JP3257185B2 - 半導体光源装置とその駆動方法 - Google Patents
半導体光源装置とその駆動方法Info
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- JP3257185B2 JP3257185B2 JP25148593A JP25148593A JP3257185B2 JP 3257185 B2 JP3257185 B2 JP 3257185B2 JP 25148593 A JP25148593 A JP 25148593A JP 25148593 A JP25148593 A JP 25148593A JP 3257185 B2 JP3257185 B2 JP 3257185B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、任意の波長の光変調信
号出力から他の任意の波長の光変調信号出力への切り換
えを高速に行いうる半導体光源装置とその駆動方法に関
する。
号出力から他の任意の波長の光変調信号出力への切り換
えを高速に行いうる半導体光源装置とその駆動方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来提案されている高速波長切換光源の
代表的な構造を図１に示す（１９９３年電子情報通信学
会春季大会予稿Ｂ−９６１）。図中、１は波長可変半導
体レーザダイオード素子、２は光スイッチ素子、３は外
部変調器素子、４は光ファイバである。
代表的な構造を図１に示す（１９９３年電子情報通信学
会春季大会予稿Ｂ−９６１）。図中、１は波長可変半導
体レーザダイオード素子、２は光スイッチ素子、３は外
部変調器素子、４は光ファイバである。
【０００３】かかる高速波長切換光源の動作は、以下の
通りである。波長可変半導体レーザダイオード素子１
は、特定の範囲内において出力波長を任意に設定可能で
あるが、波長設定のために数十〜数百ｎｓの時間を要す
る。そのため、１ｎｓ以下の高速で出力波長を切り換え
るために、２個の波長可変半導体レーザダイオード素子
１が用意され、光スイッチ素子２で一方の波長可変半導
体レーザダイオード素子１を選択し、外部変調器素子３
によって変調して出力する。その間、他方の波長可変半
導体レーザダイオード素子１は、次に送り出す波長に設
定して待機させておき、波長切り換え時に光スイッチ素
子２で選択する。このような動作を繰り返すことによ
り、高速な波長切り換えが実現されている。しかし、こ
の従来構造の高速波長切換光源においては、各素子間を
結ぶ光ファイバ４の接続点において、１接続点あたり５
ｄＢ以上、トータルで２５ｄＢ以上の接続損失がある。
また、波長可変半導体レーザダイオード素子１の波長設
定においては、波長設定用電極に電流を注入することか
ら素子温度が変動し、熱による波長ドリフトを伴うた
め、波長安定化のために光学部品と電気回路を組み合わ
せた図２に示すような複雑な波長制御装置を用いる必要
があった。
通りである。波長可変半導体レーザダイオード素子１
は、特定の範囲内において出力波長を任意に設定可能で
あるが、波長設定のために数十〜数百ｎｓの時間を要す
る。そのため、１ｎｓ以下の高速で出力波長を切り換え
るために、２個の波長可変半導体レーザダイオード素子
１が用意され、光スイッチ素子２で一方の波長可変半導
体レーザダイオード素子１を選択し、外部変調器素子３
によって変調して出力する。その間、他方の波長可変半
導体レーザダイオード素子１は、次に送り出す波長に設
定して待機させておき、波長切り換え時に光スイッチ素
子２で選択する。このような動作を繰り返すことによ
り、高速な波長切り換えが実現されている。しかし、こ
の従来構造の高速波長切換光源においては、各素子間を
結ぶ光ファイバ４の接続点において、１接続点あたり５
ｄＢ以上、トータルで２５ｄＢ以上の接続損失がある。
また、波長可変半導体レーザダイオード素子１の波長設
定においては、波長設定用電極に電流を注入することか
ら素子温度が変動し、熱による波長ドリフトを伴うた
め、波長安定化のために光学部品と電気回路を組み合わ
せた図２に示すような複雑な波長制御装置を用いる必要
があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の高速
波長切換光源では、各素子と接続用の光ファイバの接続
点数が多いため、装置の組立に高精度（１μｍ程度）が
要求される箇所が多く、また、各接続点で損失が発生す
るので、波長可変半導体レーザダイオード素子から出射
された光パワーが有効に用いられないという欠点があっ
た。さらに波長設定後に波長可変半導体レーザダイオー
ド素子内における温度変動による波長ドリフトが発生す
るため、波長安定化のために同様の高精度の組み立て箇
所を含む複雑な制御装置を組み合わせて用いる必要があ
った。
波長切換光源では、各素子と接続用の光ファイバの接続
点数が多いため、装置の組立に高精度（１μｍ程度）が
要求される箇所が多く、また、各接続点で損失が発生す
るので、波長可変半導体レーザダイオード素子から出射
された光パワーが有効に用いられないという欠点があっ
た。さらに波長設定後に波長可変半導体レーザダイオー
ド素子内における温度変動による波長ドリフトが発生す
るため、波長安定化のために同様の高精度の組み立て箇
所を含む複雑な制御装置を組み合わせて用いる必要があ
った。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑み、単純な
構成で、かつ高効率、高信頼性、簡単な制御回路で動作
可能な高速波長切換光源となる半導体光源装置を提供す
ることを課題とする。
構成で、かつ高効率、高信頼性、簡単な制御回路で動作
可能な高速波長切換光源となる半導体光源装置を提供す
ることを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成する本発
明の構成は、同一半導体基板上に、波長可変レーザダ
イオード素子と吸収型光スイッチ素子各１個が直列に配
置された単位素子を並列に複数組配置し、さらに当該単
位素子の複数の光出力端子を１つの光出力端子にまとめ
るための光合流素子あるいは光カプラ素子と出力光を変
調するための吸収型光変調器素子とを配置すること、
個々の波長可変レーザダイオード素子の波長設定用電極
に隣接して熱ドリフト制御用電極を設け、該波長可変用
電極に注入する電流量と該熱ドリフト制御用電極に注入
する電流量を相補的に制御する電気回路を組み合わせて
構成したことを特徴とする。
明の構成は、同一半導体基板上に、波長可変レーザダ
イオード素子と吸収型光スイッチ素子各１個が直列に配
置された単位素子を並列に複数組配置し、さらに当該単
位素子の複数の光出力端子を１つの光出力端子にまとめ
るための光合流素子あるいは光カプラ素子と出力光を変
調するための吸収型光変調器素子とを配置すること、
個々の波長可変レーザダイオード素子の波長設定用電極
に隣接して熱ドリフト制御用電極を設け、該波長可変用
電極に注入する電流量と該熱ドリフト制御用電極に注入
する電流量を相補的に制御する電気回路を組み合わせて
構成したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記構成の本発明は、高速波長切換光源として
作用する。すなわち、複数の波長可変レーザダイオード
素子によってあらかじめ出力波長を設定し、吸収型光ス
イッチ素子で一つの波長可変レーザダイオード素子を選
択して出力波長を切り換えるため、０．１ｎｓ以下の高
速な波長切換が可能であり、選択された波長可変レーザ
ダイオード素子より出射された光は、外部変調器素子に
よって変調されて信号光として出力される。また、吸収
型光スイッチ素子によって選択されていない波長可変レ
ーザダイオード素子は、待機時間を利用して任意の波長
に設定でき、波長安定後に吸収型光スイッチによって選
択されるため、本発明の装置は、任意の波長の光変調信
号列を０．１ｎｓ以下の切り換え時間で、次々にに送り
出すという動作を行う。さらに本発明においては、熱ド
リフト制御用電極を設けたことにより、波長設定が簡単
な電気回路のみで可能となった。
作用する。すなわち、複数の波長可変レーザダイオード
素子によってあらかじめ出力波長を設定し、吸収型光ス
イッチ素子で一つの波長可変レーザダイオード素子を選
択して出力波長を切り換えるため、０．１ｎｓ以下の高
速な波長切換が可能であり、選択された波長可変レーザ
ダイオード素子より出射された光は、外部変調器素子に
よって変調されて信号光として出力される。また、吸収
型光スイッチ素子によって選択されていない波長可変レ
ーザダイオード素子は、待機時間を利用して任意の波長
に設定でき、波長安定後に吸収型光スイッチによって選
択されるため、本発明の装置は、任意の波長の光変調信
号列を０．１ｎｓ以下の切り換え時間で、次々にに送り
出すという動作を行う。さらに本発明においては、熱ド
リフト制御用電極を設けたことにより、波長設定が簡単
な電気回路のみで可能となった。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。
明する。
【０００９】図３は、本発明による半導体光源装置の一
実施例を示す図である。波長可変レーザダイオード素子
と吸収型光スイッチ素子各２個とＹ型光合流回路と吸収
型光変調器素子とからなる半導体モノリシック素子と電
気制御回路を用いて実現する場合の構成図である。図
中、１０は半導体基板、２１および２２は波長可変レー
ザダイオード素子、２１Ａおよび２２Ａは当該波長可変
レーザダイオード素子を構成する活性領域電極、同様に
２１Ｂおよび２２Ｂは波長設定用電極、３１および３２
は吸収型光スイッチ素子、４０はＹ型光合流回路、５０
は吸収型光変調器素子、６１および６２は熱ドリフト制
御用電極、７１および７２は波長設定用電気制御回路で
ある。
実施例を示す図である。波長可変レーザダイオード素子
と吸収型光スイッチ素子各２個とＹ型光合流回路と吸収
型光変調器素子とからなる半導体モノリシック素子と電
気制御回路を用いて実現する場合の構成図である。図
中、１０は半導体基板、２１および２２は波長可変レー
ザダイオード素子、２１Ａおよび２２Ａは当該波長可変
レーザダイオード素子を構成する活性領域電極、同様に
２１Ｂおよび２２Ｂは波長設定用電極、３１および３２
は吸収型光スイッチ素子、４０はＹ型光合流回路、５０
は吸収型光変調器素子、６１および６２は熱ドリフト制
御用電極、７１および７２は波長設定用電気制御回路で
ある。
【００１０】図４および図５は、図３に示した本発明に
よる半導体光源装置の一実施例の半導体モノリシック素
子部分について構造を示した一部断面視した斜視図およ
び要部の断面図である。図中、１００は基板となるｎ型
ＩｎＰ層、１０１はｐ型ＩｎＧａＡｓ層、１０２はｐ型
ＩｎＰ層、１０３は波長可変レーザダイオード素子の活
性層となる２種類の組成のＩｎＧａＡｓＰ層の多重積層
によって構成された多重量子井戸層、１０４は吸収型光
スイッチ素子および吸収型光変調器素子の光吸収層とな
る２種類の組成のＩｎＧａＡｓＰ層の多重積層によって
構成された多重量子井戸層、１０５は１０４で示された
多重量子井戸層に回折格子を形成することによって構成
した波長設定用ブラッグ反射鏡層、１０６は透明光導波
路層となるＩｎＧａＡｓＰ層、１０７は透明光導波路の
損失を低減するためのアンドープＩｎＰ層、１１０は吸
収型光スイッチ素子および吸収型変調器素子のポンディ
ングパッド電極部分の浮遊容量を低減するためのポリイ
ミド層、１２０は裏面側電極である。図４および図５に
は示されていないが、吸収型光変調器素子５０の断面構
造は、吸収型光スイッチ素子３１および３２と同一であ
る。また熱ドリフト制御用電極６１および６２直下の構
造は、波長設定用電極２１Ｂおよび２２Ｂ直下の構造と
同一である。
よる半導体光源装置の一実施例の半導体モノリシック素
子部分について構造を示した一部断面視した斜視図およ
び要部の断面図である。図中、１００は基板となるｎ型
ＩｎＰ層、１０１はｐ型ＩｎＧａＡｓ層、１０２はｐ型
ＩｎＰ層、１０３は波長可変レーザダイオード素子の活
性層となる２種類の組成のＩｎＧａＡｓＰ層の多重積層
によって構成された多重量子井戸層、１０４は吸収型光
スイッチ素子および吸収型光変調器素子の光吸収層とな
る２種類の組成のＩｎＧａＡｓＰ層の多重積層によって
構成された多重量子井戸層、１０５は１０４で示された
多重量子井戸層に回折格子を形成することによって構成
した波長設定用ブラッグ反射鏡層、１０６は透明光導波
路層となるＩｎＧａＡｓＰ層、１０７は透明光導波路の
損失を低減するためのアンドープＩｎＰ層、１１０は吸
収型光スイッチ素子および吸収型変調器素子のポンディ
ングパッド電極部分の浮遊容量を低減するためのポリイ
ミド層、１２０は裏面側電極である。図４および図５に
は示されていないが、吸収型光変調器素子５０の断面構
造は、吸収型光スイッチ素子３１および３２と同一であ
る。また熱ドリフト制御用電極６１および６２直下の構
造は、波長設定用電極２１Ｂおよび２２Ｂ直下の構造と
同一である。
【００１１】次に、図３に示した実施例における装置の
動作について説明する。
動作について説明する。
【００１２】波長可変レーザダイオード素子２１および
２２は、それぞれ所要のパワー、所要の波長で発振する
ように、活性領域電極と波長設定用電極に電流が注入さ
れている。熱ドリフト制御用電極６１および６２には、
後に詳しく示す方法によって制御された電流が注入され
ている。波長可変レーザダイオード素子２１および２２
によって発せられたレーザ光は、吸収型光スイッチ素子
３１および３２によって一方が選択され、Ｙ型光合流回
路４０を通して吸収型光変調器素子５０に導かれ、変調
された光信号として出射される。出射信号光の波長の切
り換えは、吸収型光スイッチ素子３１および３２のｏｎ
／ｏｆｆの組み合わせを反転することによって行う。送
信光信号の波長を時系列上で任意に設定するためには、
吸収型光スイッチ素子のｏｎ／ｏｆｆ反転後に選択され
ていない側の波長可変レーザダイオード素子の波長を設
定し、次のｏｎ／ｏｆｆ反転まで待機状態にするという
動作を繰り返せばよい。
２２は、それぞれ所要のパワー、所要の波長で発振する
ように、活性領域電極と波長設定用電極に電流が注入さ
れている。熱ドリフト制御用電極６１および６２には、
後に詳しく示す方法によって制御された電流が注入され
ている。波長可変レーザダイオード素子２１および２２
によって発せられたレーザ光は、吸収型光スイッチ素子
３１および３２によって一方が選択され、Ｙ型光合流回
路４０を通して吸収型光変調器素子５０に導かれ、変調
された光信号として出射される。出射信号光の波長の切
り換えは、吸収型光スイッチ素子３１および３２のｏｎ
／ｏｆｆの組み合わせを反転することによって行う。送
信光信号の波長を時系列上で任意に設定するためには、
吸収型光スイッチ素子のｏｎ／ｏｆｆ反転後に選択され
ていない側の波長可変レーザダイオード素子の波長を設
定し、次のｏｎ／ｏｆｆ反転まで待機状態にするという
動作を繰り返せばよい。
【００１３】以上の波長設定の際に、波長設定用電極２
１Ｂ，２２Ｂ、熱ドリフト制御用電極６１，６２に注入
される電流量は、以下のように決定される。
１Ｂ，２２Ｂ、熱ドリフト制御用電極６１，６２に注入
される電流量は、以下のように決定される。
【００１４】図３の記号に従って波長設定用電極２１
Ｂ，２２Ｂに注入される電流をそれぞれＩ21B ，Ｉ
22B 、熱ドリフト制御用電極６１，６２に注入される電
流をそれぞれＩ61，Ｉ62とすると、それらの間には次の
関係を保たせる。Ｉｃｏｎｓｔはある一定の電流とす
る。
Ｂ，２２Ｂに注入される電流をそれぞれＩ21B ，Ｉ
22B 、熱ドリフト制御用電極６１，６２に注入される電
流をそれぞれＩ61，Ｉ62とすると、それらの間には次の
関係を保たせる。Ｉｃｏｎｓｔはある一定の電流とす
る。
【００１５】
【数１】 Ｉ21B ＋αＩ61＝Ｉｃｏｎｓｔ Ｉ22B ＋αＩ62＝Ｉｃｏｎｓｔ ここで、αは、波長設定用電極２１Ｂ，２２Ｂと熱ドリ
フト制御用電極６１，６２における一定電流注入時の発
熱量の違いを補正するための係数であり、実際には差動
ＡＭＰの利得を初期設定時に調整することにより決定さ
れる。初期設定後、上記の電流バランスを満たす動作は
波長設定用電気制御回路７１および７２によって自動的
に行われる。
フト制御用電極６１，６２における一定電流注入時の発
熱量の違いを補正するための係数であり、実際には差動
ＡＭＰの利得を初期設定時に調整することにより決定さ
れる。初期設定後、上記の電流バランスを満たす動作は
波長設定用電気制御回路７１および７２によって自動的
に行われる。
【００１６】以上の動作を図６に模式的に示す。本発明
の装置により、図６のように任意の波長の送信光信号列
を次々に出力する場合、各波長設定用電極、熱ドリフト
制御用電極に注入される電流量および吸収型光スイッチ
素子のｏｎ／ｏｆｆの組み合わせを表１に示す。
の装置により、図６のように任意の波長の送信光信号列
を次々に出力する場合、各波長設定用電極、熱ドリフト
制御用電極に注入される電流量および吸収型光スイッチ
素子のｏｎ／ｏｆｆの組み合わせを表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体光
源装置は、同一半導体基板上に単純な素子を組み合わせ
て構成され、簡単な制御回路で動作可能であるため、以
下に示すような効果を奏するものである。
源装置は、同一半導体基板上に単純な素子を組み合わせ
て構成され、簡単な制御回路で動作可能であるため、以
下に示すような効果を奏するものである。
【００１９】（１）光ファイバとの接続点が１箇所のみ
であるため高効率であり、高精度を要する組み立て箇所
が少ない。
であるため高効率であり、高精度を要する組み立て箇所
が少ない。
【００２０】（２）吸収型光スイッチと吸収型光変調器
は本質的に同一素子であるため、制作工程が単純であ
り、高信頼性、低価格が同時に実現できる。
は本質的に同一素子であるため、制作工程が単純であ
り、高信頼性、低価格が同時に実現できる。
【００２１】（３）熱ドリフト制御用電極を有するた
め、波長設定が簡単な電気回路のみで可能である。
め、波長設定が簡単な電気回路のみで可能である。
【図１】従来の高速波長切換光源の一例を示す構成図で
ある。
ある。
【図２】従来の高速波長切換光源に用いられる波長制御
装置の一例を示す構成図である。
装置の一例を示す構成図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体光源装置を示す構
成図である。
成図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体光源装置の半導体
モノリシック素子部分の構造を示す一部断面視した斜視
図である。
モノリシック素子部分の構造を示す一部断面視した斜視
図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ′線に沿う断面図である。
【図６】本発明の実施例による動作を説明するための模
式図である。
式図である。
１０ 半導体基板 ２１，２２ 波長可変レーザダイオード素子 ２１Ａ，２２Ａ 波長可変レーザダイオード素子を構成
する活性領域電極 ２１Ｂ，２２Ｂ 波長可変レーザダイオード素子を構成
する波長設定用電極 ３１，３２ 吸収型光スイッチ素子 ４０ Ｙ型光合流回路 ５０ 吸収型光変調器素子 ６１，６２ 熱ドリフト制御用電極 ７１，７２ 波長設定用電気制御回路 １００ ｎ型ＩｎＰ層 １０１ ｐ型ＩｎＧａＡｓ層 １０２ ｐ型ＩｎＰ層 １０３ 波長可変レーザダイオード素子の活性層となる
多重量子井戸層 １０４ 吸収型光スイッチ素子および吸収型光変調器素
子の光吸収層となる多重量子井戸層 １０５ 波長設定用ブラッグ反射鏡層 １０６ 透明光導波路層となるＩｎＧａＡｓＰ層 １０７ アンドープＩｎＰ層 １１０ ポリイミド層 １２０ 裏面側電極
する活性領域電極 ２１Ｂ，２２Ｂ 波長可変レーザダイオード素子を構成
する波長設定用電極 ３１，３２ 吸収型光スイッチ素子 ４０ Ｙ型光合流回路 ５０ 吸収型光変調器素子 ６１，６２ 熱ドリフト制御用電極 ７１，７２ 波長設定用電気制御回路 １００ ｎ型ＩｎＰ層 １０１ ｐ型ＩｎＧａＡｓ層 １０２ ｐ型ＩｎＰ層 １０３ 波長可変レーザダイオード素子の活性層となる
多重量子井戸層 １０４ 吸収型光スイッチ素子および吸収型光変調器素
子の光吸収層となる多重量子井戸層 １０５ 波長設定用ブラッグ反射鏡層 １０６ 透明光導波路層となるＩｎＧａＡｓＰ層 １０７ アンドープＩｎＰ層 １１０ ポリイミド層 １２０ 裏面側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉國 裕三 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−286296（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−53178（ＪＰ，Ａ) 1993年電子情報通信学会春季大会Ｂ− 961 ｐ．４−99 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】 同一半導体基板上に、波長可変レーザダ
イオード素子と吸収型光スイッチ素子各１個が直列に配
置された単位素子を並列に複数組配置し、さらに該単位
素子の複数の光出力端子を１つの光出力端子にまとめる
ための光合流素子あるいは光カプラ素子と、出力光を変
調するための吸収型光変調器素子とを配置してなる半導
体光源装置であって、 前記個々の波長可変レーザダイオード素子の波長設定用
電極に隣接して熱ドリフト制御用電極を設けるととも
に、前記波長設定用電極に注入する電流量と前記熱ドリ
フト制御用電極に注入する電流量を相補的に制御する電
気回路を組み合わせたことを特徴とする半導体光源装
置。 - 【請求項２】 同一半導体基板上に、波長可変レーザダ
イオード素子と吸収型光スイッチ素子各１個が直列に配
置された単位素子を並列に複数組配置し、さらに当該単
位素子の複数の光出力端子を１つの光出力端子にまとめ
るための光合流素子あるいは光カプラ素子と、出力光を
変調するための吸収型光変調器素子とを配置してなる半
導体光源装置の駆動方法であって、 前記個々の波長可変レーザダイオード素子の波長設定用
電極に隣接して熱ドリフト制御用電極を設け、当該波長
設定用電極に注入する電流量と当該熱ドリフト制御用電
極に注入する電流とを相補的に制御して発振波長の熱ド
リフトを制御することを特徴とする半導体光源装置の駆
動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25148593A JP3257185B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 半導体光源装置とその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25148593A JP3257185B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 半導体光源装置とその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106548A JPH07106548A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3257185B2 true JP3257185B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=17223511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25148593A Expired - Lifetime JP3257185B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 半導体光源装置とその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257185B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008108475A1 (ja) | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 波長可変半導体レーザ素子及びその制御装置、制御方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047264A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | オプティカル・コヒーレント・トモグラフィー装置及びこれに用いる可変波長光発生装置並びに可変波長発光光源 |
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- 1993-10-07 JP JP25148593A patent/JP3257185B2/ja not_active Expired - Lifetime
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