JP5823920B2 - 半導体光集積素子 - Google Patents
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Description
Iop=IDFB+ISOA (式2)
となる。
以下、図6を用いて、本発明の実施例に係る半導体光集積素子の製作過程を説明する。ただし、図6はあくまで本実施例を説明するものであって、図6に示される構成要素の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。
2 EA変調器部層
3 DFBレーザ部層
4 SOA部層
5 光導波路層
6 回折格子
7 クラッド層
8 絶縁膜
9 BCB
10、11、12 p型電極
13 n型電極
14 パッケージ
15 高周波配線板
16 レンズ
100 半導体光集積素子
Claims (5)
- DFBレーザと、EA変調器と、SOAとが同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子であって、
光導波方向に対して、前記DFBレーザ、前記EA変調器、前記SOAの順に集積され、
前記DFBレーザ及び前記SOAは、同一の制御端子から、前記DFBレーザと前記SOAの光導波方向についての長さの比に応じた電流が注入される
ことを特徴とする半導体光集積素子。 - 前記SOAの光導波方向についての長さは、50μm以上150μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体光集積素子。
- 請求項1又は2に記載の半導体光集積素子を搭載したことを特徴とする光送信モジュール。
- DFBレーザと、EA変調器と、SOAとが同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子であって、光導波方向に対して、前記DFBレーザ、前記EA変調器、前記SOAの順に集積された半導体光集積素子において光を変調するための方法であって、
前記DFBレーザが、順方向バイアスを印加されることにより生成したレーザ光を前記EA変調器に出射するステップと、
前記EA変調器が、逆方向バイアスを印加されることにより、入射したレーザ光を吸収・変調し、正のチャープ値を有する変調光を前記SOAに出射するステップと、
前記SOAが、順方向バイアスを印加されることにより、入射した変調光をチャープ値変換して負のチャープ値を有する変調光を出射するステップと
を備え、
前記DFBレーザ及び前記SOAは、同一の制御端子から、前記DFBレーザと前記SOAの光導波方向についての長さの比に応じた電流が注入されることを特徴とする方法。 - 前記SOAの光導波方向についての長さは、50μm以上150μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012134252A JP5823920B2 (ja) | 2012-06-13 | 2012-06-13 | 半導体光集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012134252A JP5823920B2 (ja) | 2012-06-13 | 2012-06-13 | 半導体光集積素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013258336A JP2013258336A (ja) | 2013-12-26 |
JP5823920B2 true JP5823920B2 (ja) | 2015-11-25 |
Family
ID=49954503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012134252A Active JP5823920B2 (ja) | 2012-06-13 | 2012-06-13 | 半導体光集積素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5823920B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018074098A (ja) * | 2016-11-04 | 2018-05-10 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積回路 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2016136183A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2017-07-20 | 日本電信電話株式会社 | Soa集積ea−dfbレーザ及びその駆動方法 |
JP6454256B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2019-01-16 | 日本電信電話株式会社 | 波長多重光送信器 |
JP6543188B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2019-07-10 | 日本電信電話株式会社 | 波長多重光送信器及びその制御方法 |
CN108604772A (zh) * | 2016-02-04 | 2018-09-28 | 日本电信电话株式会社 | 光发送器以及光强度监测方法 |
JP6557643B2 (ja) * | 2016-10-07 | 2019-08-07 | 日本電信電話株式会社 | 直接変調レーザ |
JP2018060973A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子およびこれを搭載した光送受信モジュール |
JP6535311B2 (ja) * | 2016-10-07 | 2019-06-26 | 日本電信電話株式会社 | 波長多重送信器 |
JP2018060974A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
JP2018060975A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 日本電信電話株式会社 | 直接変調レーザ |
JP6659520B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2020-03-04 | 日本電信電話株式会社 | 光送信器 |
JP2018206901A (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 日本電信電話株式会社 | 光送信機 |
JP2019033116A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
JP6817912B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-01-20 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
JP2019040950A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
JP6761392B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2020-09-23 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
CN111033918B (zh) * | 2017-09-19 | 2021-12-24 | 日本电信电话株式会社 | 半导体光学集成元件 |
JP6810671B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2021-01-06 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積素子 |
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JP6729982B2 (ja) * | 2019-05-27 | 2020-07-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
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JP2018074098A (ja) * | 2016-11-04 | 2018-05-10 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光集積回路 |
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JP2013258336A (ja) | 2013-12-26 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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