JPS60107117A - 恒温装置 - Google Patents

恒温装置

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JPS60107117A
JPS60107117A JP58215766A JP21576683A JPS60107117A JP S60107117 A JPS60107117 A JP S60107117A JP 58215766 A JP58215766 A JP 58215766A JP 21576683 A JP21576683 A JP 21576683A JP S60107117 A JPS60107117 A JP S60107117A
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JP
Japan
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temperature
heat
matter
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thermal
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Pending
Application number
JP58215766A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Hirano
平野 正夫
Motoaki Takaoka
高岡 元章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Tateisi Electronics Co
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
Application filed by Tateisi Electronics Co, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Tateisi Electronics Co
Priority to JP58215766A priority Critical patent/JPS60107117A/ja
Publication of JPS60107117A publication Critical patent/JPS60107117A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1919Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の費用 この発明は、電子素子たとえば1c回路、半導体発光素
子、半導体受光素子等の湿度補償や、融点測定装置等に
用いられる小型で精密な用途の恒温装置に関する。
アナログ光学計測、1ν密な温度補In、融点測定等に
おいて用いられる従来の恒温装置には、第1図に示t 
にうなものがある。(Δ)は恒温化すべき物体(1)に
隣接配置したキャビティ(11)内に恒温化した流体を
循環させることによって物体(1)の温度を一定に保と
うとするらのである。(B)lよ最ちに<用いられるも
のて、ペルチェ素子等の電子冷熱素子(12)を用いて
温度を一定に保とうとするものである。恒温化Jべさ物
体(1)の渇磨を熱雷対(13)等によって検知し、ペ
ルチェ素子〈12)に印加する電圧または流す電流を制
御することにJ:って物体(1)の温度を一定に保持す
る。(C)は物体(1)またはそれに隣接する熱板(1
5)にヒータ(14)を取付け、熱板り15)の温度検
知にもとづいてヒータ(14)に流す電流を調節して恒
温を維持するものである。恒温化を必要とする精度に応
じて(A)〜(C)のやり方が組合せて用いられること
もある。
しかしながら、第1図く△)の装置において(3未、恒
温装置それ自体の形状が大きくなること、装置の劣化等
によって循環する流体が漏れる危険があること、および
循環づる流体を恒温化Jるための装置もまた人へ1!化
せざるを得ないこと等の欠点がある。
第1図(B)および(C)の装置は電気的に温度を制御
することができ便利なために最もよく用いられる。そし
て制御方式には0N10FF制御やPTD比例制御等が
あり、±0.1℃程度6温調精度が19られる。しかし
ながら、さらに高い温調精度を要求することはできない
また外気の温度変化にJ:って影響されやすい欠点もあ
る。
第2図は、第1図(B)(C)に示す恒温装置の温度特
性を示している。第2図において、(a)は周囲温度の
変化、(b)は加熱制御をした場合の物体(1)の温度
変化、(C)は冷却制御をした場合の物体(1)の温度
変化をそれぞれ示している。0N10FF制御または比
例制御か行なわれるので、そのオン、オフなどの周期に
j;つで物体(1)の温度(h ) (G )には小さ
な波状の変化(脈vJ)が生じている。
また周囲温度の変化(a)に対応してΔTdという制御
?m IQドリフトが生じている。このように従来の温
度装置では湿度の脈動が生じるとともに周囲温度の変化
の影響を受けるという欠点があった。1 発明の概要 この発明は、恒温に保つべき物体の温度に脈動かはど/
υど生じることがなく、また周囲温度の変化にもほとん
ど影響されることのない安定したそして高精度の温度制
御が可能な恒温装置を提供するものである。
この発明による恒温装置は、恒温に保つべぎ物体(被温
度制抄0体)の周囲をほぼ囲む熱導体、この物体と熱導
体との間に設けられ、熱導体よりも熱伝導率の低い熱緩
%IIi体、および熱導体の外側に設けられる断熱体を
備えていることを特徴とする。上記物体の温度制御は、
その物体またはその近傍の温度を測定する温度センサ、
ならびにこの温度はンサの検出信号にもとづいて、恒温
装置内の温度があらかじめ定められた一定温度になるよ
うに熱導体を加熱および/または冷却する温度制御手段
によって行なわれる。加熱および冷却の両方にj:って
温度制御する場合には、温度制御手段がペルチェ素子と
その加熱、冷却モードを切換える手段とを含むものであ
ることが好ましい。熱導体を加熱および/または冷却す
る制御は従来のON / OF F fill Inや
PI ゛D比例制御でよい。
この発明では、恒温に保つべき物体と熱導体どの間に、
熱導体よりも熱伝導率の低い熱緩衝体が設けられており
、熱導体の熱はこの熱緩衝体を介して18!1体に伝え
られる。このため、熱導体の温度に従来のように小さな
脈動が生じても、熱伝導率のより低い熱緩衝体を介して
伝達されることによって脈動が減少する。熱導体の外側
は断熱体にJ:ってほぼ囲まれているから周囲温度の影
響が内部の物体に及ぶことは非常に少ない。
またこの発明の恒温装置においては加熱冷却手段として
従来の電子冷熱素子やヒータを適用でき、恒温装置の構
成は断熱体や熱伝導率を調節した熱緩衝体を周辺に配設
するだけであるから、従来の技術をそのまま応用して精
度よく温調することができる利点を持っている。また構
成が簡単なため形状も容易に小形化することができ、半
導体発光索子、半導体受光素子、IC等のマイクロ七ジ
コール等に適用してもかさばらないので、実用」二非常
に便利に使うことができる。
実施例の説明 第3図はこの発明による恒温装置の典型的な例を示して
いる。ITT温状態に保つべぎ物体(1)の形状に合致
した空所をもつ熱ブロック(熱導体)(2)があり、こ
の空所内に物体(1)が収められている。物体(1)の
外周はこの熱ブロック(2)によって囲まれている。熱
ブロック(2)はアルミニウム、銅等の熱伝導率の高い
材11によってつくられている。物体(1)と熱ブロッ
ク(2)との間に(ま熱緩衝体(3)が介在している。
熱緩衝体(3)は、熱ブロック(2) J:りも熱伝導
率の低い材料でつくられている。熱緩衝体(3)はたと
えばテフロン・シートであり、このシー1−が物体(1
)の周囲に巻付(jられている。熱M’t1体(3)と
熱ブロック(2)とは接している。
熱ブロック〈2)は電子冷熱素子たとえばペルチェ素子
(5)によって直接に加熱および/または冷却される。
物体(1)の温度が白金抵抗測渇体、tナーミスタ、ま
たは熱雷対等の温度検知素子(6)によって測定される
。そして、この測定調度にもとづいて物体(1)の温度
が一定になるようにペルチェ素子(5)に電流が流され
温度調節が行なわれる。温度制御のやり方としては、0
N10FF制御、PID比例制御その他の方式が採用さ
れる。また、一定に保つべき温度に応じて、加熱制御の
み、冷却制御のみ、および加熱、冷却制御のいずれかが
行なわれる。加熱、冷却制御において、加熱手段、冷却
手段のうちの一方を主熱源どし、他方を制御用の補助熱
源として動作させるようにすれば高精度の制御が可能と
なる。
熱ブロック(2)の外側はざらに発泡1!1プラスデツ
クのような断熱体(/l)にJこって囲まれている。熱
ブロック(2)は断熱体(4)に接していても離れてい
てもどちらでもよいが、むしろ1Ii1[れていて熱ブ
ロック(2)と断熱体(4)との間に空隙があった方が
断熱効果が高くなるであろう。
第4図(Δ)の(C)は冷却制御した場合の物体(1)
の温度変化を示している。(a )は周囲温度の変化を
表わしている。熱ブロック(2)の温度に脈動があって
も熱緩衝体(3)が熱抵抗となるので脈動が弱められ物
体(1)の温[σ(C)には脈動はほとんど現われない
また、熱ブロック(2)は断熱体(4)によって周囲と
熱的に絶縁されるので、温度(C)は外部温度(a)が
変化してもその影響をはどんと受りずにほぼ一定に保た
れ、温度ドリフトΔTdはきわめて小さな値となる。第
4図(B)において、(d )は加熱制御と冷却制御と
を併用した場合の物体(1)の濃度変化を表わしている
なお、温度検知素子(6)は物体(1)に接する位置に
配置することが望ましいが、物体(1)が非常に小さい
場合には熱ブロック(2)に配置してもよい。このとき
には物体(1)の正確な温度は不明となるが、物体(1
)の恒温化の目的は達成する。
次にこの発明の恒温装置の詳細な具体例についてjボベ
る。第5図および第6図は、光ファイバセンザ等の精密
なアナログ語測に用いる発光ダイオードの恒温装置の例
である。ここでは前述の物体(1)に相当する部分はス
テム(27)に取(qけられた発光ダイA−ド(21)
であり、発光ダイオード全体はその外周がテフロンテー
プ(23)で巻かれ、熱ブロック(22)内に嵌合され
るようになっている。熱ブロック(22)の周りにはさ
らに発泡性プラスデックの断熱材(24)が設けられ、
発光ダイオードの光軸にあわせて孔があけられ、この孔
にガラス(28)がはめられている。熱ブロック〈22
)には白金抵抗測温体(26)が取付けられており、こ
の測温体(2G)が熱ブロック(22)の渇痘を検出す
る。
そしてこの検知温度にもとづいて恒温装置内の温度があ
らかじめ定められた一定温度にくするように、温調器に
よってペルチェ素子(25)が制御される。
第7図は、検出した温度と設定温度との比較結果に応じ
てペルチェ素子(25)に印加する電圧の極+11を切
換えて加熱、冷J111制御を行なう回路の例を示して
いる。測温体(26)の出力信号(:1温調器(50)
の入力端子(51)に入力している。温調制御を行なう
場合には接点(52)がオンとされる。リレー(54)
の接点(55)のうら常閉接点が閉じており、加熱、冷
却のうちのいずれか一方の制御が行なわれている。極性
を反転する場合には端子(53)にリレー駆動用出力が
発生し、リレー接点(55)の常閉接点がオンとなり、
ペルチェ素子(25)に逆極性の電圧が印加される。し
たがって、加熱→冷却または冷7i→加熱への切換えが
行なわれる。このような加熱、冷却制御によって、設定
温度が室温よりも高い場合にも低い場合にも恒温化が可
能となり、広い動作温度範囲が得られる。
第6図に熱の移動の様子が示されている。発光ダイオー
ド(21)の自己発熱は熱ブロック(22)に向って放
射状に放熱される。また熱ブロック(22)の熱量は熱
緩衝体(23)を介して心的に移動する。熱ブロック(
22)においては熱の伝導が良好なのですべての場所に
おいて均一り温度となる。熱ブロック(22)と発光ダ
イオード(21)との間に熱緩衝体(23)が存在する
ので、熱ブロック(22)が加熱、冷却制ね口されその
温度が波状に変化してもこの変化は熱緩衝体(23)に
よってやわらげられ、発光ダイオード(21)の温度の
脈動が減少する。熱ブロツク(21)の温調制度は±0
.1〜±0.3℃程度であるから熱緩衝体く23)は厚
くなくてもよく、数10〜数100μm程度でもよい。
断熱体く24〉が然ブロック(22)の周囲を取巻いて
いるので、大気からの熱量は熱ブロック(22〉にはほ
とIυど伝達されず、外気温度に影響されない。
この装置でjqられだ発光出力に対する恒温の効果は大
きい。発光素子にQa/1.s赤外発光ダイオードを用
いた例で、発光出力の温度変化は周囲温度が0〜40℃
変化した場合にも±0゜01d B以下におさえること
ができた。使用した発光ダイオードの出力は0.026
d B/℃(したがって1.04d B/40℃)の温
度シフトをもつものであるから、改善度合が大きいこと
が分る。
一般に発光ダイオードでは発光や発光波長が温度変化に
よってシフトし、またフォトダイオードでは温度上昇に
伴なって光電流が大きくなったり、暗電流が増加する。
たとえば、シリコンブレーナ型フォトダイオードでは、
第8図(A)および(B)に示寸j:うに、光電流お」
:び暗電流が温度上昇に伴なって大きくなり、またGa
AS発光ダイオードでは、第8図(C)に示すように、
放剣束光庶が温度によって変化することになる。このj
:うに光電素子は温度シフト特性があるのでアナログ計
測に利用する際、シフト量の補償を要J゛ることになる
が、第5図および第6図の恒温装置を用いることによっ
て、温度特性の欠点を大幅に改善できることが叩解でき
よう。
とくに半導体発光素子では駆動時に自己発熱を(’l”
、’rうので、周囲4匹の影響も含めて考慮Jるど温度
に対する制御が複雑になる。第5図および第6図の恒温
装置ではこのような点についてblII!慮されている
。この観点から発光素子チップと発光素子を保持するス
テムの間に放熱体どして小型のヒートシンクを付りると
一層良い。
次にこの発明の他の実施例について詳述する。
第9図は融点測定装量等において用いられる小型の超精
密恒温装置である。恒温化される物体は、試Fl(31
)と、この試料(31)を上下から挾んだプレパラ−1
〜(41)およびカバーグラス(42)と、これらをさ
らに挾む熱板(43)とである。これらの物体を覆うよ
うに熱伝導率を調整した熱緩衝体(33)、たとえばテ
フロンシー1〜、セラミック性接首剤が適当な厚さに設
けられている。さらに熱緩衝体(33)で被覆された物
体は熱ブロック(32)内に収容され、この外側がさら
に断熱体(34)で囲まれている。熱ブロック(32)
はたとえばアルミニウムや銅であり、断熱体(34)は
アスベストや気孔性セラミックが用いられる。熱ブロッ
ク(32)内には抵抗体ヒータ(35)と検温素子(3
6)とが段【ノられ、検温素子〈36)で検出された温
度と設定温度とにもとづいてヒータ(35)に流れる電
流が制御されることにより、熱ブロック(32)が設定
温度になるように調整される。さらに必要ならば、外気
を遮断する効果を持たせるために、この恒温装置全体が
箱体内に入れられる。この恒温装置では±0.1°C以
下の精密な温度測定が可能となる。
恒温装置には光の透過孔(44)があ()られており、
この孔(44)を試料(31)が遮断してぃる。孔〈4
4)の入口側および出口側には2枚の偏光板(45)が
その偏光軸P1、P2が直交するように配買される。そ
してこれらの偏光板(4!i)および透過孔(44)を
通して光を投射してaE <。試料(31)の温度が融
点に到達した時点で試わ1(31)は溶融Jるから、こ
のときの透過光量の変化を検知することにより試料<3
1)が融点に達したことが分る。そのとぎの恒温されて
いる高度が試料(31)の融点である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の恒温装置の例を示すものであって、(△
)は恒温流体循環方式、(B)は電子冷熱素子を用いた
恒温方式、(C)はヒータを用いた方式の略図、第2図
は従来の恒温装置の制御温度特性を示すグラフ、第3図
はこの発明の一実施例の構成図、第4図は第3図の実施
例の制御温度特性を示づグラフ、第5図および第6図は
この発明の他の実施例を示すものであり、第5図は縦断
面図、第6図は第5図のVI −VI線にそう断面図、
第7図はFFn度制御回路の一例を示す回路図、第8図
は半導体発光および受光素子の潤度特性を示J−グラフ
、第9図はこの発明のさらに他の実施例を示す断面図で
ある。 (1)・・・恒温すべき物体、(2) (22> (3
2)・・・熱ブロック(熱導体)、(3) (23) 
(33)・・・熱緩衝体、(/I) (2/l) (3
4)・・・断熱体。 以 上 外4名 第18図 <A) (B) 第2図 第8図 第4図 (A) (B) 時間 第7図 5 第8図 (A)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 被温度制御体の周囲をほぼ囲む熱導体、被温度
    制御体と熱導体との間に設けられ、熱々休J:りも熱伝
    導率の低い熱緩衝体、および熱導体の外側に設けられる
    断熱体、 を備えた恒温装置。
  2. (2) 被温度1rIllII1体またはその近傍の温
    度を測定覆る温度センサ、ならびに この温度センサの検出信号にもとづいて、恒温装置内の
    温度があらかじめ定められた一定高麻になるように熱導
    体を加熱および/または冷却する温度制御手段、 を備えた特許請求の範囲第(1)項記載の恒温装置。
  3. (3) 温度制御手段かペルヂT素子とそのfall熱
    、冷却モードを切換える手段とを含む、特許請求の範囲
    第(1)項記載の恒温装置。
JP58215766A 1983-11-15 1983-11-15 恒温装置 Pending JPS60107117A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0310863A2 (de) * 1987-09-28 1989-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Temperaturkompensation eines spannungsgesteuerten Quarzoszillators in einem Phasenregelkreis
JP2002328106A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Nec Corp 恒温装置
JP2006191742A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Origin Electric Co Ltd 電子部品装置、それを用いた直流高電圧電源装置、及びその高安定化方法
CN103268128A (zh) * 2013-04-15 2013-08-28 上海理工大学 基于单片机的微环境温度控制系统

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0310863A2 (de) * 1987-09-28 1989-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Temperaturkompensation eines spannungsgesteuerten Quarzoszillators in einem Phasenregelkreis
JP2002328106A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Nec Corp 恒温装置
JP4660960B2 (ja) * 2001-05-02 2011-03-30 日本電気株式会社 恒温装置
JP2006191742A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Origin Electric Co Ltd 電子部品装置、それを用いた直流高電圧電源装置、及びその高安定化方法
CN103268128A (zh) * 2013-04-15 2013-08-28 上海理工大学 基于单片机的微环境温度控制系统

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