JP6659520B2 - 光送信器 - Google Patents

Description

本発明は、分布帰還型レーザ、電界吸収型変調器、半導体光増幅器がモノリシックに集積されたＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザから構成された光送信器に関する。

光送受信システムにおける伝送可能の限界は、光送信器から出力される光強度、出力される光の波形の明瞭さ、加えて、光受信器の性能で決定される。光送信器と光受信器の駆動に許容される消費電力は、これらが適用されるトランシーバーによって決定されている。

電界吸収効果を利用した電界吸収型(ＥＡ：Electroabsorption)変調器を集積した分布帰還型(ＤＦＢ：Distributed Feedback Laser)レーザ(ＥＡ−ＤＦＢレーザ)は、低消費電力で高速変調可能であり、広い用途で使用されてきた。例えば１．５５μｍ波長において、ＥＡ−ＤＦＢレーザは、メトロアクセス伝送用変調光源として１０Ｇｂｉｔ／ｓの変調速度で４０ｋｍ〜８０ｋｍを伝送する用途で用いられてきた。また１．３μｍ波長では、データセンタ通信用の変調光源として２５Ｇｂｉｔ／ｓの変調速度で１０ｋｍ〜４０ｋｍを伝送する用途で用いられてきた。

ＥＡ−ＤＦＢレーザは、図５に示すように、コア部３０１ａよりなる光導波路を備えるＤＦＢレーザ３０１と、コア部３０２ａよりなる光導波路を備えるＥＡ変調器３０２とが集積されている。コア部３０１ａよりなる光導波路と、コア部３０２ａよりなる光導波路とが光結合している。また、レーザ光が出力される素子端面３０４には、ＡＲ（無反射）膜３０５が形成され、素子端面３０４からの反射光（端面反射）がＤＦＢレーザ３０１に戻ることを抑制している。この理由は、わずかに反射して戻ってきた光がＤＦＢレーザ３０１に入ることで、ＤＦＢレーザ３０１の出力変動やノイズなどの要因となり、変調時の光波形を劣化させるためである。

実際に、ＥＡ−ＤＦＢレーザの反射端面からの影響で変調光波形が乱れるという問題が報告されている。非特許文献１によると、端面のＡＲコーティングの反射率を改善することで、変調光波形が明瞭になることが報告されている。

ところで、ＥＡ変調器のＤＣバイアスは、大きな光出力を得るためには浅いほうがよく、長距離伝送可能な光波形を得るためには深いほうが良いというトレードオフの関係を持つ。このトレードオフを打破するために、図６に示すように、ＥＡ変調器３０２の出力端に、半導体光増幅器(ＳＯＡ：semiconductor optical amplifier)３０３を集積する技術が報告されている（特許文献１参照）。ＥＡ変調器３０２のコア部３０２ａよりなる光導波路が、ＳＯＡ３０３のコア部３０３ａよりなる光導波路に光結合している。しかしながら、ＳＯＡ３０３を集積して組み合わせると、端面反射の影響はより大きくなるという問題がある。この理由は、素子端面３０４から戻る光が、ＳＯＡ３０３で増幅されてＤＦＢレーザ３０１に戻るためである。

ここで、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザを用いた光送信器について、図７を用いて説明する。ＤＦＢレーザ３０１は、直流電源３２１から出力される直流電流を印加することによってレーザ発振光を出射する。ＥＡ変調器３０２は制御部３０９より生成される変調電圧からなる制御信号に基づき、ＤＦＢレーザ３０１から出射するレーザ発振光を変調出力光に変換する。制御部３０９は、直流電圧によって駆動する。なお、ＥＡ変調器３０２には終端抵抗（不図示）が接続されている。ＳＯＡ３０３は、直流電源３２２から出力される直流電流を印加することによって、ＥＡ変調器３０２で変調された変調出力光を増幅する。

ここで、通常、ＤＦＢレーザ３０１に印加される直流電流は例えば６０〜２００ｍＡ程度、ＥＡ変調器３０２に印加される変調電圧（制御信号）は電界吸収オフ時−０．５Ｖ、電界吸収オン時−３Ｖ程度であり、信号速度としては例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓ程度もしくは、２８Ｇｂｉｔ／ｓ程度もしくは、４０Ｇｂｉｔ／ｓ程度もしくは、５０Ｇｂｉｔ／ｓ程度となる。ＳＯＡ３０３に印加される直流電流は、例えば５０〜１５０ｍＡ程度である。

通常、ＥＡ−ＤＦＢレーザにおいてＡＲ膜３０５が形成されている素子端面３０４の反射率は０．０１％以下（−４０ｄＢ）を目標とする。ＳＯＡ３０３の利得が１０ｄＢあると仮定すると、通常のＥＡ−ＤＦＢレーザと同等のＡＲ膜３０５が形成されているものと仮定しても、１０ｄＢ増幅されてＤＦＢレーザ３０１に光が戻ってくることを意味する。

図８は、信号速度１０Ｇｂｉｔ／ｓにおいて、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザの端面反射率を変化させて符号誤り率評価を行った結果である。伝送距離は、０ｋｍ（ＢＴＢ）である。横軸は受光器の最小受信感度［ｄＢｍ］、縦軸は符号誤り率である。端面反射率が増加し、反射戻り光レベルが増えるに従って伝送特性が劣化することが分かる。この結果、光受信器への入射光強度を上げても符号誤り率が下がらず、受光器において、符号誤り率を無視できる状態で受信することが困難になる。

反射戻り光によって伝送特性が劣化することは、ＤＦＢレーザから出射されるレーザ発振光が、反射戻り光によって外部から乱されることによる。この乱れは、現象としては低周波振動もしくはコヒーレントコラプス、あるいは何らかのカオス現象として説明される。戻ってきた光がレーザのノイズを持ち上げる影響によるもので、ＤＦＢレーザのＲＩＮ（relative intensity noise）を測定することで、反射光のノイズの影響を調べることも可能である。

特許５８２３９２０号公報

C. Sun et al., "Influence of residual facet reflection on the eye diagram performance of high-speed electroabsorption modulated lasers", Journal of lightwave technology, vol.27, no.15, pp.2970-2976, 2009.

図８に示したように、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザにおいてもＡＲ膜の反射率を−４０ｄＢまで安定して下げることができれば、反射戻り光による伝送特性の劣化を抑制することが可能となる。しかし、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザから出射される変調光は、出射端面からの光がＳＯＡにより増幅されてＤＦＢレーザに戻るために、通常のＥＡ−ＤＦＢレーザに比べてＡＲ膜の条件トレランスが厳しくなるなどの問題があった。ＡＲ膜の性能としては、一般的には反射率として１×１０^-4以下（０．０１％）が求められるが、反射光がＳＯＡにより増幅されることを考えると、この分反射率を低減したＡＲ膜が必要となっていた。反射率は、形成されるＡＲ膜の厚さで決定されるが、この厚さは実際の製造においてばらつく。このため、製造毎に伝送特性の劣化状態が変化するという問題があった。

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、光送信器の伝送特性の劣化が、製造ばらつきによらずに抑制できるようにすることを目的とする。

本発明に係る光送信器は、基板の上に形成された分布帰還型レーザからなるレーザ部と、レーザ部のレーザ光出射側に光接続して基板の上に形成された電界吸収型変調器からなる変調部と、変調部の変調光出射側に光接続して基板の上に形成されて増幅光が出力する光出射端面を備える半導体光増幅器からなる増幅部と、変調部に印加する変調電圧からなる制御信号を生成する制御部と、制御部と変調部とを互いに接続して制御部が生成した制御信号を変調部に印加する制御信号配線と、レーザ部を駆動する第１直流電流をレーザ部に供給するためのレーザ部配線と、増幅部を駆動する第２直流電流を増幅部に供給するための増幅部配線と、レーザ部配線の一部および増幅部配線の一部と制御信号配線とを各々容量結合させる結合部とを備える。

上記光送信器において、結合部は、制御信号配線に近接したレーザ部配線の一部および制御信号配線に近接した増幅部配線の一部を含み、レーザ部配線の一部および増幅部配線の一部と制御信号配線との距離は、各々制御信号配線の幅の３倍以内とされている。

また、本発明に係る光送信器は、基板の上に形成された分布帰還型レーザからなるレーザ部と、レーザ部のレーザ光出射側に光接続して基板の上に形成された電界吸収型変調器からなる変調部と、変調部の変調光出射側に光接続して基板の上に形成されて増幅光が出力する光出射端面を備える半導体光増幅器からなる増幅部と、変調部に印加する変調電圧からなる制御信号および制御信号の位相が反転した反転信号を生成する制御部と、制御部と変調部とを互いに接続して制御部が生成した制御信号を変調部に印加する制御信号配線と、レーザ部を駆動する第１直流電流をレーザ部に供給するためのレーザ部配線と、増幅部を駆動する第２直流電流を増幅部に供給するための増幅部配線と、制御部が生成した反転信号が出力される反転信号配線と、レーザ部配線の一部および増幅部配線の一部と反転信号配線とを容量結合させる結合部とを備える。

上記光送信器において、結合部は、反転信号配線に近接したレーザ部配線の一部および反転信号配線に近接した増幅部配線の一部を含み、レーザ部配線の一部および増幅部配線の一部と反転信号配線との距離は、各々反転信号配線の幅の３倍以内とされている。

上記光送信器において、レーザ部配線および増幅部配線は、同電位とされていてもよい。

以上説明したように、本発明によれば、変調部に印加する変調電圧からなる制御信号を生成する制御部より生成される制御信号または制御信号の位相が反転した反転信号を、レーザ部および増幅部に入力するようにしたので、光送信器の伝送特性の劣化が、製造ばらつきによらずに抑制できるという優れた効果が得られる。

図１は、本発明の実施の形態１における光送信器の構成を示す構成図である。 図２は、本発明の実施の形態１における光通信器の一部構成を示す構成図である。 図３は、本発明の実施の形態１において、１０Ｇｂｉｔ／ｓの変調速度でレーザ（ＬＤ）部１０２を制御する状態で、反射防止膜１０８の特性を変化させることで光出力端面１０５の反射率を変化させ、各反射率における符号誤り率評価を行った結果を示す特性図である。 図４は、本発明の実施の形態２における光送信器の構成を示す構成図である。 図５は、ＥＡ−ＤＦＢレーザの構成を示す構成図である。 図６は、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザの構成を示す構成図である。 図７は、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザを用いた光送信器の構成を示す構成図である。 図８は、信号速度１０Ｇｂｉｔ／ｓにおいて、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザの端面反射率を変化させて符号誤り率評価を行った結果を示す特性図である。

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。

［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１について、図１、図２を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態１における光送信器の構成を示す構成図である。図２は、本発明の実施の形態１における光通信器の一部構成を示す構成図である。図２は、基板垂直方向の光送信器の一部断面を示している。

この光送信器は、基板１０１の上に形成され分布帰還型レーザからなるレーザ（ＬＤ）部１０２と、基板１０１の上に形成された電界吸収型変調器からなる変調（ＥＡ）部１０３と、基板１０１の上に形成された半導体光増幅器からなる増幅（ＳＯＡ）部１０４とを備える。ＬＤ部１０２は、よく知られた分布帰還型レーザであり、ＥＡ部１０３は、よく知られた電界吸収型変調器であり、ＳＯＡ部１０４は、よく知られた半導体光増幅器である。これらで、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザが構成されている（特許文献１参照）。ＬＤ部１０２、第１直流電流で駆動され、ＳＯＡ部１０４は、第２直流電流で駆動される。ＥＡ部１０３は、変調電圧で制御される。

ＥＡ部１０３は、ＬＤ部１０２のレーザ光出射側に光接続（光結合）している。また、ＳＯＡ部１０４は、ＥＡ部１０３の変調光出射側に配置されてＥＡ部１０３に光接続している。また、ＳＯＡ部１０４は、増幅光が出力する光出射端面１０５を備える。ＬＤ部１０２、ＥＡ部１０３、ＳＯＡ部１０４は、基板１０１の上に導波方向に一列に配置されて集積されている。

また、ＬＤ部１０２は、基板１０１を下部クラッドとし、この上に形成されたＬＤコア部１０２ａを備える。また、ＥＡ部１０３は、基板１０１を下部クラッドとし、この上に形成されたＥＡコア部１０３ａを備える。また、ＳＯＡ部１０４は、基板１０１を下部クラッドとし、この上に形成されたＳＯＡコア部１０４ａを備える。ＬＤコア部１０２ａ、ＥＡコア部１０３ａ、ＳＯＡコア部１０４ａは、これらの順に導波方向に直列に配置されている。また、ＬＤコア部１０２ａ、ＥＡコア部１０３ａ、ＳＯＡコア部１０４ａの上には、上部クラッド層１０６が形成されている。

また、上部クラッド層１０６の上には、絶縁層１０７が形成されている。また、絶縁層１０７の上には、ＬＤ電極１０２ｂ、ＥＡ電極１０３ｂ、ＳＯＡ電極１０４ｂが形成されている。ＬＤ電極１０２ｂは、絶縁層１０７を貫通してＬＤ部１０２における上部クラッド層１０６に電気的に接続している。ＥＡ電極１０３ｂは、絶縁層１０７を貫通してＥＡ部１０３における上部クラッド層１０６に電気的に接続している。ＳＯＡ電極１０４ｂは、絶縁層１０７を貫通してＳＯＡ部１０４における上部クラッド層１０６に電気的に接続している。また、ＬＤ電極１０２ｂ、ＥＡ電極１０３ｂ、ＳＯＡ電極１０４ｂがそれぞれ電気的に分離されるように上部クラッド層１０６の一部が、エッチングなどにより除去されている（不図示）。また、基板１０１の裏面には、電極１１５が形成されている。また、光出力端面１０５には、反射防止膜１０８が形成されている。

また光送信器は、制御部１０９、第１直流電源１２１、第２直流電源１２２を備える。制御部１０９は、ＥＡ部１０３に印加する変調電圧からなる制御信号（変調信号）を生成する。制御部１０９とＥＡ部１０３とは、互いに制御信号配線１１１により接続されている。制御信号配線１１１は、ＥＡ電極１０３ｂに接続に接続されている。制御部１０９が生成した制御信号は、制御信号配線１１１により変調部１０３に印加される。

第１直流電源１２１から供給される第１直流電流は、ＬＤ電極１０２ｂに接続するレーザ部（ＬＤ）配線１１２によりＬＤ部１０２に供給される。第２直流電源１２２から供給される第２直流電流は、ＳＯＡ電極１０４ｂに接続する増幅部（ＳＯＡ）配線１１３によりＳＯＡ部１０４に供給される。

この光送信器（ＳＯＡ部１０４）から出射された光は、図示していないが、レンズなどでコリメート光に変換され、アイソレータを通過し、再度レンズにより光ファイバに結合され、光受信器に受信される。

上述した構成に加え、実施の形態１における光送信器は、ＬＤ配線１１２の一部およびＳＯＡ配線１１３の一部と制御信号配線１１１とを、各々容量結合させる結合部１１４を備える。結合部１１４は、例えば、制御信号配線１１１に近接したＬＤ配線１１２の一部および制御信号配線１１１に近接したＳＯＡ配線１１３の一部を含み、ＬＤ配線１１２の一部およびＳＯＡ配線１１３の一部と、制御信号配線１１１との距離が、各々制御信号配線１１１の幅の３倍以内とされていればよい。よく知られているように、配線間の距離が配線幅の３倍程度以内になると、クロストークが発生する。この構成とすることで、ＥＡ部１０３から出力される制御信号の一部が、電気的なクロストークとしてＬＤ配線１１２およびＳＯＡ配線１１３に流れ込み、ＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４に供給されることになる。

通常、ＬＤ部１０２に印加される第１直流電流は６０〜２００ｍＡ程度、ＥＡ部１０３に印加される制御信号の変調電圧は、電界吸収オフ時−０．５Ｖ、電界吸収オン時−３Ｖ程度、信号速度としては例えば１０Ｇｂ／ｓ程度〜５０Ｇｂ／ｓ程度となる。ＳＯＡ部１０４に印加される第２直流電流は、５０ｍＡ程度であり、ＳＯＡ部１０４による光増幅度は例えば５ｄＢとする。

通常、ＥＡ部１０３で変調された変調光の一部は光出力端面１０５で反射し、ＬＤ部１０２に戻ってくる。この時、出射光と反射光の位相があってしまい、ＬＤ部１０２におけるレーザ発振特性を乱す。この結果、図８を用いて説明したように、符号誤り率特性に影響を及ぼす。実施の形態１では、上述したように、ＥＡ部１０３に印加される制御信号の一部を、ＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４に入力する。

上述したようにＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４に制御信号が入力されることで、入力した制御信号による変調周波数でＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４のキャリアが変動し、この結果、光の位相が変化する。

ここで、ＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４の素子容量は、ＥＡ部１０３の素子容量に比べて大きい。この種のＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザでは、ＥＡ部１０３は、電極をより小型化し、また電極の下部を低容量材料で埋め込むことで、可能な範囲で低容量化を図っている。これに対し、ＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４は、ＤＣ電流で駆動してより効率よく高出力で光を生成することを要件としており、素子容量を低くすることはなされていない。

このため、ＥＡ部１０３と異なり、素子容量の大きいＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４は、入力（混入）された制御信号による高速の変調に追従せず、位相の変化もＥＡ部１０３での変化と異なる。これらのことにより、戻り光と出射光の位相が異なる状態となり、前述した位相が一致することによりＬＤ部１０２の発振特性が乱される状態が抑制できるようになる。

図３は、実施の形態１において、１０Ｇｂｉｔ／ｓの変調速度でＬＤ部１０２を制御する状態で、反射防止膜１０８の特性を変化させることで光出力端面１０５の反射率を変化させ、各反射率における符号誤り率評価を行った結果を示す特性図である。伝送距離は、０ｋｍ（ＢＴＢ）である。横軸は受光器の最小受信感度［ｄＢｍ］、縦軸は符号誤り率である。ＥＡ部１０３の変調信号の一部をＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４に入力し、強制的に出射光と反射光の位相をずらすことで、−３０ｄＢの戻り光レベルにおいても問題の無い特性を実現することが可能となっている。

以上に説明したように、実施の形態１によれば、製造ばらつきによらずに光送信器の伝送特性の劣化が抑制できるようになる。また、伝送時のノイズを減らし伝送距離を延伸する効果も期待することができる。

［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について、図４を用いて説明する。図４は、本発明の実施の形態２における光送信器の構成を示す構成図である。

この光送信器は、基板１０１の上に形成されＬＤ部１０２と、基板１０１の上に形成されたＥＡ部１０３と、基板１０１の上に形成されたＳＯＡ部１０４とを備える。また、ＬＤ部１０２は、ＬＤコア部１０２ａを備え、ＥＡ部１０３は、ＥＡコア部１０３ａを備え、ＳＯＡ部１０４は、ＳＯＡコア部１０４ａを備える。ＬＤコア部１０２ａ、ＥＡコア部１０３ａ、ＳＯＡコア部１０４ａは、これらの順に導波方向に直列に配置されている。また、光出力端面１０５には、反射防止膜１０８が形成されている。これらの構成は、前述した実施の形態１と同様であり、詳細な説明は省略する。

また光送信器は、制御部２０９、第１直流電源１２１を備える。制御部２０９は、ＥＡ部１０３に印加する変調電圧からなる制御信号（変調信号）を生成する。制御部２０９とＥＡ部１０３とは、互いに制御信号配線１１１により接続されている。制御部２０９が生成した制御信号は、制御信号配線１１１により変調部１０３に印加される。

第１直流電源１２１から供給される第１直流電流は、ＬＤ配線１１２によりＬＤ部１０２に供給され、加えて、ＳＯＡ配線１１３によりＳＯＡ部１０４に供給される。実施の形態２では、ＬＤ配線１１２およびＳＯＡ配線１１３が、同電位とされている。実施の形態２では、第１直流電流と第２直流電流を同一としている。

上述した構成に加え、実施の形態２では、制御部２０９が生成した反転信号が出力される反転信号配線２１１、およびＬＤ配線１１２の一部およびＳＯＡ配線１１３の一部と反転信号配線２１１とを、各々容量結合させる結合部２１４を備える。結合部２１４は、反転信号配線２１１に近接したＬＤ配線１１２の一部および反転信号配線２１１に近接したＳＯＡ配線１１３の一部を含み、ＬＤ配線１１２の一部またはＳＯＡ配線１１３の一部と、反転信号配線２１１との距離が、各々反転信号配線２１１の幅の３倍以内とされていればよい。

制御部２０９は、ＥＡ部１０３に印加する変調電圧からなる制御信号に加え、制御信号の位相が反転した反転信号を生成する。一般に、この種の電界吸収型変調器を制御するための変調電圧を生成するために用いられているドライバでは、変調電圧の生成とともに、変調電圧の位相が反転した（位相が直交する）反転信号も生成される。この生成される反転信号は、通常では何ら用いられていない。これに対し、実施の形態２では、ＥＡ部１０３で生成された反転信号を、ＬＤ配線１１２およびＳＯＡ配線１１３を介してＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４に供給する。

上述したようにＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４に反転信号が入力されることで、入力した反転信号による変調周波数でＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４のキャリアが変動し、この結果、光の位相が変化する。

実施の形態１で説明したように、ＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４の素子容量は、ＥＡ部１０３の素子容量に比べて大きい。このため、ＥＡ部１０３と異なり、素子容量の大きいＬＤ部１０２およびＳＯＡ部１０４は、入力（混入）された反転信号による高速の変調に追従せず、位相の変化もＥＡ部１０３での変化と異なる。これらのことにより、戻り光と出射光の位相が異なる状態となり、前述した位相が一致することによりＬＤ部１０２の発振特性が乱される状態が抑制できるようになる。

以上に説明したように、本発明によれば、ＥＡ部に印加する変調電圧からなる制御信号を生成する制御部より生成される制御信号または制御信号の位相が反転した反転信号を、ＬＤ部およびＳＯＡ部に入力するようにしたので、光送信器の伝送特性の劣化が、製造ばらつきによらずに抑制できるようになる。

なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、光送信器を構成するＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザの導波路構造は、例えばリッジ型または埋込型のいずれであってもよい。また、ＬＤ部の発振波長には、何ら制限は無い。

１０１…基板、１０２…ＬＤ部、１０３…ＥＡ部、１０４…ＳＯＡ部、１０２ａ…ＬＤコア部、１０３ａ…ＥＡコア部、１０４ａ…ＳＯＡコア部、１０５…光出力端面、１０６…上部クラッド層、１０７…絶縁層、１０８…反射防止膜、１０９…制御部、１１１…制御信号配線、１１２…ＬＤ配線、１１３…ＳＯＡ配線、１２１…直流電源、１２２…直流電源。

Claims (3)

1. 基板の上に形成された分布帰還型レーザからなるレーザ部と、
   前記レーザ部のレーザ光出射側に光接続して前記基板の上に形成された電界吸収型変調器からなる変調部と、
   前記変調部の変調光出射側に光接続して前記基板の上に形成されて増幅光が出力する光出射端面を備えて半導体光増幅器からなる増幅部と、
   前記変調部に印加する変調電圧からなる制御信号を生成する制御部と、
   前記制御部と前記変調部とを互いに接続して前記制御部が生成した前記制御信号を前記変調部に印加する制御信号配線と、
   前記レーザ部を駆動する第１直流電流を前記レーザ部に供給するためのレーザ部配線と、
   前記増幅部を駆動する第２直流電流を前記増幅部に供給するための増幅部配線と、
   前記レーザ部配線の一部および増幅部配線の一部と前記制御信号配線とを各々容量結合させる結合部と
   を備え、
   前記結合部は、
   前記制御信号配線に近接した前記レーザ部配線の一部および前記制御信号配線に近接した前記増幅部配線の一部を含み、
   前記レーザ部配線の一部および増幅部配線の一部と前記制御信号配線との距離は、各々前記制御信号配線の幅の３倍以内とされていることを特徴とする光送信器。
2. 基板の上に形成された分布帰還型レーザからなるレーザ部と、
   前記レーザ部のレーザ光出射側に光接続して前記基板の上に形成された電界吸収型変調器からなる変調部と、
   前記変調部の変調光出射側に光接続して前記基板の上に形成されて増幅光が出力する光出射端面を備える半導体光増幅器からなる増幅部と、
   前記変調部に印加する変調電圧からなる制御信号および前記制御信号の位相が反転した反転信号を生成する制御部と、
   前記制御部と前記変調部とを互いに接続して前記制御部が生成した前記制御信号を前記変調部に印加する制御信号配線と、
   前記レーザ部を駆動する第１直流電流を前記レーザ部に供給するためのレーザ部配線と、
   前記増幅部を駆動する第２直流電流を前記増幅部に供給するための増幅部配線と、
   前記制御部が生成した前記反転信号が出力される反転信号配線と、
   前記レーザ部配線の一部および増幅部配線の一部と前記反転信号配線とを各々容量結合させる結合部と
   を備え、
   前記結合部は、
   前記反転信号配線に近接した前記レーザ部配線の一部および前記反転信号配線に近接した前記増幅部配線の一部を含み、
   前記レーザ部配線の一部および増幅部配線の一部と前記反転信号配線との距離は、各々前記反転信号配線の幅の３倍以内とされていることを特徴とする光送信器。
3. 請求項１または２記載の光送信器において、
   前記レーザ部配線および前記増幅部配線は、同電位とされていることを特徴とする光送信器。

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