JP2013258336A - 半導体光集積素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体光集積素子は、DFBレーザと、EA変調器と、SOAとが同一基板上にモノリシック集積され、光導波方向に対して、DFBレーザ、EA変調器、SOAの順に集積され、DFBレーザ及びSOAは、同一の制御端子によって電流を注入されることを特徴とする。
【選択図】図7
Description
Iop=IDFB+ISOA (式2)
となる。
以下、図6を用いて、本発明の実施例に係る半導体光集積素子の製作過程を説明する。ただし、図6はあくまで本実施例を説明するものであって、図6に示される構成要素の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。
2 EA変調器部層
3 DFBレーザ部層
4 SOA部層
5 光導波路層
6 回折格子
7 クラッド層
8 絶縁膜
9 BCB
10、11、12 p型電極
13 n型電極
14 パッケージ
15 高周波配線板
16 レンズ
100 半導体光集積素子
Claims (5)
- DFBレーザと、EA変調器と、SOAとが同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子であって、
光導波方向に対して、前記DFBレーザ、前記EA変調器、前記SOAの順に集積され、
前記DFBレーザ及び前記SOAは、同一の制御端子によって電流を注入されることを特徴とする半導体光集積素子。 - 前記SOAの光導波方向についての長さは、50μm以上150μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体光集積素子。
- 請求項1又は2に記載の半導体光集積素子を搭載したことを特徴とする光送信モジュール。
- DFBレーザと、EA変調器と、SOAとが同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子であって、光導波方向に対して、前記DFBレーザ、前記EA変調器、前記SOAの順に集積された半導体光集積素子において光を変調するための方法であって、
前記DFBレーザが、順方向バイアスを印加されることにより生成したレーザ光を前記EA変調器に出射するステップと、
前記EA変調器が、逆方向バイアスを印加されることにより、入射したレーザ光を吸収・変調し、正のチャープ値を有する変調光を前記SOAに出射するステップと、
前記SOAが、順方向バイアスを印加されることにより、入射した変調光をチャープ値変換して負のチャープ値を有する変調光を出射するステップと
を備え、
前記DFBレーザ及び前記SOAは、同一の制御端子によって電流を注入されることを特徴とする方法。 - 前記SOAの光導波方向についての長さは、50μm以上150μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の方法。
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