JPH0311689A - 面発光型波長制御ｄｂｒレーザ - Google Patents
面発光型波長制御ｄｂｒレーザInfo
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- JPH0311689A JPH0311689A JP14557489A JP14557489A JPH0311689A JP H0311689 A JPH0311689 A JP H0311689A JP 14557489 A JP14557489 A JP 14557489A JP 14557489 A JP14557489 A JP 14557489A JP H0311689 A JPH0311689 A JP H0311689A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0614—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by electric field, i.e. whereby an additional electric field is used to tune the bandgap, e.g. using the Stark-effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06203—Transistor-type lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、光通信、光情報処理または計測等の光源に
用いて好適な面発光型波長制御ＤＢＲレーザに関する。
用いて好適な面発光型波長制御ＤＢＲレーザに関する。
「従来の技術」
半導体レーザの１つには、ｎ型およびｎ型の異種半導体
を組み合わせたダブルへテロ構造からなり、かつ、レー
ザ共振器の片側に回折格子を設げることによって、単一
縦モードのみのレーザ光を発振するＤＢＲ（分布反射形
）レーザがある。そして、このＤＢＲレーザにお０て、
回折格子、すなわち分布反射器に流す電流を制御するこ
とによって、上記レーザ光の波長を変えることができる
のが波長制御ＤＢＲレーザである。
を組み合わせたダブルへテロ構造からなり、かつ、レー
ザ共振器の片側に回折格子を設げることによって、単一
縦モードのみのレーザ光を発振するＤＢＲ（分布反射形
）レーザがある。そして、このＤＢＲレーザにお０て、
回折格子、すなわち分布反射器に流す電流を制御するこ
とによって、上記レーザ光の波長を変えることができる
のが波長制御ＤＢＲレーザである。
第５図は、上述した波長制御Ｉ）ＢＲレーザの構造を示
す断面図である。この図において、電流Ｔａが電極３ａ
から活性領域部Ｉに供給される。活性領域部Ｉでは所定
の波長のレーザ光が当該活性領域部ｌの襞間面と分布反
射器部２との間で誘導増幅され、所定の強度になると、
上記襞間面からＺ方向に出力される。この場合、電極３
ｃから分布反射器部２に供給する波長制御電流ｒｔを変
化させることによって、分布反射器部２の屈折率を変え
、レーザ光の波長を変化させる。
す断面図である。この図において、電流Ｔａが電極３ａ
から活性領域部Ｉに供給される。活性領域部Ｉでは所定
の波長のレーザ光が当該活性領域部ｌの襞間面と分布反
射器部２との間で誘導増幅され、所定の強度になると、
上記襞間面からＺ方向に出力される。この場合、電極３
ｃから分布反射器部２に供給する波長制御電流ｒｔを変
化させることによって、分布反射器部２の屈折率を変え
、レーザ光の波長を変化させる。
」−述しノコ波長制御電流ｒｔと発振波長λとの関係を
第６図に示す。この図において、波長制御電流ｒｔが増
加すると、発振波長λは所定の区間にあっては、連続的
に短波長側に移行するが、各区間の境ではモードポンプ
現象が生じ、断続的に変化する。この場合、波長制御電
流Ｉｔの増加とともに、分布反射器部２の共振器損失カ
ーブが短波長にシフトしていく。これと同時に発振モー
ドもやや短波長にシフトしていく。この様子を第７図に
示す。
第６図に示す。この図において、波長制御電流ｒｔが増
加すると、発振波長λは所定の区間にあっては、連続的
に短波長側に移行するが、各区間の境ではモードポンプ
現象が生じ、断続的に変化する。この場合、波長制御電
流Ｉｔの増加とともに、分布反射器部２の共振器損失カ
ーブが短波長にシフトしていく。これと同時に発振モー
ドもやや短波長にシフトしていく。この様子を第７図に
示す。
この第７図に示す特性曲線イ１ロ、ハにお（」る波長制
御電流Ｉｔは、各々電流ｉ ｔ、、ｒ ｔ２およｑＩｔ
３（Ｉ ｔ、＜ Ｉ ｔ２＜ ｒ ｔ３）である。第７
図に示す特性曲線（イ）では、共振器損失が最低となる
発振モードがＢであるので、この発振モードＢに文す応
する波長λ１で発振する。次に、発振制御電流ｒｔが増
加し電流Ｉｔ２となると、特性曲線（ロ）に示すように
、共振器損失カーブおよび発振モードがともに短波長側
にシフトする。この場合、共振器損失が最低となる発振
モードは、」二連同様に発振モードＢであるため、電流
Ｉｆから電流ＩＬ、までは連続的に波長が変化し、特性
曲線（ロ）で（≠波長λ、で発振する。次に、発振制御
電流Ｉｔがさらに増加しＩｔ３となると、特性曲線（ハ
）に示すように共振器損失が最低となる発振モードは、
発振モードＣ（発振モードＢより短波長側）にジャンプ
するため、発振波長λが波長λ３にホッピングすること
になる。
御電流Ｉｔは、各々電流ｉ ｔ、、ｒ ｔ２およｑＩｔ
３（Ｉ ｔ、＜ Ｉ ｔ２＜ ｒ ｔ３）である。第７
図に示す特性曲線（イ）では、共振器損失が最低となる
発振モードがＢであるので、この発振モードＢに文す応
する波長λ１で発振する。次に、発振制御電流ｒｔが増
加し電流Ｉｔ２となると、特性曲線（ロ）に示すように
、共振器損失カーブおよび発振モードがともに短波長側
にシフトする。この場合、共振器損失が最低となる発振
モードは、」二連同様に発振モードＢであるため、電流
Ｉｆから電流ＩＬ、までは連続的に波長が変化し、特性
曲線（ロ）で（≠波長λ、で発振する。次に、発振制御
電流Ｉｔがさらに増加しＩｔ３となると、特性曲線（ハ
）に示すように共振器損失が最低となる発振モードは、
発振モードＣ（発振モードＢより短波長側）にジャンプ
するため、発振波長λが波長λ３にホッピングすること
になる。
「発明が解決しようとする課ＭＪ
ところで、上述の波長制御ＤＢＲレーザでは、基板に対
し水平方向に共振する構造のものが多く、共振器長が４
００μｍ程度と長いため、発振モードの間隔がおよそ１
０人程度になる。このノ４め発振制御電流ｒｔの変化に
対する連続可変波長範囲が１０Å以下になり、１０人を
越えて波長を変化指せようとすると、」二連したように
モードポツピングが生じ、広範囲に渡り連続的に波長を
変化させることができないという問題を生じる。
し水平方向に共振する構造のものが多く、共振器長が４
００μｍ程度と長いため、発振モードの間隔がおよそ１
０人程度になる。このノ４め発振制御電流ｒｔの変化に
対する連続可変波長範囲が１０Å以下になり、１０人を
越えて波長を変化指せようとすると、」二連したように
モードポツピングが生じ、広範囲に渡り連続的に波長を
変化させることができないという問題を生じる。
この発明は、」二連の問題点に鑑みてなされたもので、
広範囲に渡り連続的に発振波長を変化させることができ
る面発光型波長制御ＤＢＲレーザを提供することを目的
としている。
広範囲に渡り連続的に発振波長を変化させることができ
る面発光型波長制御ＤＢＲレーザを提供することを目的
としている。
「課題を解決するための手段」
このような問題点を解決するために、この発明では基板
」二に複数層積層されたｐ−ｎ接合またはｎ−ｐ接合か
らなる分布反射器と、当該分布反射器の上面で、かつ、
基板面に垂直な方向に形成されたレーザ共振器と、前記
レーザ共振器の上面のレーザ光出射部以外に設けられた
第１の電極と、前記分布反射器の最下部半導体層に設け
られた第２の電極と、前記分布反射器の最」二部半導伴
層に設（）られた共通グランド電極とを具備するへとも
に、前記第１の電極から前記レーザ共振器に、前記第２
の電極からｍｆ記分布反射器に各々独立制御された電流
を注入することを特徴とする。
」二に複数層積層されたｐ−ｎ接合またはｎ−ｐ接合か
らなる分布反射器と、当該分布反射器の上面で、かつ、
基板面に垂直な方向に形成されたレーザ共振器と、前記
レーザ共振器の上面のレーザ光出射部以外に設けられた
第１の電極と、前記分布反射器の最下部半導体層に設け
られた第２の電極と、前記分布反射器の最」二部半導伴
層に設（）られた共通グランド電極とを具備するへとも
に、前記第１の電極から前記レーザ共振器に、前記第２
の電極からｍｆ記分布反射器に各々独立制御された電流
を注入することを特徴とする。
「作用 」
第１の電極と共通グランド電極とに順方向の電圧を印加
してレーザ共振器に電流を流す。また、第２の電極と共
通グランド電極との間にも順方向の電圧を印加して電流
を流す。そして、」１記レーザ共振器への電流がしきい
値を越えると、当該レーザ共振器でレーザ発振が起こり
、レーザ光Ｌｌレーザ出射開口部から出力される。この
場合、分布反射器への注入電流を変えると、当該分布反
射器のキャリア密度が変わり屈折率が変化する。そして
、分布反射器の屈折率が変化すると、レーザ共振器での
レーザ光の波長が変わる。
してレーザ共振器に電流を流す。また、第２の電極と共
通グランド電極との間にも順方向の電圧を印加して電流
を流す。そして、」１記レーザ共振器への電流がしきい
値を越えると、当該レーザ共振器でレーザ発振が起こり
、レーザ光Ｌｌレーザ出射開口部から出力される。この
場合、分布反射器への注入電流を変えると、当該分布反
射器のキャリア密度が変わり屈折率が変化する。そして
、分布反射器の屈折率が変化すると、レーザ共振器での
レーザ光の波長が変わる。
「実施例」
次に図面を参照してこの発明の実施例に？いて説明する
。
。
第１図は、この発明の第１の実施例の構成を示す断面図
である。この図において、５はＳ Ｉ （Ｓｅｍｉ−１
ｎｓｕｌａｔｏｒ）−Ｇ ａＡ ｓなどからなる半導体
基板であり、この上面にｐ型半導体層（ｐ −Ｇ ａＡ
ｌΔＳ）６が形成されており、このｐ型半導体層６の
右上面には波長制御電流注入用の電極３＋ｌＬが設けら
れている。また、ｐ型半導体層６の左上面には、分布反
射器部２が形成されている。この分布反射器部２は、複
数積層されたｒ＋−ｐ接合からなる分布反射器２ｇおよ
びｎ型半導体層（ｎ−ＧａＡｌＡｓ）２ｂから構成され
ている。」二記分布反射器２ａは、ＧａＡｌＡｓおよび
ＡｌＡｓが交互に積層された構造で、その中にｎ−ｐ接
合が形成されている。また、ｎ型半導体層２ｂの左上面
には共通グランド電極３ｂが設けられている。このｎ型
半導体層２ｂの右上面には、ｐ −Ｇ ａＡ ｓからな
る活性領域部Ｉが形成されている。この活性領域部１は
、ｐ −Ｃｉ ａＡ ｓからなる活性層１ａおよびこの
活性層＋ａの上面に形成されたｐ −Ｇ ａＡ ＩＡ
ｓからなるｐ型半導体層１ｂから構成されている。すな
わち、この実施例ではｐ型半導体層１ｂ、活性層１ａお
よびｎ型半導体層２ｂからダブルヘテロゲイン構造が構
成されている。ｐ型半導体層１ｂの上面には、神縁膜９
を介してリング状の活性領域電流注入用の電極３ｃが設
置′、ｌられている。このリング状の電極３Ｃの内周壁
はＬ字状に折曲し、その先端はｐ型半導体層１ｂに接触
するようになっている。また、電極３ｃの内周にはＳ
＋ ０２およびＴ ｉ Ｏ２からなる多層構造の反射膜
１０が形成されている。
である。この図において、５はＳ Ｉ （Ｓｅｍｉ−１
ｎｓｕｌａｔｏｒ）−Ｇ ａＡ ｓなどからなる半導体
基板であり、この上面にｐ型半導体層（ｐ −Ｇ ａＡ
ｌΔＳ）６が形成されており、このｐ型半導体層６の
右上面には波長制御電流注入用の電極３＋ｌＬが設けら
れている。また、ｐ型半導体層６の左上面には、分布反
射器部２が形成されている。この分布反射器部２は、複
数積層されたｒ＋−ｐ接合からなる分布反射器２ｇおよ
びｎ型半導体層（ｎ−ＧａＡｌＡｓ）２ｂから構成され
ている。」二記分布反射器２ａは、ＧａＡｌＡｓおよび
ＡｌＡｓが交互に積層された構造で、その中にｎ−ｐ接
合が形成されている。また、ｎ型半導体層２ｂの左上面
には共通グランド電極３ｂが設けられている。このｎ型
半導体層２ｂの右上面には、ｐ −Ｇ ａＡ ｓからな
る活性領域部Ｉが形成されている。この活性領域部１は
、ｐ −Ｃｉ ａＡ ｓからなる活性層１ａおよびこの
活性層＋ａの上面に形成されたｐ −Ｇ ａＡ ＩＡ
ｓからなるｐ型半導体層１ｂから構成されている。すな
わち、この実施例ではｐ型半導体層１ｂ、活性層１ａお
よびｎ型半導体層２ｂからダブルヘテロゲイン構造が構
成されている。ｐ型半導体層１ｂの上面には、神縁膜９
を介してリング状の活性領域電流注入用の電極３ｃが設
置′、ｌられている。このリング状の電極３Ｃの内周壁
はＬ字状に折曲し、その先端はｐ型半導体層１ｂに接触
するようになっている。また、電極３ｃの内周にはＳ
＋ ０２およびＴ ｉ Ｏ２からなる多層構造の反射膜
１０が形成されている。
上述の構成において、電極３ｃと共通グランド電極３ｂ
との間には、順方向の電圧を印加して電流Ｉａを流す。
との間には、順方向の電圧を印加して電流Ｉａを流す。
また、電極３ａと共通グランド電極３ｂとの間にも順方
向の電圧を印加して電流ｒｔを流す。そして、活性層１
ａへ流れる電流Ｔａがしきい値を越えると、活性層１ａ
でレーザ発振が起こり、レーザ光は反射膜１０を通して
出力される。この場合、分布反射器２ａへの電流ｒｔを
変えると、当該分布反射器２ａのギヤリア密度が変化す
るとともに屈折率が変わり、この結果、活性層１ａでの
レーザ光の波長が変化する。
向の電圧を印加して電流ｒｔを流す。そして、活性層１
ａへ流れる電流Ｔａがしきい値を越えると、活性層１ａ
でレーザ発振が起こり、レーザ光は反射膜１０を通して
出力される。この場合、分布反射器２ａへの電流ｒｔを
変えると、当該分布反射器２ａのギヤリア密度が変化す
るとともに屈折率が変わり、この結果、活性層１ａでの
レーザ光の波長が変化する。
この場合、」二連の構成では、ｎ型半導体層１ｂ。
活性層１ａおよびｐ型半導体層２ｂからなるレーザ共振
器の長さ、すなわち共振路長が数μｍであるため発振モ
ード間隔が１００人程変色広い。したがって、分布反射
器２ａへの電流ｒｔを変化させることによって、１００
人程変色広範囲でレーザ光の波長を変えることができる
。
器の長さ、すなわち共振路長が数μｍであるため発振モ
ード間隔が１００人程変色広い。したがって、分布反射
器２ａへの電流ｒｔを変化させることによって、１００
人程変色広範囲でレーザ光の波長を変えることができる
。
次に、この発明の第２の実施例について説明する。
第２図は、この発明の第２の実施例の構成を示す断面図
である。なお、この図において、第１図に示す第１の実
施例の各部に対応する部分については同一の符号を付し
て説明を省略する。
である。なお、この図において、第１図に示す第１の実
施例の各部に対応する部分については同一の符号を付し
て説明を省略する。
この図において、分布反射器部２の上に形成された活性
層１ａの上面には、複数積層されたＧ ａＡ ＩＡ ｓ
／Ａ ＩＡ ｓからなる反射膜１１が形成されている。
層１ａの上面には、複数積層されたＧ ａＡ ＩＡ ｓ
／Ａ ＩＡ ｓからなる反射膜１１が形成されている。
」二連した構成における当該実施例の特徴は、出射側の
反射膜ＩＩを複数積層した２種の半導体層により構成し
、各々の半導体層の屈折率差を大きくとることによって
、波長選択性の小さい反射膜にしたことにある。したが
って、この実施例では、光の閉じ込め効果が大となり、
レーザ光が活性層１ａに比較的よく閉じ込められ、この
結果、しきい電流密度が下がる。
反射膜ＩＩを複数積層した２種の半導体層により構成し
、各々の半導体層の屈折率差を大きくとることによって
、波長選択性の小さい反射膜にしたことにある。したが
って、この実施例では、光の閉じ込め効果が大となり、
レーザ光が活性層１ａに比較的よく閉じ込められ、この
結果、しきい電流密度が下がる。
次に、この発明の第３の実施例について郷明する。
第３図は、この発明の第３の実施例の構成を示ず断面図
である。なお、この図において、第１図に示す第１の実
施例の各部に対応する部分については同一の符号を付し
て説明を省略する。
である。なお、この図において、第１図に示す第１の実
施例の各部に対応する部分については同一の符号を付し
て説明を省略する。
この図において、活性領域部１の両側には、ｐＧ ａＡ
ＩＡ ｓ／ｎ −Ｇ ａＡ ＩＡ ｓからなる埋込層
１２が形成されており、埋め込み型ダブルへテロ構造に
なっている。
ＩＡ ｓ／ｎ −Ｇ ａＡ ＩＡ ｓからなる埋込層
１２が形成されており、埋め込み型ダブルへテロ構造に
なっている。
上述の構成における当該実施例の特徴は、活性層１ａに
供給される電流Ｉａか周囲の埋込層１２にほとんど流れ
込まずに活性層＋ａに集中するため、しきい電流密度を
下げることができる。
供給される電流Ｉａか周囲の埋込層１２にほとんど流れ
込まずに活性層＋ａに集中するため、しきい電流密度を
下げることができる。
なお、上述した第３の実施例において、第４図に示すよ
うに、活性領域部Ｉの両側に設けた埋込層１２に加え、
分布反射器部２の両側にｐ−ｎ逆接合からなる埋込層１
３を形成してもよい。また、上述した第１の実施例から
第３の実施例までにおける分布反射器２ａは、屈折率の
異なる２種類の層が交互に複数積層された構造で、その
中にｐｎ接合またはｎ−ｐ接合を含んでいればよく、か
っ、Ｇ ａＡ ＩＡ ｓ／Ｇ ａＡ ｓ系以外の例えば
Ｉ ｎＧ ａＡ ｓＰＩＩｎＰ系などでもよい。また、
上述した第】の実施例以外の第２および第３の実施例で
も、ｎ型半導体層１ｂ、活性層＋ａおよびｎ型半導体層
２ｂからなるレーザ共振器の長さ、すなわち共振路長は
数μｍであるため発振モード間隔が１００人程変色広い
。したがって、全ての実施例において、分布反射器２ａ
への電流ｒｔを変化させることによって、１００人程変
色範囲でレーザ光の波長を変えることができる利点が得
られる。また、第３の実施例において、埋込層１２．１
３にはｐ−ｎ逆接合以外に半絶縁性結晶を用いてもよい
。
うに、活性領域部Ｉの両側に設けた埋込層１２に加え、
分布反射器部２の両側にｐ−ｎ逆接合からなる埋込層１
３を形成してもよい。また、上述した第１の実施例から
第３の実施例までにおける分布反射器２ａは、屈折率の
異なる２種類の層が交互に複数積層された構造で、その
中にｐｎ接合またはｎ−ｐ接合を含んでいればよく、か
っ、Ｇ ａＡ ＩＡ ｓ／Ｇ ａＡ ｓ系以外の例えば
Ｉ ｎＧ ａＡ ｓＰＩＩｎＰ系などでもよい。また、
上述した第】の実施例以外の第２および第３の実施例で
も、ｎ型半導体層１ｂ、活性層＋ａおよびｎ型半導体層
２ｂからなるレーザ共振器の長さ、すなわち共振路長は
数μｍであるため発振モード間隔が１００人程変色広い
。したがって、全ての実施例において、分布反射器２ａ
への電流ｒｔを変化させることによって、１００人程変
色範囲でレーザ光の波長を変えることができる利点が得
られる。また、第３の実施例において、埋込層１２．１
３にはｐ−ｎ逆接合以外に半絶縁性結晶を用いてもよい
。
「発明の効果」
以」二説明したように、この発明によれば、面発光型Ｄ
ＢＲレーザの分布反射器としてキャリア注入機構となる
１層以」二積層されたｐ−ｎまたはｎｐ接合を設け、か
つ、レーザ共振器および分布反射器にそれぞれ独立？こ
電流注入できるようにしたことによって、広範囲に渡り
連続的に発振４長を制御できる利点が得られる。
ＢＲレーザの分布反射器としてキャリア注入機構となる
１層以」二積層されたｐ−ｎまたはｎｐ接合を設け、か
つ、レーザ共振器および分布反射器にそれぞれ独立？こ
電流注入できるようにしたことによって、広範囲に渡り
連続的に発振４長を制御できる利点が得られる。
第１図は、この発明の第１の実施例の＃Ｒ造を示す断面
図、第２図は同発明の第２の実施例の構造を示す断面図
、第３図は同発明の第３の実施例の構造を示す断面図、
第４図は同発明の第３の実施例の側構造を示す断面図、
第５図は従来の波長制御ＤＢＲレーザの構造を示す断面
図、第６図は同波長制御ＤＢＲレーザの波長制御電流と
発振波長との関係図、第７図は、同波長制御ＤＢＲレー
ザの動作を説明するための波形図である。 Ｉａ・・・・・活性層（レーザ共振器）、Ｉｂ ・・
・・ｐ型半導体層（レーザ共振器）、２ａ・ −分布反
射器（分布反射器）、２ｂ・・・ ｎ型半導体層（レー
ザ共振器）、 ３ａ・ 第２の電極、３ｂ・ 共通グラ
ンド電極、３ｃ・・・・第１の電極、５・ 基板。
図、第２図は同発明の第２の実施例の構造を示す断面図
、第３図は同発明の第３の実施例の構造を示す断面図、
第４図は同発明の第３の実施例の側構造を示す断面図、
第５図は従来の波長制御ＤＢＲレーザの構造を示す断面
図、第６図は同波長制御ＤＢＲレーザの波長制御電流と
発振波長との関係図、第７図は、同波長制御ＤＢＲレー
ザの動作を説明するための波形図である。 Ｉａ・・・・・活性層（レーザ共振器）、Ｉｂ ・・
・・ｐ型半導体層（レーザ共振器）、２ａ・ −分布反
射器（分布反射器）、２ｂ・・・ ｎ型半導体層（レー
ザ共振器）、 ３ａ・ 第２の電極、３ｂ・ 共通グラ
ンド電極、３ｃ・・・・第１の電極、５・ 基板。
Claims (1)
- 基板上に複数層積層されたｐ−ｎ接合またはｎ−ｐ接合
からなる分布反射器と、当該分布反射器の上面で、かつ
、基板面に垂直な方向に形成されたレーザ共振器と、前
記レーザ共振器の上面のレーザ光出射部以外に設けられ
た第１の電極と、前記分布反射器の最下部半導体層に設
けられた第２の電極と、前記分布反射器の最上部半導体
層に設けられた共通グランド電極とを具備するとともに
、前記第１の電極から前記レーザ共振器に、前記第２の
電極から前記分布反射器に各々独立制御された電流を注
入することを特徴とする面発光型波長制御ＤＢＲレーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14557489A JPH0311689A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 面発光型波長制御ｄｂｒレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14557489A JPH0311689A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 面発光型波長制御ｄｂｒレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311689A true JPH0311689A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15388258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14557489A Pending JPH0311689A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 面発光型波長制御ｄｂｒレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311689A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0465145A2 (en) * | 1990-07-05 | 1992-01-08 | AT&T Corp. | Vertical cavity laser with mirror having controllable reflectivity |
| US5301201A (en) * | 1993-03-01 | 1994-04-05 | At&T Bell Laboratories | Article comprising a tunable semiconductor laser |
| US5745512A (en) * | 1993-04-30 | 1998-04-28 | Lucent Technologies Inc. | Tunable lasers based on absorbers in standing waves |
| EP2863495A1 (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-22 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and atomic oscillator |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14557489A patent/JPH0311689A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0465145A2 (en) * | 1990-07-05 | 1992-01-08 | AT&T Corp. | Vertical cavity laser with mirror having controllable reflectivity |
| US5301201A (en) * | 1993-03-01 | 1994-04-05 | At&T Bell Laboratories | Article comprising a tunable semiconductor laser |
| US5745512A (en) * | 1993-04-30 | 1998-04-28 | Lucent Technologies Inc. | Tunable lasers based on absorbers in standing waves |
| EP2863495A1 (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-22 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and atomic oscillator |
| JP2015079831A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および原子発振器 |
| US9300308B2 (en) | 2013-10-16 | 2016-03-29 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and atomic oscillator |
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