JPH05183220A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05183220A JPH05183220A JP60992A JP60992A JPH05183220A JP H05183220 A JPH05183220 A JP H05183220A JP 60992 A JP60992 A JP 60992A JP 60992 A JP60992 A JP 60992A JP H05183220 A JPH05183220 A JP H05183220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- chip
- solid
- laser
- state laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低雑音で安定なグリーン光の出力が一定で、
小型、低ノイズの半導体レーザ励起固体レーザ装置を提
供する。 【構成】 励起光源に発振波長の安定なシングルモード
半導体レーザチップ１１を用いる。さらに半導体レーザ
チップ１１の温度を制御するペルチエ素子１２を内蔵さ
せる。また、半導体レーザチップ１１とＮｄ：ＹＶＯ4
マイクロチップ２の間に光アイソレータを入れて、戻り
光により半導体レーザが不安定な発振状態になるのを防
ぐ。この構成により、小型の低ノイズグリーンレーザ、
特に光ディスク用光源としてその効果を発する。
小型、低ノイズの半導体レーザ励起固体レーザ装置を提
供する。 【構成】 励起光源に発振波長の安定なシングルモード
半導体レーザチップ１１を用いる。さらに半導体レーザ
チップ１１の温度を制御するペルチエ素子１２を内蔵さ
せる。また、半導体レーザチップ１１とＮｄ：ＹＶＯ4
マイクロチップ２の間に光アイソレータを入れて、戻り
光により半導体レーザが不安定な発振状態になるのを防
ぐ。この構成により、小型の低ノイズグリーンレーザ、
特に光ディスク用光源としてその効果を発する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクの記録再生
や、レーザプリント，レーザ応用計測などに用いられ
る、超小型の半導体レーザ励起固体レーザ装置に関す
る。
や、レーザプリント，レーザ応用計測などに用いられ
る、超小型の半導体レーザ励起固体レーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】固体レーザ媒質の励起には、従来アーク
ランプやフラッシュランプが用いられてきたが、励起効
率がよくないために、レーザ全体の効率は悪く、ランプ
やレーザ媒質の放熱の点から、装置は大型にならざるを
得なかった。ところが近年、半導体レーザの高出力化に
ともない、半導体レーザを固体レーザ装置の励起光源と
して用いる試みがなされるようになってきた。半導体レ
ーザを光源に用いると、固体レーザ装置の吸収帯に励起
波長を合わせることができるので、励起効率は非常によ
くなる。しかも余分なスペクトルの吸収による発熱がな
いために、放熱も容易になり、小型で高効率の固体レー
ザ装置が実現できる。
ランプやフラッシュランプが用いられてきたが、励起効
率がよくないために、レーザ全体の効率は悪く、ランプ
やレーザ媒質の放熱の点から、装置は大型にならざるを
得なかった。ところが近年、半導体レーザの高出力化に
ともない、半導体レーザを固体レーザ装置の励起光源と
して用いる試みがなされるようになってきた。半導体レ
ーザを光源に用いると、固体レーザ装置の吸収帯に励起
波長を合わせることができるので、励起効率は非常によ
くなる。しかも余分なスペクトルの吸収による発熱がな
いために、放熱も容易になり、小型で高効率の固体レー
ザ装置が実現できる。
【０００３】一方、ＫＴｉＯＰＯ4（ＫＴＰ）結晶など
の非線形光学結晶を用いて、固体レーザ装置による赤外
光を高調波に変換して、緑色や青色の可視光レーザを得
る方法も従来から知られており、前述の半導体レーザ励
起による固体レーザ装置の光の高調波を利用する試みも
なされている。
の非線形光学結晶を用いて、固体レーザ装置による赤外
光を高調波に変換して、緑色や青色の可視光レーザを得
る方法も従来から知られており、前述の半導体レーザ励
起による固体レーザ装置の光の高調波を利用する試みも
なされている。
【０００４】図４に半導体レーザ励起固体レーザ装置の
構造図を示す。同一パッケージ１内に固体レーザ媒質で
あるＮｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２、非線形光学結晶
であるＫＴＰ結晶３，励起光源となる半導体レーザチッ
プ４が収められている。そして、これらはベース５をも
つパッケージ１内に収納されている。Ｎｄ：ＹＶＯ4レ
ーザの共振器は、Ｎｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２の励
起側端面とＫＴＰ結晶３の出射側端面の間で形成されて
いる。半導体レーザチップ４は、Ｎｄ：ＹＶＯ 4マイク
ロチップ２の端面に密着させてあり、半導体レーザチッ
プ４からの出射光が広がる前に十分Ｎｄ：ＹＶＯ4マイ
クロチップ２を励起できるようになっている。励起され
たＮｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２からは、波長１．０
６４μｍのレーザ光が生じるが、そのレーザ光をＫＴＰ
結晶３により第２高調波である波長０．５３２μｍのグ
リーン光に変換している。また図において６はフォトダ
イオード、７はガラス窓である。
構造図を示す。同一パッケージ１内に固体レーザ媒質で
あるＮｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２、非線形光学結晶
であるＫＴＰ結晶３，励起光源となる半導体レーザチッ
プ４が収められている。そして、これらはベース５をも
つパッケージ１内に収納されている。Ｎｄ：ＹＶＯ4レ
ーザの共振器は、Ｎｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２の励
起側端面とＫＴＰ結晶３の出射側端面の間で形成されて
いる。半導体レーザチップ４は、Ｎｄ：ＹＶＯ 4マイク
ロチップ２の端面に密着させてあり、半導体レーザチッ
プ４からの出射光が広がる前に十分Ｎｄ：ＹＶＯ4マイ
クロチップ２を励起できるようになっている。励起され
たＮｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２からは、波長１．０
６４μｍのレーザ光が生じるが、そのレーザ光をＫＴＰ
結晶３により第２高調波である波長０．５３２μｍのグ
リーン光に変換している。また図において６はフォトダ
イオード、７はガラス窓である。
【０００５】固体レーザ媒質であるＮｄ：ＹＶＯ4の吸
収スペクトルは、一般的に図５の実線で示すような分布
を持っている。一般に高い励起効率を保つためには、吸
収スペクトルのピーク（〜０．８０９μｍ）に半導体レ
ーザの発振波長を合わせている。半導体レーザチップ４
からの出射光の波長が変化すると励起効率も変化するた
め、グリーン光の出力が変動し、出力不安定の原因とな
っている。グリーン光の出力を一定に保つためには、半
導体レーザの出射出力と発振波長を一定に保つ必要があ
る。
収スペクトルは、一般的に図５の実線で示すような分布
を持っている。一般に高い励起効率を保つためには、吸
収スペクトルのピーク（〜０．８０９μｍ）に半導体レ
ーザの発振波長を合わせている。半導体レーザチップ４
からの出射光の波長が変化すると励起効率も変化するた
め、グリーン光の出力が変動し、出力不安定の原因とな
っている。グリーン光の出力を一定に保つためには、半
導体レーザの出射出力と発振波長を一定に保つ必要があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の構成
では、励起用の半導体レーザチップ４はブロードエリア
レーザを用いていたために半導体レーザはマルチモード
発振をしていた。一般にブロードエリアレーザは楕円率
が大きいため、ＴＥＭｏｏモードで発振する固体レーザ
光との結合効率が良くないために、動作電流が大きくな
り発熱も大きくなっていた。半導体レーザの発振波長に
は温度依存性（〜０．３ｎｍ／℃）があり、発熱の影響
で波長が変化しやすかった。
では、励起用の半導体レーザチップ４はブロードエリア
レーザを用いていたために半導体レーザはマルチモード
発振をしていた。一般にブロードエリアレーザは楕円率
が大きいため、ＴＥＭｏｏモードで発振する固体レーザ
光との結合効率が良くないために、動作電流が大きくな
り発熱も大きくなっていた。半導体レーザの発振波長に
は温度依存性（〜０．３ｎｍ／℃）があり、発熱の影響
で波長が変化しやすかった。
【０００７】Ｎｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２の励起側
端面から反射した半導体レーザ光が再び半導体レーザチ
ップ４の出射点に戻った場合、半導体レーザはマルチモ
ード発振し、しかもその波長が時事刻々変化する。その
結果、グリーン光の出力も不安定になっていた。このグ
リーン出力のノイズは応用上大きな課題である。 本発
明は上記課題を解決するもので、グリーン光の出力を一
定にし、光ディスク用光源として有効な小型，低ノイズ
の半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供することを目
的とする。
端面から反射した半導体レーザ光が再び半導体レーザチ
ップ４の出射点に戻った場合、半導体レーザはマルチモ
ード発振し、しかもその波長が時事刻々変化する。その
結果、グリーン光の出力も不安定になっていた。このグ
リーン出力のノイズは応用上大きな課題である。 本発
明は上記課題を解決するもので、グリーン光の出力を一
定にし、光ディスク用光源として有効な小型，低ノイズ
の半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、固体レーザ光との結合効率がよく、かつ発
振波長の安定なシングル縦横モードで発振する半導体レ
ーザを励起光源に用い、半導体レーザ光の一部が固体レ
ーザ結晶の端面で反射され、その戻り光の影響により波
長が変化することを避けるため、半導体レーザチップと
固体レーザ結晶の間に光アイソレータを入れ、さらに、
温度を一定に保つためにペルチエ素子をパッケージ内に
組込んだ構成による。
に本発明は、固体レーザ光との結合効率がよく、かつ発
振波長の安定なシングル縦横モードで発振する半導体レ
ーザを励起光源に用い、半導体レーザ光の一部が固体レ
ーザ結晶の端面で反射され、その戻り光の影響により波
長が変化することを避けるため、半導体レーザチップと
固体レーザ結晶の間に光アイソレータを入れ、さらに、
温度を一定に保つためにペルチエ素子をパッケージ内に
組込んだ構成による。
【０００９】
【作用】上記構成により、励起用半導体レーザの波長が
一定に保って、グリーン光の出力が一定になり、小型の
低ノイズグリーンレーザを現出し得る。
一定に保って、グリーン光の出力が一定になり、小型の
低ノイズグリーンレーザを現出し得る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１１】図１および図２は本発明の半導体レーザ励
起固体レーザ装置の破断図である。固体レーザ部分の共
振器構造は、図４の従来例と同じで、同一部分には同一
番号を付し、説明を省略する。
起固体レーザ装置の破断図である。固体レーザ部分の共
振器構造は、図４の従来例と同じで、同一部分には同一
番号を付し、説明を省略する。
【００１２】本発明の第１の特徴は、１５０ｍＷまで安
定にシングルモード発振する半導体レーザチップ１１を
励起光源としていることである。Ｎｄ：ＹＶＯ4マイク
ロチップ（固体レーザ結晶）２のＮｄ濃度は１％で厚さ
は１mmである。ＫＴＰ結晶（非線形光学結晶）３はＴＹ
ＰＥ２の位相整合で厚さは５mmである。
定にシングルモード発振する半導体レーザチップ１１を
励起光源としていることである。Ｎｄ：ＹＶＯ4マイク
ロチップ（固体レーザ結晶）２のＮｄ濃度は１％で厚さ
は１mmである。ＫＴＰ結晶（非線形光学結晶）３はＴＹ
ＰＥ２の位相整合で厚さは５mmである。
【００１３】半導体レーザチップ１１とＮｄ：ＹＶＯ4
マイクロチップ２の間隔は約５０μｍである。図１の実
施例では半導体レーザ光の集光にレンズを使用していな
いのでＮｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２端面からの励起
光源の戻り光による影響は少ないが、半導体レーザチッ
プ１１とＮｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２を完全に密着
すると戻り光の影響で発振波長が変化するので好ましく
ない。
マイクロチップ２の間隔は約５０μｍである。図１の実
施例では半導体レーザ光の集光にレンズを使用していな
いのでＮｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２端面からの励起
光源の戻り光による影響は少ないが、半導体レーザチッ
プ１１とＮｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２を完全に密着
すると戻り光の影響で発振波長が変化するので好ましく
ない。
【００１４】一般に半導体レーザは自身のレーザ光が反
射等により戻ってくると、発振状態が不安定な状態にな
る。励起光源の波長および出力が不安定になると、固体
レーザ光の励起状態が変化するので、固体レーザの安定
な発振に悪影響を及ぼす。なお図２において、１２はペ
ルチエ素子で、半導体レーザチップ１１の温度を制御し
ている。１３は温度センサである。
射等により戻ってくると、発振状態が不安定な状態にな
る。励起光源の波長および出力が不安定になると、固体
レーザ光の励起状態が変化するので、固体レーザの安定
な発振に悪影響を及ぼす。なお図２において、１２はペ
ルチエ素子で、半導体レーザチップ１１の温度を制御し
ている。１３は温度センサである。
【００１５】図２の実施例では半導体レーザ光を集束性
ファイバーレンズ１４を用いて集光している。戻り光の
影響を抑えるために集束性ファイバーレンズ１４とＮ
ｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２の間に光アイソレータ１
５を挿入してある。例えばこの光アイソレータ１５のア
イソレーション比は１０００分の１以下のものを用い
た。
ファイバーレンズ１４を用いて集光している。戻り光の
影響を抑えるために集束性ファイバーレンズ１４とＮ
ｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ２の間に光アイソレータ１
５を挿入してある。例えばこの光アイソレータ１５のア
イソレーション比は１０００分の１以下のものを用い
た。
【００１６】ペルチエ素子１２は半導体レーザチップ１
１の下にあり、サーミスタ１６でモニタした温度をもと
に、半導体レーザチップ１１の温度が一定に保たれるよ
うにしている。本発明ではシングルモード発振する半導
体レーザチップ１１を使用しており、固体レーザ光との
結合効率がよいために励起効率がよく、動作電流を低く
することができるため、発熱が小さくなり容易に温度制
御ができる。ちなみに半導体レーザチップ１１の出力が
１００ｍＷのときの動作電流は１００ｍＡである。
１の下にあり、サーミスタ１６でモニタした温度をもと
に、半導体レーザチップ１１の温度が一定に保たれるよ
うにしている。本発明ではシングルモード発振する半導
体レーザチップ１１を使用しており、固体レーザ光との
結合効率がよいために励起効率がよく、動作電流を低く
することができるため、発熱が小さくなり容易に温度制
御ができる。ちなみに半導体レーザチップ１１の出力が
１００ｍＷのときの動作電流は１００ｍＡである。
【００１７】図３に図１のシングルモード半導体レーザ
チップ１１を用いた場合（ｉ）実線、図４のマルチモー
ド半導体レーザチップ４を用いた場合（ｉｉ）破線の相
対強度雑音（ＲＩＮ）を示す。この時のグリーン光出力
はともに３ｍＷである。周波数１ＭＨｚで比較すると、
マルチモードレーザの場合、−９０ｄＢ／Ｈｚであるの
に対し、シングルモードレーザを用いた場合、−１３５
ｄＢ／Ｈｚである。
チップ１１を用いた場合（ｉ）実線、図４のマルチモー
ド半導体レーザチップ４を用いた場合（ｉｉ）破線の相
対強度雑音（ＲＩＮ）を示す。この時のグリーン光出力
はともに３ｍＷである。周波数１ＭＨｚで比較すると、
マルチモードレーザの場合、−９０ｄＢ／Ｈｚであるの
に対し、シングルモードレーザを用いた場合、−１３５
ｄＢ／Ｈｚである。
【００１８】一般に光ディスク用のレーザ光源には−１
３０ｄＢ／Ｈｚ以下の雑音レベルが要求されるが、本実
施例はその要求を満たしている。図３において一点破線
はバックグランドのノイズレベルを示す。
３０ｄＢ／Ｈｚ以下の雑音レベルが要求されるが、本実
施例はその要求を満たしている。図３において一点破線
はバックグランドのノイズレベルを示す。
【００１９】また、図２の光アイソレータ１５を用いる
タイプにおいても周波数１ＭＨｚでＲＩＮ−１３０ｄＢ
／Ｈｚ以下の雑音レベルを達成している。
タイプにおいても周波数１ＭＨｚでＲＩＮ−１３０ｄＢ
／Ｈｚ以下の雑音レベルを達成している。
【００２０】シングルモード半導体レーザチップ１１に
は前面反射率１５％のものを用いている。前面反射率が
１０％以下になると、戻り光の影響を非常に大きく受け
るために、発振状態が不安定になり、上記の雑音低減効
果が十分現れない。
は前面反射率１５％のものを用いている。前面反射率が
１０％以下になると、戻り光の影響を非常に大きく受け
るために、発振状態が不安定になり、上記の雑音低減効
果が十分現れない。
【００２１】なお、本実施例で示した固体レーザ結晶と
非線形光学結晶の代わりに、自己高調波固体レーザ結晶
を用いても同様の効果を期待することができる。
非線形光学結晶の代わりに、自己高調波固体レーザ結晶
を用いても同様の効果を期待することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
は、シングルモード半導体レーザチップを励起用レーザ
に用い、その半導体レーザチップの温度を制御するため
のペルチエ素子，半導体レーザからの光を集束する集束
性ファイバーレンズ，戻り光の影響を抑えるための光ア
イソレータ等を有する構成によるので、励起用半導体レ
ーザの波長が一定に保て、グリーン光の出力も一定とな
り、光ディスク用光源として有効な小型，低ノイズ半導
体レーザ励起固体レーザ装置を提供できる。
は、シングルモード半導体レーザチップを励起用レーザ
に用い、その半導体レーザチップの温度を制御するため
のペルチエ素子，半導体レーザからの光を集束する集束
性ファイバーレンズ，戻り光の影響を抑えるための光ア
イソレータ等を有する構成によるので、励起用半導体レ
ーザの波長が一定に保て、グリーン光の出力も一定とな
り、光ディスク用光源として有効な小型，低ノイズ半導
体レーザ励起固体レーザ装置を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施例における直接励起の半導
体レーザ励起固体レーザ装置の破断図
体レーザ励起固体レーザ装置の破断図
【図２】本発明の第２の実施例における光アイソレータ
をもつ半導体レーザ励起固体レーザ装置の破断図
をもつ半導体レーザ励起固体レーザ装置の破断図
【図３】相対強度雑音（ＲＩＮ）の測定結果を示す図
【図４】従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の一部
破断図
破断図
【図５】固体レーザ媒質であるＮｄ：ＹＶＯ4マイクロ
チップの吸収スペクトル図
チップの吸収スペクトル図
１ パッケージ ２ Ｎｄ：ＹＶＯ4マイクロチップ（固体レーザ結
晶） ３ ＫＴＰ結晶（非線形光学結晶） ５ ベース ６ フォトダイオード ７ ガラス窓 １１ 半導体レーザチップ １２ ペルチエ素子 １３ 温度センサ
晶） ３ ＫＴＰ結晶（非線形光学結晶） ５ ベース ６ フォトダイオード ７ ガラス窓 １１ 半導体レーザチップ １２ ペルチエ素子 １３ 温度センサ
Claims (6)
- 【請求項１】 固体レーザ光との結合効率がよく、発振
波長の安定なシングルモードで発振する励起用シングル
モード半導体レーザチップを励起用レーザに用いたこと
を特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項２】 同一パッケージ内に固体レーザ結晶と、
非線形光学結晶と、励起用シングルモード半導体レーザ
チップとを少なくとも内蔵したことを特徴とする半導体
レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項３】 同一パッケージ内に励起用シングルモー
ド半導体レーザチップと、その半導体レーザチップから
の光を集光する集束性ファイバーレンズと、戻り光の影
響を抑えるための光アイソレータと、固体レーザ結晶
と、非線形光学結晶とを順次少なくとも内蔵したことを
特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項４】 励起用のシングルモード半導体レーザチ
ップが前面反射率が１０％以上の励起用シングルモード
半導体レーザチップであることを特徴とする請求項１，
２または３記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項５】 励起用シングルモード半導体レーザチッ
プの温度を制御するためのペルチエ素子を内蔵したこと
を特徴とする請求項１，２，３または４記載の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項６】 固体レーザ結晶と非線形光学結晶に代え
て、自己高調波固体レーザ結晶を用いたことを特徴とす
る請求項２または３記載の半導体レーザ励起固体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60992A JPH05183220A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60992A JPH05183220A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183220A true JPH05183220A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11478479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60992A Pending JPH05183220A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05183220A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743724A2 (de) * | 1995-05-16 | 1996-11-20 | ADLAS GMBH & CO. KG | Longitudinal gepumpter Laser |
| JP2006032768A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Ricoh Co Ltd | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
| JP2007242974A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| JP2008145896A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザを用いたレーザポインタ |
| KR100898129B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2009-05-19 | 삼성전기주식회사 | 녹색 레이저 모듈 패키지 |
| JP2009188315A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
| JP2012234933A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置及びレーザ光の出力方法 |
-
1992
- 1992-01-07 JP JP60992A patent/JPH05183220A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743724A2 (de) * | 1995-05-16 | 1996-11-20 | ADLAS GMBH & CO. KG | Longitudinal gepumpter Laser |
| EP0743724A3 (de) * | 1995-05-16 | 1997-02-26 | Adlas Gmbh & Co Kg | Longitudinal gepumpter Laser |
| US5883915A (en) * | 1995-05-16 | 1999-03-16 | Adlas Gmbh & Co. Kg | Longitudinally pumped laser |
| JP2006032768A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Ricoh Co Ltd | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
| JP4496029B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2010-07-07 | 株式会社リコー | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
| JP2007242974A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| JP2008145896A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザを用いたレーザポインタ |
| KR100898129B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2009-05-19 | 삼성전기주식회사 | 녹색 레이저 모듈 패키지 |
| JP2009188315A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
| JP2012234933A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置及びレーザ光の出力方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05218556A (ja) | 固体レーザー | |
| JP3573475B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JPH05183220A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0575190A (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP4505462B2 (ja) | レーザ・ダイオードによってポンピングされるモノリシック固体レーザ装置、およびこの装置の使用方法 | |
| JPH10200177A (ja) | レーザーダイオード励起固体レーザー | |
| JPH0652814B2 (ja) | 光ファイバ−通信装置 | |
| JP2007242974A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2761678B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP2666548B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH04291976A (ja) | Ｓｈｇ素子 | |
| JPH06283786A (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP2754101B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP3094436B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2870918B2 (ja) | 励起光共振型レーザ | |
| JP2003163400A (ja) | レーザ装置 | |
| JP2981671B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JPH04158588A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2000133864A (ja) | Ｌｄ励起固体レーザ装置 | |
| JP2000349371A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ | |
| JPH0555671A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ | |
| JP2865057B2 (ja) | レーザダイオード励起固体レーザ発振器 | |
| JPH08102564A (ja) | 波長変換レーザ装置 | |
| JPH03155687A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2002076487A (ja) | 半導体レーザー励起固体レーザー |