KR20190059354A - 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 이종접합 광 트랜시버는 CMOS SOI(silicon on insulator) 공정을 이용하여 제조되고, 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자를 포함하는 광 집적회로, 양극성 CMOS(Bipolar CMOS) 공정을 이용하여 제조되고, 광소자를 구동시키는 구동 집적회로 및 광 집적회로 및 구동 집적회로를 적층구조로 결합하는 결합부재를 포함한다.
Description
본 발명은 광 트랜시버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CMOS SOI(silicon on insulator) 공정으로 광 집적회로를 제조하고, 양극성 CMOS(Bipolar CMOS) 공정으로 구동 집적회로를 제조하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 데이터콤용 광통신은 채널당 28Gbps 이상의 속도를 요구한다. 따라서, 고속 광통신 분야에서는 수직 캐비티 표면 광방출 레이저(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL)나 판정 궤환(decision feedback, DFB) 레이저와 같은 직접 변조 레이저를 이용하는 방식과 전자흡수 변조 레이저(electro-absorption modulator laser, EML) 등의 Ⅲ-Ⅴ 화합물반도체 기술이 주를 이루어왔다.
직접 변조 레이저는 최근 회로기술이 발전하면서 대역폭의 한계를 등화기(equalizer) 회로로 극복하여 28Gbps 이상의 속도를 구현하고 있으나, 높은 구동전류로 인해 전력소모가 크다는 문제점이 있다. 이에 반해, 실리콘 포토닉스 기술은 지속파(continuous wave, CW) 레이저와 칩레벨로 구현된 변조기를 통해 외부변조(External Modulation)를 사용하면서도 고속 저전력 특성을 가질 수 있어 차세대 고집적의 100Gbps, 400Gbps 이더넷 인터페이스에서 적극적으로 활용될 것으로 예상되고 있다.
종래의 실리콘 포토닉스 광 트랜시버는 광소자와 구동회로 모두 CMOS 기반으로 구현함으로써 트랜스임피던스 증폭기(transimpedance amplifier, TIA) 회로가 50Ω 임피던스 매칭과 같은 환경에 민감하게 반응하였고, 높은 데이터 전송속도에 비례하여 전력소모가 크게 증가하는 문제점이 있다.
한편, 도 1은 종래의 2채널 200Gbs 광 트랜시버에 대한 실시예를 설명한다. 종래의 2채널 200Gbs 광 트랜시버는 전기적 인터페이스를 CFP4 또는 QSFP28과 같은 광 트랜시버에서 널리 사용되고 있는 4개의 레인(lane)으로 구성한다. 여기서, 각 레인이 50Gbps이므로, 두 개의 100Gbps 채널을 제공하는 최종 광 트랜시버는 200Gbps의 대역폭을 가진다. 각각의 100Gps의 채널은 한 쌍의 싱글모드 파이버(single mode fiber)에서 다중화된 2개의 50Gbps 변조기를 구동한다. 즉, 고밀도의 MPO(Multifiber Termination Push-on) 커넥터는 한 트랜시버에 있는 어려 쌍의 싱글모드 파이버를 지원한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 28Gbps 이상의 속도에서 종래의 트랜시버 대비 40%이상 전력효율이 증가하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버는 CMOS SOI(silicon on insulator) 공정을 이용하여 제조되고, 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자를 포함하는 광 집적회로, 양극성 CMOS(Bipolar CMOS) 공정을 이용하여 제조되고, 상기 광소자를 구동시키는 구동 집적회로 및 상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로를 적층구조로 결합하는 결합부재를 포함한다.
또한 상기 구동 집적회로는, 상기 광소자로부터 발광되는 광신호를 외부변조하는 외부변조기, 상기 외부변조기의 구동을 제어하는 외부변조기 드라이버, 상기 외부변조기로 바이어스 전원을 공급하는 외부변조기 바이어스 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 구동 집적회로는, 상기 광소자로부터 송신되는 광신호의 고속 데이터 측정을 수행하는 랜덤 비트 생성기(Pseudo-Random Bit Sequence, PRBS) 및 상기 광소자로부터 수신되는 광신호의 랜덤 비트 패턴의 오류를 검사하는 오류검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 외부변조기는, 마흐젠더변조기(Mach-Zehnder Modulator, MZM)인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 외부변조기 바이어스회로는, 상기 외부변조기가 최대 변조 진폭이 되도록 상기 바이어스 전원을 공급하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 광 집적회로는, 상기 외부변조기의 전극단 및 전원 디커플링(decoupling)에 사용되는 수동소자를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 결합부재는, 상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로가 일정 간격을 유지되도록 직경 10㎛ 내지 30㎛이고, 표면에 피치(pitch) 30㎛ 내지 50㎛인 나사산을 가지는 금속재질의 기둥형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버의 제조방법은 CMOS SOI 공정을 이용하여 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자를 포함하는 광 집적회로를 제조하고, 양극성 CMOS 공정을 이용하여 상기 광소자를 구동시키는 구동 집적회로를 제조하는 단계 및 상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로를 적층구조로 결합시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버 및 그 제조방법은 CMOS SOI공정으로 제조된 광 집적회로 및 BiCMOS 공정으로 제조된 구동 집적회로를 포함하여 28Gbps 이상의 속도에서 종래의 광 트랜시버 대비 40%이상 전력효율이 증가시킬 수 있다.
또한 광 집적회로 및 구동 집적회로를 적층구조로 결합함으로써 칩 면적을 감소시킬 수 있다.
도 1은 종래의 광 트랜시버를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이종접합 광 트랜시버를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 2채널 50Gbps인 이종접합 광 트랜시버를 설명하는 도면이다.
도 4는 도 3의 광 트랜시버에 대한 이종접합 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 이종접합 광 트랜시버의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이종접합 광 트랜시버를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 2채널 50Gbps인 이종접합 광 트랜시버를 설명하는 도면이다.
도 4는 도 3의 광 트랜시버에 대한 이종접합 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 이종접합 광 트랜시버의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 당업자에게 자명하거나 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이종접합 광 트랜시버를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 이종접합 광 트랜시버(100)는 종래의 CMOS 공정으로만 제조된 광 트랜시버와 달리, CMOS SOI공정 및 BiCMOS 공정을 이용하여 제조된다. 이를 통해, 이종접합 광 트랜시버(100)는 28Gbps 이상의 속도에서 종래의 광 트랜시버 대비 40%이상 전력효율이 증가시킬 수 있다. 이종접합 광 트랜시버(100)는 광 집적회로(Photonic IC, PIC)(10), 구동 집적회로(Electronic IC)(20) 및 결합부재(30)를 포함한다.
광 집적회로(10)는 CMOS SOI 공정을 이용하여 칩형태로 제조되고, 광소자(11)를 포함하며, 수동소자(13)를 더 포함한다. 여기서, CMOS SOI은 기판 위에 옥사이드(oxide)층을 형성하고, 옥사이드층 위에 CMOS 소자를 구현한다. 따라서, CMOS SOI 공정은 일반적인 CMOS 공정보다 다양한 소자의 개발을 할 수 있다.
광소자(11)는 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 소자이다. 여기서, 광신호는 레이저광으로 생성된 신호일 수 있다. 광소자(11)는 광신호를 발광하는 광전 발신기, 광신호를 수광하는 광전 수신기 및 광전 발신기와 광전 수신기를 결합된 광커플러를 포함할 수 있다.
수동소자(13)는 후술될 외부변조기(21)의 전극단 및 전원 디커플링(decoupling)에 사용된다. 수동소자(13)는 저항, 커패시터, 인덕터를 포함한다.
구동 집적회로(20)는 양극성 CMOS 공정을 이용하여 칩형태로 제조되고, 광소자(11)를 구동시키는 역할을 한다. 여기서, 양극성 CMOS는 로직게이트를 CMOS로 구현하고, 출력단을 양극성 접합 트랜지스터(BJT)로 구현한다. 구동 집적회로(20)는 외주변조기(21), 외부변조기 드라이버(22) 및 외부변조기 바이어스회로(23)를 포함하고, 랜덤 비트 생성기(Pseudo-Random Bit Sequence, PRBS)(27) 및 오류검출기(29)를 더 포함한다.
외부변조기(21)는 광소자(11)로부터 발광되는 광신호를 외부변조한다. 외부변조기(21)는 광신호를 외부변조한다. 즉, 외부변조기(21)는 광신호를 광공진기의 외부에서 변조를 수행한다. 외부변조기(21)는 광신호 채널의 개수와 동일한 개수를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 외부변조기(21)는 마하젠더변조기(Mach-Zehnder Modulator)일 수 있다.
외부변조기 드라이버(23)는 외부변조기(21)의 구동을 제어한다. 외부변조기 드라이버(23)는 외부변조기(21)가 원활히 구동될 수 있도록 일정한 전원을 공급할 수 있다. 외부변조기 드라이버(23)는 외부변조기(21)의 개수와 동일한 개수를 포함할 수 있다.
외부변조기 바이어스 회로(23)는 외부변조기로 바이어스 전원을 공급한다. 외부변조기 바이어스 회로(23)는 바이어스 전원을 저항으로 전원전압을 낮춰 사용할 수 있다.
랜덤 비트 생성기(27)는 광소자(11)로부터 송신되는 광신호의 고속 데이터 측정을 수행한다. 랜덤 비트 생성기(27)는 의수난수를 이용하여 광신호에 포함된 데이터를 고속으로 측정한다. 여기서, 의수난수는 컴퓨터로 만들어내는 난수로써, 처음에 주어지는 초기값을 이용하여 이미 결정되어 있는 랜덤 비트 생성기에 의해 생성되는 수를 의미한다.
오류검출기(28)는 광소자(11)로부터 수신되는 광신호의 랜덤 비트 패턴의 오류를 검사한다. 오류검출기(28)는 의수난수를 이용하여 광신호에 포함된 데이터의 비트 패턴에 대한 오류를 검사한다.
결합부재(30)는 광 집적회로(10) 및 구동 집적회로(20)를 적층구조로 결합한다. 결합부재(30)는 이종 공정으로 제조된 광 집적회로(10) 및 구동 집적회로(20)를 3D 구조의 적층 집적회로로 결합한다. 즉, 결합부재(30)는 광 집적회로(10) 및 구동 집적회로(20)가 일정 간격으로 유지되도록 한다.
전술된 바와 같이, 이종접합 광 트랜시버(100)는 3D 구조의 집적회로로써, 칩의 면적을 크게 줄일 수 있고, 낮은 기생 커패시턴스 및 인덕턴스를 가진다. 또한 양극성 CMOS 공정으로 제조된 구동 집적회로(20)는 전체 집적회로의 10%로 매우 적은 비중을 차지하며 종래의 광 트랜시버와 비교하여 성능 및 가격적 측면에서 향상되었음을 보여주고, 광 집적회로(10)의 능동 광소자 또한 매우 적은 면적을 차지한다. 한편, 이종접합 광 트랜시버(100)는 채널수가 증가하여도 면적의 증가율이 높지 않은 장점을 가진다.
예를 들면, 이종접합 광 트랜시버(100)는 채널수를 2배 늘리면 집적회로의 면적이 30% 증가된다. 이는 PSM4(Parallel Single Mode 4) 등의 표준에서 큰 장점을 가질 수 있으며, PAM-4(Pulse Amplitude Modulation 4)와 같은 변조방법을 적용하기에 용이하여 28Gbps 속도를 56Gbps 속도로 구현할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 2채널 50Gbps인 이종접합 광 트랜시버를 설명하는 도면이고, 도 4는 도 3의 광 트랜시버에 대한 이종접합 구조를 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 3은 두 레인의 50Gbs 송신단(Tx), 수신단(Rx) 및 광 집적회로(10)를 점선으로 표시하였다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 2채널 40Gbs 내지 50Gbs NRZ(non-return-to-zero)의 하이브리드 실리콘 포토닉스를 이용하여 제조된 이종접합 광 트랜시버(100)에 대한 실시예를 설명한다.
이종접합 광 트랜시버(100)는 CMOS SOI 공정으로 제조된 광 집적회로(10) 및 양극성 CMOS 공정으로 제조된 구동 집적회로(20)를 이용하여 하이브리드 50Gbps 트랜시버로 제조한다. 이종접합 광 트랜시버(100)는 광 집적회로(10) 및 구동 집적회로(20) 사이에 결합부재(30)를 구비하여 3D 적층구조로 결합하여 일정 간격을 유지한다. 이 때, 결합부재(30)는 직경 10㎛ 내지 30㎛이고, 표면에 피치(pitch) 30㎛ 내지 50㎛인 나사산(31)을 가지는 금속재질의 기둥형상으로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 결합부재(30)는 직경 20㎛ 및 피치 40㎛일 수 있다.
이종접합 광 트랜시버(100)는 2개의 마하젠더변조기, 2개의 마하젠더변조기 드라이버, 마하젠더변조기 바이어스 회로, 도파관 광검출기, 송신기 및 수신기를 포함한다. 이 때, 송신기에는 2개의 독립적 랜덤 비트 생성기를 포함하고, 수신기에는 에러 검출기를 포함한다. 여기서, 랜덤 비트 생성기는 고속의 데이터 측정을 위해 칩 내부에 내장될 수 있으며, 에러검출기는 랜덤 비트 패턴을 자체 테스트를 통해 검사한다. 한편, 싱글모드 광섬유 어레이 및 지속파(CW) 레이저 등에서 발광되는 광신호는 수직적으로 격자결합기(grating coupler)를 통해 광 집적회로(10)와 결합된다.
상세하게는, 광 집적회로 마하젠더변조기(PIC MZM)는 길이가 3.36mm이고, 12×280㎛의 변조기의 한 부분으로 구성된다. 35Ω의 도파로는 6㎛의 금속 4층으로 구성된다. 마하젠더변조기 드라이버는 고속위상변조기(high speed phase modulator)의 애노드(anode)에 AC 결합을 하여 표면손실(skin loss)이 우세한 곳에 저주파 디엠퍼시스(de-emphasis)를 제공하고, 캐소드(cathode)에 DC 결합을 하여 광대역 변조를 제공한다. 이 때, 마하젠더변조기 드라이버의 회로는 2V pk-pk/arm을 제공한다. 진행파전극(travelling wave electrode, TWE) 표면손실등화(skin loss equalization)는 AC 결합된 애노드와 진행파전극 AC단의 제로-폴(zero-pole) 보상을 통해 해결한다. 마하젠더변조기 바이어스 회로는 마하젠터변조기가 최대 변조 진폭으로 설정하는 역할을 한다.
작은 실리콘 도파관에 집적화된 도파관 광검출기는 매우 낮은 커패시턴스를 가지고, PIN 광검출기의 표면에 조사되는 광에 의해 방생되는 대역폭 및 응답특성의 상층관계에 영향을 받지 않는다. 여기서, 도파관 광검출기의 커패시턴스는 수직 PIN 광검출기보다 1차 내지 2차정도 낮을 수 있을 수 있기 때문에, 트랜스임피던스 증폭기의 입력 참조잡음(referred noise)은 크게 감소될 수 있다. 이러한 장점은 입력 노이즈 전류 스펙트럼 밀도의 주원인을 보면 더 두드러진다. 트랜스임피던스 증폭기의 입력 트랜지스터에 의해 발생되는 고주파 노이즈는 더 높은 주파수에서 피크를 이룬다. 여기서, 양극성 CMOS로 구현된 트랜스임피던스 증폭기인 경우, 입력 실리콘 게르마늄(SiGe) 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터(heterojunction bipolar transister, HBT) 베이스 저항의 열잡음과 콜렉터 숏(shot) 잡음은 트랜스임피던스 증폭기의 입력단 이득 저항이 잡음의 주원인일 때 나아질 수 있다.
전술된 바와 같이, 이종접합 광 트랜시버(100)는 NRZ 기준 40Gbs 내지 50Gbs 이상의 고속으로 2채널 이상의 광 송수신이 가능하고, 최소 112Gbs 이상의 전송용량을 가지며, 확장을 통해 200Gbs, 400Gbs의 광 트랜시버로 적용할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 이종접합 광 트랜시버의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 이종접합 광 트랜시버(100)는 CMOS SOI공정 및 BiCMOS 공정을 이용하여 제조된 칩을 3D 구조로 적층시켜 제조한다.
S110단계에서, 광 집적회로(10) 및 구동 집적회로(20)를 제조한다. 광 집적회로(10)는 CMOS SOI 공정을 이용하여 제조한다. 광 집적회로(10)는 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자(11)를 포함하고, 외부변조기(21)의 전극단 및 전원 디커플링에 사용되는 수동소자(13)를 더 포함한다. 구동 집적회로(20)는 양극성 CMOS 공정을 이용하여 제조한다. 구동 집적회로(20)는 광소자(11)로부터 발광하는 광신호를 외부변조하는 외부변조기(21), 외부변조기(21)의 구동을 제어하는 외부변조기 드라이버(23) 및 외부변조기(21)로 바이어스 전원을 공급하는 외부변조기 바이어스 회로(25)를 포함하고, 광소자(11)로부터 송신되는 광신소의 고속 데이터 측정을 수행하는 랜덤 비트 생성기(27) 및 광소자(11)로부터 수신되는 광신호의 랜덤 비트 패턴의 오류를 검사하는 오류검출기(29)를 더 포함한다.
S120단계에서, 광 집적회로(10) 및 구동 집적회로(20)를 적층한다. 광 집적회로(10) 및 구동 집적회로(20) 사이에 결합부재(30)를 구비하여 일정 간격이 유지되도록 적층한다. 결합부재(30)는 직경 10㎛ 내지 30㎛이고, 표면에 피치(pitch) 30㎛ 내지 50㎛인 나사산을 가지는 금속재질의 기둥형상으로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 결합부재(30)는 직경 20㎛ 및 피치 40㎛일 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
10: 광 집적회로
11: 광소자
13: 수동소자
20: 구동 집적회로
21: 외부변조기
23: 외부변조기 드라이버
25: 외부변조기 바이어스 회로
27: 랜덤비트생성기
29: 오류검출기
30: 결합부재
31: 나사산
100: 이종접합 광 트랜시버
11: 광소자
13: 수동소자
20: 구동 집적회로
21: 외부변조기
23: 외부변조기 드라이버
25: 외부변조기 바이어스 회로
27: 랜덤비트생성기
29: 오류검출기
30: 결합부재
31: 나사산
100: 이종접합 광 트랜시버
Claims (8)
- CMOS SOI(silicon on insulator) 공정을 이용하여 제조되고, 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자를 포함하는 광 집적회로;
양극성 CMOS(Bipolar CMOS) 공정을 이용하여 제조되고, 상기 광소자를 구동시키는 구동 집적회로; 및
상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로를 적층구조로 결합하는 결합부재;
를 포함하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버. - 제 1항에 있어서,
상기 구동 집적회로는,
상기 광소자로부터 발광되는 광신호를 외부변조하는 외부변조기;
상기 외부변조기의 구동을 제어하는 외부변조기 드라이버;
상기 외부변조기로 바이어스 전원을 공급하는 외부변조기 바이어스 회로;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버. - 제 2항에 있어서,
상기 구동 집적회로는,
상기 광소자로부터 송신되는 광신호의 고속 데이터 측정을 수행하는 랜덤 비트 생성기(Pseudo-Random Bit Sequence, PRBS); 및
상기 광소자로부터 수신되는 광신호의 랜덤 비트 패턴의 오류를 검사하는 오류검출기;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버. - 제 2항에 있어서,
상기 외부변조기는,
마흐젠더변조기(Mach-Zehnder Modulator, MZM)인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버. - 제 2항에 있어서,
상기 외부변조기 바이어스회로는,
상기 외부변조기가 최대 변조 진폭이 되도록 상기 바이어스 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버. - 제 2항에 있어서,
상기 광 집적회로는,
상기 외부변조기의 전극단 및 전원 디커플링(decoupling)에 사용되는 수동소자;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버. - 제 1항에 있어서,
상기 결합부재는,
상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로가 일정 간격을 유지되도록 직경 10㎛ 내지 30㎛이고, 표면에 피치(pitch) 30㎛ 내지 50㎛인 나사산을 가지는 금속재질의 기둥형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버. - CMOS SOI 공정을 이용하여 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자를 포함하는 광 집적회로를 제조하고, 양극성 CMOS 공정을 이용하여 상기 광소자를 구동시키는 구동 집적회로를 제조하는 단계; 및
상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로를 적층구조로 결합시키는 단계;
를 포함하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버의 제조방법.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020170156881A KR20190059354A (ko) | 2017-11-23 | 2017-11-23 | 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR20190059354A true KR20190059354A (ko) | 2019-05-31 |
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20190059354A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111240054A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-05 | 亨通洛克利科技有限公司 | Psm4/aoc光发射芯片 |
| US11650436B2 (en) | 2019-09-06 | 2023-05-16 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Optical communication device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150031056A (ko) | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 한국전자통신연구원 | 대용량 광 트랜시버 모듈 |
-
2017
- 2017-11-23 KR KR1020170156881A patent/KR20190059354A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
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