JPH09260760A - レーザー装置 - Google Patents
レーザー装置Info
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- JPH09260760A JPH09260760A JP8064912A JP6491296A JPH09260760A JP H09260760 A JPH09260760 A JP H09260760A JP 8064912 A JP8064912 A JP 8064912A JP 6491296 A JP6491296 A JP 6491296A JP H09260760 A JPH09260760 A JP H09260760A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/08022—Longitudinal modes
- H01S3/08031—Single-mode emission
- H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザー共振器内にエタロンおよび非線形光
学結晶を配置して、発振モードを単一縦モード化し、ま
た基本波を第２高調波に変換するレーザー装置におい
て、メインビームとしての第２高調波にエタロンで反射
した第２高調波が混入して、第２高調波のビーム品質が
悪化することを防止する。 【解決手段】 レーザー媒質13と共振器ミラー14とで構
成された共振器内に、エタロン16および非線形光学結晶
15を配置してなるレーザー装置において、第２高調波21
の波長をλSH、エタロン16の基本波20、第２高調波21に
対する屈折率をそれぞれｎFM、ｎSHとしたとき、エタロ
ン16の実効的な厚みｔを、 ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝略整数 なる関係を満たす値に設定する。
学結晶を配置して、発振モードを単一縦モード化し、ま
た基本波を第２高調波に変換するレーザー装置におい
て、メインビームとしての第２高調波にエタロンで反射
した第２高調波が混入して、第２高調波のビーム品質が
悪化することを防止する。 【解決手段】 レーザー媒質13と共振器ミラー14とで構
成された共振器内に、エタロン16および非線形光学結晶
15を配置してなるレーザー装置において、第２高調波21
の波長をλSH、エタロン16の基本波20、第２高調波21に
対する屈折率をそれぞれｎFM、ｎSHとしたとき、エタロ
ン16の実効的な厚みｔを、 ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝略整数 なる関係を満たす値に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー装置に関
し、特に詳細には、共振器内にエタロンを配して発振モ
ードを単一縦モード化するようにしたレーザー装置に関
するものである。
し、特に詳細には、共振器内にエタロンを配して発振モ
ードを単一縦モード化するようにしたレーザー装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開昭６２−１８９７８３号公報
に示されるように、ネオジウム等の希土類が添加された
固体レーザー媒質を半導体レーザー（レーザーダイオー
ド）によって励起する固体レーザー装置が公知となって
いる。この種のレーザー装置においては、モード競合ノ
イズの発生を抑えるために、その共振器内にエタロンを
配して、発振モードを単一縦モード化することも行なわ
れている。
に示されるように、ネオジウム等の希土類が添加された
固体レーザー媒質を半導体レーザー（レーザーダイオー
ド）によって励起する固体レーザー装置が公知となって
いる。この種のレーザー装置においては、モード競合ノ
イズの発生を抑えるために、その共振器内にエタロンを
配して、発振モードを単一縦モード化することも行なわ
れている。
【０００３】またこの種のレーザー装置においては、よ
り短波長のレーザー光を得るために、その共振器内に非
線形光学結晶を配置して、レーザー光を第２高調波に波
長変換することも広く行なわれている。
り短波長のレーザー光を得るために、その共振器内に非
線形光学結晶を配置して、レーザー光を第２高調波に波
長変換することも広く行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にエタロンおよび非線形光学結晶を共振器内に配置して
なるレーザー装置においては、メインビームとしての第
２高調波の周辺に、エタロン端面で反射した第２高調波
が出射して、第２高調波のビーム品質が悪化するという
問題が認められている。この問題が起きる理由を、図３
を参照して以下詳しく説明する。
にエタロンおよび非線形光学結晶を共振器内に配置して
なるレーザー装置においては、メインビームとしての第
２高調波の周辺に、エタロン端面で反射した第２高調波
が出射して、第２高調波のビーム品質が悪化するという
問題が認められている。この問題が起きる理由を、図３
を参照して以下詳しく説明する。
【０００５】この図３中、１は励起光源、２は励起光源
１からのポンピング光（励起光）３によって励起される
固体レーザー媒質、４は共振器ミラー、５は非線形光学
結晶、６はエタロンである。なおこの場合、レーザー共
振器は、共振器ミラー４と固体レーザー媒質２とで構成
されている。すなわち、共振器ミラー４の面４ａおよび
固体レーザー媒質２の端面２ａに所定のコートが施さ
れ、それらが共振器ミラー面とされている。
１からのポンピング光（励起光）３によって励起される
固体レーザー媒質、４は共振器ミラー、５は非線形光学
結晶、６はエタロンである。なおこの場合、レーザー共
振器は、共振器ミラー４と固体レーザー媒質２とで構成
されている。すなわち、共振器ミラー４の面４ａおよび
固体レーザー媒質２の端面２ａに所定のコートが施さ
れ、それらが共振器ミラー面とされている。
【０００６】この構成において、固体レーザー光は非線
形光学結晶５により第２高調波に波長変換され、この第
２高調波は、本来共振器ミラー４の光軸方向に出射す
る。これがメインビームであり、図中では７を付して示
してある。
形光学結晶５により第２高調波に波長変換され、この第
２高調波は、本来共振器ミラー４の光軸方向に出射す
る。これがメインビームであり、図中では７を付して示
してある。
【０００７】ここで共振器ミラー面４ａのコート特性
は、第２高調波のみを考慮して定められるものではな
く、基本波としての固体レーザー光に対してはＨＲ（高
反射）コートとなるように定められるものであり、その
ようにする上でのコート技術の制約から、該ミラー面４
ａの第２高調波に対する反射率は通常５〜１０％程度と
なる。つまりこのミラー面４ａを、第２高調波に対して
いわゆるＡＲ面（反射率０．５％以下のレベルの無反射
面）とするのは難しくなっている。
は、第２高調波のみを考慮して定められるものではな
く、基本波としての固体レーザー光に対してはＨＲ（高
反射）コートとなるように定められるものであり、その
ようにする上でのコート技術の制約から、該ミラー面４
ａの第２高調波に対する反射率は通常５〜１０％程度と
なる。つまりこのミラー面４ａを、第２高調波に対して
いわゆるＡＲ面（反射率０．５％以下のレベルの無反射
面）とするのは難しくなっている。
【０００８】そしてエタロン６は一般に、共振器光軸に
対して５°以下、さらに望ましくは０．３〜１°程度の
角度傾けて使用されるので、上記ミラー面４ａで反射し
た第２高調波が破線で示すように、エタロン６において
メインビーム７に対し角度をなして反射する。これが、
メインビーム７の周辺に混入して出射する１つの迷光
７’となる。
対して５°以下、さらに望ましくは０．３〜１°程度の
角度傾けて使用されるので、上記ミラー面４ａで反射し
た第２高調波が破線で示すように、エタロン６において
メインビーム７に対し角度をなして反射する。これが、
メインビーム７の周辺に混入して出射する１つの迷光
７’となる。
【０００９】また、エタロン６の裏面（非線形光学結晶
５側の端面）で反射した迷光７’はエタロン６の表面で
再度反射し、一点鎖線で示すように固体レーザー媒質２
の端面２ａでさらに反射して、メインビーム７に対し角
度をなして共振器ミラー４から出射する。これも、メイ
ンビーム７の周辺に混入して出射する別の迷光７”とな
る。
５側の端面）で反射した迷光７’はエタロン６の表面で
再度反射し、一点鎖線で示すように固体レーザー媒質２
の端面２ａでさらに反射して、メインビーム７に対し角
度をなして共振器ミラー４から出射する。これも、メイ
ンビーム７の周辺に混入して出射する別の迷光７”とな
る。
【００１０】なお固体レーザー媒質２の端面２ａは、高
い第２高調波出力を得るために、第２高調波に対するＨ
Ｒコートが施されるので、そこで迷光７’も良く反射し
てしまうのである。敢えてこの端面２ａに、第２高調波
に対するＡＲコートを施しても、上述した共振器ミラー
面４ａの場合と同じ理由で、その反射率を０．５％以下
のレベルまで下げるのは難しくなっている。
い第２高調波出力を得るために、第２高調波に対するＨ
Ｒコートが施されるので、そこで迷光７’も良く反射し
てしまうのである。敢えてこの端面２ａに、第２高調波
に対するＡＲコートを施しても、上述した共振器ミラー
面４ａの場合と同じ理由で、その反射率を０．５％以下
のレベルまで下げるのは難しくなっている。
【００１１】またエタロン６は多くの場合、簡便のため
に表裏面ともコートなしで使用され、その際は上記のよ
うに表裏面での反射が生じやすくなっている。例えエタ
ロン６の表裏面に第２高調波に対するＡＲコートを施し
ても、これら表裏面が平行平面であるため、第２高調波
が表裏の干渉で強め合って、実質２％程度の反射率とな
ることがある。
に表裏面ともコートなしで使用され、その際は上記のよ
うに表裏面での反射が生じやすくなっている。例えエタ
ロン６の表裏面に第２高調波に対するＡＲコートを施し
ても、これら表裏面が平行平面であるため、第２高調波
が表裏の干渉で強め合って、実質２％程度の反射率とな
ることがある。
【００１２】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、レーザー共振器内にエタロンおよ
び非線形光学結晶を配置してなるレーザー装置におい
て、メインビームとしての第２高調波にエタロンで反射
した第２高調波が混入して、第２高調波のビーム品質が
悪化することを防止することにある。
であり、その目的は、レーザー共振器内にエタロンおよ
び非線形光学結晶を配置してなるレーザー装置におい
て、メインビームとしての第２高調波にエタロンで反射
した第２高調波が混入して、第２高調波のビーム品質が
悪化することを防止することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザー装
置は、前述したように共振器内にエタロンと第２高調波
発生用の非線形光学結晶とが配置されたレーザー装置に
おいて、第２高調波の波長をλSH、エタロンの基本波に
対する屈折率、第２高調波に対する屈折率をそれぞれｎ
FM、ｎSHとしたとき、エタロンの実効的な厚みｔが、 ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝略整数 なる関係を満たす値とされていることを特徴とするもの
である。
置は、前述したように共振器内にエタロンと第２高調波
発生用の非線形光学結晶とが配置されたレーザー装置に
おいて、第２高調波の波長をλSH、エタロンの基本波に
対する屈折率、第２高調波に対する屈折率をそれぞれｎ
FM、ｎSHとしたとき、エタロンの実効的な厚みｔが、 ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝略整数 なる関係を満たす値とされていることを特徴とするもの
である。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、基本波としてのレーザー光は
エタロンにおける表裏干渉で実効的に透過率の高くなる
波長のものが自動的に発振すること、および第２高調波
の波長が基本波波長に対して厳密に定まることに着目
し、第２高調波に対しても表裏干渉で透過率が高くなる
（反射率が低くなって迷光強度が低くなる）ようにエタ
ロン厚みを規定したものである。
エタロンにおける表裏干渉で実効的に透過率の高くなる
波長のものが自動的に発振すること、および第２高調波
の波長が基本波波長に対して厳密に定まることに着目
し、第２高調波に対しても表裏干渉で透過率が高くなる
（反射率が低くなって迷光強度が低くなる）ようにエタ
ロン厚みを規定したものである。
【００１５】以下、この点について図２も参照して詳し
く説明する。この図２においてＬ１とＬ２は、エタロン
６において表裏干渉する、互いに光学長差のある基本波
あるいは第２高調波を示している。
く説明する。この図２においてＬ１とＬ２は、エタロン
６において表裏干渉する、互いに光学長差のある基本波
あるいは第２高調波を示している。
【００１６】基本波としてのレーザー光は、エタロンで
の表裏干渉による損失が最小（透過率が最大）となる波
長で発振する。このときの状態を数式で表わすと、上記
Ｌ１とＬ２との光学長差が基本波波長の整数倍になると
いう条件より、光学長差を左辺に置いて下記のようにな
る。
の表裏干渉による損失が最小（透過率が最大）となる波
長で発振する。このときの状態を数式で表わすと、上記
Ｌ１とＬ２との光学長差が基本波波長の整数倍になると
いう条件より、光学長差を左辺に置いて下記のようにな
る。
【００１７】 ２ｔｎFM−２ｔsin θ１・sin θ２＝ｍFM（整数）λFM……（１） ただし、ｎFM はエタロンの基本波に対する屈折率 θ１ はエタロンの傾き角（基本波入射角） θ２ はエタロン内での基本波の角度 λFM は基本波の波長 ｔ はエタロンの実効的な厚み である。
【００１８】なおsin θ１＝ｎFMsin θ２であり、また
エタロンの実効的な厚みｔは、実際の厚みｔ’とはｔco
s θ２＝ｔ’なる関係にある。
エタロンの実効的な厚みｔは、実際の厚みｔ’とはｔco
s θ２＝ｔ’なる関係にある。
【００１９】第２高調波に対しても同様の条件が満たさ
れれば、表裏干渉で透過率が高くなることから、上記
（１）と同様にして下式を得る。
れれば、表裏干渉で透過率が高くなることから、上記
（１）と同様にして下式を得る。
【００２０】 ２ｔｎSH−２ｔsin θ１・sin θ２＝ｍSH（整数）λSH……（２） ただし、ｎSH はエタロンの第２高調波に対する屈折率 θ１ はエタロンの傾き角（第２高調波入射角） θ２ はエタロン内での第２高調波の角度 λSH は第２高調波の波長 である。
【００２１】ここでλFM＝２λSHであるから、（２）式
の左辺は ２ｔ（ｎSH−ｎFM）＋（２ｔｎFM−２ｔsin θ１・sin θ２） ＝２ｔ（ｎSH−ｎFM）＋ｍFM（整数）λFM ＝２ｔ（ｎSH−ｎFM）＋ｍFM（整数）・２λSH となる。したがって、この式の第１項がλSHの整数倍、
つまり、 ２ｔ（ｎSH−ｎFM）＝ｍ’SH（整数）λSH ∴２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 ……（３） であれば、（２）式が成立することになる。
の左辺は ２ｔ（ｎSH−ｎFM）＋（２ｔｎFM−２ｔsin θ１・sin θ２） ＝２ｔ（ｎSH−ｎFM）＋ｍFM（整数）λFM ＝２ｔ（ｎSH−ｎFM）＋ｍFM（整数）・２λSH となる。したがって、この式の第１項がλSHの整数倍、
つまり、 ２ｔ（ｎSH−ｎFM）＝ｍ’SH（整数）λSH ∴２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 ……（３） であれば、（２）式が成立することになる。
【００２２】先に述べた通り本発明のレーザー装置は、
上記（３）式が略満たされるようにエタロンの実効的な
厚みｔを定めたものであるから、基本波に対してと同様
に第２高調波に対しても表裏干渉で透過率が高くなり、
それにより第２高調波の迷光を少なくして、そのビーム
品質を高めることができる。
上記（３）式が略満たされるようにエタロンの実効的な
厚みｔを定めたものであるから、基本波に対してと同様
に第２高調波に対しても表裏干渉で透過率が高くなり、
それにより第２高調波の迷光を少なくして、そのビーム
品質を高めることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお以下に説明する実施の
形態はすべてレーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーであり、それらの外形形状は基本的に同じであるの
で、図１を参照してまずそれらの概略構成について説明
する。
施の形態を詳細に説明する。なお以下に説明する実施の
形態はすべてレーザーダイオードポンピング固体レーザ
ーであり、それらの外形形状は基本的に同じであるの
で、図１を参照してまずそれらの概略構成について説明
する。
【００２４】図示の通りこのレーザーダイオードポンピ
ング固体レーザーは、ポンピング光（励起光）としての
レーザービーム10を発する半導体レーザー11と、発散光
である上記レーザービーム10を集束させる例えばロッド
レンズからなる集光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）が
ドーピングされたレーザー結晶13と、このレーザー結晶
13の前方側（図中右方側）に配された共振器ミラー14
と、レーザー結晶13と共振器ミラー14との間に配された
非線形光学結晶15と、この非線形光学結晶15と共振器ミ
ラー14との間に配されたエタロン16とから構成されてい
る。
ング固体レーザーは、ポンピング光（励起光）としての
レーザービーム10を発する半導体レーザー11と、発散光
である上記レーザービーム10を集束させる例えばロッド
レンズからなる集光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）が
ドーピングされたレーザー結晶13と、このレーザー結晶
13の前方側（図中右方側）に配された共振器ミラー14
と、レーザー結晶13と共振器ミラー14との間に配された
非線形光学結晶15と、この非線形光学結晶15と共振器ミ
ラー14との間に配されたエタロン16とから構成されてい
る。
【００２５】以上述べた各要素は、図示しない共通の筐
体にマウントされて一体化されている。そしてこの筐体
は、各部品間の距離や光学部品の屈折率が変化しないよ
うに、図示しない温度検出器、電熱素子および温度コン
トローラによって所定の温度に保たれている。
体にマウントされて一体化されている。そしてこの筐体
は、各部品間の距離や光学部品の屈折率が変化しないよ
うに、図示しない温度検出器、電熱素子および温度コン
トローラによって所定の温度に保たれている。
【００２６】この構成においては、レーザー結晶13中の
ネオジウムイオンがレーザービーム10によって励起され
て光を放出する。この光がレーザー結晶13の端面13ａと
共振器ミラー14のミラー面14ａとの間で共振して、固体
レーザービーム20が得られる。この固体レーザービーム
20は非線形光学結晶15により、波長が１／２の第２高調
波21に波長変換され、この第２高調波21は共振器ミラー
14から前方に出射する。そして、エタロン16の作用によ
りレーザー発振モードが単一縦モード化され、モード競
合ノイズの無い安定な出力が得られる。
ネオジウムイオンがレーザービーム10によって励起され
て光を放出する。この光がレーザー結晶13の端面13ａと
共振器ミラー14のミラー面14ａとの間で共振して、固体
レーザービーム20が得られる。この固体レーザービーム
20は非線形光学結晶15により、波長が１／２の第２高調
波21に波長変換され、この第２高調波21は共振器ミラー
14から前方に出射する。そして、エタロン16の作用によ
りレーザー発振モードが単一縦モード化され、モード競
合ノイズの無い安定な出力が得られる。
【００２７】なおレーザー結晶端面13ａには、固体レー
ザービーム20および第２高調波21に対してＨＲ特性とな
るコートが施されている。また共振器ミラー面14ａに
は、固体レーザービーム20に対してはＨＲ特性で、第２
高調波21は部分透過させるコートが施されている。
ザービーム20および第２高調波21に対してＨＲ特性とな
るコートが施されている。また共振器ミラー面14ａに
は、固体レーザービーム20に対してはＨＲ特性で、第２
高調波21は部分透過させるコートが施されている。
【００２８】（第１の実施の形態）レーザー結晶13とし
てＮｄ：ＹＶＯ4 結晶、すなわちネオジウム（Ｎｄ）が
ドープされたＹＶＯ4 結晶を用い、それを波長８０８ｎ
ｍのレーザービーム10によって励起して、波長１０６４
ｎｍの固体レーザービーム20を発生させた。また非線形
光学結晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮ
ｂＯ3 結晶を用い、それにより基本波としての固体レー
ザービーム20を波長λSH＝５３２ｎｍの第２高調波21に
波長変換した。
てＮｄ：ＹＶＯ4 結晶、すなわちネオジウム（Ｎｄ）が
ドープされたＹＶＯ4 結晶を用い、それを波長８０８ｎ
ｍのレーザービーム10によって励起して、波長１０６４
ｎｍの固体レーザービーム20を発生させた。また非線形
光学結晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮ
ｂＯ3 結晶を用い、それにより基本波としての固体レー
ザービーム20を波長λSH＝５３２ｎｍの第２高調波21に
波長変換した。
【００２９】エタロン16としては、表裏面が平行平面に
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１０６４ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．０１１１である。
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１０６４ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．０１１１である。
【００３０】ここで、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の１０６４ｎ
ｍの発振線の蛍光スペクトルの半値幅は約０．８ｎｍで
あるので、発振モードを単一縦モード化するためには、
エタロン16のＦＳＲ（Free Spectral Range ：縦モード
間隔）は０．８ｎｍ以上であるのが望ましい。この条件
は、合成石英では厚みが３８０ｎｍ以下であることに対
応する。
ｍの発振線の蛍光スペクトルの半値幅は約０．８ｎｍで
あるので、発振モードを単一縦モード化するためには、
エタロン16のＦＳＲ（Free Spectral Range ：縦モード
間隔）は０．８ｎｍ以上であるのが望ましい。この条件
は、合成石英では厚みが３８０ｎｍ以下であることに対
応する。
【００３１】このエタロン厚みの条件も考慮して、前記
（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１３として、エタロン16の実効的な
厚みｔ＝３１２μｍとなる。エタロン16は共振器光軸に
対して傾けて使用するが、本例ではその傾きは１°未満
とするので、傾きによる光路長変化が極めて小さいこと
から、エタロン16の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３１２μｍと
した。
（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１３として、エタロン16の実効的な
厚みｔ＝３１２μｍとなる。エタロン16は共振器光軸に
対して傾けて使用するが、本例ではその傾きは１°未満
とするので、傾きによる光路長変化が極めて小さいこと
から、エタロン16の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３１２μｍと
した。
【００３２】まずエタロン16をコート無しで使用した
が、前述した理由によりエタロンの表裏干渉で第２高調
波21の反射が弱められるため、この反射に起因する迷光
は観測されなかった。
が、前述した理由によりエタロンの表裏干渉で第２高調
波21の反射が弱められるため、この反射に起因する迷光
は観測されなかった。
【００３３】次に上記エタロン16に、第２高調波波長λ
SH＝５３２ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコ
ートを施した。実際の反射率はエタロン表面、裏面でそ
れぞれ０．２％、０．５％であった。このエタロン16を
共振器内に挿入したが、その際も上記と同様に表裏干渉
で第２高調波21の反射が弱められるため、この反射に起
因する迷光は極く弱いものとなった。
SH＝５３２ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコ
ートを施した。実際の反射率はエタロン表面、裏面でそ
れぞれ０．２％、０．５％であった。このエタロン16を
共振器内に挿入したが、その際も上記と同様に表裏干渉
で第２高調波21の反射が弱められるため、この反射に起
因する迷光は極く弱いものとなった。
【００３４】（第２の実施の形態）レーザー結晶13とし
てＮｄ：ＹＡＧ結晶、すなわちネオジウム（Ｎｄ）がド
ープされたＹＡＧ結晶を用い、それを波長８０９ｎｍの
レーザービーム10によって励起して、波長９４６ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝４７３ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
てＮｄ：ＹＡＧ結晶、すなわちネオジウム（Ｎｄ）がド
ープされたＹＡＧ結晶を用い、それを波長８０９ｎｍの
レーザービーム10によって励起して、波長９４６ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝４７３ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
【００３５】エタロン16としては、表裏面が平行平面に
加工されたカルサイトを用いた。このカルサイトエタロ
ンの第２高調波波長４７３ｎｍに対する屈折率ｎSHと、
基本波波長９４６ｎｍに対する屈折率ｎFM（ともにａ軸
方向偏光に対する屈折率）との差（ｎSH−ｎFM）は、約
０．０２５２である。
加工されたカルサイトを用いた。このカルサイトエタロ
ンの第２高調波波長４７３ｎｍに対する屈折率ｎSHと、
基本波波長９４６ｎｍに対する屈折率ｎFM（ともにａ軸
方向偏光に対する屈折率）との差（ｎSH−ｎFM）は、約
０．０２５２である。
【００３６】この値と、前記（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝３５として、エタロン16の実効的な
厚みｔ＝３２８μｍとなる。エタロン16は共振器光軸に
対して傾けて使用するが、本例ではその傾きは１°未満
とするので、傾きによる光路長変化が極めて小さいこと
から、エタロン16の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３２８μｍと
した。
厚みｔ＝３２８μｍとなる。エタロン16は共振器光軸に
対して傾けて使用するが、本例ではその傾きは１°未満
とするので、傾きによる光路長変化が極めて小さいこと
から、エタロン16の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３２８μｍと
した。
【００３７】このエタロン16には、第２高調波波長λSH
＝４７３ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコー
トを施した。実際の反射率はエタロン表面、裏面でそれ
ぞれ０．２％、０．４％であった。このエタロン16を共
振器内に挿入したが、その際も表裏干渉で第２高調波21
の反射が弱められるため、この反射に起因する迷光は極
く弱いものとなった。
＝４７３ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコー
トを施した。実際の反射率はエタロン表面、裏面でそれ
ぞれ０．２％、０．４％であった。このエタロン16を共
振器内に挿入したが、その際も表裏干渉で第２高調波21
の反射が弱められるため、この反射に起因する迷光は極
く弱いものとなった。
【００３８】（第３の実施の形態）レーザー結晶13とし
てＮｄ：ＹＬＦ結晶、すなわちネオジウム（Ｎｄ）がド
ープされたＹＬＦ結晶を用い、それを波長７９５ｎｍの
レーザービーム10によって励起して波長１３１３ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝６５７ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
てＮｄ：ＹＬＦ結晶、すなわちネオジウム（Ｎｄ）がド
ープされたＹＬＦ結晶を用い、それを波長７９５ｎｍの
レーザービーム10によって励起して波長１３１３ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝６５７ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
【００３９】エタロン16としては、表裏面が平行平面に
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長６５７ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１３１３ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．００９６である。
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長６５７ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１３１３ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．００９６である。
【００４０】この値と、前記（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１０として、エタロン16の実効的な
厚みｔ＝３４２μｍとなる。エタロン16は共振器光軸に
対して傾けて使用するが、本例ではその傾きは１°未満
とするので、傾きによる光路長変化が極めて小さいこと
から、エタロン16の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３４２μｍと
した。
厚みｔ＝３４２μｍとなる。エタロン16は共振器光軸に
対して傾けて使用するが、本例ではその傾きは１°未満
とするので、傾きによる光路長変化が極めて小さいこと
から、エタロン16の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３４２μｍと
した。
【００４１】このエタロン16には、第２高調波波長λSH
＝６５７ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコー
トを施した。実際の反射率はエタロン表面、裏面でそれ
ぞれ０．４％、０．５％であった。このエタロン16を共
振器内に挿入したが、その際も表裏干渉で第２高調波21
の反射が弱められるため、この反射に起因する迷光は極
く弱いものとなった。
＝６５７ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコー
トを施した。実際の反射率はエタロン表面、裏面でそれ
ぞれ０．４％、０．５％であった。このエタロン16を共
振器内に挿入したが、その際も表裏干渉で第２高調波21
の反射が弱められるため、この反射に起因する迷光は極
く弱いものとなった。
【００４２】（第４の実施の形態）レーザー結晶13とし
てＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を用い、それを波長８０８ｎｍの
レーザービーム10によって励起して波長１０６４ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝５３２ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
てＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を用い、それを波長８０８ｎｍの
レーザービーム10によって励起して波長１０６４ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝５３２ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
【００４３】エタロン16としては、表裏面が平行平面に
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１０６４ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．０１１１である。
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１０６４ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．０１１１である。
【００４４】ここで、エタロン16は共振器光軸に対して
１°傾けて使用する。その場合、合成石英の第２高調波
波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSH＝１．４６０７よ
り、エタロン16の実際の厚みｔ’と実効的厚みｔとの比
（ｔ’／ｔ）＝０．９９９９２７となる。
１°傾けて使用する。その場合、合成石英の第２高調波
波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSH＝１．４６０７よ
り、エタロン16の実際の厚みｔ’と実効的厚みｔとの比
（ｔ’／ｔ）＝０．９９９９２７となる。
【００４５】また、第１の実施の形態の場合と同様に、
エタロン16のＦＳＲの点から、その厚みは３８０ｎｍ以
下とする。これを考慮して、前記（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１４として、エタロン16の実効的厚
みｔ＝３３５．５０μｍとなる。そこで、理論上はエタ
ロン16の厚みｔ’＝３３５．５０×０．９９９９２７＝
３３５．４８μｍとなるので、実際には３３５μｍの厚
みのエタロン16を用いた。
エタロン16のＦＳＲの点から、その厚みは３８０ｎｍ以
下とする。これを考慮して、前記（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１４として、エタロン16の実効的厚
みｔ＝３３５．５０μｍとなる。そこで、理論上はエタ
ロン16の厚みｔ’＝３３５．５０×０．９９９９２７＝
３３５．４８μｍとなるので、実際には３３５μｍの厚
みのエタロン16を用いた。
【００４６】そしてエタロン16には、第２高調波波長λ
SH＝５３２ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコ
ートを施した。実際の反射率はエタロン表面、裏面でそ
れぞれ０．２％、０．５％であった。このエタロン16を
共振器内に挿入したが、その際も表裏干渉で第２高調波
21の反射が弱められるため、この反射に起因する迷光は
極く弱いものとなった。
SH＝５３２ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコ
ートを施した。実際の反射率はエタロン表面、裏面でそ
れぞれ０．２％、０．５％であった。このエタロン16を
共振器内に挿入したが、その際も表裏干渉で第２高調波
21の反射が弱められるため、この反射に起因する迷光は
極く弱いものとなった。
【００４７】（第５の実施の形態）レーザー結晶13とし
てＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を用い、それを波長８０８ｎｍの
レーザービーム10によって励起して波長１０６４ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝５３２ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
てＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を用い、それを波長８０８ｎｍの
レーザービーム10によって励起して波長１０６４ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝５３２ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
【００４８】エタロン16としては、表裏面が平行平面に
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１０６４ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．０１１１である。
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１０６４ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．０１１１である。
【００４９】また、第１の実施の形態の場合と同様に、
エタロン16のＦＳＲの点から、その厚みは３８０ｎｍ以
下とする。これを考慮して、前記（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１４として、理論上はエタロン16の
実効的な厚みｔ＝３３５μｍとなる。そして、エタロン
16の共振器光軸に対する傾きは１°未満とするので、そ
の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３３５μｍとなるが、実際には
厚みｔ’＝３３９μｍのエタロン16を用いた。
エタロン16のＦＳＲの点から、その厚みは３８０ｎｍ以
下とする。これを考慮して、前記（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１４として、理論上はエタロン16の
実効的な厚みｔ＝３３５μｍとなる。そして、エタロン
16の共振器光軸に対する傾きは１°未満とするので、そ
の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３３５μｍとなるが、実際には
厚みｔ’＝３３９μｍのエタロン16を用いた。
【００５０】なおｔ＝３３９μｍとした場合、２ｔ（ｎ
SH−ｎFM）／λSHの値は１４．１５となり、最適条件か
らやや外れていることになる。
SH−ｎFM）／λSHの値は１４．１５となり、最適条件か
らやや外れていることになる。
【００５１】このエタロン16をコート無しで使用した。
エタロン厚みは上記の通り最適条件からやや外れている
が、エタロンの表裏干渉で第２高調波21の反射が弱めら
れるため、この反射に起因する迷光は極く弱いものとな
った。
エタロン厚みは上記の通り最適条件からやや外れている
が、エタロンの表裏干渉で第２高調波21の反射が弱めら
れるため、この反射に起因する迷光は極く弱いものとな
った。
【００５２】（第６の実施の形態）レーザー結晶13とし
てＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を用い、それを波長８０８ｎｍの
レーザービーム10によって励起して波長１０６４ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝５３２ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
てＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を用い、それを波長８０８ｎｍの
レーザービーム10によって励起して波長１０６４ｎｍの
固体レーザービーム20を発生させた。また非線形光学結
晶15として周期ドメイン反転構造を有するＬｉＮｂＯ3
結晶を用い、それにより基本波としての固体レーザービ
ーム20を波長λSH＝５３２ｎｍの第２高調波21に波長変
換した。
【００５３】エタロン16としては、表裏面が平行平面に
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１０６４ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．０１１１である。
加工された合成石英を用いた。この合成石英エタロンの
第２高調波波長５３２ｎｍに対する屈折率ｎSHと、基本
波波長１０６４ｎｍに対する屈折率ｎFMとの差（ｎSH−
ｎFM）は、約０．０１１１である。
【００５４】また、第１の実施の形態の場合と同様に、
エタロン16のＦＳＲの点から、その厚みは３８０ｎｍ以
下とする。これを考慮して、前記（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１４として、理論上はエタロン16の
実効的な厚みｔ＝３３５μｍとなる。そして、エタロン
16の共振器光軸に対する傾きは１°未満とするので、そ
の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３３５μｍとなるが、実際には
厚みｔ’＝３３７μｍのエタロン16を用いた。
エタロン16のＦＳＲの点から、その厚みは３８０ｎｍ以
下とする。これを考慮して、前記（３）式つまり ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝整数 の条件から、整数＝１４として、理論上はエタロン16の
実効的な厚みｔ＝３３５μｍとなる。そして、エタロン
16の共振器光軸に対する傾きは１°未満とするので、そ
の実際の厚みｔ’＝ｔ＝３３５μｍとなるが、実際には
厚みｔ’＝３３７μｍのエタロン16を用いた。
【００５５】なおｔ＝３３７μｍとした場合、２ｔ（ｎ
SH−ｎFM）／λSHの値は１４．０６となり、最適条件か
らやや外れていることになる。
SH−ｎFM）／λSHの値は１４．０６となり、最適条件か
らやや外れていることになる。
【００５６】そしてエタロン16には、第２高調波波長λ
SH＝５３２ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコ
ートを施して使用した。実際の反射率はエタロン表面、
裏面でそれぞれ０．１％、０．５％であった。
SH＝５３２ｎｍに対する反射率０．５％以下の仕様でコ
ートを施して使用した。実際の反射率はエタロン表面、
裏面でそれぞれ０．１％、０．５％であった。
【００５７】この場合も、エタロン厚みは上記の通り最
適条件からやや外れているが、エタロンの表裏干渉で第
２高調波21の反射が弱められるため、この反射に起因す
る迷光は極く弱いものとなった。そこで、共振器ミラー
14から出射する第２高調波21は実使用可能なビーム品質
のものとなった。
適条件からやや外れているが、エタロンの表裏干渉で第
２高調波21の反射が弱められるため、この反射に起因す
る迷光は極く弱いものとなった。そこで、共振器ミラー
14から出射する第２高調波21は実使用可能なビーム品質
のものとなった。
【００５８】なお本発明は、以上説明したような構成の
固体レーザーに限らず、その他の構成のレーザー装置に
対しても同様に適用可能である。
固体レーザーに限らず、その他の構成のレーザー装置に
対しても同様に適用可能である。
【図１】本発明の一つの実施形態による固体レーザー装
置を示す概略側面図
置を示す概略側面図
【図２】エタロン表裏面における光ビームの反射を説明
する説明図
する説明図
【図３】従来のレーザー装置における迷光発生を説明す
る概略図
る概略図
10 レーザービーム（励起光） 11 半導体レーザー 12 集光レンズ 13 レーザー結晶 14 共振器ミラー 15 非線形光学結晶 16 エタロン 20 固体レーザービーム 21 第２高調波
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザー媒質と、 このレーザー媒質を励起するための光源と、 前記レーザー媒質の両側に置かれた、共振器を構成する
１組のミラーと、 前記共振器内に配されてレーザー光を単一縦モード化す
るエタロンと、 前記共振器内に配されて、基本波としての前記レーザー
光を波長が１／２の第２高調波に変換する非線形光学結
晶とを有するレーザー装置において、 第２高調波の波長をλSH、エタロンの基本波に対する屈
折率、第２高調波に対する屈折率をそれぞれｎFM、ｎSH
としたとき、エタロンの実効的な厚みｔが、 ２ｔ（ｎSH−ｎFM）／λSH＝略整数 なる関係を満たす値とされていることを特徴とするレー
ザー装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06491296A JP3330487B2 (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | レーザー装置 |
| US08/818,005 US5768304A (en) | 1996-03-21 | 1997-03-14 | Laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06491296A JP3330487B2 (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | レーザー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260760A true JPH09260760A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3330487B2 JP3330487B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=13271742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06491296A Expired - Fee Related JP3330487B2 (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | レーザー装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5768304A (ja) |
| JP (1) | JP3330487B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313813A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| JPWO2006132285A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2009-01-08 | 古河電気工業株式会社 | 光源 |
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|---|---|---|---|---|
| US5946338A (en) * | 1998-07-29 | 1999-08-31 | Uniphase Corporation | Decoupled intracavity laser alignment |
| JP2000269573A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体レーザー |
| US6724486B1 (en) | 1999-04-28 | 2004-04-20 | Zygo Corporation | Helium- Neon laser light source generating two harmonically related, single- frequency wavelengths for use in displacement and dispersion measuring interferometry |
| DE10018778A1 (de) * | 2000-04-15 | 2001-10-18 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Selbstkalibrierung eines diodengepumpten Festkörperlasers, insbesondere eines durchstimmbaren, diodengepumpten Festkörperlasers |
| JP2002350613A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学装置の迷光遮断構造 |
| JP2006294880A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
| JP5570537B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2014-08-13 | パナソニック株式会社 | レーザ光源装置及びそれを用いた画像表示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5671240A (en) * | 1984-11-18 | 1997-09-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state laser |
| JPH05218556A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体レーザー |
| JP2824884B2 (ja) * | 1992-10-16 | 1998-11-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 偏光制御素子および固体レーザー装置 |
| US5506860A (en) * | 1993-11-18 | 1996-04-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Etalon and single-longitudinal-mode laser using the same |
| JP3222340B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2001-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 単一縦モードレーザー |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP06491296A patent/JP3330487B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1997
- 1997-03-14 US US08/818,005 patent/US5768304A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313813A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
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