JP2018060973A - 半導体光集積素子およびこれを搭載した光送受信モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】光出力をさらに高出力化することができる半導体光集積素子等を提供すること。
【解決手段】半導体光集積素子は、DFBレーザと、DFBレーザに接続されたEA変調器と、EA変調器の出射端に形成されたSOAとを含み、DFBレーザ、EA変調器およびSOAは、同一基板上にモノリシック集積され、DFBレーザは、回折格子を備える第1の光生成領域と、前記回折格子を備えない第2の光生成領域とを備える。
【選択図】図3
【解決手段】半導体光集積素子は、DFBレーザと、DFBレーザに接続されたEA変調器と、EA変調器の出射端に形成されたSOAとを含み、DFBレーザ、EA変調器およびSOAは、同一基板上にモノリシック集積され、DFBレーザは、回折格子を備える第1の光生成領域と、前記回折格子を備えない第2の光生成領域とを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、分布帰還型(DFB:Distributed FeedBack)の半導体光集積素子に関する。
分布帰還型(DFB:Distributed FeedBack)レーザは、単一波長性に優れており、単一の基板上に電界吸収型(EA: Electroabsorption)変調器とモノシリックに一体化して構成される形態が知られている。この形態の半導体光集積素子(EA−DFBレーザ)は、伝送距離40km以上の長距離伝送用発光装置として用いられ、このときの信号光波長は主に、光ファイバの伝播損失が小さい1550nm帯が用いられるが、光ファイバに生じる波長分散の影響を受けにくい1300nm帯でも信号光波長は用いられている。
このようなEA−DFBレーザにおいて高出力を得るにはEA変調器に印加するDCバイアスの絶対値は小さいほうがよい一方、長距離伝送が可能な光波形を得るにはDCバイアスの絶対値は大きいほうがよいというトレードオフの関係がある。このトレードオフの関係を打ち消すために、非特許文献1では、EA変調器の出力端に半導体光増幅器(SOA:Semiconductor Optical Amplifier)をさらに集積することが開示されている。この非特許文献1の開示によれば、EA変調器の出力端に集積されたSOAに電流注入を行うことにより、EA変調器から出力された変調光のチャープ値が変換されて、長距離伝送が実現される。
また、このような長距離伝送を実現するために、特許文献1では、DFBレーザとEA変調器とSOAとが同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子が開示されている。
Toshio Watanabe, 外3名, "Chirp Control of an Optical Signal Using Phase Modulation in a Semiconductor Optical Amplifier", Photonics Technology Letters, 1998年7月, vol.10, No.7, p.1027-1029.
非特許文献1のEA−DFBレーザは、SOAへの電流注入によって長距離伝送が実現される。しかしながら、このEA−DFBレーザでは、DFBレーザから与えられる光によって、SOAから光出力するので、光出力の最大値は、DFBレーザからの光出力の最高値に依拠し、より高出力の光を得ることができないという問題があった。
また、特許文献1の半導体光集積素子では、DFBレーザ全域に、回折格子が形成されているため、シングルモードの安定性が得られるものの、高出力が制限され得る。
本発明は、上記の状況下においてなされたものであり、DFBレーザとEA変調部とSOAとをモノシリック集積したとしても、光出力をさらに高出力化することができる半導体光集積素子を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、DFBレーザと、前記DFBレーザに接続されたEA変調器と、前記EA変調器の出射端に形成されたSOAとを含み、前記DFBレーザ、前記EA変調器および前記SOAは、同一基板上にモノリシック集積され、前記DFBレーザは、回折格子を備える第1の光生成領域と、前記回折格子を備えない第2の光生成領域とを備える。
ここで、前記DFBレーザおよび前記SOAの各々は、同一の制御端子から電流が注入されるように構成してもよい。
前記DFBレーザの前記第2の光生成領域は、前記EA変調器側である前方端面側に設けられ、前記第1の光生成領域は、前記前方端面側とは逆側の後方端面側に設けられるようにしてもよい。
本発明によると、回折格子が光生成領域全体に形成されている単純なDFBレーザに比べて、光出力のさらなる高出力化が実現できる。
以下、本発明の実施形態である半導体光集積素子(以下、単に「光集積素子」という。)について説明する。この実施形態の光集積素子は、EA−DFBレーザである。
[光集積素子100の制御概略]
図1は、本実施形態に係る光集積素子100の制御の概略を説明するための図である。
図1は、本実施形態に係る光集積素子100の制御の概略を説明するための図である。
図1に示すように、この半導体光集積素子100は、光導波方向に対して順に、DFBレーザ101、EA変調器102、およびSOA103を備えており、これらの構成要素は、単一の半導体基板上に、一体的にモノシリック積層されている。
図1において、DFBレーザ101とSOA103とは、同一の制御端子104から注入される電流値Iopによって制御される。このとき、DFBレーザ101への注入電流をIDFBとし、SOA103への注入電流をISOAとすると、電流値Iopは、Iop=IDFB+ISOAで与えられる。
一般に、EA−DFBレーザを搭載した光送信モジュールで許容されるIopの値は60〜80mAである。この観点から、本実施形態の光集積素子100でも、Iopの上限値は、例えば80mAに設定されるのが好ましい。
上述したIopとIDFBとISOAとの関係は、後述する図2において、詳細に示してある。図2は、かかる関係を説明するための図である。図2では、一般的な長さである450μmのDFBレーザ101が使用される。
図2に示すように、例えば、SOA長が50μmの場合、SOA長はDFBレーザの長さ(450μm)に対して1/9となるため、電流値Iopの大部分はDFBレーザに注入される。
一方、図2に示すように、SOA長が150μmの場合、SOA長はDFBレーザの長さに対して1/3となるため、Iop=80mAのときは60mA程度のIDFBがDFBレーザに注入され、20mA程度のISOAがSOAに注入される。
このように、DFBレーザ101およびSOA103の各長さを調整することで、それらに注入される電流IDFB,ISOAを調整することができる。
例えば、「IDFB」を大きくする場合には、「ISOA」は減少する。この関係があるため、仮に光集積素子100からSOA103を無くしてDFBレーザ101およびEA変調器102を備える光集積素子を構成した場合(以下、「比較例」と称す。)には、「ISOA」が無くなる分、「IDFB」が大きくなり、DFBレーザ101からの光出力は、SOA103を集積した光集積素子100のものよりも大きくなる。したがって、比較例の場合、EA変調器102に入力される光強度も大きくなり、EA変調器102に光吸収電流として流れる電流も比較例の方が大きくなる。このことは、EA変調器102の消費電力は、比較例の場合のようにSOAを備えないようにした方が大きいことを意味する。換言すると、本実施形態の光集積素子100のようにSOA103を集積することで、EA変調器102の消費電力は、比較例の場合よりも削減することができる。
例えば、DFBレーザ1の長さが450μmの場合、DFBレーザ1の駆動で閾値電流およびSMSR(Sub-Mode Suppression Ratio)を得るためのIopは、最低でも60mAが必要となる。このため、光導波方向におけるSOA長は、150μm以下とすることが好ましい。
また、例えばDBRレーザ1を300μmに設定する場合は、必要なSMSRを得るためのIopは、40mA程度まで小さくすることができる。このため、SOA103を長くしてSOA103への電流ISOAを増やすことも可能となる。
このように、DFBレーザ101とSOA103の長さのバランス(比率)に応じて、所定の長さのDFBレーザ101に最低限必要な電流を投入できるようにSOA103の長さを変更することで、安定的な単一モード動作と光出力の増幅の両立が実現できる。
[光集積素子100の構成]
次に、上述した光集積素子100の構成について、図3を参照して説明する。
次に、上述した光集積素子100の構成について、図3を参照して説明する。
図3は、光集積素子100の構成例を示す図である。
図3において、光集積素子100は、n型InP基板1を備えており、この基板1上に、光導波方向に対して順に、DFBレーザ部層3と、EA変調器部層2と、SOA部層4とを備える。また、基板1の裏面には、n型電極13を備える。
上述した各層2〜4は、InGaAlAs系の材料もしくはInGaAsP系の材料で形成され、量子井戸構造を有する。
EA変調器部層2とDFBレーザ部層3との間に形成された光導波路層5は、InGaAsP系の材料で形成される。これに加えて、光導波路層5は、EA変調器部層2とSOA部層4との間、およびSOA部層4と素子端面との間にも形成されている。そして、EA変調器部層2、DFBレーザ部層3、SOA部層4および光導波路層5上には、p型InPクラッド層7が形成されている。
図3において、DFBレーザ部層3上の後方端面側の領域(光生成領域)31には、回折格子6が形成されているが、前方端面側(EA変調器102側)の領域(光生成領域)32には、回折格子6が形成されていない。
一般に、回折格子が無い領域(この実施形態では、光生成領域32)を増やせば増やすほど光パワーは大きくなるが、その分、レーザ光のシングルモード安定性が犠牲になる。このため、本実施形態の光集積素子100では、シングルモードの安定性が保てるように、回折格子6の非形成領域32を可能な限り長くして、高出力(ハイパワー)が得られるようにしている。
絶縁膜8は、EA変調器部層2、DFBレーザ部層3、SOA部層4、光導波路層5およびクラッド層7をそれぞれ覆うように形成されている。そして、絶縁膜8上にはベンゾシクロブテン(BCB)9が形成され、BCB9上にはさらに、EA変調器部層2への電圧印加のためのp型電極10、DFBレーザ部層3への電流注入のためのp型電極11、およびSOA部層5への電流注入のためのp型電極12が形成されている。
[光集積素子100の作製方法]
次に、上述した光集積素子100の作製方法について、図3および図4を参照して説明する。図4は、光集積素子100の作製方法の一例を説明するための図である。なお、この作製方法の説明に関連して例示する値は一例であり、自在に変更することができる。
次に、上述した光集積素子100の作製方法について、図3および図4を参照して説明する。図4は、光集積素子100の作製方法の一例を説明するための図である。なお、この作製方法の説明に関連して例示する値は一例であり、自在に変更することができる。
まず、MOCVD法により、n型InP基板1上に、InGaAlAs系の材料からなり、量子井戸構造を有するEA変調器部層2を形成する(図4(a))。このとき、例えば、25℃におけるEA変調器部層2の発光波長は約1470nmとする。また、上述した量子井戸構造は、量子井戸層の厚さを6nm、障壁層の厚さを10nmとする。この場合、量子井戸層と障壁層は、10層程度、交互に積層される。これにより、消光に十分な光閉じ込め構造が形成される。そして、エッチングにより、EA変調器部層2の長さを調整して、EA変調器102を形成する(図4(b))。
次に、基板1上に、InGaAlAs系の材料からなり、量子井戸構造を有するDFBレーザ部層3およびSOA部層4をバットジョイントプロセスにより形成する(図4(c))。このとき、例えば、25℃におけるDFBレーザ部層3およびSOA部層4の発光波長は約1540nmとする。また、これらの層3,4の量子井戸構造についても、例えば、量子井戸層の厚さを4nm、障壁層の厚さを10nmとする。このときの量子井戸層と障壁層は、6層程度、交互に積層される。
さらに、バッドジョイントプロセスにより、InGaAsP系の材料からなる光導波路層5を、EA変調器部層2とDFBレーザ部層3との間、EA変調器部層2とSOA部層4との間、およびSOA部層4と素子端面との間にそれぞれ形成する(図4(d))。光導波路層5としては、例えば、厚さが100nmで組成波長が1150nmのInGaAsPバルク成長層と、厚さが200nmで組成波長が1300nmのInGaAsP成長層と、厚さが100nmで組成波長が1150nmのInGaAsPバルク成長層とを積層した構造を有するのが好ましい。このような構造によって、光損失の小さい光導波路層5が実現する。
DFBレーザ部層3上に、回折格子6を形成する(図4(e))。図4(e)の例では、回折格子6は、DFBレーザ部層3上の一部に形成される。すなわち、DFBレーザ部層3は、回折格子6を備える領域31と、回折格子6を備えない領域32とを含む。この場合、領域31はDFBレーザの後方端面側に形成し、領域32はDFBレーザの前方端面側に形成する。なお、DFBレーザ部層3の全長に対するこれら領域31,32の長さの比率は、後述する高出力のレーザ光が得られれば、自由に設定することができる。
そして、p型InPクラッド層7を、EA変調器部層2、DFBレーザ部層3、SOA部層4および光導波路層5上に形成する(図4(f))。
上述したクラッド層7をエッチングして、導波路構造が、リッジ型導波路構造となるようにする(図4(g))。例えば、リッジ型導波路構造のリッジ幅が2μm程度に設定された場合、光通信に好適な安定した横シングルモード発振が得られることとなる。
なお、本実施形態の光集積素子100は、リッジ導波路に限られず、例えば埋め込み型導波路などを適用することもできる。
次に、EA変調器部層2、DFBレーザ部層3、SOA部層4、光導波路層5およびクラッド層7上をそれぞれ覆うように、絶縁膜8を形成する(図4(h))。そして、絶縁膜8上にBCB9を形成し、BCB9上に、3つのp型電極10,11,12を形成した後、基板1の裏面にn型電極13を形成する(図4(i))。図4(i)の例では、電極10〜13を形成した後、劈開により素子を切り出し、その後スパッタリング法により、素子の後端面には反射率が90%の反射膜を形成するとともに素子の前端面には反射率が0.01%以下の低反射膜を形成する。このようにして、図3に示したDFBレーザ101、EA変調器102、およびSOA103を備えた光集積素子100が作製される。
[光集積素子100の動作]
次に、上述した光集積素子100の動作について、図3〜図4を参照して説明する。
次に、上述した光集積素子100の動作について、図3〜図4を参照して説明する。
先ず、DFBレーザ101およびSOA103の各p型電極11,12に対して同時に順方向バイアスが印加された場合、DFBレーザ部層3において発生した光は、回折格子6により周期的に帰還する。
本実施形態のDFBレーザ101では、回折格子6は後方端面側の領域31に設けられ、端面側(EA変調器102側)の領域32には設けられていない。この場合には、領域31で回折格子6によって共振して出力を増大した光が、領域32に入射される。領域32においては回折格子が存在しないために、領域31からの光を効率よく増幅する。その後、増幅された光はEA変調器102側へ出射する。これにより、シングルモードの高出力のレーザ光が生成されてDFBレーザ部層3から出射される。このときのレーザ光の発振波長は、例えば1550nmである。
そして、上述したDFBレーザ部層3からの高出力のレーザ光は、光導波路層5を介して、EA変調器部層2に入射する。この実施形態では、EA変調器102のp電極10には逆方向バイアスが印加されているため、EA変調器部層2において、高出力のレーザ光が吸収および変調され、それによりレーザ光のオンまたはオフが可能となる。このとき、正のチャープ値を有する高出力の変調光が、EA変調器部層2から出射される。
EA変調器部層2から出射した高出力のレーザ光は、SOA部層4でチャープ値が負値に変換されるとともにさらに増幅されてSOA部層4から外部へ出射する。
以上説明したように、本実施形態の光集積素子100では、DFBレーザ101、EA変調器102およびSOA103は、同一基板上にモノリシック集積される。ここで、DFBレーザ101は、回折格子6を備える領域31と、回折格子6を備えない領域32とを備えるので、領域31で回折格子6によって共振してシングルモードで発振した光が、領域32で効率よく増幅され、その後EA変調器102側へ出射するので、高出力の光出力を得ることができる。
また、本実施形態の光集積素子100では、SOA103は、モノシリック集積されている。このため、SOAがモノリシック集積されておらず別のモジュール部品となっている従来のEA−DFBレーザ(非特許文献1)のものに比べて、消費電力を抑制することができる。すなわち、従来のEA−DFBレーザでは、EA−DFBレーザとの結合損失が大きくなりやすいため、非常に長いSOAに大きな電流を注入しており、結果として、消費電力が増加し得た。また、この消費電力が増加し得る点については、従来のEA−DFBレーザ(非特許文献1)ではSOAへ電流を注入する必要があるので、その分、SOAを備えないEA−DFBレーザ単体のものよりも消費電力が増加し得るという問題があった。
また、本実施形態の光集積素子100では、同一の制御端子104によって、DFBレーザ101およびSOA103への電流を注入するように構成している。そのため、仮に制御端子104を、DFBレーザ101およびSOA103の各々に対応して別々に備えるようにした場合に比べて、制御端子数を少なくすることができる。
次に、本実施形態の光集積素子100の変形例について説明する。
(変更例1)
上記実施形態では、光集積素子100を光送信モジュールに搭載する態様について言及しなかったが、そのような光送信モジュールを構成するようにしてもよい。
上記実施形態では、光集積素子100を光送信モジュールに搭載する態様について言及しなかったが、そのような光送信モジュールを構成するようにしてもよい。
図5は、かかる光送信モジュール200の構成例を例示している。
図5に示す例では、光送信モジュール200は、光集積素子100と、レンズ16と、パッケージ14とを備えており、レンズ16およびパッケージ14で光集積素子100が封止されるように構成されている。パッケージ14は、例えば金属のケース(CAN)で構成される。
図5において、DFBレーザおよびSOAの各p型電極11,12は、同一の制御端子104とワイヤ接続されている。EA変調器のp型電極10は、パッケージリードピン105から高周波配線板15を介してワイヤ接続されている。
(変更例2)
以上では、図1を参照して、同一の制御端子104からDFBレーザ101およびSOA103の各々に電流を注入する場合について説明したが、異なる制御端子から、DFBレーザ101およびSOA103の各々に電流を注入するようにしてもよい。この場合、DFBレーザおよびSOAの各p型電極11,12には、それぞれの制御端子から電流が注入される。
以上では、図1を参照して、同一の制御端子104からDFBレーザ101およびSOA103の各々に電流を注入する場合について説明したが、異なる制御端子から、DFBレーザ101およびSOA103の各々に電流を注入するようにしてもよい。この場合、DFBレーザおよびSOAの各p型電極11,12には、それぞれの制御端子から電流が注入される。
(変更例3)
以上では、1550nm波長で発振する場合について説明したが、それ以外の波長を適用しても上記実施形態と同等の効果を得ることができる。例えば1300nm帯で発振する場合についても、光通信用の光集積素子100の各構成要素101,102,103の結晶組成を変更して適用することもできる。
以上では、1550nm波長で発振する場合について説明したが、それ以外の波長を適用しても上記実施形態と同等の効果を得ることができる。例えば1300nm帯で発振する場合についても、光通信用の光集積素子100の各構成要素101,102,103の結晶組成を変更して適用することもできる。
1 基板
2 EA変調器部層
3 DFBレーザ部層
4 SOA部層
5 光導波路層
6 回折格子
7 クラッド層
8 絶縁膜
9 BCB
10、11、12 p型電極
13 n型電極
14 パッケージ
15 高周波配線板
16 レンズ
31,32 光生成領域
100 半導体光集積素子
101 DFBレーザ
102 EA変調器
103 SOA
104 制御端子
2 EA変調器部層
3 DFBレーザ部層
4 SOA部層
5 光導波路層
6 回折格子
7 クラッド層
8 絶縁膜
9 BCB
10、11、12 p型電極
13 n型電極
14 パッケージ
15 高周波配線板
16 レンズ
31,32 光生成領域
100 半導体光集積素子
101 DFBレーザ
102 EA変調器
103 SOA
104 制御端子
Claims (4)
- DFBレーザと、
前記DFBレーザに接続されたEA変調器と、
前記EA変調器の出射端に形成されたSOAと
を含み、
前記DFBレーザ、前記EA変調器および前記SOAは、同一基板上にモノリシック集積され、
前記DFBレーザは、回折格子を備える第1の光生成領域と、前記回折格子を備えない第2の光生成領域とを備える
ことを特徴とする半導体光集積素子。 - 前記DFBレーザおよび前記SOAの各々は、同一の制御端子から電流が注入されるように構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体光集積素子。
- 前記DFBレーザの前記第2の光生成領域は、前記EA変調器側である前方端面側に設けられ、前記第1の光生成領域は、前記前方端面側とは逆側の後方端面側に設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体光集積素子。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体光集積素子を搭載することを特徴とする光送信モジュール。
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