JPH11150340A - 垂直キャビティを有する表面発光型半導体レーザ - Google Patents

垂直キャビティを有する表面発光型半導体レーザ

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JPH11150340A
JPH11150340A JP10264075A JP26407598A JPH11150340A JP H11150340 A JPH11150340 A JP H11150340A JP 10264075 A JP10264075 A JP 10264075A JP 26407598 A JP26407598 A JP 26407598A JP H11150340 A JPH11150340 A JP H11150340A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 密に配置しても電気、光、または熱の影響を
受けにくく、各素子を別個に独立して発光させることの
できる垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ素子を提
供する。 【解決手段】 活性層１１６と、活性層上方の上方ＤＢ
Ｒ１２８と、活性層下方の下方ＤＢＲ１０６とからなる
複数半導体層に半環状の溝２００を形成する。溝２００
の内側には側方酸化によって形成された自然の酸化物層
２０４によって規定される開口２０２を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はモノリシック半導体
レーザアレイに関し、より特定的には、自然の酸化物層
を用いて光を閉じ込め、および電気的絶縁を行う、個別
アドレス指定可能な高密度垂直キャビティレーザアレイ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】モノリシック固体半導体レーザアレイ
は、高速レーザ印刷、光ファイバ通信等の光源として非
常に望ましいものである。現在、応用されている大多数
はエッジ発光型レーザであるが、近年では垂直キャビテ
ィ表面発光型半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ）が関心を集め
ている。通常のレーザ構造は、いわゆる「エッジ発光型
レーザ」と呼ばれるもので、モノリシック構造の半導体
層のエッジ部から光が発射される。これに対して「ＶＣ
ＳＥＬ」構造のレーザでは、モノリシック構造の半導体
層の表面から光が放射される。
【０００３】ＶＣＳＥＬに関心が集まっている理由は、
エッジ発光型レーザから発せられるビームは角度のばら
つきが大きく、放射されたビーム群の効率的な集光が難
しいためである。また、エッジ発光型レーザは、ウエハ
を個々のデバイスに分割して、そのエッジが各素子の鏡
面となるまで検査ができない。一方、ＶＣＳＥＬはビー
ムの角度ばらつきが小さいだけでなく、ウエハ表面に鉛
直に発光する。また、ＶＣＳＥＬは、設計上ミラーを一
体的に組み入れているので、オンウエハ検査および一次
元または二次元レーザアレイの製造が可能である。
【０００４】このようなレーザアレイでは、ＶＣＳＥＬ
素子をできるだけ密に配置することが望まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし素子を密に配置
すると電気的接続およびヒートシンク（吸放熱材）によ
る冷却が難しい。さらに、密に配置したＶＣＳＥＬ素子
は電気、光、または熱の少なくともいずれかと相互に影
響しあう傾向がある。「漏話（クロストーク）」と呼ば
れるこの相互影響は、一般的には望ましくない。
【０００６】個々のＶＣＳＥＬレーザは低出力デバイス
である。出力を上げ、光学系の設計を簡素化するため
に、ＶＣＳＥＬのアレイを使用することができる。アレ
イ中の各ＶＣＳＥＬ素子を互いに光学的にうまく整列さ
せ、かつ整列を維持し、また関連する組立て作業を最小
限に抑えるため、アレイはＶＣＳＥＬ素子群が１つの半
導体構造中に存在するように製造されている。
【０００７】別の問題点としてアレイ中の各レーザ素子
を個々にアドレス指定できるようにすることがある。レ
ーザ素子が互いに密接し、より高密度に配置されるに従
い、各素子を別個に独立して発光させることがより困難
になる。
【０００８】アレイの表面エミッタを個々にアドレス指
定可能にする各コンタクト（接触子）が、半導体構造の
発光面と同じ側にある場合、表面発光型光源間の横の間
隔が制限され、この結果、アレイの密度が限定されてし
まう。コンタクトの直径は発光面の直径よりも大きくな
る。またコンタクトの形状が環状の場合、発光表面に明
確な開口を維持しながらコンタクトを設けるのは一層難
しくなる。直接ワイヤボンディングを行う場合は、コン
タクトは補助パッドを必要としうる。さらに、表面コン
タクトと発光面とが同じ面にあると、発熱量が増大し、
エネルギ発散の問題が生じうる。
【０００９】アレイの表面エミッタを個々にアドレス指
定可能にする各コンタクトは、レーザのキャビティと直
接整列していなければならない。整列させることによっ
て、電気的抵抗、各エミッタへ広がる電流、および電極
サイズを最小限に抑えられるので、有利となる。またヒ
ートシンクを発光領域にできるだけ近づけて配置するこ
とも可能になる。電流の広がりを最小限にすることによ
り、個々のレーザ素子の電気的絶縁が助長される。
【００１０】アルミニウム含有量の多いアルミニウムガ
リウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）半導体層は、自然の酸化物
ＡｌＯｘを高温でウェット酸化することによって、安定
した電気的絶縁性のある光閉じ込め型半導体層を形成で
きる。ＡｌＧａＡｓはＶＣＳＥＬを含む半導体レーザで
使用する半導体層として一般的なものである。
【００１１】半導体構造中のＡｌＧａＡｓ埋蔵層（ｂｕ
ｒｉｅｄ ｌａｙｅｒ）は、横方向に酸化してＶＣＳＥ
Ｌ中の光および電気閉じ込め用の埋蔵型開口を形成でき
る。ＶＣＳＥＬダイオードは個々に製造できる。半導体
構造のキャップ層および閉じ込め層を、該構造の活性領
域の上のＡｌＡｓ（またはＡｌ含有量の高い合金）層が
露出するまで下方エッチングすることによって、円形ま
たは角形のメサ（ｍｅｓａ）が規定される。その後、ウ
ェット酸化を行ってＡｌＡｓ層を自然の酸化物に変えて
電流閉じ込め用の小さな円形または角形の開口を形成す
る。自然の酸化物の屈折率は約１．６であり、これはＡ
ｌＡｓの屈折率よりも低い。酸化物の開口は活性領域中
で横方向に導波して光を閉じ込めることもできる。
【００１２】エッチングされたメサの上面には、電極の
ｐ型コンタクト層が直接堆積される。メサはワイヤーボ
ンディング用の大きなコンタクトパッド（一般的には５
０ｍｍ×５０ｍｍ程度）を収容できる大きさでなければ
ならず、この構造では配置が密なＶＣＳＥＬアレイを構
成することはできない。
【００１３】本発明の目的は、選択的に酸化した自然の
酸化物層を用いた、高密度で個別アドレス指定可能なモ
ノリシックＶＣＳＥＬアレイ構造を提供することであ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、側方酸化工程
によって形成される、個別アドレス指定可能で高密度な
垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ構造を提供す
る。レーザ構造に開口を形成するには、側方ウェット酸
化のみ、またはレーザ構造中にエッチングした半環状の
溝からの選択的な層の混合と側方ウェット酸化との両工
程によって行われる。
【００１５】半環状にエッチングした溝から選択的側方
ウェット酸化を行って、光開口を形成することができ
る。または、層の順序を変えて、レーザ構造の活性領域
近傍のＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓヘテロ構造から混合領域
を規定し、その後、半環状にエッチングされた溝から選
択的側方酸化を行って、混合領域によって規定される光
開口を形成することもできる。
【００１６】溝が半環状なため平面部が残り、環状電極
をコンタクトパッドに接続できるようになる。アレイ中
のＶＣＳＥＬ間の電気的絶縁には自然の酸化物層を用い
ることができる。このＶＣＳＥＬアレイ構造は共振垂直
キャビティＬＥＤアレイ構造にも用いることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従って側方ウェ
ット酸化によって製造した個別アドレス指定可能な高密
度ＶＣＳＥＬアレイ半導体構造１００を示す。金属・有
機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）として公知のエピタキシ
ャル成長法を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板１０２上に厚さ
約２００ｎｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層１０４を成長さ
せる。ｎ型ＧａＡｓ基板１０２およびｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層１０４のドーピングレベルは、層の抵抗がかなり
低くなるように一般的には約３×１０18ｃｍ-3から７×
１０18ｃｍ-3の範囲である。これらの半導体層は、液相
エピタキシー（ＬＰＥ）、分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）、またはその他の公知の結晶育成法によって基板上
に成長させてもよい。
【００１８】ＧａＡｓバッファ層１０４の上には、ＶＣ
ＳＥＬ構造中に必要な内部反射を与える下方ブラッグレ
フレクタ（ＤＢＲ）１０６を形成する超格子構造が設け
られる。通常、下方ＤＢＲ１０６は、アルミニウム含有
量の高いＡｌＧａＡｓ層１０８と、アルミニウム含有量
の低い別のＡｌＧａＡｓ層１１０との複数の対から形成
される。これらの層対を多数堆積した後、アルミニウム
含有量の高い最後のＡｌＧａＡｓ層１１２を成長させ、
その上に光キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）の下方ＡｌＧａ
Ａｓ閉じこめ層１１４を成長させる。
【００１９】層１０８と１１０の各対の一般的な厚さ
は、８２０ｎｍ波長のレーザでは約１２０ｎｍである。
全ての層１０８と１１０の各対の厚みは、意図するレー
ザ光の波長の１／２となるように設計される。アルミニ
ウム含有量の高い最後のＡｌＧａＡｓ層１１２の厚さ
は、意図するレーザ光の波長の１／４となるように設計
される。アルミニウム含有量の高いＡｌＧａＡｓ層１０
８および１１２は約８６％のアルミニウムを含む。高ア
ルミニウム含有のＡｌＧａＡｓ層は、屈折率が低く、容
易に酸化されない程度のアルミニウムを含む。低アルミ
ニウム含有のＡｌＧａＡｓ層１１０のアルミニウム含有
量は約１６％である。低アルミニウム含有ＡｌＧａＡｓ
層は、一般にレーザ波長に対して非吸収性であり、かつ
材料が希望通りの屈折率をもつ程度の少量のアルミニウ
ム組成である。
【００２０】この好適な実施形態では、半導体構造１０
０の上面から発光が行われるため、高い内部反射を得る
ためには、下方ＤＢＲ１０６の反射率はできるだけ１０
０％に近くなければならない。一般に、内部反射が高い
とレーザのしきい値電流は小さくなる。周知のとおり、
下方ＤＢＲ１０６の反射率は、通常、超格子の２つのＡ
ｌＧａＡｓ層の屈折率の差と構造中の層の対の数との関
数として求められる。屈折率の差が大きくなると、必要
な層の対は少なくてすむ。一般に、下方ＤＢＲ１０６構
造を形成するには３０〜４０対のＡｌＧａＡｓ層１０８
および１１０が使用される。
【００２１】下方ＤＢＲ１０６構造のエピタキシャル成
長後、下方ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層１１４が堆積され
る。この下方ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層１１４のアルミニ
ウム含有量は約５８％で、１×１０18ｃｍ-3〜５×１０
18ｃｍ-3のドーピングレベルをもつｎ型層であり、厚さ
は約１００ｎｍである。この下方ＡｌＧａＡｓ閉じ込め
層１１４の上には、厚さ２〜８ｎｍの３つの障壁で隔て
られた厚さ５〜１０ｎｍの４つの量子井戸からなるレー
ザ構造の活性層１１６が設けられる。希望するレーザ構
造の出力波長によって、純粋ＧａＡｓまたはアルミニウ
ム含有量の少ないＡｌＧａＡｓを用いて量子井戸構造を
形成してもよい。本実施形態では、量子井戸は一般にア
ルミニウム含有量が約７％の未ドープのＡｌＧａＡｓか
ら形成される。本発明では、活性層１１６の形成に１つ
または複数の量子井戸構造（ＭΩＷ）を用いてもよい。
【００２２】活性層１１６の上には、ドーパントの極性
以外は下方ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層１１４と同じ構造の
上方ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層１１８が設けられる。この
上方ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層１１８のアルミニウム含有
量は約５８％であるが、１×１０18ｃｍ-3〜４×１０18
ｃｍ-3のドーピングレベルをもつｐ型層である。下方Ａ
ｌＧａＡｓ閉じ込め層１１４と同じく、上方ＡｌＧａＡ
ｓ閉じ込め層１１８の厚さも約１００ｎｍである。一般
にこれら２層のＡｌＧａＡｓ閉じ込め層１１４，１１８
と活性層１１６とで光キャビティを形成し、その中では
希望する光利得が得られる。層１１４，１１６，および
１１８の全体の厚さは、意図するレーザ光の波長の整数
倍に等しくなるように調節できる。
【００２３】上方ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層１１８の上に
は、レーザ開口の形成に用いられる酸化層１２０が設け
られる。レーザ開口は電流の流れを制御し、ひいては活
性層１１６中のレーザ光発射位置を制御する。酸化層１
２０は半導体構造中で活性層１１６よりずっと上の別位
置に置いてもよい。
【００２４】酸化層１２０はＡｌＧａＡｓ層１２２、Ａ
ｌＡｓ層１２４、およびＡｌＧａＡｓ層１２６の３つの
半導体層からなる。酸化層１２０中のこれら３つの層１
２２，１２４，および１２６の厚さはそれぞれ２５ｎｍ
である。２つのＡｌＧａＡｓ層１２２および１２６の一
般的なアルミニウム含有量は４０％である。埋蔵された
これら３つの層は、層の順序変更処理によって混合でき
る。酸化層１２０全体の厚みは活性層１１６から発射さ
れる光の波長の１／４である。
【００２５】一般に、この酸化層１２０は上方ＤＢＲミ
ラーの第１層１２６を含む。
【００２６】電流経路を決定する埋蔵層からなる酸化領
域が活性層より上に位置するため、電流の閉じ込めが向
上される。一般に、酸化領域がｐ型領域に位置する場
合、この状況下では正孔の拡散長が短い、すなわち移動
性が低いため、電流拡散効果が最低限に抑えられる。
【００２７】ＡｌＧａＡｓ層１２２、ＡｌＡｓ層１２
４、およびＡｌＧａＡｓ層１２６を堆積させて酸化層１
２０を形成した後、ｐ型ドーピングを含む上方ＤＢＲ１
２８ミラーの残りの部分が堆積される。上方ＤＢＲ１２
８ミラーはドーパントの極性以外は下方ＤＢＲ１０６ミ
ラーと同じ構造である。また、活性領域の両側にもっと
も近いミラー層は通常はアルミニウム含有量が高い。本
実施形態では、この高アルミニウム含有層１２６は酸化
層１２０にも含まれる。本実施形態の上方ＤＢＲ１２８
の反射率は、半導体構造の表面から光が発射されるため
一般には９８％ないし９９％である。上方ＤＢＲ１２８
は一般的にはアルミニウム含有量の高いＡｌＧａＡｓ層
１３０とアルミニウム含有量の低い別のＡｌＧａＡｓ層
１３２との複数の対から形成される。典型的には、Ａｌ
ＧａＡｓ層１３０および１３２の対を２０〜２５対用い
て、この上方ＤＢＲ１２８ミラーを形成する。
【００２８】多数の層対を成長させた後、キャップおよ
びコンタクト層の前に、アルミニウム含有量の高い、波
長の１／４の厚さをもつ最後のＡｌＧａＡｓ層１３４が
堆積される。上方ｐ型ＤＢＲ１２８の上には、一般にア
ルミニウム成分が４５％、厚さ１００ｎｍ、マグネシウ
ムドーピングレベルが約５×１０18ｃｍ-3であるＡｌＧ
ａＡｓコンタクト層１３６が設けられる。このＡｌＧａ
Ａｓコンタクト層１３６はＧａＡｓキャップ層１３８と
ともに、レーザ構造へのオーム接点の形成を容易にす
る。ＧａＡｓキャップ層１３８は、典型的には厚さ１０
０ｎｍ、マグネシウムドーピング１×１０19ｃｍ-3であ
る。
【００２９】図１に示すように、半導体構造１００の上
面１４０全体にはシリコン酸化物層１４２が堆積され
る。層１４２には、半導体構造がエッチングされる開ウ
インドウ領域１４４が設けられる。ウィンドウ領域１４
４はシリコン酸化物層１４２中で半環状すなわちＣ字型
パターンを形成する。
【００３０】半導体構造１００は、反応性イオンエッチ
ング等の方法によってエッチングされ、図２に示すよう
に垂直な側壁をもつ半環状またはＣ字型の溝２００を形
成する。半環状の溝２００は、後に半導体構造１００の
開口となる所定パターンを形成する。
【００３１】キャップ層１３８およびコンタクト層１３
６、上方ｐ型ＤＢＲ１２８、酸化層１２０、上方ＡｌＧ
ａＡｓ閉じ込め層１１８、活性層１１６、および下方Ａ
ｌＧａＡｓ閉じこめ層１１４を通って、下方ｎ型ＤＢＲ
１０６の上方半導体層１１２までエッチングすることで
溝２００が形成される。半環状溝２００は、側壁に沿っ
て半円形に酸化層１２０およびこの酸化層のＡｌＡｓ層
１２４を特に露出させる。
【００３２】その後、このレーザ構造は、水蒸気環境中
で温度４００〜４５０℃で約１時間、ＡｌＡｓ層１２４
の円形領域２０２が自然の酸化物によって囲まれるまで
酸化される。
【００３３】図３に示す酸化工程では、溝２００を通じ
て酸化層１２０は水蒸気環境に露出される。このため、
アルミニウム含有量の高いＡｌＧａＡｓからなる酸化層
１２０は、溝２００からＡｌＡｓ層１２４の中を円形領
域２０２まで放射状に内側へ、かつ溝２００から放射状
に外側へ酸化される。
【００３４】酸化工程において、構造中の他の層はアル
ミニウム含有量が低いため、ほとんど酸化されない。温
度が一定の場合、ＡｌＧａＡｓ層の酸化率はアルミニウ
ム含有量に対してほぼ指数関数的に増大する。従って、
酸化された層はほぼ９５％と高いアルミニウム含有量の
ＡｌＧａＡｓである。
【００３５】図３の断面図および図４の平面図に示すよ
うに、酸化物が形成されると、酸化層１２０のＡｌＡｓ
層１２４の各領域から自然の酸化物層２０４が形成され
る。自然の酸化物層２０４はレーザ構造の開口である円
形の非酸化領域２０２を囲みかつ規定する。また、この
領域の境界は、エピタキシャル成長法およびホトリソグ
ラフィー法によって規定されるため、比較的滑らかでか
つ明確である。ホトリソグラフィー法は精度が非常に高
いので、開口まわりのスペースを最小限にできる。さら
に、酸化領域はエピタキシャル工程完了後に規定される
ので、本アプローチは非常に柔軟な方法を提供できる。
【００３６】窒化シリコンマスクを除去した後の開口２
０２は自然の酸化物層２０４で囲まれている。開口２０
２は活性層１１６を通る電流経路を制御する。電流は活
性層１１６のうち開口２０２の下方に位置する箇所を通
って流れ、ｐ型およびｎ型の電荷担体（キャリア）のあ
る注入密度を構成し、これにより光増幅を行う。電流が
十分大きければ、この光増幅と、ＤＢＲミラー１０６お
よび１２８からのフィードバックとによって、半導体構
造１００の開口２０２内部から表面１４２を通ってレー
ザ発振および発光が行われる。
【００３７】コンタクト層１３６およびキャップ層１３
８は、溝２００のエッチング時または他のエッチング時
に、半導体構造１００の表面１４２の開口２０２近傍領
域から一旦、取り外され、酸化の前にＡｌＧａＡｓ層１
３４を露出させる。
【００３８】図５に示すように、酸化によって上方ｐ型
ＤＢＲ１２８の上方ＡｌＧａＡｓ層１３４も自然の酸化
物層２０４に変換される。この層２０４は抵抗および電
気的絶縁性が高い。コンタクト層１３６／キャップ層１
３８の表面１４２上および基板１０２底面には、それぞ
れ金属コンタクト２０８，２１０が形成され、レーザを
バイアスする。コンタクトの形成に使用される典型的な
材料は、チタン／金の二層フィルムである。
【００３９】酸化物に囲まれた開口領域２０２の外側の
電極２０８は、自然の酸化物層２０４の最上に位置す
る。電流は活性領域１１６上方の開口２０２を通って活
性領域１１６へ流れ込むようにされ、漏れ電流の発生を
防止する。電気的絶縁は狭い範囲で陽子イオンを注入す
ることでも得られるが、表面酸化のほうがより簡単で経
済的である。
【００４０】図６はＶＣＳＥＬ半導体構造の平面図であ
る。上面の自然の酸化物層２０４は電気的絶縁性の円形
パッドとなる。自然の酸化物層２０４の内側には半環状
の溝２００が位置する。溝２００の内側にはＶＣＳＥＬ
が光を発射する円形の表面発光領域２１２が位置する。
溝２００の内側で発光領域２１２を取り囲む部分は環状
の電極２１４である。相互接続用電極ストライプ２１６
は環状電極２１４をコンタクトパッド２１８へ接続す
る。ストライプ２１６は半環状溝２００の開端部から延
びる。環状電極２１４、相互接続用電極ストライプ２１
６、およびコンタクトパッド２１８で、半導体構造１０
０の上部電極２０８を構成する。
【００４１】環状電極２１４は環状部分のため、レーザ
から発射される光は環状部分の中心を通ることができ
る。ここでもまた、コンタクト形成用の一般的な材料は
チタン／金合金である。
【００４２】半環状の溝を用いてレーザ構造内部深くに
自然の酸化物層を形成することによって、電極をレーザ
内部の活性領域に接触させながら、電極上面を平らに維
持することが可能となる。
【００４３】電極に透明な半導体材料が使用されている
場合は、電極は発光領域２１２を覆ってもよい。使用さ
れる一般的な透明半導体は、スパッタリング法によって
堆積される酸化インジウム錫（ＩＴＯ）である。透明な
半導体を使用すれば、ＶＣＳＥＬ間の間隔をより小さく
できるため、よりコンパクトなレーザ装置を製造でき
る。
【００４４】選択的な層の混合と側方ウェット酸化によ
って開口を構成した、個別アドレス指定可能な高密度ア
レイからなる本発明の半導体構造は、レーザアレイ以外
にも適用できる。本発明の発光素子は共振垂直キャビテ
ィ型発光ダイオード（ＬＥＤ）の構成にも使用できる。
共振垂直キャビティ型ＬＥＤ構造は、共振キャビティＬ
ＥＤでは上下に分散したブラッグ反射ミラーの反射率が
ＶＣＳＥＬで要求される９９％ほど高くなくてもよい点
以外は、ＶＣＳＥＬ構造と同じである。
【００４５】上記の説明で用いた組成、ドーパント、ド
ーピングレベル、および寸法は、例にすぎず、これらの
パラメータは変更可能である。また、図示した層以外の
層を追加してもよい。さらに、温度および時間等の実験
条件も変更可能である。最後に、半導体材料にはＧａＡ
ｓおよびＧａＡｌＡｓ以外に、ＧａＡｌＳｂ、ＩｎＡｌ
ＧａＰ、またはその他のＩＩＩ族−Ｖ族合金を用いても
よい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のＶＣＳＥＬ半導体構造の断面図であ
る。
【図２】 本発明のＶＣＳＥＬ半導体構造の半導体層の
エッチング後の断面図である。
【図３】 本発明のＶＣＳＥＬ半導体構造のエッチング
およびウェット酸化後の断面図である。
【図４】 本発明のＶＣＳＥＬ半導体構造のエッチング
およびウェット酸化後の酸化層の平面図である。
【図５】 本発明のＶＣＳＥＬ半導体構造のエッチング
およびウェット酸化後の他の断面図である。
【図６】 本発明のＶＣＳＥＬ半導体構造の最上層の平
面図である。
【符号の説明】
１００ ＶＣＳＥＬアレイ半導体構造、１０２ 基板、
１０６ 下方ＤＢＲ、１１４ 下方ＡｌＧａＡｓ閉じこ
め層、１１６ 活性層、１１８ 上方ＡｌＧａＡｓ閉じ
込め層、１２０ 酸化層、１２８ 上方ＤＢＲ、１３６
コンタクト層、１３８ キャップ層、１４２ シリコ
ン酸化物層、２００ 溝、２０２ 開口、２０４ 自然
の酸化物層、２０８ 金属コンタクト、２１２ 発光領
域、２１４ 環状電極、２１６ 電極ストライプ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面発光型半導体レーザであって、 基板と、 前記基板上に形成された複数の半導体層と、 前記複数の半導体層のうち活性領域を形成する一層以上
    の層と、 前記活性領域上方に位置する第１のレフレクタおよび前
    記活性領域下方に位置する第２のレフレクタであって、
    前記第１および第２のレフレクタの少なくとも一方は前
    記活性領域から放射された光を一部透過可能な第１およ
    び第２のレフレクタと、 前記活性領域を流れる電流を制御する開口であって、前
    記複数の半導体層中に形成された半環状の溝に取り囲ま
    れた自然の酸化物層によって規定された開口と、 前記活性領域をバイアス可能な第１および第２の電極
    と、を含む表面発光型半導体レーザ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の表面発光型半導体レー
    ザであって、前記第１レフレクタは分散型ブラッグレフ
    レクタである表面発光型半導体レーザ。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の表面発光型半導体レー
    ザであって、さらに第２の自然の酸化物層を含み、前記
    第１の電極の一部が前記第２の自然の酸化物層上に位置
    する表面発光型半導体レーザ。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の表面発光型半導体レー
    ザであって、前記第１のレフレクタおよび前記第２のレ
    フレクタは、分散型ブラッグレフレクタである表面発光
    型半導体レーザ。
JP10264075A 1997-09-26 1998-09-18 垂直キャビティを有する表面発光型半導体レーザ Withdrawn JPH11150340A (ja)

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