JPH0652814B2 - 光ファイバ−通信装置 - Google Patents
光ファイバ−通信装置Info
- Publication number
- JPH0652814B2 JPH0652814B2 JP62188640A JP18864087A JPH0652814B2 JP H0652814 B2 JPH0652814 B2 JP H0652814B2 JP 62188640 A JP62188640 A JP 62188640A JP 18864087 A JP18864087 A JP 18864087A JP H0652814 B2 JPH0652814 B2 JP H0652814B2
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- JP
- Japan
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- wavelength
- optical fiber
- laser
- light
- yag crystal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は光ファイバー通信装置に関し、更に詳しくは
光ファイバー通信に適した波長を発振する光ファイバー
通信用光源としての半導体レーザ励起ＹＡＧレーザを有
する光ファイバー通信装置に関するものである。
光ファイバー通信に適した波長を発振する光ファイバー
通信用光源としての半導体レーザ励起ＹＡＧレーザを有
する光ファイバー通信装置に関するものである。
（ロ）従来の技術 光ファイバー通信用に最適な素子として、従来より石英
ガラスファイバーの吸収損失の窓である波長1.3μｍの
半導体レーザ（レーザダイオード：ＬＤ）または発光ダ
イオード（ＬＥＤ）が使われてきた。この波長では石英
ガラスのファイバーの吸収が最小になるため、長距離通
信に適しているからである。
ガラスファイバーの吸収損失の窓である波長1.3μｍの
半導体レーザ（レーザダイオード：ＬＤ）または発光ダ
イオード（ＬＥＤ）が使われてきた。この波長では石英
ガラスのファイバーの吸収が最小になるため、長距離通
信に適しているからである。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 しかし、ＬＥＤはチップ自身が300μｍ角と大きく、ま
た光の放射角が大きいため、ファイバーへの入射効率が
低いという欠点がある。
た光の放射角が大きいため、ファイバーへの入射効率が
低いという欠点がある。
また、ＬＤはレーザの波長が安定しないため、単一モー
ドファイバーのように高速応答を要求されるファイバー
では使用しにくいという欠点がある。さらに分布反射型
（ＤＦＢ，ＤＢＲ）レーザのように、波長の単一化を目
的とするＬＤもあるが、製造方法が複雑なため、量産化
が難しいという問題があった。
ドファイバーのように高速応答を要求されるファイバー
では使用しにくいという欠点がある。さらに分布反射型
（ＤＦＢ，ＤＢＲ）レーザのように、波長の単一化を目
的とするＬＤもあるが、製造方法が複雑なため、量産化
が難しいという問題があった。
この発明はコンパクトで、かつ光ファイバー通信に適し
た安定な波長だけを効率よく発振でき、かつ極低損失に
て光ファイバーに結合できる光ファイバー通信装置を提
供することを目的の一つとするものである。
た安定な波長だけを効率よく発振でき、かつ極低損失に
て光ファイバーに結合できる光ファイバー通信装置を提
供することを目的の一つとするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段 この発明は、ＹＡＧ結晶と、このＹＡＧ結晶中のＮｄ3+
イオンの特定の準位を選択的に励起するための励起光を
出力する半導体レーザと、この半導体レーザからの上記
励起光を上記ＹＡＧ結晶に集める集光レンズと、Ｎｄ3+
からのレーザ遷移による複数本の同時発振を抑制して光
ファイバー通信に適した１つの発振波長を選択する波長
選択発振手段と、この波長選択発振手段に結合され、そ
の発振波長の光波により光情報信号を伝送する光ファイ
バーとを備えた光ファイバー通信装置である。
イオンの特定の準位を選択的に励起するための励起光を
出力する半導体レーザと、この半導体レーザからの上記
励起光を上記ＹＡＧ結晶に集める集光レンズと、Ｎｄ3+
からのレーザ遷移による複数本の同時発振を抑制して光
ファイバー通信に適した１つの発振波長を選択する波長
選択発振手段と、この波長選択発振手段に結合され、そ
の発振波長の光波により光情報信号を伝送する光ファイ
バーとを備えた光ファイバー通信装置である。
すなわち、この発明は、半導体レーザでＹＡＧ結晶を光
励起し、光ファイバー通信用に適した発振波長だけをレ
ーザ発振出力し、この出力光を光ファイバーに結合した
ものである。
励起し、光ファイバー通信用に適した発振波長だけをレ
ーザ発振出力し、この出力光を光ファイバーに結合した
ものである。
この発明における光ファイバー通信装置は、光ファイバ
ーと、この光ファイバー通信用光源としての半導体レー
ザ励起ＹＡＧレーザとからなり、更に、このＹＡＧレー
ザは、ＹＡＧ結晶、これを励起する励起光源としての半
導体レーザ、集光レンズ、および波長選択発振手段とか
らなるものである。
ーと、この光ファイバー通信用光源としての半導体レー
ザ励起ＹＡＧレーザとからなり、更に、このＹＡＧレー
ザは、ＹＡＧ結晶、これを励起する励起光源としての半
導体レーザ、集光レンズ、および波長選択発振手段とか
らなるものである。
この発明におけるＹＡＧ結晶としては、 Ｙ3Ａｌ5Ｏ12の結晶母体に発光中心イオンとして少量の
Ｎｄ3+（ネオジウムイオン）をドープしてなるもの、す
なわちＮｄ3+．ＹＡｌガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）が挙
げられる。このＹＡＧ結晶のＮｄ濃度は0.5〜1.3at％が
好ましく、1.0at％がより好ましい。このＹＡＧ結晶
は、３〜10mmφのロッドが好ましく、5mmφのそれがよ
り好ましい。
Ｎｄ3+（ネオジウムイオン）をドープしてなるもの、す
なわちＮｄ3+．ＹＡｌガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）が挙
げられる。このＹＡＧ結晶のＮｄ濃度は0.5〜1.3at％が
好ましく、1.0at％がより好ましい。このＹＡＧ結晶
は、３〜10mmφのロッドが好ましく、5mmφのそれがよ
り好ましい。
この発明における集光レンズは、半導体レーザからの励
起光を効率よくＹＡＧ結晶に集め得るものであればよ
い。
起光を効率よくＹＡＧ結晶に集め得るものであればよ
い。
この発明における波長選択発振手段は、波長選択部およ
び光共振器とからなり、具体的には、 (i)第１の波長選択部としては、光ファイバー通信に不
適正な波長（以下、不適正波長と称呼す）の光波に通過
を押え、光ファイバー通信に適した波長（以下、適正波
長と呼称す）を通過し得る狭帯域フィルタ（例えばエタ
ロン）が挙げられ、これはＹＡＧ結晶および半透明鏡間
に同一軸上に挿入、配設される。
び光共振器とからなり、具体的には、 (i)第１の波長選択部としては、光ファイバー通信に不
適正な波長（以下、不適正波長と称呼す）の光波に通過
を押え、光ファイバー通信に適した波長（以下、適正波
長と呼称す）を通過し得る狭帯域フィルタ（例えばエタ
ロン）が挙げられ、これはＹＡＧ結晶および半透明鏡間
に同一軸上に挿入、配設される。
この半透明鏡は、適正波長の光波を半透過させてＹＡＧ
結晶の鏡面（ロッド端面）とによりこの光波にフィード
バックがかかるようなものが使用される。
結晶の鏡面（ロッド端面）とによりこの光波にフィード
バックがかかるようなものが使用される。
(ii)第２の波長選択部としては、上記エタロンの代りに
プリズム又はグレーティングミラーが挙げられ、これ
は、ＹＡＧ結晶および上記半透明鏡間に挿入、配設され
る。この半透明鏡は、ＹＡＧ結晶の軸方向に対してプリ
ズムから選択された適合波長の光波が通過しうるよう位
置調節され、上記と同様の光共振器が構成される。
プリズム又はグレーティングミラーが挙げられ、これ
は、ＹＡＧ結晶および上記半透明鏡間に挿入、配設され
る。この半透明鏡は、ＹＡＧ結晶の軸方向に対してプリ
ズムから選択された適合波長の光波が通過しうるよう位
置調節され、上記と同様の光共振器が構成される。
(iii)第３の波長選択部としては、上記エタロン、プリ
ズムの代りに、ＹＡＧ結晶の両端ロッドを直接使用した
ものが挙げられる。すなわち、両端ロッドにて光共振器
が構成され、これは上記半透明鏡に代るものとして、適
正波長の光波を半透過させ、かつ不適正波長の光波を透
過させうる出力側ロッドと、適正波長の光波および不適
正波長のそれをそれぞれ透過よび反射させ得る入力側ロ
ッドとからなる。
ズムの代りに、ＹＡＧ結晶の両端ロッドを直接使用した
ものが挙げられる。すなわち、両端ロッドにて光共振器
が構成され、これは上記半透明鏡に代るものとして、適
正波長の光波を半透過させ、かつ不適正波長の光波を透
過させうる出力側ロッドと、適正波長の光波および不適
正波長のそれをそれぞれ透過よび反射させ得る入力側ロ
ッドとからなる。
また、半導体レーザの波長としては、807〜809nm光のも
のが好ましく、808nm光のものがより好ましい。
のが好ましく、808nm光のものがより好ましい。
そしてＹＡＧ結晶のポンピングは0.81μｍと0.75μｍで
ある。この発明では0.81μｍである。
ある。この発明では0.81μｍである。
この発明においてＹＡＧ結晶中のＮｄ3+イオンの特定の
準位を選択的に励起するとは、半導体レーザの励起光に
よる光ポンピングにてＮｄ3+の4Ｆ3/2準位に励起される
ことを意味する。この際、Ｎｄ3+は４準位（エネルギー
準位の高い方から低い方に順に、4Ｉ15/2，4Ｉ13/2，4
Ｉ11/2，4Ｉ9/2（基底状態））のエネルギー準位を有す
る。
準位を選択的に励起するとは、半導体レーザの励起光に
よる光ポンピングにてＮｄ3+の4Ｆ3/2準位に励起される
ことを意味する。この際、Ｎｄ3+は４準位（エネルギー
準位の高い方から低い方に順に、4Ｉ15/2，4Ｉ13/2，4
Ｉ11/2，4Ｉ9/2（基底状態））のエネルギー準位を有す
る。
この発明においてレーザ遷移による複数本の同時発振と
は、レーザ遷移が4Ｆ3/2→4Ｉ11/2、4Ｆ3/2→4Ｉ13/2、
4Ｆ3/2→4Ｉ15/2、4Ｆ3/2→4Ｉ9/2にて起こることを意
味する。この際、レーザ遷移は主に4Ｆ3/2→4Ｉ11/2お
よび4Ｆ3/2→4Ｉ13/2にて生じ、それぞれ1.06μｍおよ
び1.32μｍのＮｄ3+の発光が起こる。
は、レーザ遷移が4Ｆ3/2→4Ｉ11/2、4Ｆ3/2→4Ｉ13/2、
4Ｆ3/2→4Ｉ15/2、4Ｆ3/2→4Ｉ9/2にて起こることを意
味する。この際、レーザ遷移は主に4Ｆ3/2→4Ｉ11/2お
よび4Ｆ3/2→4Ｉ13/2にて生じ、それぞれ1.06μｍおよ
び1.32μｍのＮｄ3+の発光が起こる。
この発明における光ファイバー材料としては、シリカ
（ＳｉＯ2）が最適であり、ポリマークラッドファイバ
ーも適用可能である。
（ＳｉＯ2）が最適であり、ポリマークラッドファイバ
ーも適用可能である。
（ホ）作用 上記構成により、半導体レーザ光をＹＡＧ結晶に照射し
てこの結晶中のＮｄ3+イオンの特定の準位を選択的に励
起し、波長選択発振手段によりレーザ遷移による複数本
の同時発振を抑制して適正波長の光波だけを発振出力で
きることから、適正波長を効率よく発振できるととも
に、極低損失にて光ファイバーに結合できる。また、励
起用光源としての半導体レーザを直接変調できるので、
ＹＡＧレーザの変調を容易にできるものである。
てこの結晶中のＮｄ3+イオンの特定の準位を選択的に励
起し、波長選択発振手段によりレーザ遷移による複数本
の同時発振を抑制して適正波長の光波だけを発振出力で
きることから、適正波長を効率よく発振できるととも
に、極低損失にて光ファイバーに結合できる。また、励
起用光源としての半導体レーザを直接変調できるので、
ＹＡＧレーザの変調を容易にできるものである。
（ヘ）実施例 以下図に示す実施例にもとづいてこの発明を詳述する。
なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。
なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。
第１図にＹＡＧ結晶中の発光体であるＮｄ3+イオンの励
起エネルギー準位を示す。半導体レーザの励起された光
エネルギーは励起状態4Ｆ3/2へポンピングされ、主とし
て、4Ｉ13/2，4Ｉ11/2の２つの準位への遷移が起こる。
この遷移波長1.32μｍ，1.06μｍにてレーザ発振する
が、1.06μｍのものが最も発振しやすい。光通信用に最
適な波長1.32μｍのものを発振させるには、1.06μｍの
発振を抑える必要がある。
起エネルギー準位を示す。半導体レーザの励起された光
エネルギーは励起状態4Ｆ3/2へポンピングされ、主とし
て、4Ｉ13/2，4Ｉ11/2の２つの準位への遷移が起こる。
この遷移波長1.32μｍ，1.06μｍにてレーザ発振する
が、1.06μｍのものが最も発振しやすい。光通信用に最
適な波長1.32μｍのものを発振させるには、1.06μｍの
発振を抑える必要がある。
第２図はこの発明の第１の実施例を示す。
第２図において、半導体レーザ１の励起光はレンズ２を
介してＮｄ：ＹＡＧ結晶３に入射する。この際、ＹＡＧ
結晶３の端面には1.32μｍの光波を反射させ、かつ、0.
808μｍのそれを透過可能な二色性コート４が形成され
ている。この二色性コートは誘電体多層膜で形成され
る。
介してＮｄ：ＹＡＧ結晶３に入射する。この際、ＹＡＧ
結晶３の端面には1.32μｍの光波を反射させ、かつ、0.
808μｍのそれを透過可能な二色性コート４が形成され
ている。この二色性コートは誘電体多層膜で形成され
る。
このＹＡＧレーザの光共振器（キャビティ）内には、1.
32μｍの波長の光波だけを通すエタロン（1.064μｍ
ＡＲコート）５が、ＹＡＧ結晶３と、1.32μｍの光波を
半透過させ、かつ0.808μｍのそれを反射する二色性ミ
ラー６との間に挿入されている。
32μｍの波長の光波だけを通すエタロン（1.064μｍ
ＡＲコート）５が、ＹＡＧ結晶３と、1.32μｍの光波を
半透過させ、かつ0.808μｍのそれを反射する二色性ミ
ラー６との間に挿入されている。
また、光伝送路としての光ファイバー（石英ファイバー
（図示せず））は、第３図に示すように、伝送路の低損
失波長域、いわゆる窓に光ファイバー通信用光源の波長
として最適な1.3μｍ±30nmの波長がマッチして光共振
器と結合されている。
（図示せず））は、第３図に示すように、伝送路の低損
失波長域、いわゆる窓に光ファイバー通信用光源の波長
として最適な1.3μｍ±30nmの波長がマッチして光共振
器と結合されている。
而して、1.06μｍの光波の発振を抑えて、1.32μｍのそ
れのレーザ発振を起こすには、光共振器およびこの内部
に挿入したエタロン５に帰還をかけるとともに、波長1.
06μｍ光が光共振器内を往復できないことから、1.32μ
ｍだけの波長を有する光波が発振出力され、窓を介して
光ファイバーに入力される。
れのレーザ発振を起こすには、光共振器およびこの内部
に挿入したエタロン５に帰還をかけるとともに、波長1.
06μｍ光が光共振器内を往復できないことから、1.32μ
ｍだけの波長を有する光波が発振出力され、窓を介して
光ファイバーに入力される。
第４図はこの発明の第２の実施例を示す。
第４図において、プリズム７がＹＡＧレーザの光共振器
内に挿入されており、このプリズムの波長選択性によっ
て1.06μｍと1.32μｍの波長が分離される。二色性ミラ
ー６の位置を調節するとともに、波長1.32μｍの光だけ
にフィードバックがかかり、これにより1.32μｍだけの
光が発振出力され得る。
内に挿入されており、このプリズムの波長選択性によっ
て1.06μｍと1.32μｍの波長が分離される。二色性ミラ
ー６の位置を調節するとともに、波長1.32μｍの光だけ
にフィードバックがかかり、これにより1.32μｍだけの
光が発振出力され得る。
第５図はこの発明の第３の実施例を示す。
第５図において、ＹＡＧ結晶３の両端ロッドは、1.32μ
ｍの波長の光波を反射させ、かつ、0.808μｍおよび1.0
6μｍのそれを透過可能な三色性コート８が入力側ロッ
ドに形成されている。この三色性コートは誘電体多層膜
で形成される。また、出力側ロッドには、0.808μｍの
波長の光波を反射させ、1.06μｍおよび1.32μｍのそれ
をそれぞれ透過および半透過可能な三色性コート９が形
成される。
ｍの波長の光波を反射させ、かつ、0.808μｍおよび1.0
6μｍのそれを透過可能な三色性コート８が入力側ロッ
ドに形成されている。この三色性コートは誘電体多層膜
で形成される。また、出力側ロッドには、0.808μｍの
波長の光波を反射させ、1.06μｍおよび1.32μｍのそれ
をそれぞれ透過および半透過可能な三色性コート９が形
成される。
すなわち、本実施例では光共振器を、発振しやすい1.06
μｍに対して、ＹＡＧ結晶３の両端のコーティングの反
射率を０％にして構成したので、1.06μｍで発振が抑制
されるとともに、1.32μｍでは反射率を100％にして構
成したことから、1.32μｍの波長を有する光波のみが発
振出力され得る。
μｍに対して、ＹＡＧ結晶３の両端のコーティングの反
射率を０％にして構成したので、1.06μｍで発振が抑制
されるとともに、1.32μｍでは反射率を100％にして構
成したことから、1.32μｍの波長を有する光波のみが発
振出力され得る。
このように、ＹＡＧレーザのキャビティー内に何らかの
波長選択素子を加えることによって、1.06μｍの発振を
押さえ、光通信に最適な1.32μｍの波長だけを効率よく
発振することができる。また、半導体レーザ励起方式に
より、高効率で、高信頼性のコンパクトな赤外発振レー
ザが得られる。更に、半導体レーザが直接変調できるの
で、ＹＡＧレーザも変調が容易であることから光通信用
に適しているという利点を有する。
波長選択素子を加えることによって、1.06μｍの発振を
押さえ、光通信に最適な1.32μｍの波長だけを効率よく
発振することができる。また、半導体レーザ励起方式に
より、高効率で、高信頼性のコンパクトな赤外発振レー
ザが得られる。更に、半導体レーザが直接変調できるの
で、ＹＡＧレーザも変調が容易であることから光通信用
に適しているという利点を有する。
（ト）発明の効果 以上のようにこの発明によれば、半導体レーザ光をＹＡ
Ｇ結晶に照射してこの結晶中のＮｄ3+イオンの特定の準
位を選択的に励起し、波長選択発振手段によりレーザ遷
移による複数本の同時発振を抑制して適正波長の光波だ
けを発振出力できることから、適正波長を効率よく発振
できるとともに、極低損失にて光ファイバーに結合でき
る。また、励起用光源としての半導体レーザが直接変調
できるので、ＹＡＧレーザの変調を容易にできるもので
ある。この結果、超広帯域の光ファイバー伝送路を得る
ことができる効果がある。また、半導体レーザによる励
起方式により、高効率で、高信頼性のコンパクトな赤外
発振レーザを得ることができる利点を有するものであ
る。
Ｇ結晶に照射してこの結晶中のＮｄ3+イオンの特定の準
位を選択的に励起し、波長選択発振手段によりレーザ遷
移による複数本の同時発振を抑制して適正波長の光波だ
けを発振出力できることから、適正波長を効率よく発振
できるとともに、極低損失にて光ファイバーに結合でき
る。また、励起用光源としての半導体レーザが直接変調
できるので、ＹＡＧレーザの変調を容易にできるもので
ある。この結果、超広帯域の光ファイバー伝送路を得る
ことができる効果がある。また、半導体レーザによる励
起方式により、高効率で、高信頼性のコンパクトな赤外
発振レーザを得ることができる利点を有するものであ
る。
第１図はＹＡＧ結晶中の発光体であるＮｄ3+イオンの励
起状態を示すエネルギー準位図、第２図はこの発明の第
１の実施例を示す構成説明図、第３図は石英光ファイバ
ーの波長対伝送損失特性図、第４図はこの発明の第２の
実施例を示す構成説明図、第５図はこの発明の第３の実
施例を示す構成説明図である。 １……半導体レーザ、２……レンズ、 ３……ＹＡＧ結晶、４……二色性コート、 ５……エタロン、６……二色性ミラー、 ７……プリズム、８，９……三色性コート。
起状態を示すエネルギー準位図、第２図はこの発明の第
１の実施例を示す構成説明図、第３図は石英光ファイバ
ーの波長対伝送損失特性図、第４図はこの発明の第２の
実施例を示す構成説明図、第５図はこの発明の第３の実
施例を示す構成説明図である。 １……半導体レーザ、２……レンズ、 ３……ＹＡＧ結晶、４……二色性コート、 ５……エタロン、６……二色性ミラー、 ７……プリズム、８，９……三色性コート。
Claims (1)
- 【請求項１】ＹＡＧ結晶と、このＹＡＧ結晶中のＮｄ3+
イオンの特定の準位を選択的に励起するための励起光を
出力する半導体レーザと、この半導体レーザからの上記
励起光を上記ＹＡＧ結晶に集める集光レンズと、Ｎｄ3+
からのレーザ遷移による複数本の同時発振を抑制して光
ファイバー通信に適した１つの発振波長を選択する波長
選択発振手段と、この波長選択発振手段に結合され、そ
の発振波長の光波により光情報信号を伝送する光ファイ
バーとを備えた光ファイバー通信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62188640A JPH0652814B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 光ファイバ−通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62188640A JPH0652814B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 光ファイバ−通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6431485A JPS6431485A (en) | 1989-02-01 |
| JPH0652814B2 true JPH0652814B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=16227248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62188640A Expired - Fee Related JPH0652814B2 (ja) | 1987-07-27 | 1987-07-27 | 光ファイバ−通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652814B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69127315T2 (de) * | 1990-05-16 | 1997-12-18 | Atx Telecom Systems Inc | Vorrichtung zum Pumpen eines schwach absorbierenden Lasermediums |
| WO1999065122A1 (fr) * | 1998-06-11 | 1999-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resonateur optique de laser |
| JP3844886B2 (ja) | 1998-07-28 | 2006-11-15 | 富士通株式会社 | 光フィルタの製造方法 |
| US20010021215A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-09-13 | Udo Bunting | Compact ultra fast laser |
| JP4763337B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2011-08-31 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
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1987
- 1987-07-27 JP JP62188640A patent/JPH0652814B2/ja not_active Expired - Fee Related
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