JPH09107153A - アルミニウムのない活性領域を有する短波長ｖｃｓｅｌ - Google Patents
アルミニウムのない活性領域を有する短波長ｖｃｓｅｌInfo
- Publication number
- JPH09107153A JPH09107153A JP8247227A JP24722796A JPH09107153A JP H09107153 A JPH09107153 A JP H09107153A JP 8247227 A JP8247227 A JP 8247227A JP 24722796 A JP24722796 A JP 24722796A JP H09107153 A JPH09107153 A JP H09107153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror stack
- layers
- active region
- layer
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3403—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation
- H01S5/3406—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation including strain compensation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3434—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer comprising at least both As and P as V-compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長のＶＣＳＥＬを提供する。
【解決手段】 この短波長のＶＣＳＥＬは、複数の対の
相対的に高屈折率および低屈折率の層からなる、基板１
１に配置されたミラー・スタック１０と、複数の対の相
対的に高屈折率および低屈折率の層からなる第２ミラー
・スタック１５と、第１スタック１０と第２スタック１
５との間に挟まれた活性領域１２であって、前記活性領
域は、ＧａＩｎＰの障壁層２５，２６を間に挟むＧａＡ
ｓＰの量子ウェル層２０，２１，２２からなり、量子ウ
ェル２０，２１，２２および障壁層２５，２６が実質的
に等しくかつ反対の格子不整合を有する活性領域１２と
を含む。
相対的に高屈折率および低屈折率の層からなる、基板１
１に配置されたミラー・スタック１０と、複数の対の相
対的に高屈折率および低屈折率の層からなる第２ミラー
・スタック１５と、第１スタック１０と第２スタック１
５との間に挟まれた活性領域１２であって、前記活性領
域は、ＧａＩｎＰの障壁層２５，２６を間に挟むＧａＡ
ｓＰの量子ウェル層２０，２１，２２からなり、量子ウ
ェル２０，２１，２２および障壁層２５，２６が実質的
に等しくかつ反対の格子不整合を有する活性領域１２と
を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、垂直キャビティ表面発
光レーザに関し、さらに詳しくは、短波長の垂直キャビ
ティ表面発光レーザおよびその改善された作製方法に関
する。
光レーザに関し、さらに詳しくは、短波長の垂直キャビ
ティ表面発光レーザおよびその改善された作製方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に１９９２年１２月１５日に発行さ
れた米国特許第５，１７２，３８４号"Low Threshold C
urrent Laser"において開示されるような従来の半導体
レーザでは、両側にＡｌＧａＡｓのスペース層およびク
ラッディング層を有する、ＩｎＧａＡｓ量子ウェルのあ
る活性領域を形成するのが一般的である。さらに、クラ
ッディング層の各側にブラッグ・リフレクタ(Bragg ref
lector) またはミラー・スタックを形成するのが一般的
であり、このミラー・スタックは一般にアルミニウムを
含む。ＶＣＳＥＬのエピタキシャル構成は十分確立され
ているが、さまざまな処理方式が利用できる。
れた米国特許第５，１７２，３８４号"Low Threshold C
urrent Laser"において開示されるような従来の半導体
レーザでは、両側にＡｌＧａＡｓのスペース層およびク
ラッディング層を有する、ＩｎＧａＡｓ量子ウェルのあ
る活性領域を形成するのが一般的である。さらに、クラ
ッディング層の各側にブラッグ・リフレクタ(Bragg ref
lector) またはミラー・スタックを形成するのが一般的
であり、このミラー・スタックは一般にアルミニウムを
含む。ＶＣＳＥＬのエピタキシャル構成は十分確立され
ているが、さまざまな処理方式が利用できる。
【０００３】短波長（約８００ｎｍ以下で、より具体的
には７８０ｎｍ）の垂直キャビティ表面発光レーザ・ダ
イオード（ＶＣＳＥＬ：vertical cacvity surface emi
tting laser diode)は、高密度ＣＤＲＯＭ用途で関心が
高い。ＧａＡｓ系で短波長の発光を得て、ＧａＡｓ基板
への格子整合(lattice match) を維持するためには、レ
ーザ・キャビティは活性層としてＡｌＧａＡｓを有して
いなければならない。しかし、活性領域にアルミニウム
を導入すると、レ−ザ発振効率の損失が生じるが、これ
はアルミニウムは酸素との反応性が高く、酸素はほとん
どのＩＩＩ−Ｖ族材料において非放射性再結合センタ(n
on-radiative recombination center)として挙動するた
めである。酸素導入は、材料成長中またはデバイス処理
中に生じることがある。
には７８０ｎｍ）の垂直キャビティ表面発光レーザ・ダ
イオード（ＶＣＳＥＬ：vertical cacvity surface emi
tting laser diode)は、高密度ＣＤＲＯＭ用途で関心が
高い。ＧａＡｓ系で短波長の発光を得て、ＧａＡｓ基板
への格子整合(lattice match) を維持するためには、レ
ーザ・キャビティは活性層としてＡｌＧａＡｓを有して
いなければならない。しかし、活性領域にアルミニウム
を導入すると、レ−ザ発振効率の損失が生じるが、これ
はアルミニウムは酸素との反応性が高く、酸素はほとん
どのＩＩＩ−Ｖ族材料において非放射性再結合センタ(n
on-radiative recombination center)として挙動するた
めである。酸素導入は、材料成長中またはデバイス処理
中に生じることがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】よって、従来技術に固
有の上記の欠点および他の欠点を正すことは極めて有利
である。
有の上記の欠点および他の欠点を正すことは極めて有利
である。
【０００５】従って、本発明の目的は、アルミニウムの
ない(aluminum free) 活性領域を有する短波長のＶＣＳ
ＥＬを提供することである。
ない(aluminum free) 活性領域を有する短波長のＶＣＳ
ＥＬを提供することである。
【０００６】本発明の別の目的は、高電流注入および高
温度条件下で、信頼性および安定性が高い短波長のＶＣ
ＳＥＬを提供することである。
温度条件下で、信頼性および安定性が高い短波長のＶＣ
ＳＥＬを提供することである。
【０００７】本発明のさらに別の目的は、閾値電流を実
質的に低減した短波長のＶＣＳＥＬを提供することであ
る。
質的に低減した短波長のＶＣＳＥＬを提供することであ
る。
【０００８】本発明のさらに別の目的は、リッジ導波管
処理(ridge-waveguide processing)に固有に適した短波
長のＶＣＳＥＬを提供することである。
処理(ridge-waveguide processing)に固有に適した短波
長のＶＣＳＥＬを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】簡単には、本発明の所望
の目的を達成するため、本発明の好適な実施例に従っ
て、基板と、この基板の上に配置された第１導電型の第
１ミラー・スタックであって、複数の対の相対的に高屈
折率および低屈折率の層からなる第１ミラー・スタック
と、第２導電型の第２ミラー・スタックであって、複数
の対の相対的に高屈折率および低屈折率の層からなる第
２ミラー・スタックと、第１ミラー・スタックと第２ミ
ラー・スタックとの間に挟まれた活性領域であって、結
晶歪みが等しくかつ反対の結晶歪み(crystallographic
strain) を有する交互の歪み層である複数の歪み層(str
ained layer)からなる活性領域とを含む短波長の垂直キ
ャビティ表面発光レーザが提供される。
の目的を達成するため、本発明の好適な実施例に従っ
て、基板と、この基板の上に配置された第１導電型の第
１ミラー・スタックであって、複数の対の相対的に高屈
折率および低屈折率の層からなる第１ミラー・スタック
と、第２導電型の第２ミラー・スタックであって、複数
の対の相対的に高屈折率および低屈折率の層からなる第
２ミラー・スタックと、第１ミラー・スタックと第２ミ
ラー・スタックとの間に挟まれた活性領域であって、結
晶歪みが等しくかつ反対の結晶歪み(crystallographic
strain) を有する交互の歪み層である複数の歪み層(str
ained layer)からなる活性領域とを含む短波長の垂直キ
ャビティ表面発光レーザが提供される。
【００１０】さらに、複数の対の相対的に高屈折率およ
び低屈折率の層からなる第１導電型の第１ミラー・スタ
ックを形成する段階と、第１ミラー・スタック上に第１
封止層を形成する段階と、交互の歪み層が等しくかつ反
対の結晶歪みを有する複数の歪み層からなる活性領域を
第１封止層上に形成する段階と、活性領域上に第２封止
層を形成する段階と、複数の対の相対的に高屈折率およ
び低屈折率の層からなる第２導電型の第２ミラー・スタ
ックを第２封止層上に形成する段階とを含む、短波長の
垂直キャビティ表面発光レーザを作製する方法が提供さ
れる。
び低屈折率の層からなる第１導電型の第１ミラー・スタ
ックを形成する段階と、第１ミラー・スタック上に第１
封止層を形成する段階と、交互の歪み層が等しくかつ反
対の結晶歪みを有する複数の歪み層からなる活性領域を
第１封止層上に形成する段階と、活性領域上に第２封止
層を形成する段階と、複数の対の相対的に高屈折率およ
び低屈折率の層からなる第２導電型の第２ミラー・スタ
ックを第２封止層上に形成する段階とを含む、短波長の
垂直キャビティ表面発光レーザを作製する方法が提供さ
れる。
【００１１】
【実施例】図１を参照して、本発明による作製方法の各
異なる段階において実現される中間構造の簡略断面図を
示す。特に、図１は、例えば、基板１１上に交互の屈折
率を有する複数の半導体材料の層をエピタキシャル成長
することによって形成された第１ミラー・スタック１０
を示す。この目的のために利用できる材料の例には、Ａ
ｌＡｓおよびＡｌ.25 Ｇａ.75 Ａｓの交互層がある。交
互層の各対は、これらの層内で伝搬する発光波長の１／
４の厚さに成長され、対の数は、スタックを実際的な数
に制限しつつ、できるだけ高い光の反射率を与えるよう
に選ばれる。
異なる段階において実現される中間構造の簡略断面図を
示す。特に、図１は、例えば、基板１１上に交互の屈折
率を有する複数の半導体材料の層をエピタキシャル成長
することによって形成された第１ミラー・スタック１０
を示す。この目的のために利用できる材料の例には、Ａ
ｌＡｓおよびＡｌ.25 Ｇａ.75 Ａｓの交互層がある。交
互層の各対は、これらの層内で伝搬する発光波長の１／
４の厚さに成長され、対の数は、スタックを実際的な数
に制限しつつ、できるだけ高い光の反射率を与えるよう
に選ばれる。
【００１２】活性領域１２は、第１封止層または領域１
３と第２封止層または領域１４との間に挟まれる。封止
領域１３は、第１ミラー・スタック１０上に配置され、
第２ミラー・スタック１５は、封止領域１４の上面に形
成される。第２ミラー・スタック１５は、例えば、ミラ
ー・スタック１０について説明したように、半導体層の
対をエピタキシャル成長することによって形成される。
一般に、これらの層の対は、ミラー・スタック１０の材
料と同様な材料からなり、また厚さは、選択された波長
または波長のスペクトルの適切な反射率を与えるべく同
様である。また、第１および第２ミラー・スタック１
０，１５は、反対の導電型でドーピングされ、そこに電
流を流すため２端子（ダイオード）構造を形成する。こ
の特定の実施例では、例えば、ミラー・スタック１０
は、ｎ型導電性にドーピングされ、ミラー・スタック１
５はｐ型導電性にドーピングされる。
３と第２封止層または領域１４との間に挟まれる。封止
領域１３は、第１ミラー・スタック１０上に配置され、
第２ミラー・スタック１５は、封止領域１４の上面に形
成される。第２ミラー・スタック１５は、例えば、ミラ
ー・スタック１０について説明したように、半導体層の
対をエピタキシャル成長することによって形成される。
一般に、これらの層の対は、ミラー・スタック１０の材
料と同様な材料からなり、また厚さは、選択された波長
または波長のスペクトルの適切な反射率を与えるべく同
様である。また、第１および第２ミラー・スタック１
０，１５は、反対の導電型でドーピングされ、そこに電
流を流すため２端子（ダイオード）構造を形成する。こ
の特定の実施例では、例えば、ミラー・スタック１０
は、ｎ型導電性にドーピングされ、ミラー・スタック１
５はｐ型導電性にドーピングされる。
【００１３】一般に、活性領域１２は、障壁層によって
分離された１つまたはそれ以上の量子ウェルまたは量子
ウェル層を含み、そのいずれかの側面に封止層１３，１
４がある。量子ウェル，障壁層および封止層もエピタキ
シャル成長される。量子ウェルは、その両端に印加され
る電流によって適切に付勢されると、周知な現象により
光子（光）を発生する。一般に、活性領域１２に印加さ
れる電流が大きければ、発生される光子の数も大きくな
る。光子は、ミラー・スタック１０，１５によって反射
され、最終的に発光を生成する周知のレーザ発振を生じ
る。この光の波長は、活性領域１２における量子ウェル
で用いられる材料と、ミラー・スタック１０，１５にお
ける交互の層の対の厚さとによって決定される。
分離された１つまたはそれ以上の量子ウェルまたは量子
ウェル層を含み、そのいずれかの側面に封止層１３，１
４がある。量子ウェル，障壁層および封止層もエピタキ
シャル成長される。量子ウェルは、その両端に印加され
る電流によって適切に付勢されると、周知な現象により
光子（光）を発生する。一般に、活性領域１２に印加さ
れる電流が大きければ、発生される光子の数も大きくな
る。光子は、ミラー・スタック１０，１５によって反射
され、最終的に発光を生成する周知のレーザ発振を生じ
る。この光の波長は、活性領域１２における量子ウェル
で用いられる材料と、ミラー・スタック１０，１５にお
ける交互の層の対の厚さとによって決定される。
【００１４】活性領域１２は、８００ｎｍ以下であっ
て、好ましくは７８０ｎｍなど、短波長の発光を行うよ
うに選択された材料系で形成される。一般に、アルミニ
ウム合金を利用して短波長は達成される。しかし、アル
ミニウムは酸化の影響を受けやすく、活性領域１２の不
安定性に大きく寄与し、その結果、ＶＣＳＥＬの破損が
生じる。従って、活性領域１２を形成する材料系はアル
ミニウムを含有しない。封止層１４は、ミラー・スタッ
ク１５の材料系とは異なる材料系から形成され、この異
なる材料系は、ミラー・スタック１５を選択的にエッチ
ングして、必要に応じてパターン化ミラーまたはリッジ
・タイプのＶＣＳＥＬを形成できるように選択される。
アルミニウムを含有しないように活性領域１２の材料系
を選択し、かつ活性領域１２の材料系と結晶学的に整合
性があるように封止層１４の異なる材料系を選択するこ
とにより、ＶＣＳＥＬの信頼性および寿命は改善され
る。
て、好ましくは７８０ｎｍなど、短波長の発光を行うよ
うに選択された材料系で形成される。一般に、アルミニ
ウム合金を利用して短波長は達成される。しかし、アル
ミニウムは酸化の影響を受けやすく、活性領域１２の不
安定性に大きく寄与し、その結果、ＶＣＳＥＬの破損が
生じる。従って、活性領域１２を形成する材料系はアル
ミニウムを含有しない。封止層１４は、ミラー・スタッ
ク１５の材料系とは異なる材料系から形成され、この異
なる材料系は、ミラー・スタック１５を選択的にエッチ
ングして、必要に応じてパターン化ミラーまたはリッジ
・タイプのＶＣＳＥＬを形成できるように選択される。
アルミニウムを含有しないように活性領域１２の材料系
を選択し、かつ活性領域１２の材料系と結晶学的に整合
性があるように封止層１４の異なる材料系を選択するこ
とにより、ＶＣＳＥＬの信頼性および寿命は改善され
る。
【００１５】図２を参照して、封止層１３，１４に挟ま
れた活性領域１２の拡大概略断面図を示す。この特定の
実施例では、活性領域１２は、３つの量子ウェル２０，
２１，２２と、それらの間に挟まれた障壁層２５，２６
を含む。障壁層２５，２６によって分離された量子ウェ
ル２０，２１，２２は、スペーサまたはガイド層３０，
３１によって挟まれ、これらのスペーサまたはガイド層
３０，３１は、クラッディング層３３，３４によって挟
まれる。一般に、スペーサ層３０，３１およびクラッデ
ィング層３３，３４は、本明細書に参考として含まれる
上記の米国特許第５，１７２，３８４号において詳細に
説明されるように、ガイド動作を行うべくグレード処理
される。
れた活性領域１２の拡大概略断面図を示す。この特定の
実施例では、活性領域１２は、３つの量子ウェル２０，
２１，２２と、それらの間に挟まれた障壁層２５，２６
を含む。障壁層２５，２６によって分離された量子ウェ
ル２０，２１，２２は、スペーサまたはガイド層３０，
３１によって挟まれ、これらのスペーサまたはガイド層
３０，３１は、クラッディング層３３，３４によって挟
まれる。一般に、スペーサ層３０，３１およびクラッデ
ィング層３３，３４は、本明細書に参考として含まれる
上記の米国特許第５，１７２，３８４号において詳細に
説明されるように、ガイド動作を行うべくグレード処理
される。
【００１６】活性領域１２においてアルミニウムのない
材料を利用するため、ＧａＡｓ(1-x) Ｐx が導入され
る。しかし、ＧａＡｓ(1-x) Ｐx は、ＧａＡｓと格子整
合がなく、引張歪み(tensile strain)が生じる。多重量
子ウェル構造では、ミスフィット転位(misfit dislocat
ion)を発生せずにこの歪みに対処するには、ＧａＡｓＰ
層の厚さは十分小さく抑え、この歪みに等しくかつ向き
が反対の補正が必要になる。活性領域１２の好適な材料
系は、ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＰ歪み層超格子(strained
layers superlattice)である。引張歪み下の量子ウェル
層２０，２１，２２と、実質的に等しい圧縮歪み下の介
在障壁層２５，２６とが用いられる。
材料を利用するため、ＧａＡｓ(1-x) Ｐx が導入され
る。しかし、ＧａＡｓ(1-x) Ｐx は、ＧａＡｓと格子整
合がなく、引張歪み(tensile strain)が生じる。多重量
子ウェル構造では、ミスフィット転位(misfit dislocat
ion)を発生せずにこの歪みに対処するには、ＧａＡｓＰ
層の厚さは十分小さく抑え、この歪みに等しくかつ向き
が反対の補正が必要になる。活性領域１２の好適な材料
系は、ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＰ歪み層超格子(strained
layers superlattice)である。引張歪み下の量子ウェル
層２０，２１，２２と、実質的に等しい圧縮歪み下の介
在障壁層２５，２６とが用いられる。
【００１７】特定の実施例では、量子ウェル層２０，２
１，２２は、それぞれが約１００オングストローム厚の
ＧａＡｓ.82 Ｐ.18 （Ｅg ＝１．５７ｅＶ）からなる。
障壁層２５，２６は、それぞれが約１００オングストロ
ーム厚のＩｎ.59 Ｇａ.41 Ｐ（Ｅg ＝１．７６ｅＶ）か
らなる。量子ウェル層２０，２１，２２および障壁層２
５，２６は、ＧａＡｓ基板１１に対して約０．６５％の
ほぼ等しくかつ反対の格子不整合を有する。ＧａＡｓＰ
におけるリン組成は、量子ウェル寸法と、エネルギ・バ
ンドに対する歪みの影響とを考慮して、室温で７８０ｎ
ｍの発光波長を生成するように選択される。スペーサ層
３０，３１は、Ｉｎ.49 Ｇａ.51 Ｐ（Ｅ g ＝１．９ｅ
Ｖ）からなり、クラッディング層３３，３４は、ＧａＡ
ｓ基板１１に格子整合された（ＧａＡｌ.3）．５１Ｉｎ
.49 Ｐ（Ｅg ＝２．０８ｅＶ）からなる。活性領域１２
および封止層１３，１４の全厚は、１波長光学厚さとな
るように選択される。説明した材料のバンドギャップを
一般に表すエネルギ図を図３に示す。この例では、ブラ
ッグ・リフレクタ（第１および第２ミラー・スタック１
０，１５）は、ＡｌＡｓおよびＧａ.75 Ａｌ.25 Ａｓの
１／４波長の交互層からなる。
１，２２は、それぞれが約１００オングストローム厚の
ＧａＡｓ.82 Ｐ.18 （Ｅg ＝１．５７ｅＶ）からなる。
障壁層２５，２６は、それぞれが約１００オングストロ
ーム厚のＩｎ.59 Ｇａ.41 Ｐ（Ｅg ＝１．７６ｅＶ）か
らなる。量子ウェル層２０，２１，２２および障壁層２
５，２６は、ＧａＡｓ基板１１に対して約０．６５％の
ほぼ等しくかつ反対の格子不整合を有する。ＧａＡｓＰ
におけるリン組成は、量子ウェル寸法と、エネルギ・バ
ンドに対する歪みの影響とを考慮して、室温で７８０ｎ
ｍの発光波長を生成するように選択される。スペーサ層
３０，３１は、Ｉｎ.49 Ｇａ.51 Ｐ（Ｅ g ＝１．９ｅ
Ｖ）からなり、クラッディング層３３，３４は、ＧａＡ
ｓ基板１１に格子整合された（ＧａＡｌ.3）．５１Ｉｎ
.49 Ｐ（Ｅg ＝２．０８ｅＶ）からなる。活性領域１２
および封止層１３，１４の全厚は、１波長光学厚さとな
るように選択される。説明した材料のバンドギャップを
一般に表すエネルギ図を図３に示す。この例では、ブラ
ッグ・リフレクタ（第１および第２ミラー・スタック１
０，１５）は、ＡｌＡｓおよびＧａ.75 Ａｌ.25 Ａｓの
１／４波長の交互層からなる。
【００１８】第１ミラー・スタック１０，封止層１３，
活性領域１２，封止層１４および第２ミラー・スタック
１５が図１に示すように基板１１上に形成され、上記の
ような材料を含む場合、第２ミラー・スタック１５は、
図４に示すように選択的にエッチングされる。Ｈ2 ０
2 ：Ｈ2 ０：Ｈ2 ＳＯ4 ／ＨＣＬ：Ｈ3 ＰＯ4 ベースの
エッチング剤を利用して、湿式または乾式エッチング方
法を施すことができる。エッチング選択性のため、クラ
ッディング層３４の上面まで上部または第２ミラー・ス
タック１５を介してエッチングすることにより、パター
ン・ミラーまたはリッジ導波管のＶＣＳＥＬ構造が形成
される。エッチングは正確であり、かつ活性領域１２ま
たは封止層１３，１４を破損しないので、良好な電流お
よび光封止が達成され、低閾値が得られ、しかも（プレ
ーナ型ＶＣＳＥＬに対して）良好な信頼性を維持する。
活性領域１２，封止層１４および第２ミラー・スタック
１５が図１に示すように基板１１上に形成され、上記の
ような材料を含む場合、第２ミラー・スタック１５は、
図４に示すように選択的にエッチングされる。Ｈ2 ０
2 ：Ｈ2 ０：Ｈ2 ＳＯ4 ／ＨＣＬ：Ｈ3 ＰＯ4 ベースの
エッチング剤を利用して、湿式または乾式エッチング方
法を施すことができる。エッチング選択性のため、クラ
ッディング層３４の上面まで上部または第２ミラー・ス
タック１５を介してエッチングすることにより、パター
ン・ミラーまたはリッジ導波管のＶＣＳＥＬ構造が形成
される。エッチングは正確であり、かつ活性領域１２ま
たは封止層１３，１４を破損しないので、良好な電流お
よび光封止が達成され、低閾値が得られ、しかも（プレ
ーナ型ＶＣＳＥＬに対して）良好な信頼性を維持する。
【００１９】図５に示すように、図４に示す構造を完成
するため、任意の既知の方法によって、ｐ型メタライゼ
ーション４０が上部ミラー・スタック１５の露出面上に
形成される。メサの上面の上にあるｐ型メタライゼーシ
ョン４０の少なくとも一部は、ＩＴＯなどの透明金属で
もよい。ｎ型メタライゼーション４５は、例えば、基板
１１の上面上で、ミラー・スタック１０と接触して形成
され、ＶＣＳＥＬの別の電気コンタクトをなす。一般
に、高濃度にドーピングされた半導体材料の層４６は、
基板１１の表面上に設けられ、ＶＣＳＥＬのミラー・ス
タック１０に対する良好で、抵抗の低いコンタクトを提
供する。必要に応じて、ミラー・スタック１０が形成さ
れた表面とは反対の基板１１の表面に電気コンタクトを
形成できることが理解される。
するため、任意の既知の方法によって、ｐ型メタライゼ
ーション４０が上部ミラー・スタック１５の露出面上に
形成される。メサの上面の上にあるｐ型メタライゼーシ
ョン４０の少なくとも一部は、ＩＴＯなどの透明金属で
もよい。ｎ型メタライゼーション４５は、例えば、基板
１１の上面上で、ミラー・スタック１０と接触して形成
され、ＶＣＳＥＬの別の電気コンタクトをなす。一般
に、高濃度にドーピングされた半導体材料の層４６は、
基板１１の表面上に設けられ、ＶＣＳＥＬのミラー・ス
タック１０に対する良好で、抵抗の低いコンタクトを提
供する。必要に応じて、ミラー・スタック１０が形成さ
れた表面とは反対の基板１１の表面に電気コンタクトを
形成できることが理解される。
【００２０】以上、ＶＣＳＥＬのパターン化ミラーを作
製する改善された方法を含む、短波長のＶＣＳＥＬを作
製する新規な改善された方法が開示された。上部ミラー
・スタックは正確かつ選択的にエッチングされるので、
信頼性は大幅に改善される。また、ＶＣＳＥＬの活性領
域はアルミニウムがないので、ＶＣＳＥＬの信頼性およ
び寿命は大幅に向上する。
製する改善された方法を含む、短波長のＶＣＳＥＬを作
製する新規な改善された方法が開示された。上部ミラー
・スタックは正確かつ選択的にエッチングされるので、
信頼性は大幅に改善される。また、ＶＣＳＥＬの活性領
域はアルミニウムがないので、ＶＣＳＥＬの信頼性およ
び寿命は大幅に向上する。
【００２１】本発明の特定の実施例について図説してき
たが、更なる修正および改善は当業者に想起される。従
って、本発明は図示の特定の形式に制限されず、特許請
求の範囲は、本発明の精神および範囲から逸脱しない一
切の修正を網羅するものとする。
たが、更なる修正および改善は当業者に想起される。従
って、本発明は図示の特定の形式に制限されず、特許請
求の範囲は、本発明の精神および範囲から逸脱しない一
切の修正を網羅するものとする。
【図１】本発明によるＶＣＳＥＬの製造工程における第
１段階の簡略断面図である。
１段階の簡略断面図である。
【図２】図１の基板の一部の拡大断面図である。
【図３】図２に示す構造で用いられる材料のバンドギャ
ップを示すエネルギ図である。
ップを示すエネルギ図である。
【図４】本発明によるＶＣＳＥＬの作製における第２段
階の簡略断面図である。
階の簡略断面図である。
【図５】本発明によるＶＣＳＥＬの作製における最終段
階の簡略断面図である。
階の簡略断面図である。
１０ 第１ミラー・スタック １１ 基板 １２ 活性領域 １３ 第１封止層（領域） １４ 第２封止層（領域） １５ 第２ミラー・スタック ２０，２１，２２ 量子ウェル ２５，２６ 障壁層 ３０，３１ スペーサ層（ガイド層） ３３，３４ クラッディング層 ４０ ｐ型メタライゼーション ４５ ｎ型メタライゼーション ４６ 高濃度にドーピングされた半導体材料の層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シン−チャン・リー アメリカ合衆国カリフォルニア州カラバサ ス、パーク・エンセナダ23246
Claims (3)
- 【請求項１】 短波長の垂直キャビティ表面発光レーザ
であって：基板（１１）；前記基板（１１）上に配置さ
れた第１導電型の第１ミラー・スタック（１０）であっ
て、複数の対の相対的に高および低の屈折率の層からな
る第１ミラー・スタック（１０）；第２導電型の第２ミ
ラー・スタック（１５）であって、相対的に高および低
の屈折率の複数の対の層からなる第２ミラー・スタック
（１５）；および前記第１ミラー・スタック（１０）と
前記第２ミラー・スタック（１５）との間に挟まれた活
性領域（１２）であって、結晶歪みが等しくかつ反対の
結晶歪みを有する交互の歪み層である複数の歪み層から
なる活性領域（１２）；によって構成されることを特徴
とする短波長の垂直キャビティ表面発光レーザ。 - 【請求項２】 短波長の垂直キャビティ表面発光レーザ
であって：基板（１１）；前記基板（１１）上に配置さ
れた第１導電型の第１ミラー・スタック（１０）であっ
て、相対的に高および低屈折率の複数の対の層からなる
第１ミラー・スタック（１０）；第２導電型の第２ミラ
ー・スタック（１５）であって、相対的に高および低屈
折率の複数の対の層からなる第２ミラー・スタック（１
５）；および前記第１ミラー・スタック（１０）と前記
第２ミラー・スタックとの間に挟まれた活性領域（１
２）であって、前記活性領域（１２）は、ＧａＩｎＰの
障壁層（２５，２６）を間に挟む複数のＧａＡｓＰの量
子ウェル層（２０，２１，２２）からなり、前記量子ウ
ェル層（２０，２１，２２）および前記障壁層（２５，
２６）が実質的に等しくかつ反対の格子不整合を有す
る、活性領域（１２）；一対の封止層（１３，１４）の
間に挟まれた前記活性領域（１２）；によって構成され
ることを特徴とする短波長の垂直キャビティ表面発光レ
ーザ。 - 【請求項３】 短波長の垂直キャビティ表面発光レーザ
を作製する方法であって：相対的に高および低屈折率の
複数の対の層からなる、第１導電型の第１ミラー・スタ
ック（１０）を形成する段階；前記第１ミラー・スタッ
ク（１０）上に第１封止層（１３）を形成する段階；交
互の歪み層が等しくかつ反対の結晶歪みを有する複数の
歪み層（２０，２１，２２，２５，２６）からなる活性
領域（１２）を前記第１封止層（１３）上に形成する段
階；前記活性領域（１２）上に第２封止層（１４）を形
成する段階；および相対的に高および低屈折率の複数の
対の層からなる、第２導電型の第２ミラー・スタック
（１５）を前記第２封止層（１４）上に形成する段階；
によって構成されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/520,061 US5633886A (en) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | Short wavelength VCSEL with Al-free active region |
| US520061 | 1995-08-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107153A true JPH09107153A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=24071042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8247227A Pending JPH09107153A (ja) | 1995-08-28 | 1996-08-28 | アルミニウムのない活性領域を有する短波長ｖｃｓｅｌ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5633886A (ja) |
| EP (1) | EP0760545B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09107153A (ja) |
| KR (1) | KR100440650B1 (ja) |
| DE (1) | DE69621719T2 (ja) |
| TW (1) | TW317037B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347672A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Seiko Epson Corp | 半導体素子部材及び半導体装置並びにそれらの製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| WO2007089042A1 (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
| JP2007235090A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-09-13 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイを備えた画像形成装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光ピックアップ装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光送信モジュール、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光送受信モジュールおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム。 |
| US7684458B2 (en) | 2004-06-11 | 2010-03-23 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode and fabrication process thereof |
| US7693204B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-04-06 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
| JP2012209534A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 |
| JP2013165275A (ja) * | 2013-03-12 | 2013-08-22 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2013165142A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2016208049A (ja) * | 2011-03-17 | 2016-12-08 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5912913A (en) * | 1995-12-27 | 1999-06-15 | Hitachi, Ltd. | Vertical cavity surface emitting laser, optical transmitter-receiver module using the laser, and parallel processing system using the laser |
| US5953362A (en) * | 1997-12-15 | 1999-09-14 | Pamulapati; Jagadeesh | Strain induce control of polarization states in vertical cavity surface emitting lasers and method of making same |
| GB2333895B (en) * | 1998-01-31 | 2003-02-26 | Mitel Semiconductor Ab | Pre-fusion oxidized and wafer-bonded vertical cavity laser |
| US6556553B1 (en) * | 1999-04-12 | 2003-04-29 | Intermec Ip Corp. | Method for determining when a communication device should rate shift or roam in a wireless environment |
| GB2353899A (en) | 1999-09-01 | 2001-03-07 | Sharp Kk | A quantum well semiconductor device with strained barrier layer |
| JP2003283056A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-10-03 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ディスク再生記録装置 |
| JP2004281968A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 面発光型半導体レーザ素子 |
| JP2008053353A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイ、それに用いられる面発光レーザ素子および面発光レーザアレイの製造方法 |
| KR100990702B1 (ko) * | 2006-08-23 | 2010-10-29 | 가부시키가이샤 리코 | 면 발광 레이저 어레이, 광학 주사 장치 및 화상 형성 장치 |
| US7627017B2 (en) | 2006-08-25 | 2009-12-01 | Stc. Unm | Laser amplifier and method of making the same |
| JP5748949B2 (ja) | 2008-11-20 | 2015-07-15 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5012486A (en) * | 1990-04-06 | 1991-04-30 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity semiconductor laser with lattice-mismatched mirror stack |
| US5237581A (en) * | 1990-11-14 | 1993-08-17 | Nec Corporation | Semiconductor multilayer reflector and light emitting device with the same |
| US5172384A (en) * | 1991-05-03 | 1992-12-15 | Motorola, Inc. | Low threshold current laser |
| JP3080831B2 (ja) * | 1994-02-03 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 多重量子井戸半導体レーザ |
| US5513202A (en) * | 1994-02-25 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser |
| US5412680A (en) * | 1994-03-18 | 1995-05-02 | Photonics Research Incorporated | Linear polarization of semiconductor laser |
| US5559818A (en) * | 1994-03-24 | 1996-09-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5491710A (en) * | 1994-05-05 | 1996-02-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Strain-compensated multiple quantum well laser structures |
| US5432809A (en) * | 1994-06-15 | 1995-07-11 | Motorola, Inc. | VCSEL with Al-free cavity region |
-
1995
- 1995-08-28 US US08/520,061 patent/US5633886A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-23 TW TW085106133A patent/TW317037B/zh active
- 1996-08-13 KR KR1019960033491A patent/KR100440650B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-16 EP EP96113178A patent/EP0760545B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-16 DE DE69621719T patent/DE69621719T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-28 JP JP8247227A patent/JPH09107153A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347672A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Seiko Epson Corp | 半導体素子部材及び半導体装置並びにそれらの製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| US7684458B2 (en) | 2004-06-11 | 2010-03-23 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode and fabrication process thereof |
| US8199788B2 (en) | 2004-06-11 | 2012-06-12 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode and fabrication process thereof |
| US8401049B2 (en) | 2004-06-11 | 2013-03-19 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode and fabrication process thereof |
| US8743924B2 (en) | 2004-06-11 | 2014-06-03 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode and fabrication process thereof |
| US8699540B2 (en) | 2006-02-03 | 2014-04-15 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
| WO2007089042A1 (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
| JP2007235090A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-09-13 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイを備えた画像形成装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光ピックアップ装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光送信モジュール、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光送受信モジュールおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム。 |
| US7693204B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-04-06 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
| US8325777B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-12-04 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
| JP2012209534A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 |
| JP2016208049A (ja) * | 2011-03-17 | 2016-12-08 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 |
| JP2013165142A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2013165275A (ja) * | 2013-03-12 | 2013-08-22 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970013541A (ko) | 1997-03-29 |
| EP0760545B1 (en) | 2002-06-12 |
| TW317037B (ja) | 1997-10-01 |
| DE69621719D1 (de) | 2002-07-18 |
| EP0760545A1 (en) | 1997-03-05 |
| DE69621719T2 (de) | 2002-10-31 |
| KR100440650B1 (ko) | 2004-10-14 |
| US5633886A (en) | 1997-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5416044A (en) | Method for producing a surface-emitting laser | |
| US5568499A (en) | Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors | |
| EP0926786B1 (en) | Vertical cavity surface-emitting laser with separate optical and current guides | |
| US5557626A (en) | Patterned mirror VCSEL with adjustable selective etch region | |
| JPH09107153A (ja) | アルミニウムのない活性領域を有する短波長ｖｃｓｅｌ | |
| EP0609836B1 (en) | Surface emitting laser and method for fabricating the same | |
| US20070086499A1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| US6489175B1 (en) | Electrically pumped long-wavelength VCSEL and methods of fabrication | |
| JP2002329929A (ja) | 垂直共振器面発光レーザのための信頼性強化層 | |
| JP2003513476A (ja) | ＧａＡｓ材料系のための長波長仮像ＩｎＧａＮＰＡｓＳｂタイプＩおよびタイプＩＩアクティブ層 | |
| JPH06314854A (ja) | 面型発光素子とその製造方法 | |
| US5432809A (en) | VCSEL with Al-free cavity region | |
| JPH04225588A (ja) | 半導体レーザ構造体 | |
| US6846685B2 (en) | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser | |
| KR100545113B1 (ko) | 가시파장의수직공동표면방출레이저 | |
| EP0657977B1 (en) | Ridge stripe type laser diode and method for fabricating the same | |
| JP4722404B2 (ja) | 長波長帯面発光半導体レーザ | |
| JP2546150B2 (ja) | 立体共振器型面発光レーザ | |
| JP3132445B2 (ja) | 長波長帯面発光型半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH10303493A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPH11340568A (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| US5394417A (en) | Semiconductor laser producing visible light | |
| JP2921385B2 (ja) | 面発光レーザならびにその製造方法および端面発光レーザの製造方法 | |
| JP2565909B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0918093A (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050725 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050809 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051108 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051206 |