前記下側面側の
発熱は放熱板32を介して放熱されるようになっている
更に、断熱ケース4内の空洞部分には、断熱効果の高い
グラスウール、発泡ウレタン等の充填材(図示路)が設
けら、基板6及び発光ダイオード5の冷却効果を高める
ようにしている。
次に、発光ダイオード5を所定温度に保つためにサーミ
スタ10の検出温度に基いてベルチェ素子33を駆動制
御する制御手段について説明する。
第5図に示すように、制御手段としての制御回路34は
オペアンプ35、抵抗36.37,38゜39よりなる
第10差動増幅器40を備えている。
オペアンプ35のマイナス入力側には、抵抗37を介し
、抵抗41及びサーミスタ10の抵抗値によって決定さ
れる電圧が人力される。又、オペアンプ35のプラス入
力側には、抵抗38を介し、抵抗42.43によって決
定される電圧が入力される。更に、抵抗39には別の抵
抗44を介して基準電圧が印加される。この基準電圧は
可変になっている。
そして、サーミスタ10の検出温度の変化、即ちサーミ
スタ10の抵抗値の変化に基き、第1の差動増幅器40
の出力が変化する。
第1の差動増幅器40の出力は、オペアンプ45、抵抗
46.47.48及びコンデンサ49゜50よりなる第
2の差動増幅器51に人力される。
即ち、第1の差動増幅器40の出力は、抵抗47を介し
、オペアンプ45のマイナス入力側に人力される。又、
オペアンプ45のプラス入力側には、抵抗48を介し、
抵抗52及びコンデンサ53゜54等よりなる定電圧回
路56から定電圧が印加される。
そして、第1の差動増幅器40の出力の変化に基き、第
2の差動増幅器51の出力が変化する。
第2の差動増幅器51の出力は、抵抗57を介し、3つ
のトランジスタ58,59.60よりなるダーリントン
回路61のベース側に入力される。
又、ダーリントン回路61のベース側及びエミッタ側の
間には、抵抗62,63.64及びトランジスタ65よ
りなる保護回路66が介装され、同保護回路66を介し
てベルチェ素子33に通電が行われるようになっている
そして、第2の差動増幅器51の出力の変化に基き、ダ
ーリントン回路61の出力が変化してベルチェ素子33
への通電が変化するようになっている。又、このときの
、ダーリントン回路61の出力が予め定めされた値より
も大きくなると、保護回路66が作動してベルチェ素子
33への通電が抑えられるようになっている。つまり、
ベルチェ素子33への必要以上の通電が防止されてベル
チェ素子33が保護されるようになっている。
従って、発光ダイオード5と共に基板6の温度が上昇す
ると、サーミスタ1oの温度が上昇してその抵抗値が小
さくなる。このため、サーミスタ10及び各抵抗41に
よって決定される第1の差動増幅器40への入力電圧が
低下する。よって、第1の差動増幅器40の出力電圧が
増大し、更に第2の差動増幅器51の出力電圧が増大し
てダーリントン回路61の出力電流が増大する。
この結果、ベルチェ素子33への通電が増大して同素子
33の上側面側の吸熱量が増大し、基板6を介して発光
ダイオード5が冷却されると共に、断熱ケース4内が冷
却される。
ソシて、発光ダイオード5が冷却されてその温度が所定
温度に達すると、サーミスタ1oの温度が低下してその
抵抗値が大きくなる。このため、サーミスタ10及び各
抵抗41によって決定される第1の差動増幅器40への
入力電圧が増大し、第1及び第2の差動増幅器40.5
1での増幅率が小さくなり、ダーリントン回路61の出
力電流が低下する。
この結果、ベルチェ素子33への通電が低減して同素子
33の上側面側の吸熱量が低残し、基板6を介した発光
ダイオード5の冷却が抑えられる。
このように、サーミスタ10による温度検出に基いてベ
ルチェ素子33の通電が制御され、その吸熱量が制御さ
れると、発光ダイオード5が予め設定された所定の温度
で略一定に保たれる。
この結果、発光ダイオード5からの発光波長を略一定の
値に保持することができ、光フアイバセンサ等のセンサ
部に対して安定した波長の光を供給することができる。
よって、発光波長の変化による計測誤差の発生を未然に
防止することができる。
尚、この発明は前記実施例に限定されるものではなく、
発明の趣旨を逸脱しない範囲において構成の一部を適宜
に変更して次のように実施することもできる。
(1)前記各実施例では、1つの発光ダイオード5の温
度制御に具体化したが、例えば各相交流線路用に設けら
れた光計測系において複数の発光ダイオードの温度制御
を同時に行うように構成してもよい。
(2)前記各実施例では、温度検出手段としてサーミス
タ10を設けたが、熱転対、測温抵抗体等のその他のセ
ンサを設けてもよい。
(3)前記各実施例では、温度調整手段として加熱用ト
ランジスタ9、ベルチェ素子33を設けたが、加熱用抵
抗器等のその他の部品を設けてもよい。
(4)前記各実施例では、制御手段として各制御回路1
1.34を設けたが、これ以外の温度制御回路を設けて
もよい。
[発明の効果] 以上詳述したようにこの発明によれば、発光素子からセ
ンサ部へ出射される発光波長を、周囲の温度変化に影響
されることなく略一定に保つことができ、延いては発光
波長の変化による計測誤差の発生を未然に防止すること
ができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図はこの発明を具体化した第1実施例を示
す図面であって、第1図は主要部を示す部分破断側面図
、第2図は制御回路等の電気回路図、第3図は周囲温度
とセンサ出力変化率の関係を示すグラフである。第4図
及び第5図はこの発明を具体化した第2実施例を示す図
面であって、第4図は主要部を示す部分破断側面図、第
5図は制御回路等の電気回路口である。第6図は従来例
の光計測系を示すブロック図である。 図中、5は発光素子としての発光ダイオード、9は加熱
用トランジスタ、33はベルチェ素子(9,33はそれ
ぞれ温度調整手段を構成している)、11.34は制御
手段としての制?in回路である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1光出射用の発光素子(5)を備えた光発信器において
    、 前記発光素子(5)の温度を調整するための温度調整手
    段(9、33)と、 前記発光素子(5)の温度を検出するための温度検出手
    段(10)と、 前記温度検出手段(10)による検出温度に基いて前記
    発光素子(5)を所定温度に保つべく前記温度調整手段
    (9、33)を駆動制御する制御手段(11、34)と を備えたことを特徴とする光発信器。
JP63235871A 1988-09-20 1988-09-20 光発信器 Pending JPH0282659A (ja)

Priority Applications (1)

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JP63235871A JPH0282659A (ja) 1988-09-20 1988-09-20 光発信器

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JP63235871A JPH0282659A (ja) 1988-09-20 1988-09-20 光発信器

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JPH0282659A true JPH0282659A (ja) 1990-03-23

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ID=16992482

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JP (1) JPH0282659A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0445746U (ja) * 1990-08-21 1992-04-17
JP2007042755A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Mitsubishi Electric Corp Led照明装置
JP2008537325A (ja) * 2005-03-22 2008-09-11 エスエーヴェー−オイロドライブ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コムパニー コマンディトゲゼルシャフト 吸熱器の温度測定用装置及び方法
US11472069B2 (en) 2018-10-02 2022-10-18 Nichia Corporation Ultraviolet irradiation device and method for curing ultraviolet-curing resin

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