JP2857256B2 - 垂直型半導体レーザ - Google Patents

垂直型半導体レーザ

Info

Publication number
JP2857256B2
JP2857256B2 JP3011565A JP1156591A JP2857256B2 JP 2857256 B2 JP2857256 B2 JP 2857256B2 JP 3011565 A JP3011565 A JP 3011565A JP 1156591 A JP1156591 A JP 1156591A JP 2857256 B2 JP2857256 B2 JP 2857256B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
semiconductor laser
active region
mirror
vertical semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3011565A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04211186A (ja
Inventor
ラーイ サージー
シー ヤ−ホン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
AT&T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AT&T Corp filed Critical AT&T Corp
Publication of JPH04211186A publication Critical patent/JPH04211186A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2857256B2 publication Critical patent/JP2857256B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的に励起される半
導体レーザに関し、特に、半導体の主表面（”水平
面”）をから光を放出し”垂直（キャビティ）”もしく
は”表面（放出）”レーザとして知られている種の半導
体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術においては、電気的に励起され
る半導体レーザの構造は、２つの主要なカテゴリー、す
なわち、（１）”端面放出型”（あるいは単に”端面
型”）レーザ及び（２）”表面放出型”（あるいは単
に”表面型”）すなわち垂直レーザ、に区分されてい
る。双方の型においては、通常プレーナ型ｐｎ接合を構
成している活性領域が含まれている。代表的には、当該
ｐｎ接合は半導体主部の主表面に対して平行であり、前
記主表面は任意であるが水平とみなされている。
【０００３】端面型のレーザにおいては、光は半導体の
一もしくは複数の側端面から放出され、半導体中におけ
る光共振器（キャビティ）は半導体主部内に側端面上に
配置された部分反射光学鏡を用いて形成されている。垂
直型のレーザにおいては、光は半導体の上部あるいは底
部（主）表面からあるいはその双方から放出され、半導
体中における光共振器は半導体主部内に上部あるいは底
部表面上もしくはその双方上に配置された部分反射光学
鏡を用いて形成されている。垂直型レーザは、水平型レ
ーザの場合に要求される側端面輪郭に関する困難な制御
を要求しないという観点からより魅力的に思われてい
る。
【０００４】通常、垂直型レーザにおいては各々の光学
鏡は、半導体超格子によって形成されたスタック構造等
の４分の１波長スタック構造によって形成される。垂直
レーザは、例えば、半導体基板上に以下に示すような半
導体層を空間的に順序よく連続的にエピタキシャル成長
させることによって二重ヘテロ構造として製造され得
る：底部鏡、底部クラッド領域、活性領域、上部クラッ
ド領域、及び上部鏡。そののち、電気的にアクセスする
ための上部電極が上部鏡の上部主表面上に形成される。
この種の垂直型レーザは単一の基板上に同時に、各々の
レーザによって放出される光の量−例えば、オン対オフ
−が同一基板上の他のレーザとは独立に電気的信号によ
って制御され得るように、形成され得る。よって、垂直
型レーザは、複数個の独立に制御可能な光源が望まれる
ような実際のアプリケーションにおける使用に特に魅力
的である。通常、この種の垂直型レーザの各々によって
放出される光の量は上部電極を通じてレーザに注入され
る電流によって決定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術において
は、垂直型レーザはその動作中に望ましくないほど大量
の熱を生成してしまい、そのため当該レーザの効率及び
寿命は著しく低かった。それゆえ、熱の生成が低減され
るような垂直型レーザが望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の垂直型半導体レ
ーザでは、その熱生成が、上部電極を直接上部クラッド
領域の周囲（環状）部に接触させることにより低減され
る。すなわち、上部電極が上部クラッド領域の周囲部に
浸入させられて直接接触が形成される。本発明に係る垂
直型レーザにおいては、レーザ動作中は電流が、従来技
術に係る垂直型レーザにおいては活性領域に入る前に
（比較的高い直列抵抗を有する）上部鏡及び上部クラッ
ド領域を介して垂直方向に注入されるようになっていた
のとは異なり、上部電極から上部クラッド領域へすなわ
ち活性領域へ水平方向に注入される。
【０００７】
【実施例】図１には、本発明の垂直型（二重ヘテロ構
造）レーザ１００が示されている。当該レーザは約０．
８７μｍの波長を有する光を放出するのに適しており、
ｎ+ＧａＡｓ基板１０１に当該レーザにおいて生成され
る光（光輻射）を外部に、導くための光出力孔１０２が
蝕刻されている。基板１０１上には、約０．０６０μｍ
厚のｎ+（Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ）／約０．０７０μｍ厚
のｎ+（ＡｌＡｓ）よりなる層がおよそ２０周期分−代
表的には分子ビームエピタキシー法によって−連続的に
成長させられており、底部鏡である底部超格子１０３を
形成している。超格子の各層は、４分の１波長分の層厚
を有している。この種の超格子は底部（スタック型）光
学反射鏡として機能し、当該レーザ内の垂直入射光の約
９９パーセントを反射する。底部超格子１０３上には、
通常１μｍ厚で不純物イオンが１立方センチメートルあ
たりおよそ５ｘ１０18個というドーピングレベルのｎ+
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（底部）クラッド層１０４が位置し
ている。ｎ+（底部）クラッド層１０４の上部には、ｐ
型活性領域１０５、ｐ+型（上部）クラッド層１０６、
及び、やはり約２０周期を有する上部鏡であるｐ+（上
部）超格子１０７が連続して位置している。
【０００８】より具体的に述べれば、前記活性領域１０
５は不純物ドーピング濃度が通常１立方センチメートル
あたり約１Ｅ１５から１Ｅ１６個の範囲にあり約０．５
μｍの層厚を有するｐ型ＧａＡｓ層である。ｐ+（上
部）クラッド層１０６は、代表的には１μｍ厚で不純物
イオンが１立方センチメートルあたりおよそ１Ｅ１９個
というドーピング濃度のｎ+Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層であ
る。ｐ+超格子層１０７は、９９パーセント反射の（ス
タック型）光学反射鏡として機能し、各々約０．０６０
μｍ厚のｎ+Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ層と各々約０．０７０
μｍ厚のｎ+ＡｌＡｓ層が交互に積層された層である。
【０００９】層１０３、１０４、１０５、１０６、１０
７は分子線エピタキシー法によって成長させられる。そ
の後、従来技術に係るマスク技法及びリン酸と過酸化水
素の水性混合物を用いたウエットエッチング技法を用い
て垂直方向の溝１０８が形成され、それに続いて酸素
（Ｏ-）イオン及び水素（Ｈ-）イオンを用いたイオン注
入により、半絶縁層１０９が形成される。前記溝１０８
のエッチングは、溝の底部が前記上部クラッド層１０６
の側壁に沿って前記活性領域１０５の直上部の位置まで
達し得るのに充分な時間の間行なわれる。その後、導電
性を有するＡｕ−Ｂｅ合金等よりなりかつＡｕによって
おおわれた上部電極層１１０が、ｐ+超格子層１０７と
オーミック接続を形成しかつ外部接点を形成するために
堆積される。前述されているように、溝１０８は環状で
あり、ｐ+反射鏡である超格子１０７は円形であるが、
他の形状も用いられ得る。
【００１０】当業者には既知であるが、基板１０１の下
側にもＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ等よりなるオーミック接続のた
めの電極（図示せず）が形成されていることに注意され
たい。
【００１１】前記半絶縁層１０９は、垂直型レーザにお
いて望まれているように、電極によって供給された電流
を上部クラッド層１０６及び活性領域１０５にシリーズ
に注入させるように機能する。
【００１２】レーザ動作中は、電極層１１０に電圧が印
加されて層１０５と１０４との間のｐｎ接合に順方向バ
イアスが印加される。活性領域１０５において生成され
た光はｐ+反射鏡１０７とｎ+反射鏡１０３とによって形
成された高反射率ファブリー・ペロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐ
ｅｒｏｔ）共振器内に閉じ込められることになり、同時
にｐ+超格子層１０７の持つ比較的高い電気抵抗による
望ましくない効果が前記溝内に浸入して形成された電極
層１１０によって実質的にバイパスされる。よって、ｐ
+クラッド層１０６に対してその周囲で水平方向のコン
タクトを形成している電極１１０は、当該ｐ+クラッド
層１０６及び活性領域１０５に対して、低外部抵抗を有
するアクセス手段として機能している；このため、全体
としての電気抵抗及びレーザ１００における熱の生成が
低減される。
【００１３】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので，この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。例えば、ｐ型及びｎ型材料は相互
に交換され得る。さらに、他のＩＩＩ−Ｖ族材料、例え
ばＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ等も用いられ得る。また、ｐ+
反射鏡１０７の上部表面上に位置する部分の電極１１０
が省略されるあるいはそこに開口部が設けられてレーザ
１００によって生成された光輻射がｎ+反射鏡１０３の
底部表面だけでなくｐ+反射鏡１０７の上部表面からも
放出されるようにすることも可能である。最後に、二重
ヘテロ構造に代わりに多重量子井戸等の他の構造も用い
られ得る。
【００１４】尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は
発明の容易なる理解のためで、その技術的範囲を制限す
るよう解釈されるべきではない。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、上
部電極を直接上部クラッド領域の周囲（環状）部に接触
させることにより熱の生成を低減させた垂直型レーザが
形成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従った垂直型半導体レーザの断面図。
【符号の説明】
１００ 垂直型半導体レーザ １０１ 半導体基板 １０２ 出力孔 １０３ 底部鏡（超格子） １０４ 底部クラッド層 １０５ 活性領域 １０６ 上部クラッド層 １０７ 上部鏡（超格子） １０８ 溝 １０９ 半絶縁層 １１０ 上部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヤ−ホン シー アメリカ合衆国 08822 ニュージャー ジィ、フレミントン、イーウィング ド ライブ ５ (56)参考文献 特開 平２−21686（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−105991（ＪＰ，Ａ) ＩＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌ ｅｃｔｒｏｎ．ＱＥ−21［６］（1985) ｐ．663−668 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．55 ［24］（1989）ｐ．2473−2475 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．25［20 ］（1989）ｐ．1377−1378 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）半導体主部中に位置する光学活性
    領域（１０５）と、 （ｂ）前記光学活性領域の上部に位置する光学的クラッ
    ド層（１０６）と、 （ｃ）前記上部クラッド層（１０６）上に位置する上部
    鏡（１０７）とを有する垂直型半導体レーザにおいて、 上部電極（１１０）が前記上部クラッド層（１０６）の
    周囲に接触していることを特徴とする垂直型半導体レー
    ザ。
  2. 【請求項２】 前記レーザが、さらに、前記活性領域の
    底部表面に接する底部クラッド層（１０４）を有するこ
    と、を特徴とする請求項１に記載の垂直型半導体レー
    ザ。
  3. 【請求項３】 前記レーザが、さらに、前記底部クラッ
    ド層の底部表面に接する底部鏡（１０３）を有するこ
    と、を特徴とする請求項２に記載の垂直型半導体レー
    ザ。
  4. 【請求項４】 前記上部鏡が積層半導体超格子によって
    形成されていることを特徴とする請求項３に記載の垂直
    型半導体レーザ。
  5. 【請求項５】 前記レーザが、さらに、前記底部鏡がそ
    の上部主表面上に形成されている半導体基板（１０１）
    を有すること、を特徴とする請求項４に記載の垂直型半
    導体レーザ。
  6. 【請求項６】 前記底部鏡が積層半導体超格子によって
    形成されていることを特徴とする請求項３に記載の垂直
    型半導体レーザ。
  7. 【請求項７】 前記底部鏡、底部クラッド層、活性領
    域、上部クラッド層、及び上部鏡が半導体基板の上部表
    面上に連続してエピタキシャル成長させられていること
    を特徴とする請求項６に記載の垂直型半導体レーザ。
  8. 【請求項８】 前記レーザが、さらに、前記活性領域の
    側壁部に接するように位置する半絶縁層（１０９）を有
    することを特徴とする請求項１に記載の垂直型半導体レ
    ーザ。
  9. 【請求項９】 前記レーザが、さらに、前記活性領域の
    側壁部に接するように位置する半絶縁層（１０９）を有
    することを特徴とする請求項２に記載の垂直型半導体レ
    ーザ。
JP3011565A 1990-01-09 1991-01-08 垂直型半導体レーザ Expired - Lifetime JP2857256B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/462,244 US4999843A (en) 1990-01-09 1990-01-09 Vertical semiconductor laser with lateral electrode contact
US462244 1990-01-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04211186A JPH04211186A (ja) 1992-08-03
JP2857256B2 true JP2857256B2 (ja) 1999-02-17

Family

ID=23835721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3011565A Expired - Lifetime JP2857256B2 (ja) 1990-01-09 1991-01-08 垂直型半導体レーザ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4999843A (ja)
EP (1) EP0439929B1 (ja)
JP (1) JP2857256B2 (ja)
CA (1) CA2031541C (ja)
DE (1) DE69007461T2 (ja)
HK (1) HK100394A (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5363397A (en) * 1992-10-29 1994-11-08 Internatioal Business Machines Corporation Integrated short cavity laser with bragg mirrors
US5559053A (en) * 1994-04-14 1996-09-24 Lucent Technologies Inc. Vertical cavity semiconductor laser
US5960024A (en) 1998-03-30 1999-09-28 Bandwidth Unlimited, Inc. Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy
US6487230B1 (en) 1998-04-14 2002-11-26 Bandwidth 9, Inc Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6493373B1 (en) 1998-04-14 2002-12-10 Bandwidth 9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6487231B1 (en) 1998-04-14 2002-11-26 Bandwidth 9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6535541B1 (en) 1998-04-14 2003-03-18 Bandwidth 9, Inc Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6493372B1 (en) 1998-04-14 2002-12-10 Bandwidth 9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US5991326A (en) 1998-04-14 1999-11-23 Bandwidth9, Inc. Lattice-relaxed verticle optical cavities
US6493371B1 (en) 1998-04-14 2002-12-10 Bandwidth9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6760357B1 (en) 1998-04-14 2004-07-06 Bandwidth9 Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6226425B1 (en) 1999-02-24 2001-05-01 Bandwidth9 Flexible optical multiplexer
US6233263B1 (en) 1999-06-04 2001-05-15 Bandwidth9 Monitoring and control assembly for wavelength stabilized optical system
US6275513B1 (en) 1999-06-04 2001-08-14 Bandwidth 9 Hermetically sealed semiconductor laser device
JP2003023211A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Seiko Epson Corp 面発光型半導体レーザおよびその製造方法
JP4687064B2 (ja) * 2004-10-22 2011-05-25 ソニー株式会社 面発光型半導体レーザ素子
EP2058908A1 (en) * 2007-10-22 2009-05-13 Commissariat A L'energie Atomique Structure for an optoelectronical device including micropillar like semi-conductors and corresponding processes.

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6081887A (ja) * 1983-10-12 1985-05-09 Rohm Co Ltd 面発光レ−ザおよびその製造方法
JPS6081888A (ja) * 1983-10-12 1985-05-09 Rohm Co Ltd 面発光レ−ザおよびその製造方法
JPS61214493A (ja) * 1985-03-19 1986-09-24 Tokyo Inst Of Technol 面発光型レ−ザ素子およびその製造方法
JPH0740619B2 (ja) * 1985-10-14 1995-05-01 松下電器産業株式会社 半導体レ−ザ装置
JPS6444086A (en) * 1987-08-12 1989-02-16 Seiko Epson Corp Photo amplifier
JPH0793473B2 (ja) * 1987-10-06 1995-10-09 古河電気工業株式会社 光半導体素子
EP0397691B1 (en) * 1988-01-06 2000-02-09 Telstra Corporation Limited Current injection laser

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５５［２４］（１９８９）ｐ．２４７３−２４７５
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．２５［２０］（１９８９）ｐ．１３７７−１３７８
ＩＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．ＱＥ−２１［６］（１９８５）ｐ．６６３−６６８

Also Published As

Publication number Publication date
EP0439929A1 (en) 1991-08-07
HK100394A (en) 1994-09-30
US4999843A (en) 1991-03-12
DE69007461T2 (de) 1994-07-07
JPH04211186A (ja) 1992-08-03
EP0439929B1 (en) 1994-03-16
DE69007461D1 (de) 1994-04-21
CA2031541C (en) 1995-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2857256B2 (ja) 垂直型半導体レーザ
US5181219A (en) Surface emission type semiconductor laser
US6256330B1 (en) Gain and index tailored single mode semiconductor laser
US6399407B1 (en) Methods of electrostatic control in semiconductor devices
JP4869580B2 (ja) シングルモード垂直共振器表面発光レーザー及びその製造方法
US4845725A (en) Window laser with high power reduced divergence output
JPH06302911A (ja) 向上された偏光制御及び横モード選択性を持つ半導体表面発光レーザ
JPH09107153A (ja) アルミニウムのない活性領域を有する短波長ｖｃｓｅｌ
JP2000196189A (ja) 面発光型半導体レーザ
JPH06112594A (ja) 面発光型半導体発光装置およびその製造方法
JPS5940592A (ja) 半導体レ−ザ素子
US4759025A (en) Window structure semiconductor laser
US4514896A (en) Method of forming current confinement channels in semiconductor devices
JPH10284800A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
US4447905A (en) Current confinement in semiconductor light emitting devices
GB2095474A (en) Semiconductor light emitting devices
JP2679974B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2921385B2 (ja) 面発光レーザならびにその製造方法および端面発光レーザの製造方法
JPH0156547B2 (ja)
JPH0478036B2 (ja)
JPH0671121B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP3358197B2 (ja) 半導体レーザ
US4393504A (en) High power semiconductor laser
JPS59125684A (ja) 埋め込み形半導体レ−ザ
JPH0251269B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19981020

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081127

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081127

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091127

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101127

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101127

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111127

Year of fee payment: 13