JPH04211186A - 垂直型半導体レーザ - Google Patents
垂直型半導体レーザInfo
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- JPH04211186A JPH04211186A JP3011565A JP1156591A JPH04211186A JP H04211186 A JPH04211186 A JP H04211186A JP 3011565 A JP3011565 A JP 3011565A JP 1156591 A JP1156591 A JP 1156591A JP H04211186 A JPH04211186 A JP H04211186A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003362 semiconductor superlattice Substances 0.000 claims description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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-
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- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的に励起される半
導体レーザに関し、特に、半導体の主表面（″水平面″
）をから光を放出し′”垂直（キャビティ）”′もしく
は”′表面（放出）″レーザとして知られている種の半
導体レーザに関する。 ［０００２］
導体レーザに関し、特に、半導体の主表面（″水平面″
）をから光を放出し′”垂直（キャビティ）”′もしく
は”′表面（放出）″レーザとして知られている種の半
導体レーザに関する。 ［０００２］
【従来の技術】従来技術においては、電気的に励起され
る半導体レーザの構造は、２つの主要なカテゴリー、す
なわち、 （１）”端面放出型″（あるいは単に″端面
型″）レーザ及び（２） ”表面放出型″（あるいは単
（ご′表面型″）すなわち垂直レーザ、に区分されてい
る。双方の型においては、通常プレーナ型ｐｎ接合を構
成している活性領域が含まれている。代表的には、当該
ｐｎ接合は半導体主部の主表面に対して平行であり、前
記主表面は任意であるが水平とみなされている。 ［０００３］端面型のレーザにおいては、光は半導体の
−もしくは複数の側端面から放出され、半導体中におけ
る光共振器（キャビティ）は半導体主部内に側端面上に
配置された部分反射光学鏡を用いて形成されている。垂
直型のレーザにおいては、光は半導体の上部あるいは底
部（主）表面からあるいはその双方から放出され、半導
体中における光共振器は半導体主部内に上部あるいは底
部表面上もしくはその双方上に配置された部分反射光学
鏡を用いて形成されている。垂直型レーザは、水平型レ
ーザの場合に要求される側端面輪郭に関する困難な制御
を要求しないという観点からより魅力的に思われている
。 ［０００４］通常、垂直型レーザにおいては各々の光学
鏡は、半導体超格子によって形成されたスタック構造等
の４分の１波長スタツク構造によって形成される。垂直
レーザは、例えば、半導体基板上に以下に示すような半
導体層を空間的に順序よく連続的にエピタキシャル成長
させることによって二重へテロ構造として製造され得る
：底部鏡、底部クラッド領域、活性領域、上部クラッド
領域、及び上部鏡。そののち、電気的にアクセスするた
めの上部電極が上部鏡の上部主表面上に形成される。 この種の垂直型レーザは単一の基板上に同時に、各々の
レーザによって放出される光の量−例えば、オン対オフ
が同一基板上の他のレーザとは独立に電気的信号によっ
て制御され得るように、形成され得る。よって、垂直型
レーザは、複数個の独立に制御可能な光源が望まれるよ
うな実際のアプリケーションにおける使用に特に魅力的
である。通常、この種の垂直型レーザの各々によって放
出される光の量は上部電極を通じてレーザに注入される
電流によって決定される。 ［０００５］
る半導体レーザの構造は、２つの主要なカテゴリー、す
なわち、 （１）”端面放出型″（あるいは単に″端面
型″）レーザ及び（２） ”表面放出型″（あるいは単
（ご′表面型″）すなわち垂直レーザ、に区分されてい
る。双方の型においては、通常プレーナ型ｐｎ接合を構
成している活性領域が含まれている。代表的には、当該
ｐｎ接合は半導体主部の主表面に対して平行であり、前
記主表面は任意であるが水平とみなされている。 ［０００３］端面型のレーザにおいては、光は半導体の
−もしくは複数の側端面から放出され、半導体中におけ
る光共振器（キャビティ）は半導体主部内に側端面上に
配置された部分反射光学鏡を用いて形成されている。垂
直型のレーザにおいては、光は半導体の上部あるいは底
部（主）表面からあるいはその双方から放出され、半導
体中における光共振器は半導体主部内に上部あるいは底
部表面上もしくはその双方上に配置された部分反射光学
鏡を用いて形成されている。垂直型レーザは、水平型レ
ーザの場合に要求される側端面輪郭に関する困難な制御
を要求しないという観点からより魅力的に思われている
。 ［０００４］通常、垂直型レーザにおいては各々の光学
鏡は、半導体超格子によって形成されたスタック構造等
の４分の１波長スタツク構造によって形成される。垂直
レーザは、例えば、半導体基板上に以下に示すような半
導体層を空間的に順序よく連続的にエピタキシャル成長
させることによって二重へテロ構造として製造され得る
：底部鏡、底部クラッド領域、活性領域、上部クラッド
領域、及び上部鏡。そののち、電気的にアクセスするた
めの上部電極が上部鏡の上部主表面上に形成される。 この種の垂直型レーザは単一の基板上に同時に、各々の
レーザによって放出される光の量−例えば、オン対オフ
が同一基板上の他のレーザとは独立に電気的信号によっ
て制御され得るように、形成され得る。よって、垂直型
レーザは、複数個の独立に制御可能な光源が望まれるよ
うな実際のアプリケーションにおける使用に特に魅力的
である。通常、この種の垂直型レーザの各々によって放
出される光の量は上部電極を通じてレーザに注入される
電流によって決定される。 ［０００５］
【発明が解決しようとする課題】従来の技術においては
、垂直型レーザはその動作中に望ましくないほど大量の
熱を生成してしまい、そのため当該レーザの効率及び寿
命は著しく低かった。それゆえ、熱の生成が低減される
ような垂直型レーザが望まれていた。 ［０００６］
、垂直型レーザはその動作中に望ましくないほど大量の
熱を生成してしまい、そのため当該レーザの効率及び寿
命は著しく低かった。それゆえ、熱の生成が低減される
ような垂直型レーザが望まれていた。 ［０００６］
【課題を解決するための手段】本発明の垂直型半導体レ
ーザでは、その熱生成が、上部電極を直接上部クラッド
領域の周囲（環状）部に接触させることにより低減され
る。すなわち、上部電極が上部クラッド領域の周囲部に
浸入させられて直接接触が形成される。本発明に係る垂
直型レーザにおいては、レーザ動作中は電流が、従来技
術に係る垂直型レーザにおいては活性領域に入る前に（
比較的高い直列抵抗を有する）上部鏡及び上部クラッド
領域を介して垂直方向に注入されるようになっていたの
とは異なり、上部電極から上部クラッド領域へすなわち
活性領域へ水平方向に注入される。 ［０００７］
ーザでは、その熱生成が、上部電極を直接上部クラッド
領域の周囲（環状）部に接触させることにより低減され
る。すなわち、上部電極が上部クラッド領域の周囲部に
浸入させられて直接接触が形成される。本発明に係る垂
直型レーザにおいては、レーザ動作中は電流が、従来技
術に係る垂直型レーザにおいては活性領域に入る前に（
比較的高い直列抵抗を有する）上部鏡及び上部クラッド
領域を介して垂直方向に注入されるようになっていたの
とは異なり、上部電極から上部クラッド領域へすなわち
活性領域へ水平方向に注入される。 ［０００７］
【実施例】図１には、本発明の垂直型（二重へテロ構造
）レーザ１００が示されている。当該レーザは約０゜８
７μｍの波長を有する光を放出するのに適しており、ｎ
ＧａＡｓ基板１０１に当該レーザにおいて生成される
光（光輻射）を外部に、導くための光出力孔１０２が蝕
刻されている。基板１０１上には、約０．０６０μｍ厚
のｎ （Ａｌｏ、＋Ｇａｏ９ＡＳ） ／約０．０７０
μｍ厚のｎ （ＡＩＡｓ）よりなる層がおよそ２０周
期分−代表的には分子ビームエピタキシー法によって一
連続的に成長させられており、底部鏡である底部超格子
１０３を形成している。超格子の各層は、４分の１波長
分の層厚を有している。この種の超格子は底部（スタッ
ク型）光学反射鏡として機能し、当該レーザ内の垂直入
射光の約９９パーセントを反射する。底部超格子１０３
上には、通常１μｍ厚で不純物イオンが１立方センチメ
ートルあたりおよそ５Ｘ１０１８個というドーピングレ
ベルのｎＡｌｏ３Ｇａｏ７ＡＳ （底部）クラッド層
１０４が位置している。ｎ （底部）クラッド層１０４
の上部には、ｐ型活性領域１０５、ｐ型（上部）クラッ
ド層１０６、及び、やはり約２０周期を有する上部鏡で
あるｐ （上部）超格子１０７が連続して位置している
。 ［０００８］より具体的に述べれば、前記活性領域１０
５は不純物ドーピング濃度が通常１立方センチメートル
あたり約ＩＥ１５からＩＥ１６個の範囲にあり約０．５
μｍの層厚を有するｐ型ＧａＡｓ層である。ｐ （上部
）クラッド層１０６は、代表的には１μｍ厚で不純物イ
オンが１立方センチメートルあたりおよそ１８１９個と
いうドーピング濃度のｎ Ａ ｌ ｏ 、 ３ Ｇ ａ
ｏ ７Ａ ｓ層である。ｐ超格子層１０７は、９９パ
一セント反射の（スタック型）光学反射鏡として機能し
、各々約０． ０６０μｍ厚のｎ Ａ １ ｏＩＧ ａ
ｏ、 ９ Ａ ｓ層と各々約０．０７０μｍ厚のｎ Ａ
ｌＡｓ層が交互に積層された層である。 ［０００９］層１０３．１０４．１０５．１０６．１０
７は分子線エピタキシー法によって成長させられる。そ
の後、従来技術に係るマスク技法及びリン酸と過酸化水
素の水性混合物を用いたウェットエツチング技法を用い
て垂直方向の溝１０８が形成され、それに続いて酸素（
０−）イオン及び水素（Ｈ−）イオンを用いたイオン注
入により、半絶縁層１０９が形成される。前記溝１０８
のエツチングは、溝の底部が前記上部クラッド層１０６
の側壁に沿って前記活性領域１０５の直上部の位置まで
達し得るのに充分な時間の間行なわれる。その後、導電
性を有するＡｕ−Ｂｅ合金等よりなりかつＡｕによって
おおわれた上部電極層１１０が、ｐ超格子層１０７とオ
ーミック接続を形成しかつ外部接点を形成するために堆
積される。前述されているように、溝１０８は環状であ
り、９反射鏡である超格子１０７は円形であるが、他の
形状も用いられ得る。
）レーザ１００が示されている。当該レーザは約０゜８
７μｍの波長を有する光を放出するのに適しており、ｎ
ＧａＡｓ基板１０１に当該レーザにおいて生成される
光（光輻射）を外部に、導くための光出力孔１０２が蝕
刻されている。基板１０１上には、約０．０６０μｍ厚
のｎ （Ａｌｏ、＋Ｇａｏ９ＡＳ） ／約０．０７０
μｍ厚のｎ （ＡＩＡｓ）よりなる層がおよそ２０周
期分−代表的には分子ビームエピタキシー法によって一
連続的に成長させられており、底部鏡である底部超格子
１０３を形成している。超格子の各層は、４分の１波長
分の層厚を有している。この種の超格子は底部（スタッ
ク型）光学反射鏡として機能し、当該レーザ内の垂直入
射光の約９９パーセントを反射する。底部超格子１０３
上には、通常１μｍ厚で不純物イオンが１立方センチメ
ートルあたりおよそ５Ｘ１０１８個というドーピングレ
ベルのｎＡｌｏ３Ｇａｏ７ＡＳ （底部）クラッド層
１０４が位置している。ｎ （底部）クラッド層１０４
の上部には、ｐ型活性領域１０５、ｐ型（上部）クラッ
ド層１０６、及び、やはり約２０周期を有する上部鏡で
あるｐ （上部）超格子１０７が連続して位置している
。 ［０００８］より具体的に述べれば、前記活性領域１０
５は不純物ドーピング濃度が通常１立方センチメートル
あたり約ＩＥ１５からＩＥ１６個の範囲にあり約０．５
μｍの層厚を有するｐ型ＧａＡｓ層である。ｐ （上部
）クラッド層１０６は、代表的には１μｍ厚で不純物イ
オンが１立方センチメートルあたりおよそ１８１９個と
いうドーピング濃度のｎ Ａ ｌ ｏ 、 ３ Ｇ ａ
ｏ ７Ａ ｓ層である。ｐ超格子層１０７は、９９パ
一セント反射の（スタック型）光学反射鏡として機能し
、各々約０． ０６０μｍ厚のｎ Ａ １ ｏＩＧ ａ
ｏ、 ９ Ａ ｓ層と各々約０．０７０μｍ厚のｎ Ａ
ｌＡｓ層が交互に積層された層である。 ［０００９］層１０３．１０４．１０５．１０６．１０
７は分子線エピタキシー法によって成長させられる。そ
の後、従来技術に係るマスク技法及びリン酸と過酸化水
素の水性混合物を用いたウェットエツチング技法を用い
て垂直方向の溝１０８が形成され、それに続いて酸素（
０−）イオン及び水素（Ｈ−）イオンを用いたイオン注
入により、半絶縁層１０９が形成される。前記溝１０８
のエツチングは、溝の底部が前記上部クラッド層１０６
の側壁に沿って前記活性領域１０５の直上部の位置まで
達し得るのに充分な時間の間行なわれる。その後、導電
性を有するＡｕ−Ｂｅ合金等よりなりかつＡｕによって
おおわれた上部電極層１１０が、ｐ超格子層１０７とオ
ーミック接続を形成しかつ外部接点を形成するために堆
積される。前述されているように、溝１０８は環状であ
り、９反射鏡である超格子１０７は円形であるが、他の
形状も用いられ得る。
【００１０】当業者には既知であるが、基板１０１の下
側にもＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ等よりなるオーミック接続のた
めの電極（図示せず）が形成されていることに注意され
たい。 ［００１１］前記半絶縁層１０９は、垂直型レーザにお
いて望まれているように、電極によって供給された電流
を上部クラッド層１０６及び活性領域１０５にシリーズ
に注入させるように機能する。 ［００１２］ レーザ動作中は、電極層１１０に電圧が
印加されて層１０５と１０４との間のｐｎ接合に順方向
バイアスが印加される。活性領域１０５において生成さ
れた光は９反射鏡１０７とｎ反射鏡１０３とによって形
成された高反射率ファプリー・ペロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐ
ｅｒｏｔ）共振器内に閉じ込められることになり、同時
にｐ超格子層１０７の持つ比較的高い電気抵抗による望
ましくない効果が前記溝内に浸入して形成された電極層
１１０によって実質的にバイパスされる。よって、ｐク
ラッド層１０６に対してその周囲で水平方向のコンタク
トを形成している電極１１０は、当該ｐクラッド層１０
６及び活性領域１０５に対して、低外部抵抗を有するア
クセス手段として機能している；このため、全体として
の電気抵抗及びレーザ１００における熱の生成が低減さ
れる。 ［００１３］以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。例えば、ｐ型及びｎ型材料は相互
に交換され得る。さらに、他のＩＩＩ−Ｖ族材料、例え
ばＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ等も用いられ得る。また、９反
射鏡１０７の上部表面上に位置する部分の電極１１０が
省略されるあるいはそこに開口部が設けられてレーザ１
００によって生成された光輻射がｎ反射鏡１０３の底部
表面だけでなく９反射鏡１０７の上部表面からも放出さ
れるようにすることも可能である。最後に、二重へテロ
構造に代わりに多重量子井戸等の他の構造も用いられ得
る。 ［００１４］尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は
発明の容易なる理解のためで、その技術的範囲を制限す
るよう解釈されるべきではない。 ［００１５］
側にもＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ等よりなるオーミック接続のた
めの電極（図示せず）が形成されていることに注意され
たい。 ［００１１］前記半絶縁層１０９は、垂直型レーザにお
いて望まれているように、電極によって供給された電流
を上部クラッド層１０６及び活性領域１０５にシリーズ
に注入させるように機能する。 ［００１２］ レーザ動作中は、電極層１１０に電圧が
印加されて層１０５と１０４との間のｐｎ接合に順方向
バイアスが印加される。活性領域１０５において生成さ
れた光は９反射鏡１０７とｎ反射鏡１０３とによって形
成された高反射率ファプリー・ペロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐ
ｅｒｏｔ）共振器内に閉じ込められることになり、同時
にｐ超格子層１０７の持つ比較的高い電気抵抗による望
ましくない効果が前記溝内に浸入して形成された電極層
１１０によって実質的にバイパスされる。よって、ｐク
ラッド層１０６に対してその周囲で水平方向のコンタク
トを形成している電極１１０は、当該ｐクラッド層１０
６及び活性領域１０５に対して、低外部抵抗を有するア
クセス手段として機能している；このため、全体として
の電気抵抗及びレーザ１００における熱の生成が低減さ
れる。 ［００１３］以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。例えば、ｐ型及びｎ型材料は相互
に交換され得る。さらに、他のＩＩＩ−Ｖ族材料、例え
ばＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ等も用いられ得る。また、９反
射鏡１０７の上部表面上に位置する部分の電極１１０が
省略されるあるいはそこに開口部が設けられてレーザ１
００によって生成された光輻射がｎ反射鏡１０３の底部
表面だけでなく９反射鏡１０７の上部表面からも放出さ
れるようにすることも可能である。最後に、二重へテロ
構造に代わりに多重量子井戸等の他の構造も用いられ得
る。 ［００１４］尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は
発明の容易なる理解のためで、その技術的範囲を制限す
るよう解釈されるべきではない。 ［００１５］
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、上
部電極を直接上部クラッド領域の周囲（環状）部に接触
させることにより熱の生成を低減させた垂直型レーザが
形成される。
部電極を直接上部クラッド領域の周囲（環状）部に接触
させることにより熱の生成を低減させた垂直型レーザが
形成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従った垂直型半導体レーザの断面図。
１００ 垂直型半導体レーザ
１０１ 半導体基板
１０２ 出力孔
１０３ 底部鏡（超格子）
１０４ 底部クラッド層
１０５ 活性領域
１０６ 上部クラッド層
１０７ 上部鏡（超格子）
１０８溝
１０９ 半絶縁層
１１０ 上部電極
【図１】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１１ （ａ）半導体主部中に位置する光学
活性領域（１０５）と、 （ｂ）前記光学活性領域の上部に位置する光学的クラッ
ド層（１０６）と、 （Ｃ）前記上部クラッド層（１０６）上に位置する上部
鏡（１０７）とを有する垂直型半導体レーザにおいて、
上部電極（１１０）が前記上部クラッド層（１０６）の
周囲に接触していることを特徴とする垂直型半導体レー
ザ。 【請求項２】 前記レーザが、さらに、前記活性領域の
底部表面に接する底部クラッド層（１０４）を有するこ
と、を特徴とする請求項１に記載の垂直型半導体レーザ
。 【請求項３】 前記レーザが、さらに、前記底部クラッ
ド層の底部表面に接する底部鏡（１０３）を有すること
、を特徴とする請求項２に記載の垂直型半導体レーザ。 【請求項４】 前記上部鏡が積層半導体超格子によって
形成されていることを特徴とする請求項３に記載の垂直
型半導体レーザ。 【請求項５】 前記レーザが、さらに、前記底部鏡がそ
の上部主表面上に形成されている半導体基板（１０１）
を有すること、を特徴とする請求項４に記載の垂直型半
導体レーザ。 【請求項６】 前記底部鏡が積層半導体超格子によって
形成されていることを特徴とする請求項３に記載の垂直
型半導体レーザ。 【請求項７】 前記底部鏡、底部クラッド層、活性領域
、上部クラッド層、及び上部鏡が半導体基板の上部表面
上に連続してエピタキシャル成長させられていることを
特徴とする請求項６に記載の垂直型半導体レーザ。 【請求項８】 前記レーザが、さらに、前記活性領域の
側壁部に接するように位置する半絶縁層（１０９）を有
することを特徴とする請求項１に記載の垂直型半導体レ
ーザ。 【請求項９】 前記レーザが、さらに、前記活性領域の
側壁部に接するように位置する半絶縁層（１０９）を有
することを特徴とする請求項２に記載の垂直型半導体レ
ーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/462,244 US4999843A (en) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Vertical semiconductor laser with lateral electrode contact |
| US462244 | 1990-01-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211186A true JPH04211186A (ja) | 1992-08-03 |
| JP2857256B2 JP2857256B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=23835721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3011565A Expired - Lifetime JP2857256B2 (ja) | 1990-01-09 | 1991-01-08 | 垂直型半導体レーザ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4999843A (ja) |
| EP (1) | EP0439929B1 (ja) |
| JP (1) | JP2857256B2 (ja) |
| CA (1) | CA2031541C (ja) |
| DE (1) | DE69007461T2 (ja) |
| HK (1) | HK100394A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006120881A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザ素子 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5363397A (en) * | 1992-10-29 | 1994-11-08 | Internatioal Business Machines Corporation | Integrated short cavity laser with bragg mirrors |
| US5559053A (en) * | 1994-04-14 | 1996-09-24 | Lucent Technologies Inc. | Vertical cavity semiconductor laser |
| US5960024A (en) | 1998-03-30 | 1999-09-28 | Bandwidth Unlimited, Inc. | Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy |
| US6487231B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493371B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6535541B1 (en) | 1998-04-14 | 2003-03-18 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US5991326A (en) | 1998-04-14 | 1999-11-23 | Bandwidth9, Inc. | Lattice-relaxed verticle optical cavities |
| US6493372B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6760357B1 (en) | 1998-04-14 | 2004-07-06 | Bandwidth9 | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493373B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487230B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6226425B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-05-01 | Bandwidth9 | Flexible optical multiplexer |
| US6233263B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-05-15 | Bandwidth9 | Monitoring and control assembly for wavelength stabilized optical system |
| US6275513B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-14 | Bandwidth 9 | Hermetically sealed semiconductor laser device |
| JP2003023211A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| EP2058908A1 (en) * | 2007-10-22 | 2009-05-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure for an optoelectronical device including micropillar like semi-conductors and corresponding processes. |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081887A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-09 | Rohm Co Ltd | 面発光レ−ザおよびその製造方法 |
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| JPS61214493A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Tokyo Inst Of Technol | 面発光型レ−ザ素子およびその製造方法 |
| JPH0740619B2 (ja) * | 1985-10-14 | 1995-05-01 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6444086A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Seiko Epson Corp | Photo amplifier |
| JPH0793473B2 (ja) * | 1987-10-06 | 1995-10-09 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体素子 |
| DE3856396T2 (de) * | 1988-01-06 | 2000-08-31 | Telstra Corp Ltd | Strominjektionslaser |
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1990
- 1990-01-09 US US07/462,244 patent/US4999843A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-05 CA CA002031541A patent/CA2031541C/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-07 DE DE69007461T patent/DE69007461T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-07 EP EP90313331A patent/EP0439929B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-08 JP JP3011565A patent/JP2857256B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2857256B2 (ja) | 1999-02-17 |
| DE69007461T2 (de) | 1994-07-07 |
| HK100394A (en) | 1994-09-30 |
| DE69007461D1 (de) | 1994-04-21 |
| US4999843A (en) | 1991-03-12 |
| EP0439929A1 (en) | 1991-08-07 |
| CA2031541C (en) | 1995-04-18 |
| EP0439929B1 (en) | 1994-03-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091127 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101127 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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