JPS59125684A - 埋め込み形半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込み形半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS59125684A JPS59125684A JP65583A JP65583A JPS59125684A JP S59125684 A JPS59125684 A JP S59125684A JP 65583 A JP65583 A JP 65583A JP 65583 A JP65583 A JP 65583A JP S59125684 A JPS59125684 A JP S59125684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- type inp
- buried
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光通信における光源等として用いられる埋め
込み形半導体レーザに関する。
込み形半導体レーザに関する。
埋め込み形半導体レーザは、低閾値、高効率。
安定な基本横モード発振等の特徴金有する。埋め込み形
半導体レーザを作製する場合には、幅２μｍ程度の活性
層光導波路部へ注入電流をいかに効率良く集中させるか
が発振特性を向上させる上で重要である。発明者等は、
特願昭５６−１６６６６６ 。
半導体レーザを作製する場合には、幅２μｍ程度の活性
層光導波路部へ注入電流をいかに効率良く集中させるか
が発振特性を向上させる上で重要である。発明者等は、
特願昭５６−１６６６６６ 。
及び昭和５７年度春の電子通信学会総合全国大会。
光・量子エレクトロニクスＡ部門の予稿集の８５７に記
載されている、第１図に示す構造のＩｎＧａＡｓＰ二重
チャンネル形ブレーカ埋め込みへテロ構造半導体レーザ
（Ｄｏｕｂｌｅ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｐｌａｎａｒ Ｂｕ
ｒｉｅｄＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒ
Ｄｉｏｄｅ、以下ＤＣ−ＰＢＨＬＤと略す）を作製し
、発振閾値２０ｍＡ。
載されている、第１図に示す構造のＩｎＧａＡｓＰ二重
チャンネル形ブレーカ埋め込みへテロ構造半導体レーザ
（Ｄｏｕｂｌｅ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｐｌａｎａｒ Ｂｕ
ｒｉｅｄＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒ
Ｄｉｏｄｅ、以下ＤＣ−ＰＢＨＬＤと略す）を作製し
、発振閾値２０ｍＡ。
最大連続発振光出力５０ｍＷ以上、最高連続発振動作温
度１３０°Ｃ等の良好な特性を得た。このＤＣ−ＰＢＨ
ＬＤは、ｎ形ＩｎＰ基板１、ｎ形ＩｎＰバッファ層２、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ形ＩｎＰクラッド層４、ｐ
形ＩｎＰ電流ブロック層５、ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層
Ｇｓ ｐ形１ｎＰ埋め込み層７、ｐ形Ｉｎ（）ａＡｓＰ
キャップ層８、ｐ形電極２０、ｎ形電極２１からなって
いる。このＤＣ−ＰＢＨＬ、Ｉ）Ｋ？ける良好な特性は
、ＩｎＧａＡｓＰ層光導波路３０１を含むメサストライ
プ１０の側面から平坦部にかけて、ｐｎｐｎ接合を形成
し、注入電流をＩｎ（）ａＡｓＰ活性層光導波路３０１
に集中させて、かつ、このｐｎｐｎ接合がターン・オン
し漏洩電流が発生することを防ぐことによシ得られた。
度１３０°Ｃ等の良好な特性を得た。このＤＣ−ＰＢＨ
ＬＤは、ｎ形ＩｎＰ基板１、ｎ形ＩｎＰバッファ層２、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ形ＩｎＰクラッド層４、ｐ
形ＩｎＰ電流ブロック層５、ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層
Ｇｓ ｐ形１ｎＰ埋め込み層７、ｐ形Ｉｎ（）ａＡｓＰ
キャップ層８、ｐ形電極２０、ｎ形電極２１からなって
いる。このＤＣ−ＰＢＨＬ、Ｉ）Ｋ？ける良好な特性は
、ＩｎＧａＡｓＰ層光導波路３０１を含むメサストライ
プ１０の側面から平坦部にかけて、ｐｎｐｎ接合を形成
し、注入電流をＩｎ（）ａＡｓＰ活性層光導波路３０１
に集中させて、かつ、このｐｎｐｎ接合がターン・オン
し漏洩電流が発生することを防ぐことによシ得られた。
即ち大部分が、チャンネル部（溝部）１１．１２以外の
平坦な領域で構成されるｐｎｐｎ接合のｎｐｎ接合部分
には禁制帯幅の小さなＩｎＧａＡｓＰ活性層３が入って
おシ、禁制帯幅の小さいエミッタを有するトランジスタ
亀 となっている。この様なトランジスタでは、同じ禁制帯
幅の半導体層で構成されるｎｐｎ）う／ジスタの場合に
比べ、ベースからエミッタに流れる正孔流に対する障壁
の高さよりも、エミッタからベースへ流れる電子流に対
する障壁の高さの方が高くなるため、全エミッタ電流（
正孔流と電子流の合引）に対する少数キャリア電流（こ
の場合はベースを流れる電子流）の割合で定義されるト
ランジスタの注入効率が小さくなる。従って、このｎｐ
ｎトランジスタの電流増幅率が小婆くなるため、ｐｎｐ
ｎ接合は全体として利得が小さくなりターン・オンしに
くい構成となってお夛、この部分電流れる電流は非常に
小さい。ところが、この１） Ｃ−ＰＢＨＬＤの構造に
おいては、チャンネル部１１゜１２のｐｎｐｎ接合は禁
制帯幅が同じ半導体層で構成されているため、５０ｍＷ
以上の光出力を得ようとする場合や１００°Ｃ程度以上
の高温動作を行う場合に、２００ｍＡ程度以上の電流を
注入させると、完全なターン・オンに到らないまでも次
第にチャンネル部１１．１２を貫いて流れる漏洩電流が
増大して行き、良好な動作を行うことが難しかった。
平坦な領域で構成されるｐｎｐｎ接合のｎｐｎ接合部分
には禁制帯幅の小さなＩｎＧａＡｓＰ活性層３が入って
おシ、禁制帯幅の小さいエミッタを有するトランジスタ
亀 となっている。この様なトランジスタでは、同じ禁制帯
幅の半導体層で構成されるｎｐｎ）う／ジスタの場合に
比べ、ベースからエミッタに流れる正孔流に対する障壁
の高さよりも、エミッタからベースへ流れる電子流に対
する障壁の高さの方が高くなるため、全エミッタ電流（
正孔流と電子流の合引）に対する少数キャリア電流（こ
の場合はベースを流れる電子流）の割合で定義されるト
ランジスタの注入効率が小さくなる。従って、このｎｐ
ｎトランジスタの電流増幅率が小婆くなるため、ｐｎｐ
ｎ接合は全体として利得が小さくなりターン・オンしに
くい構成となってお夛、この部分電流れる電流は非常に
小さい。ところが、この１） Ｃ−ＰＢＨＬＤの構造に
おいては、チャンネル部１１゜１２のｐｎｐｎ接合は禁
制帯幅が同じ半導体層で構成されているため、５０ｍＷ
以上の光出力を得ようとする場合や１００°Ｃ程度以上
の高温動作を行う場合に、２００ｍＡ程度以上の電流を
注入させると、完全なターン・オンに到らないまでも次
第にチャンネル部１１．１２を貫いて流れる漏洩電流が
増大して行き、良好な動作を行うことが難しかった。
他方、発明者等は埋め込み形半導体レーザのｐｎｐｎ電
流閉じ込め部のターン・オン電圧を高めるだめに、特願
昭５６−１４６７７４に記載されている第２図に示す構
造の半導体レーザを別に発明している。ｎ形ＩｎＰ ｇ
板１とｎ形ＩｎＰバッファ層２との間に１１形ＩｎＧａ
ＡｓＰ漏洩防止層９を介在させている。メサストライプ
１０を形成する場合にこのｎ形■ｎ（）ａＡｓＰ漏洩防
止層９に届くチでメサエッチングされその上にｐ形Ｉｎ
Ｐ電流ブロック層５及びｎ形Ｉ ｎ Ｐ 電流閉じ込め
壱６そしてｐ形ＩｎＰ埋め込み１−７が形成され、これ
らの層でｐｎｐｎ電流閉じ込めｒ４造が形成されている
。この構造では、ｎ形ＩｎＰバッファＭ２がメサストラ
イプ１０の側面に露出している部分を除いては、禁制帯
幅が小さいｎ形Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ漏洩防止層
９全ｎｐｎ）ランジスタのエミッタ部として構成してい
る。従って、ｐｎｐｎ電流閉じ込め構造を流れる漏洩電
流は小さく抑えられるために、良好な特性が得られる。
流閉じ込め部のターン・オン電圧を高めるだめに、特願
昭５６−１４６７７４に記載されている第２図に示す構
造の半導体レーザを別に発明している。ｎ形ＩｎＰ ｇ
板１とｎ形ＩｎＰバッファ層２との間に１１形ＩｎＧａ
ＡｓＰ漏洩防止層９を介在させている。メサストライプ
１０を形成する場合にこのｎ形■ｎ（）ａＡｓＰ漏洩防
止層９に届くチでメサエッチングされその上にｐ形Ｉｎ
Ｐ電流ブロック層５及びｎ形Ｉ ｎ Ｐ 電流閉じ込め
壱６そしてｐ形ＩｎＰ埋め込み１−７が形成され、これ
らの層でｐｎｐｎ電流閉じ込めｒ４造が形成されている
。この構造では、ｎ形ＩｎＰバッファＭ２がメサストラ
イプ１０の側面に露出している部分を除いては、禁制帯
幅が小さいｎ形Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ漏洩防止層
９全ｎｐｎ）ランジスタのエミッタ部として構成してい
る。従って、ｐｎｐｎ電流閉じ込め構造を流れる漏洩電
流は小さく抑えられるために、良好な特性が得られる。
しかし、メサエッチング面積が広く、同様に壊め込み成
長させる面積も広いから、メサエッチング。
長させる面積も広いから、メサエッチング。
埋め込み成長等の素子製作面での蛯しさかあり、再現性
に乏しく、歩留シが悪く生産的でなかった。
に乏しく、歩留シが悪く生産的でなかった。
本発明の目的は、高出力、高温動作が可能であシ、シか
も製造歩留りのよい埋め込み形半導体レーザの提供にあ
る。
も製造歩留りのよい埋め込み形半導体レーザの提供にあ
る。
本発明によれば、第１導電形のバッファ層と。
活性層と、第２導電形のクラッド層とを半導体基板上に
順次積層してなるメサストライプ状部と、このメサスト
ライプ状部をその艮手力向側面から溝を隔てて挟むよう
に前記基板上に形成してあり前記メサストライプ状部と
組成及び積層順を同じくする２つの半導体層と、これら
半導体層上及び前記溝に順次積層しである第２導電形の
電流ブロック層及び第１導電形の電流閉じ込め層と、こ
の電流閉じ込め層及び前記メサストライプ状部の上に積
層しである第２導電形の埋め込み層とを備える埋め込み
形半導体レーザにおいて、禁制帯幅が前記バッファ層よ
りは小さく前記活性層よりは大きいか又は等しい第１導
電形の漏洩防止層が前記溝の底面の少なくとも一部と前
記基板との間に介在させであることを特徴とする埋め込
み形半導体レーザが得られる。
順次積層してなるメサストライプ状部と、このメサスト
ライプ状部をその艮手力向側面から溝を隔てて挟むよう
に前記基板上に形成してあり前記メサストライプ状部と
組成及び積層順を同じくする２つの半導体層と、これら
半導体層上及び前記溝に順次積層しである第２導電形の
電流ブロック層及び第１導電形の電流閉じ込め層と、こ
の電流閉じ込め層及び前記メサストライプ状部の上に積
層しである第２導電形の埋め込み層とを備える埋め込み
形半導体レーザにおいて、禁制帯幅が前記バッファ層よ
りは小さく前記活性層よりは大きいか又は等しい第１導
電形の漏洩防止層が前記溝の底面の少なくとも一部と前
記基板との間に介在させであることを特徴とする埋め込
み形半導体レーザが得られる。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
（ｏｏｉ ）方位のｎ形ＩｎＰ基板１の上に禁制帯幅１
．０８ｅＶのｎ形１ｎＧａＡｓＰ漏洩防止層９（キャリ
ア濃度５ Ｘ Ｉ Ｑ ’７Ｃｒｎ−３．膜厚２μｍ）
、ｎ形ＩｎＰバッファ層２（キャリア濃度５ｘｉｏ１７
鍜−３，膜厚１μｍ）、ｉ ｎ （） ａ Ａ ｓ Ｐ
活性層−３（発振波長１．３μｍ、ノンドープ、膜厚０
１μｍ）及びｐ形ＩｎＰクラッド層４（キャリア濃度１
ｘ １０ ”ｌ−” 、膜厚１μｍ）を積層させた多
層膜基板を形成した後、Ｂｒ−メタノールのエツチング
液を用いて２本の平行なチャンネル１１゜１２とその間
に挾まれたメサストライプ１０を＜１１．０＞方向に平
行に形成する。このとき、チャンネル１１．１２の底部
ではｎ形ＴｎＧａＡｓＰ漏洩防止層９が唇出する深さま
でエツチングする。埋め込み成長では従来のＤＣ−ＰＢ
ＨＴ、Ｄと同様にｐ形ＩｎＰ電流プロツル層５、口形Ｉ
ｎＰ電流閉じ込め層６をメサ側面から平坦部に向って積
層させた後、ｐ形Ｉｎ、Ｐ埋め込み層７、ｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層８を全面に亘って積層させている。電
流を注入するだめのオーミック電極はｐ側電極２０とし
てＡｕ−Ｚｎ、ｎ側電極２１としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを
用いている。この構造では２本のチャンネルの外側の部
分のｐｎｐｎ層構成は第１図に示した従来の素子と同じ
であり、ターン・オンは生じ難く漏洩電流が少ない。ま
た、ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ漏洩防止層９は、禁制帯幅がｎ
形ＩｎＰバッファ層２よりは小さく、Ｉ ｎ Ｏａ Ａ
ｓ Ｐ活性層３よりは大きい（等しくても差支えない
）から、チャンネルの中においでも、ｎ形ＩｎＧａＡｓ
Ｐ漏洩防止層９がメサエッチングで露出した部分はエミ
ッタの禁制帯幅が小さいｎｐｎのトランジスタ構造とな
り、ｐｎｐｎ接合はターン争オンし難くなる。ｎ形Ｉｎ
Ｐバッファ層２がメサエッチングで露出する領域は僅か
であるためＴｎＰだけの層構成で形成されるｐｎｐｎ接
合がターン・オンして流れる漏洩電流は微小に抑えるこ
とができる。またＩｎＧａＡｓＰ活性層光導波３０１の
禁制幅よりもｎ形ＩｎＧａＡｓＰ漏洩防止層９の禁制帯
幅を大きく設定し、ＩｎＧａＡｓＰ活性層光導波路３０
１へ注入キャリアを閉じ込めるだめに十分な内蔵電位差
を設けであるから、両者を１μｎ］程度と比較的近づけ
ても発振閾値に大きな増加をもたらすことはない。従っ
て、素子特性は発振閾値が２０ｍＡ前後と従来の素子と
同程度の値を示した。また、チャンネル部のｐｎｐｎ接
合がターン争オンし難い構造であるから、圧入電流’に
２００ｍＡ以上印加しても漏洩電流の増加による光出力
の距和傾向は少なく、最大８０ｍＷの連続発振光出力を
得ることができた。また、８０°Ｃ程就以上の高温領域
における動作特性も改善された。発振閾値Ｉｔｈの温度
依存特性温度Ｔｏは、従来の素子では８０°Ｃ程度以上
の高温域では３０〜４０に程度であったが、５０に〜６
０に程度にまで改善でき、１４０°Ｃという最高連続発
振動作温度を得ることができた。
．０８ｅＶのｎ形１ｎＧａＡｓＰ漏洩防止層９（キャリ
ア濃度５ Ｘ Ｉ Ｑ ’７Ｃｒｎ−３．膜厚２μｍ）
、ｎ形ＩｎＰバッファ層２（キャリア濃度５ｘｉｏ１７
鍜−３，膜厚１μｍ）、ｉ ｎ （） ａ Ａ ｓ Ｐ
活性層−３（発振波長１．３μｍ、ノンドープ、膜厚０
１μｍ）及びｐ形ＩｎＰクラッド層４（キャリア濃度１
ｘ １０ ”ｌ−” 、膜厚１μｍ）を積層させた多
層膜基板を形成した後、Ｂｒ−メタノールのエツチング
液を用いて２本の平行なチャンネル１１゜１２とその間
に挾まれたメサストライプ１０を＜１１．０＞方向に平
行に形成する。このとき、チャンネル１１．１２の底部
ではｎ形ＴｎＧａＡｓＰ漏洩防止層９が唇出する深さま
でエツチングする。埋め込み成長では従来のＤＣ−ＰＢ
ＨＴ、Ｄと同様にｐ形ＩｎＰ電流プロツル層５、口形Ｉ
ｎＰ電流閉じ込め層６をメサ側面から平坦部に向って積
層させた後、ｐ形Ｉｎ、Ｐ埋め込み層７、ｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層８を全面に亘って積層させている。電
流を注入するだめのオーミック電極はｐ側電極２０とし
てＡｕ−Ｚｎ、ｎ側電極２１としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを
用いている。この構造では２本のチャンネルの外側の部
分のｐｎｐｎ層構成は第１図に示した従来の素子と同じ
であり、ターン・オンは生じ難く漏洩電流が少ない。ま
た、ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ漏洩防止層９は、禁制帯幅がｎ
形ＩｎＰバッファ層２よりは小さく、Ｉ ｎ Ｏａ Ａ
ｓ Ｐ活性層３よりは大きい（等しくても差支えない
）から、チャンネルの中においでも、ｎ形ＩｎＧａＡｓ
Ｐ漏洩防止層９がメサエッチングで露出した部分はエミ
ッタの禁制帯幅が小さいｎｐｎのトランジスタ構造とな
り、ｐｎｐｎ接合はターン争オンし難くなる。ｎ形Ｉｎ
Ｐバッファ層２がメサエッチングで露出する領域は僅か
であるためＴｎＰだけの層構成で形成されるｐｎｐｎ接
合がターン・オンして流れる漏洩電流は微小に抑えるこ
とができる。またＩｎＧａＡｓＰ活性層光導波３０１の
禁制幅よりもｎ形ＩｎＧａＡｓＰ漏洩防止層９の禁制帯
幅を大きく設定し、ＩｎＧａＡｓＰ活性層光導波路３０
１へ注入キャリアを閉じ込めるだめに十分な内蔵電位差
を設けであるから、両者を１μｎ］程度と比較的近づけ
ても発振閾値に大きな増加をもたらすことはない。従っ
て、素子特性は発振閾値が２０ｍＡ前後と従来の素子と
同程度の値を示した。また、チャンネル部のｐｎｐｎ接
合がターン争オンし難い構造であるから、圧入電流’に
２００ｍＡ以上印加しても漏洩電流の増加による光出力
の距和傾向は少なく、最大８０ｍＷの連続発振光出力を
得ることができた。また、８０°Ｃ程就以上の高温領域
における動作特性も改善された。発振閾値Ｉｔｈの温度
依存特性温度Ｔｏは、従来の素子では８０°Ｃ程度以上
の高温域では３０〜４０に程度であったが、５０に〜６
０に程度にまで改善でき、１４０°Ｃという最高連続発
振動作温度を得ることができた。
以上の様な素子構造の改善は、単に素子特性を向上させ
るだけではなく、エツチング領域が狭い溝であるから、
エツチングの制御性がよく、また埋め込み成長をその溝
内で行わせるからその再現性がよく、従って良好な素子
特性を得る歩留シも改善された。また、高出力動作、高
温動作などの高注入動作での信頼性も改善することがで
きた。
るだけではなく、エツチング領域が狭い溝であるから、
エツチングの制御性がよく、また埋め込み成長をその溝
内で行わせるからその再現性がよく、従って良好な素子
特性を得る歩留シも改善された。また、高出力動作、高
温動作などの高注入動作での信頼性も改善することがで
きた。
本発明の特徴をまとめると、第１図に示し／ζ従来のＤ
Ｃ−ＰＢＨＬＤにおいて、チャンネル部ｐｎｐｎ接合の
うちの大部分のｎｐｎ接合を禁制帯幅の狭いエミッタに
なる構造とすることによシ、チャンネル部ｐｎｐｎ接合
がターン・オンして漏洩Ｔｑ流が増加することを抑える
ことが可能となり、高出力特性、高温動作特性を改良す
ることができ、まだ、エツチングを狭い溝領域に行うこ
とにより埋め込み成長がその溝部だけで足りるようにし
たから、製造歩留シがよいことである。
Ｃ−ＰＢＨＬＤにおいて、チャンネル部ｐｎｐｎ接合の
うちの大部分のｎｐｎ接合を禁制帯幅の狭いエミッタに
なる構造とすることによシ、チャンネル部ｐｎｐｎ接合
がターン・オンして漏洩Ｔｑ流が増加することを抑える
ことが可能となり、高出力特性、高温動作特性を改良す
ることができ、まだ、エツチングを狭い溝領域に行うこ
とにより埋め込み成長がその溝部だけで足りるようにし
たから、製造歩留シがよいことである。
第１図及び第２図は従来構造の埋め込み形半導体レーザ
の斜視図、第３図は本発明の一実施例の斜視図である。 １・・・・・・ｎ形Ｉｎｐ基板、２・・・・・・ｎ形Ｉ
ｎ Ｐバラフッ層、３−−−−・・Ｉ ｎＧａＡ ｓ
Ｐ活性層、３０１−・＝ ］ ｎＧａＡｓＰ活性層光
導波路、４・・・・・・ｐ形ＩｎＰクラッド層、５・・
・・・・ｐ形ＩｎＰＮ流ブロック層、６・・・・・・ｎ
形ＴｎＰ電流閉じ込め層、７・・川・ｐ形ＩｎＰ埋め込
み層、８・・・°°°ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、
９・・・・・・ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ漏洩防止層、１ｏ・
・・・・・メサストライプ、１１，１２・・・・・・平
行な２本の溝、２０・・団・ｐ側電極、２１・・・・・
・ｎ側電極。 第 ／ 図 ？ 第？ ン 刺 タ ー 第３図
の斜視図、第３図は本発明の一実施例の斜視図である。 １・・・・・・ｎ形Ｉｎｐ基板、２・・・・・・ｎ形Ｉ
ｎ Ｐバラフッ層、３−−−−・・Ｉ ｎＧａＡ ｓ
Ｐ活性層、３０１−・＝ ］ ｎＧａＡｓＰ活性層光
導波路、４・・・・・・ｐ形ＩｎＰクラッド層、５・・
・・・・ｐ形ＩｎＰＮ流ブロック層、６・・・・・・ｎ
形ＴｎＰ電流閉じ込め層、７・・川・ｐ形ＩｎＰ埋め込
み層、８・・・°°°ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、
９・・・・・・ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ漏洩防止層、１ｏ・
・・・・・メサストライプ、１１，１２・・・・・・平
行な２本の溝、２０・・団・ｐ側電極、２１・・・・・
・ｎ側電極。 第 ／ 図 ？ 第？ ン 刺 タ ー 第３図
Claims (1)
- 第１導電形のバッファ層と、活性層と、第２導電形のク
ラッド層とを半導体基板上に順次積層してなるメサスト
ライプ状部と、とのメサストライプ状部をその長手方向
側面から溝を隔てて挾むように前記基板上に形成してア
シ前記メサストライプ状部と組成及び積層順を同じくす
る２つの半導体層と、これら半導体層上及び前記溝に順
次積層しである第２導電形の電流ブロック層及び第１導
電形の電流閉じ込め層と、この電流閉じ込め層及び前記
メサストライプ状部の上に積層しである第２導電形の埋
め込み層とを備える埋め込み形半導体レーザにおいて、
禁制帯幅が前記ノくツファ層よシは小さく前記活性層よ
シは大きいか又は等しい第１導電形の漏洩防止層が前記
溝の底面の少なくとも一部と前記基板との間に介在させ
であることを特徴とする埋め込み形半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP65583A JPS59125684A (ja) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP65583A JPS59125684A (ja) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125684A true JPS59125684A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=11479730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP65583A Pending JPS59125684A (ja) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125684A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62102583A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
| US4731791A (en) * | 1986-05-30 | 1988-03-15 | Lytel Incorporated | Buried hetero-structure laser diode |
| FR2679388A1 (fr) * | 1991-07-19 | 1993-01-22 | Cit Alcatel | Laser semi-conducteur a double canal et son procede de realisation. |
| JPH06283800A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1983
- 1983-01-06 JP JP65583A patent/JPS59125684A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62102583A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
| US4731791A (en) * | 1986-05-30 | 1988-03-15 | Lytel Incorporated | Buried hetero-structure laser diode |
| FR2679388A1 (fr) * | 1991-07-19 | 1993-01-22 | Cit Alcatel | Laser semi-conducteur a double canal et son procede de realisation. |
| US5278858A (en) * | 1991-07-19 | 1994-01-11 | Alcatel Cit | Double channel semiconductor laser and method of fabricating it |
| JPH06283800A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Nec Corp | 半導体レーザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6175582B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0553317B2 (ja) | ||
| JPH0766994B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2857256B2 (ja) | 垂直型半導体レーザ | |
| JP2001015851A (ja) | 半導体レーザ素子及びその作製方法 | |
| US4313125A (en) | Light emitting semiconductor devices | |
| JPS59125684A (ja) | 埋め込み形半導体レ−ザ | |
| US4809289A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPH0682886B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2865325B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS61176181A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH06216470A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH0513872A (ja) | ヘテロ接合型半導体レーザ | |
| JPH0831655B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2985354B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH08236858A (ja) | ｐ型基板埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP3306390B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS6320393B2 (ja) | ||
| JP2804533B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0195583A (ja) | 埋め込み型半導体レーザ素子 | |
| JPS622720B2 (ja) | ||
| JPH0438880A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH06291414A (ja) | 面発光型半導体レーザ素子 | |
| JPH06334260A (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 |