JP3368738B2 - 光送信器 - Google Patents
光送信器Info
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- JP3368738B2 JP3368738B2 JP00556596A JP556596A JP3368738B2 JP 3368738 B2 JP3368738 B2 JP 3368738B2 JP 00556596 A JP00556596 A JP 00556596A JP 556596 A JP556596 A JP 556596A JP 3368738 B2 JP3368738 B2 JP 3368738B2
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信用の光送信器
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は例えば１９９８年電子情報通信学
会秋季全国大会Ｂ−４４５図１に示された従来の光送信
器である。図９において１は差動型の構成をした入力バ
ッファ、２及び３は正相もしくは逆相信号を出力する差
動構成をなすＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、４は定
電流源としてのＦＥＴ、５は発光素子としてのＬＤ（レ
ーザーダイオード）、６はＬＤのバイアス電流をコント
ロールするＬＤバイアス供給回路である。
会秋季全国大会Ｂ−４４５図１に示された従来の光送信
器である。図９において１は差動型の構成をした入力バ
ッファ、２及び３は正相もしくは逆相信号を出力する差
動構成をなすＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、４は定
電流源としてのＦＥＴ、５は発光素子としてのＬＤ（レ
ーザーダイオード）、６はＬＤのバイアス電流をコント
ロールするＬＤバイアス供給回路である。
【０００３】次に動作について説明する。入力バッファ
１は、Ｖｉｎ端子から入力される信号を基準電圧と比較
する事により正相／逆相の両相信号を生成する。この入
力バッファ１の正相出力信号がＦＥＴ２のゲート、逆相
出力信号がＦＥＴ３のゲートに接続される。ＦＥＴ２及
びＦＥＴ３のソースは両者共定電流源であるＦＥＴ４の
ドレインに接続される。ＦＥＴ２及びＦＥＴ３はゲート
電圧が低い場合により大きな電流を流すタイプであり、
結果ＦＥＴ２及びＦＥＴ３にて信号は反転し、正相の入
力されたＦＥＴ２は逆相信号を逆相の入力されたＦＥＴ
３は正相信号をＦＥＴ４にて決定されるピーク電流値を
有する発光素子駆動電流に変換して出力する。ＦＥＴ２
ではドレインはＧＮＤに接続されるため、出力電流はＧ
ＮＤに直接流れる。ＦＥＴ３ではドレインが発光素子Ｌ
Ｄ５のカソードに接続されて所望の駆動電流を印加す
る。これにより発光素子ＬＤ５は駆動電流波形に準じた
光信号を出力する。ここで一般にＬＤにはあるＤＣ電流
値まで光出力を殆ど発しない閾値電流なるものが存在す
る。そこで通常光通信ではこの閾値電流とほぼ等しいＤ
Ｃ電流（以下バイアス電流）をＬＤに流しておき、これ
に信号電流を重畳する事により光信号波形を得る方式が
一般的である。ＬＤバイアス供給回路６は前記目的のた
めに発光素子ＬＤ５にバイアス電流を供給する電流源で
ある。
１は、Ｖｉｎ端子から入力される信号を基準電圧と比較
する事により正相／逆相の両相信号を生成する。この入
力バッファ１の正相出力信号がＦＥＴ２のゲート、逆相
出力信号がＦＥＴ３のゲートに接続される。ＦＥＴ２及
びＦＥＴ３のソースは両者共定電流源であるＦＥＴ４の
ドレインに接続される。ＦＥＴ２及びＦＥＴ３はゲート
電圧が低い場合により大きな電流を流すタイプであり、
結果ＦＥＴ２及びＦＥＴ３にて信号は反転し、正相の入
力されたＦＥＴ２は逆相信号を逆相の入力されたＦＥＴ
３は正相信号をＦＥＴ４にて決定されるピーク電流値を
有する発光素子駆動電流に変換して出力する。ＦＥＴ２
ではドレインはＧＮＤに接続されるため、出力電流はＧ
ＮＤに直接流れる。ＦＥＴ３ではドレインが発光素子Ｌ
Ｄ５のカソードに接続されて所望の駆動電流を印加す
る。これにより発光素子ＬＤ５は駆動電流波形に準じた
光信号を出力する。ここで一般にＬＤにはあるＤＣ電流
値まで光出力を殆ど発しない閾値電流なるものが存在す
る。そこで通常光通信ではこの閾値電流とほぼ等しいＤ
Ｃ電流（以下バイアス電流）をＬＤに流しておき、これ
に信号電流を重畳する事により光信号波形を得る方式が
一般的である。ＬＤバイアス供給回路６は前記目的のた
めに発光素子ＬＤ５にバイアス電流を供給する電流源で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の光送信器
では、発光素子に信号電流を供給するＦＥＴのドレイン
端子と発光素子間の線路をどの様なインピーダンスに設
計／製作しても、発光素子に印加される電流値により発
光素子そのものの有するインピーダンスが変化する事、
及びチップやモジュールの有する容量及びインダクタ成
分により周波数によりインピーダンスが変化する事等に
起因して反射波が生じ、これが前記ＦＥＴのドレイン端
子に悪影響を与えて駆動波形を劣化させ、その結果光出
力波形の劣化をきたすという問題があった。この問題
は、信号速度が低速の際にはＦＥＴのドレイン端子−発
光素子間の線路を極力短くする事で回避する事が可能で
あるが、信号速度が高速になるにつれて影響が無視でき
なくなってくる。
では、発光素子に信号電流を供給するＦＥＴのドレイン
端子と発光素子間の線路をどの様なインピーダンスに設
計／製作しても、発光素子に印加される電流値により発
光素子そのものの有するインピーダンスが変化する事、
及びチップやモジュールの有する容量及びインダクタ成
分により周波数によりインピーダンスが変化する事等に
起因して反射波が生じ、これが前記ＦＥＴのドレイン端
子に悪影響を与えて駆動波形を劣化させ、その結果光出
力波形の劣化をきたすという問題があった。この問題
は、信号速度が低速の際にはＦＥＴのドレイン端子−発
光素子間の線路を極力短くする事で回避する事が可能で
あるが、信号速度が高速になるにつれて影響が無視でき
なくなってくる。
【０００５】本発明は前記の様な問題点を解決するため
になされたものであり、発光素子付近で生じるインピー
ダンス変化により必然的に生じる反射波の影響を除去
し、良好な駆動電流波形を発光素子に供給し良好な光出
力波形を得る事を目的とする。
になされたものであり、発光素子付近で生じるインピー
ダンス変化により必然的に生じる反射波の影響を除去
し、良好な駆動電流波形を発光素子に供給し良好な光出
力波形を得る事を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明による光送信器
では、発光素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸
収回路を、発光素子と発光素子に信号を供給するＦＥＴ
のドレインとの間に付加した構成とするものである。
では、発光素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸
収回路を、発光素子と発光素子に信号を供給するＦＥＴ
のドレインとの間に付加した構成とするものである。
【０００７】また、この発明による光送信器では、発光
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とダ
ンピング抵抗を、発光素子と発光素子に信号を供給する
ＦＥＴのドレインとの間に付加した構成とするものであ
る。
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とダ
ンピング抵抗を、発光素子と発光素子に信号を供給する
ＦＥＴのドレインとの間に付加した構成とするものであ
る。
【０００８】また、この発明による光送信器では、発光
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とフ
ィルタを、発光素子と発光素子に信号を供給するＦＥＴ
のドレインとの間に付加した構成とするものである。
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とフ
ィルタを、発光素子と発光素子に信号を供給するＦＥＴ
のドレインとの間に付加した構成とするものである。
【０００９】また、この発明による光送信器では、発光
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とダ
ンピング抵抗とフィルタを、発光素子と発光素子に信号
を供給するＦＥＴのドレインとの間に付加した構成とす
るものである。
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とダ
ンピング抵抗とフィルタを、発光素子と発光素子に信号
を供給するＦＥＴのドレインとの間に付加した構成とす
るものである。
【００１０】また、この発明による光送信器では、発光
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路を、
発光素子と発光素子に信号を供給するトランジスタのコ
レクタとの間に付加した構成とするものである。
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路を、
発光素子と発光素子に信号を供給するトランジスタのコ
レクタとの間に付加した構成とするものである。
【００１１】また、この発明による光送信器では、発光
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とダ
ンピング抵抗を、発光素子と発光素子に信号を供給する
トランジスタのコレクタとの間に付加した構成とするも
のである。
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とダ
ンピング抵抗を、発光素子と発光素子に信号を供給する
トランジスタのコレクタとの間に付加した構成とするも
のである。
【００１２】また、この発明による光送信器では、発光
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とフ
ィルタを、発光素子と発光素子に信号を供給するトラン
ジスタのコレクタとの間に付加した構成とするものであ
る。
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とフ
ィルタを、発光素子と発光素子に信号を供給するトラン
ジスタのコレクタとの間に付加した構成とするものであ
る。
【００１３】また、この発明による光送信器では、発光
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とダ
ンピング抵抗とフィルタを、発光素子と発光素子に信号
を供給するトランジスタのコレクタとの間に付加した構
成とするものである。
素子付近にて生じる反射波を吸収する反射吸収回路とダ
ンピング抵抗とフィルタを、発光素子と発光素子に信号
を供給するトランジスタのコレクタとの間に付加した構
成とするものである。
【００１４】
実施の形態１．図１（ａ）は本発明の実施の形態１を示
す図であり、図において１は差動型の構成をした入力バ
ッファ、２及び３は正相もしくは逆相信号を出力する差
動構成をなすＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、４は定
電流源としてのＦＥＴ、５は発光素子としてのＬＤ（レ
ーザーダイオード）、６はＬＤのバイアス電流をコント
ロールするＬＤバイアス供給回路、７は反射吸収回路で
ある。図１において発光素子としては代表としてＬＤと
したがＬＥＤ（発光ダイオード）等他の発光素子でも構
わない。入力バッファ１はなくても他の構成でも構わな
い。定電流源としてＦＥＴ４を用いた回路を例示したが
電流源であれば他の構成でも構わない。ＬＤバイアス供
給回路６はなくても構わない。電源としては代表として
ＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、ＧＮＤ−Ｖｃ
ｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃｃ（正電
源）を用いても構わない。
す図であり、図において１は差動型の構成をした入力バ
ッファ、２及び３は正相もしくは逆相信号を出力する差
動構成をなすＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、４は定
電流源としてのＦＥＴ、５は発光素子としてのＬＤ（レ
ーザーダイオード）、６はＬＤのバイアス電流をコント
ロールするＬＤバイアス供給回路、７は反射吸収回路で
ある。図１において発光素子としては代表としてＬＤと
したがＬＥＤ（発光ダイオード）等他の発光素子でも構
わない。入力バッファ１はなくても他の構成でも構わな
い。定電流源としてＦＥＴ４を用いた回路を例示したが
電流源であれば他の構成でも構わない。ＬＤバイアス供
給回路６はなくても構わない。電源としては代表として
ＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、ＧＮＤ−Ｖｃ
ｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃｃ（正電
源）を用いても構わない。
【００１５】次に動作について説明する。入力バッファ
１は、Ｖｉｎ端子から入力される信号を基準電圧と比較
する事により正相／逆相の両相信号を生成する。この入
力バッファ１の正相出力信号がＦＥＴ２のゲート、逆相
出力信号がＦＥＴ３のゲートに接続される。ＦＥＴ２及
びＦＥＴ３のソースは両者共定電流源であるＦＥＴ４の
ドレインに接続される。ＦＥＴ２及びＦＥＴ３はゲート
電圧が低い場合により大きな電流を流すタイプであり、
結果ＦＥＴ２及びＦＥＴ３にて信号は反転し、正相の入
力されたＦＥＴ２は逆相信号を逆相の入力されたＦＥＴ
３は正相信号をＦＥＴ４にて決定される電流値に変換し
て出力する。ＦＥＴ２ではドレインはＧＮＤに接続され
るため、出力電流はＧＮＤに直接流れる。ＦＥＴ３では
ドレインが反射吸収回路７を介し、発光素子としてのＬ
Ｄ５のカソードに接続されて所望の電流を印加する事で
ＬＤ５を発光させ光信号を出力する。ＬＤにはあるＤＣ
電流値まで光出力を殆ど発しない閾値電流なるものが存
在し、通常光送信器ではＬＤにこの閾値電流とほぼ等し
い電流をバイアス電流として供給し、これに高周波の信
号電流を重畳して印加する。ＬＤバイアス供給回路６は
ＬＤ５にこのバイアス電流を供給する電流源である。
１は、Ｖｉｎ端子から入力される信号を基準電圧と比較
する事により正相／逆相の両相信号を生成する。この入
力バッファ１の正相出力信号がＦＥＴ２のゲート、逆相
出力信号がＦＥＴ３のゲートに接続される。ＦＥＴ２及
びＦＥＴ３のソースは両者共定電流源であるＦＥＴ４の
ドレインに接続される。ＦＥＴ２及びＦＥＴ３はゲート
電圧が低い場合により大きな電流を流すタイプであり、
結果ＦＥＴ２及びＦＥＴ３にて信号は反転し、正相の入
力されたＦＥＴ２は逆相信号を逆相の入力されたＦＥＴ
３は正相信号をＦＥＴ４にて決定される電流値に変換し
て出力する。ＦＥＴ２ではドレインはＧＮＤに接続され
るため、出力電流はＧＮＤに直接流れる。ＦＥＴ３では
ドレインが反射吸収回路７を介し、発光素子としてのＬ
Ｄ５のカソードに接続されて所望の電流を印加する事で
ＬＤ５を発光させ光信号を出力する。ＬＤにはあるＤＣ
電流値まで光出力を殆ど発しない閾値電流なるものが存
在し、通常光送信器ではＬＤにこの閾値電流とほぼ等し
い電流をバイアス電流として供給し、これに高周波の信
号電流を重畳して印加する。ＬＤバイアス供給回路６は
ＬＤ５にこのバイアス電流を供給する電流源である。
【００１６】ここでＬＤには印加する電流によりインピ
ーダンスが変化する事、ＬＤチップやモジュールの有す
る容量及びインダクタ成分により周波数によってインピ
ーダンスが変化する事等に起因し、ＬＤ付近で反射波が
生じる。この反射波はＦＥＴ３のドレインやひいては発
光素子駆動電流波形に悪影響を与え、結果ＬＤ５の光出
力波形が劣化する。反射吸収回路７はこの反射波を吸収
し、ＬＤ５の光出力波形の劣化を抑える働きをする。
ーダンスが変化する事、ＬＤチップやモジュールの有す
る容量及びインダクタ成分により周波数によってインピ
ーダンスが変化する事等に起因し、ＬＤ付近で反射波が
生じる。この反射波はＦＥＴ３のドレインやひいては発
光素子駆動電流波形に悪影響を与え、結果ＬＤ５の光出
力波形が劣化する。反射吸収回路７はこの反射波を吸収
し、ＬＤ５の光出力波形の劣化を抑える働きをする。
【００１７】反射吸収回路の一例を図１（ｂ）（ｃ）に
示す。図１（ｂ）の反射吸収回路例１では抵抗１個とい
うシンプルな構成である。ＦＥＴ３の出力インピーダン
スよりもこの抵抗値を下げぎみにすると、反射波の大部
分がこの抵抗側に流れ込みＦＥＴ３の出力に戻る反射波
が大きく減少するためＬＤ５駆動波形が良好になり、結
果ＬＤ５の光出力波形が良好なものとなる。
示す。図１（ｂ）の反射吸収回路例１では抵抗１個とい
うシンプルな構成である。ＦＥＴ３の出力インピーダン
スよりもこの抵抗値を下げぎみにすると、反射波の大部
分がこの抵抗側に流れ込みＦＥＴ３の出力に戻る反射波
が大きく減少するためＬＤ５駆動波形が良好になり、結
果ＬＤ５の光出力波形が良好なものとなる。
【００１８】図１（ｃ）反射吸収回路例２では抵抗とコ
ンデンサという構成である。図１（ｂ）の回路例１では
抵抗１個の構成であるため全ての周波数で有効である
が、これは同時に駆動波形のピーク電流の減少を生み結
果無駄な電力が多く存在する事になる。しかし回路例２
の構成であれば、反射が問題となる所望の周波数以上の
みの反射波を取り除く効果が期待でき、必要とする周波
数までの駆動電流のピーク電流を減らさずに回路例１と
同様の効果が期待できる。本例はコンデンサのみの構成
でも同様な効果が期待できる。
ンデンサという構成である。図１（ｂ）の回路例１では
抵抗１個の構成であるため全ての周波数で有効である
が、これは同時に駆動波形のピーク電流の減少を生み結
果無駄な電力が多く存在する事になる。しかし回路例２
の構成であれば、反射が問題となる所望の周波数以上の
みの反射波を取り除く効果が期待でき、必要とする周波
数までの駆動電流のピーク電流を減らさずに回路例１と
同様の効果が期待できる。本例はコンデンサのみの構成
でも同様な効果が期待できる。
【００１９】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２を示す図であり、図において１〜７は実施の形態１
と同様である。８はダンピング抵抗である。図２におい
て発光素子としては代表としてＬＤとしたがＬＥＤ等他
の発光素子でも構わない。入力バッファ１はなくても他
の構成でも構わない。定電流源としてＦＥＴ４を用いた
回路を例示したが電流源であれば他の構成でも構わな
い。ＬＤバイアス供給回路６はなくても構わない。電源
としては代表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示し
たが、ＧＮＤ−Ｖｃｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電
源）−Ｖｃｃ（正電源）を用いても構わない。
態２を示す図であり、図において１〜７は実施の形態１
と同様である。８はダンピング抵抗である。図２におい
て発光素子としては代表としてＬＤとしたがＬＥＤ等他
の発光素子でも構わない。入力バッファ１はなくても他
の構成でも構わない。定電流源としてＦＥＴ４を用いた
回路を例示したが電流源であれば他の構成でも構わな
い。ＬＤバイアス供給回路６はなくても構わない。電源
としては代表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示し
たが、ＧＮＤ−Ｖｃｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電
源）−Ｖｃｃ（正電源）を用いても構わない。
【００２０】次に動作について説明する。図中１〜７に
おける動作は実施の形態１と全く同様でありここではダ
ンピング抵抗８の動作についてのみ述べる。一般にＬＤ
等発光素子には緩和振動という周波数特性上のピークが
存在する。このためＬＤ等発光素子をＡＣ駆動するとそ
の光出力波形は特にその波形立ち上がり時においてオー
バーシュート／アンダーシュートを伴った波形となりが
ちである。ダンピング抵抗８を付加する事によりＦＥＴ
３の負荷が高負荷となり、ＬＤ５駆動電流波形がなまら
せられる。
おける動作は実施の形態１と全く同様でありここではダ
ンピング抵抗８の動作についてのみ述べる。一般にＬＤ
等発光素子には緩和振動という周波数特性上のピークが
存在する。このためＬＤ等発光素子をＡＣ駆動するとそ
の光出力波形は特にその波形立ち上がり時においてオー
バーシュート／アンダーシュートを伴った波形となりが
ちである。ダンピング抵抗８を付加する事によりＦＥＴ
３の負荷が高負荷となり、ＬＤ５駆動電流波形がなまら
せられる。
【００２１】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３を示す図であり、図において１〜７は実施の形態１
と同様である。９はフィルタである。図３において発光
素子としては代表としてＬＤとしたがＬＥＤ等他の発光
素子でも構わない。入力バッファ１はなくても他の構成
でも構わない。定電流源としてＦＥＴ４を用いた回路を
例示したが電流源であれば他の構成でも構わない。ＬＤ
バイアス供給回路６はなくても構わない。電源としては
代表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、Ｇ
ＮＤ−Ｖｃｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖ
ｃｃ（正電源）を用いても構わない。
態３を示す図であり、図において１〜７は実施の形態１
と同様である。９はフィルタである。図３において発光
素子としては代表としてＬＤとしたがＬＥＤ等他の発光
素子でも構わない。入力バッファ１はなくても他の構成
でも構わない。定電流源としてＦＥＴ４を用いた回路を
例示したが電流源であれば他の構成でも構わない。ＬＤ
バイアス供給回路６はなくても構わない。電源としては
代表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、Ｇ
ＮＤ−Ｖｃｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖ
ｃｃ（正電源）を用いても構わない。
【００２２】次に動作について説明する。図中１〜７に
おける動作は実施の形態１と全く同様でありここではフ
ィルタ９の動作についてのみ述べる。ＬＤ等発光素子が
有する周波数特性上のピークである緩和振動により、Ｌ
Ｄ等発光素子をＡＣ駆動するとその光出力波形は特にそ
の波形立ち上がり時においてオーバーシュート／アンダ
ーシュートを伴った波形となりがちである。フィルタ９
はこの周波数特性上のピークを打ち消す様に動作する。
本フィルタの形式としてはＣ（容量），Ｌ（インダク
タ）Ｃ，Ｒ（抵抗）Ｃにより構成されたものが考えら
れ、一般にはローパスフィルタとなる。
おける動作は実施の形態１と全く同様でありここではフ
ィルタ９の動作についてのみ述べる。ＬＤ等発光素子が
有する周波数特性上のピークである緩和振動により、Ｌ
Ｄ等発光素子をＡＣ駆動するとその光出力波形は特にそ
の波形立ち上がり時においてオーバーシュート／アンダ
ーシュートを伴った波形となりがちである。フィルタ９
はこの周波数特性上のピークを打ち消す様に動作する。
本フィルタの形式としてはＣ（容量），Ｌ（インダク
タ）Ｃ，Ｒ（抵抗）Ｃにより構成されたものが考えら
れ、一般にはローパスフィルタとなる。
【００２３】実施の形態４．図４はこの発明の実施の形
態４を示す図であり、図において１〜７は実施の形態１
と同様である。８はダンピング抵抗、９はフィルタであ
る。図４において発光素子としては代表としてＬＤとし
たがＬＥＤ等他の発光素子でも構わない。入力バッファ
１はなくても他の構成でも構わない。定電流源としてＦ
ＥＴ４を用いた回路を例示したが電流源であれば他の構
成でも構わない。ＬＤバイアス供給回路６はなくても構
わない。電源としては代表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電
源）を例示したが、ＧＮＤ−Ｖｃｃ（正電源）もしくは
Ｖｅｅ（負電源）−Ｖｃｃ（正電源）を用いても構わな
い。
態４を示す図であり、図において１〜７は実施の形態１
と同様である。８はダンピング抵抗、９はフィルタであ
る。図４において発光素子としては代表としてＬＤとし
たがＬＥＤ等他の発光素子でも構わない。入力バッファ
１はなくても他の構成でも構わない。定電流源としてＦ
ＥＴ４を用いた回路を例示したが電流源であれば他の構
成でも構わない。ＬＤバイアス供給回路６はなくても構
わない。電源としては代表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電
源）を例示したが、ＧＮＤ−Ｖｃｃ（正電源）もしくは
Ｖｅｅ（負電源）−Ｖｃｃ（正電源）を用いても構わな
い。
【００２４】次に動作について説明する。図中１〜７に
おける動作は実施の形態１と全く同様でありここではダ
ンピング抵抗８及びフィルタ９の動作についてのみ述べ
る。ＬＤ等発光素子が有する周波数特性上のピークであ
る緩和振動により、ＬＤ等発光素子をＡＣ駆動するとそ
の光出力波形は特にその波形立ち上がり時においてオー
バーシュート／アンダーシュートを伴った波形となりが
ちである。ダンピング抵抗８はＦＥＴ３の負荷が高負荷
とし、またフィルタ９は周波数特性上のピークを打ち消
す様に動作する。
おける動作は実施の形態１と全く同様でありここではダ
ンピング抵抗８及びフィルタ９の動作についてのみ述べ
る。ＬＤ等発光素子が有する周波数特性上のピークであ
る緩和振動により、ＬＤ等発光素子をＡＣ駆動するとそ
の光出力波形は特にその波形立ち上がり時においてオー
バーシュート／アンダーシュートを伴った波形となりが
ちである。ダンピング抵抗８はＦＥＴ３の負荷が高負荷
とし、またフィルタ９は周波数特性上のピークを打ち消
す様に動作する。
【００２５】実施の形態５．図５は本発明の実施の形態
５を示す図であり、図において１は差動型の構成をした
入力バッファ、５は発光素子としてのＬＤ（レーザーダ
イオード）、６はＬＤのバイアス電流をコントロールす
るＬＤバイアス供給回路、７は反射吸収回路、１０及び
１１は正相もしくは逆相信号を出力する差動構成をなす
トランジスタ、１２は定電流源としてのトランジスタで
ある。図５において発光素子としては代表としてＬＤと
したＬＥＤ（発光ダイオード）等他の発光素子でも構わ
ない。入力バッファ１はなくても他の構成でも構わな
い。定電流源としてトランジスタ１２を用いた回路を例
示したが電流源であれば他の構成でも構わない。ＬＤバ
イアス供給回路６はなくても構わない。電源としては代
表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、ＧＮ
Ｄ−Ｖｃｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃ
ｃ（正電源）を用いても構わない。
５を示す図であり、図において１は差動型の構成をした
入力バッファ、５は発光素子としてのＬＤ（レーザーダ
イオード）、６はＬＤのバイアス電流をコントロールす
るＬＤバイアス供給回路、７は反射吸収回路、１０及び
１１は正相もしくは逆相信号を出力する差動構成をなす
トランジスタ、１２は定電流源としてのトランジスタで
ある。図５において発光素子としては代表としてＬＤと
したＬＥＤ（発光ダイオード）等他の発光素子でも構わ
ない。入力バッファ１はなくても他の構成でも構わな
い。定電流源としてトランジスタ１２を用いた回路を例
示したが電流源であれば他の構成でも構わない。ＬＤバ
イアス供給回路６はなくても構わない。電源としては代
表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、ＧＮ
Ｄ−Ｖｃｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃ
ｃ（正電源）を用いても構わない。
【００２６】次に動作について説明する。入力バッファ
１は、Ｖｉｎ端子から入力される信号を基準電圧と比較
する事により正相／逆相の両相信号を生成する。この入
力バッファ１の正相出力信号がトランジスタ１０のベー
ス、逆相出力信号がトランジスタ１１のベースに接続さ
れる。トランジスタ１０及びトランジスタ１１のエミッ
タは両者共定電流源であるトランジスタ１２のコレクタ
に接続される。正相の入力されたトランジスタ１０は正
相信号を、逆相の入力されたトランジスタ１１は逆相信
号をトランジスタ１２にて決定される電流値に変換して
出力する。トランジスタ１１ではコレクタはＧＮＤに接
続されるため、出力電流はＧＮＤに直接流れる。トラン
ジスタ１０ではコレクタが反射吸収回路７を介し、発光
素子としてのＬＤ５のカソードに接続されて所望の電流
を印加する事でＬＤ５を発光させ光信号を出力する。Ｌ
ＤにはあるＤＣ電流値まで光出力を殆ど発しない閾値電
流なるものが存在し、通常光送信器ではＬＤにこの閾値
電流とほぼ等しい電流をバイアス電流として供給し、こ
れに高周波の信号電流を重畳して印加する。ＬＤバイア
ス供給回路６はＬＤ５にこのバイアス電流を供給する電
流源である。
１は、Ｖｉｎ端子から入力される信号を基準電圧と比較
する事により正相／逆相の両相信号を生成する。この入
力バッファ１の正相出力信号がトランジスタ１０のベー
ス、逆相出力信号がトランジスタ１１のベースに接続さ
れる。トランジスタ１０及びトランジスタ１１のエミッ
タは両者共定電流源であるトランジスタ１２のコレクタ
に接続される。正相の入力されたトランジスタ１０は正
相信号を、逆相の入力されたトランジスタ１１は逆相信
号をトランジスタ１２にて決定される電流値に変換して
出力する。トランジスタ１１ではコレクタはＧＮＤに接
続されるため、出力電流はＧＮＤに直接流れる。トラン
ジスタ１０ではコレクタが反射吸収回路７を介し、発光
素子としてのＬＤ５のカソードに接続されて所望の電流
を印加する事でＬＤ５を発光させ光信号を出力する。Ｌ
ＤにはあるＤＣ電流値まで光出力を殆ど発しない閾値電
流なるものが存在し、通常光送信器ではＬＤにこの閾値
電流とほぼ等しい電流をバイアス電流として供給し、こ
れに高周波の信号電流を重畳して印加する。ＬＤバイア
ス供給回路６はＬＤ５にこのバイアス電流を供給する電
流源である。
【００２７】ここでＬＤには印加する電流によりインピ
ーダンスが変化する事、ＬＤチップやモジュールの有す
る容量及びインダクタ成分により周波数によってインピ
ーダンスが変化する事等に起因し、ＬＤ付近で反射波が
生じる。この反射波はトランジスタ１０のコレクタやひ
いては発光素子駆動電流波形に悪影響を与え、結果ＬＤ
５の光出力波形が劣化する。反射吸収回路７はこの反射
波を吸収し、ＬＤ５の光出力波形の劣化を抑える働きを
する。以上の動作は、ＦＥＴの代わりにトランジスタが
用いられる事を除いてほぼ実施の形態１と同様である。
ーダンスが変化する事、ＬＤチップやモジュールの有す
る容量及びインダクタ成分により周波数によってインピ
ーダンスが変化する事等に起因し、ＬＤ付近で反射波が
生じる。この反射波はトランジスタ１０のコレクタやひ
いては発光素子駆動電流波形に悪影響を与え、結果ＬＤ
５の光出力波形が劣化する。反射吸収回路７はこの反射
波を吸収し、ＬＤ５の光出力波形の劣化を抑える働きを
する。以上の動作は、ＦＥＴの代わりにトランジスタが
用いられる事を除いてほぼ実施の形態１と同様である。
【００２８】実施の形態６．図６はこの発明の実施の形
態６を示す図であり、図において１と５〜７及び１０〜
１２は実施の形態５と同様である。８はダンピング抵抗
である。図６において発光素子としては代表としてＬＤ
としたがＬＥＤ等他の発光素子でも構わない。入力バッ
ファ１はなくても他の構成でも構わない。定電流源とし
てトランジスタ１２を用いた回路を例示したが電流源で
あれば他の構成でも構わない。ＬＤバイアス供給回路６
はなくても構わない。電源としては代表としてＧＮＤ−
Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、ＧＮＤ−Ｖｃｃ（正電
源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃｃ（正電源）を用
いても構わない。
態６を示す図であり、図において１と５〜７及び１０〜
１２は実施の形態５と同様である。８はダンピング抵抗
である。図６において発光素子としては代表としてＬＤ
としたがＬＥＤ等他の発光素子でも構わない。入力バッ
ファ１はなくても他の構成でも構わない。定電流源とし
てトランジスタ１２を用いた回路を例示したが電流源で
あれば他の構成でも構わない。ＬＤバイアス供給回路６
はなくても構わない。電源としては代表としてＧＮＤ−
Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、ＧＮＤ−Ｖｃｃ（正電
源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃｃ（正電源）を用
いても構わない。
【００２９】次に動作について説明する。図中１と５〜
７及び１０〜１２における動作は実施の形態５と全く同
様でありここではダンピング抵抗８の動作についてのみ
述べる。一般にＬＤ等発光素子には緩和振動という周波
数特性上のピークが存在する。このためＬＤ等発光素子
をＡＣ駆動するとその光出力波形は（特に波形立ち上が
り時において）オーバーシュート／アンダーシュートを
伴った波形となりがちである。ダンピング抵抗８を付加
する事によりトランジスタ１０の負荷が高負荷となり、
ＬＤ５駆動電流波形がなまらせられる。
７及び１０〜１２における動作は実施の形態５と全く同
様でありここではダンピング抵抗８の動作についてのみ
述べる。一般にＬＤ等発光素子には緩和振動という周波
数特性上のピークが存在する。このためＬＤ等発光素子
をＡＣ駆動するとその光出力波形は（特に波形立ち上が
り時において）オーバーシュート／アンダーシュートを
伴った波形となりがちである。ダンピング抵抗８を付加
する事によりトランジスタ１０の負荷が高負荷となり、
ＬＤ５駆動電流波形がなまらせられる。
【００３０】実施の形態７．図７はこの発明の実施の形
態７を示す図であり、図において１と５〜７及び１０〜
１２は実施の形態５と同様である。９はフィルタであ
る。図７において発光素子としては代表としてＬＤとし
たがＬＥＤ等他の発光素子でも構わない。入力バッファ
１はなくても他の構成でも構わない。定電流源としてト
ランジスタ１２を用いた回路を例示したが電流源であれ
ば他の構成でも構わない。ＬＤバイアス供給回路６はな
くても構わない。電源としては代表としてＧＮＤ−Ｖｅ
ｅ（負電源）を例示したが、ＧＮＤ−Ｖｃｃ（正電源）
もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃｃ（正電源）を用いて
も構わない。
態７を示す図であり、図において１と５〜７及び１０〜
１２は実施の形態５と同様である。９はフィルタであ
る。図７において発光素子としては代表としてＬＤとし
たがＬＥＤ等他の発光素子でも構わない。入力バッファ
１はなくても他の構成でも構わない。定電流源としてト
ランジスタ１２を用いた回路を例示したが電流源であれ
ば他の構成でも構わない。ＬＤバイアス供給回路６はな
くても構わない。電源としては代表としてＧＮＤ−Ｖｅ
ｅ（負電源）を例示したが、ＧＮＤ−Ｖｃｃ（正電源）
もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃｃ（正電源）を用いて
も構わない。
【００３１】次に動作について説明する。図中１と５〜
７及び１０〜１２における動作は実施の形態５と全く同
様でありここではフィルタ９の動作についてのみ述べ
る。ＬＤ等発光素子が有する周波数特性上のピークであ
る緩和振動により、ＬＤ等発光素子をＡＣ駆動するとそ
の光出力波形は特にその波形立ち上がり時においてオー
バーシュート／アンダーシュートを伴った波形となりが
ちである。フィルタ９はこの周波数特性上のピークを打
ち消す様に動作する。本フィルタの形式としてはＣ（容
量），Ｌ（インダクタ）Ｃ，Ｒ（抵抗）Ｃにより構成さ
れたものが考えられ、一般にはローパスフィルタとな
る。
７及び１０〜１２における動作は実施の形態５と全く同
様でありここではフィルタ９の動作についてのみ述べ
る。ＬＤ等発光素子が有する周波数特性上のピークであ
る緩和振動により、ＬＤ等発光素子をＡＣ駆動するとそ
の光出力波形は特にその波形立ち上がり時においてオー
バーシュート／アンダーシュートを伴った波形となりが
ちである。フィルタ９はこの周波数特性上のピークを打
ち消す様に動作する。本フィルタの形式としてはＣ（容
量），Ｌ（インダクタ）Ｃ，Ｒ（抵抗）Ｃにより構成さ
れたものが考えられ、一般にはローパスフィルタとな
る。
【００３２】実施の形態８．図８はこの発明の実施の形
態８を示す図であり、図において１と５〜７及び１０〜
１２は実施の形態５と同様である。８はダンピング抵
抗、９はフィルタである。図８において発光素子として
は代表としてＬＤとしたがＬＥＤ等他の発光素子でも構
わない。入力バッファ１はなくても他の構成でも構わな
い。定電流源としてトランジスタ１２を用いた回路を例
示したが電流源であれば他の構成でも構わない。ＬＤバ
イアス供給回路６はなくても構わない。電源としては代
表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、ＧＮ
Ｄ−Ｖｃｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃ
ｃ（正電源）を用いても構わない。
態８を示す図であり、図において１と５〜７及び１０〜
１２は実施の形態５と同様である。８はダンピング抵
抗、９はフィルタである。図８において発光素子として
は代表としてＬＤとしたがＬＥＤ等他の発光素子でも構
わない。入力バッファ１はなくても他の構成でも構わな
い。定電流源としてトランジスタ１２を用いた回路を例
示したが電流源であれば他の構成でも構わない。ＬＤバ
イアス供給回路６はなくても構わない。電源としては代
表としてＧＮＤ−Ｖｅｅ（負電源）を例示したが、ＧＮ
Ｄ−Ｖｃｃ（正電源）もしくはＶｅｅ（負電源）−Ｖｃ
ｃ（正電源）を用いても構わない。
【００３３】次に動作について説明する。図中１と５〜
７及び１０〜１２における動作は実施の形態５と全く同
様でありここではダンピング抵抗８及びフィルタ９の動
作についてのみ述べる。ＬＤ等発光素子が有する周波数
特性上のピークである緩和振動により、ＬＤ等発光素子
をＡＣ駆動するとその光出力波形は特にその波形立ち上
がり時においてオーバーシュート／アンダーシュートを
伴った波形となりがちである。ダンピング抵抗８はトラ
ンジスタ１０の負荷を高負荷とし、またフィルタ９は周
波数特性上のピークを打ち消す様に動作する。
７及び１０〜１２における動作は実施の形態５と全く同
様でありここではダンピング抵抗８及びフィルタ９の動
作についてのみ述べる。ＬＤ等発光素子が有する周波数
特性上のピークである緩和振動により、ＬＤ等発光素子
をＡＣ駆動するとその光出力波形は特にその波形立ち上
がり時においてオーバーシュート／アンダーシュートを
伴った波形となりがちである。ダンピング抵抗８はトラ
ンジスタ１０の負荷を高負荷とし、またフィルタ９は周
波数特性上のピークを打ち消す様に動作する。
【００３４】
【発明の効果】この発明によれば、発光素子付近で生じ
るインピーダンス変化により必然的に生じる反射波の影
響を除去し、良好な駆動電流波形を発光素子に供給し良
好な光出力波形を得る事が出来る。
るインピーダンス変化により必然的に生じる反射波の影
響を除去し、良好な駆動電流波形を発光素子に供給し良
好な光出力波形を得る事が出来る。
【００３５】また、この発明によれば、発光素子付近で
生じるインピーダンス変化により必然的に生じる反射波
の影響を除去し、良好な駆動電流波形を発光素子に供給
出来ると共に、発光素子の緩和振動に起因するピークを
除去し良好な光出力波形を得る事が出来る。
生じるインピーダンス変化により必然的に生じる反射波
の影響を除去し、良好な駆動電流波形を発光素子に供給
出来ると共に、発光素子の緩和振動に起因するピークを
除去し良好な光出力波形を得る事が出来る。
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【図１】 この発明による光送信器の実施の形態１を示
す図である。
す図である。
【図２】 この発明による光送信器の実施の形態２を示
す図である。
す図である。
【図３】 この発明による光送信器の実施の形態３を示
す図である。
す図である。
【図４】 この発明による光送信器の実施の形態４を示
す図である。
す図である。
【図５】 この発明による光送信器の実施の形態５を示
す図である。
す図である。
【図６】 この発明による光送信器の実施の形態６を示
す図である。
す図である。
【図７】 この発明による光送信器の実施の形態７を示
す図である。
す図である。
【図８】 この発明による光送信器の実施の形態８を示
す図である。
す図である。
【図９】 従来の光送信器を示す図である。
１ 差動型の構成をした入力バッファ、２ ３と一対の
差動構成を成すＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、３
２と一対の差動構成を成すＦＥＴ、４ 電流源としての
ＦＥＴ、５ 発光素子としてのＬＤ（レーザーダイオー
ド）、６ ＬＤバイアス電流供給回路、７ 反射吸収回
路、８ ダンピング抵抗、９ フィルタ、１０ １１と
一対の差動構成を成すトランジスタ、１１ １０と一対
の差動構成を成すトランジスタ、１２ 電流源としての
トランジスタ。
差動構成を成すＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、３
２と一対の差動構成を成すＦＥＴ、４ 電流源としての
ＦＥＴ、５ 発光素子としてのＬＤ（レーザーダイオー
ド）、６ ＬＤバイアス電流供給回路、７ 反射吸収回
路、８ ダンピング抵抗、９ フィルタ、１０ １１と
一対の差動構成を成すトランジスタ、１１ １０と一対
の差動構成を成すトランジスタ、１２ 電流源としての
トランジスタ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０４Ｂ 10/26
10/28
Claims (4)
- 【請求項１】 電流源と、前記電流源にソースが接続さ
れ、ゲートに正相信号が入力される第１のＦＥＴ（電界
効果トランジスタ）と、前記電流源にソースが接続さ
れ、ゲートに逆相信号が入力された第２のＦＥＴと、前
記第１又は第２のＦＥＴのドレインにカソードが接続さ
れた発光素子とを有する光送信器において、 前記第１又は第２のＦＥＴのドレインと前記発光素子の
間に設けられた反射吸収回路と、前記反射吸収回路と前
記発光素子の間に設けられたダンピング抵抗と、前記ダ
ンピング抵抗と前記発光素子の間に並列接続され、前記
発光素子にバイアス電流を供給するバイアス供給回路と
を備え、 前記反射吸収回路は、前記第１又は第２のＦＥＴの出力
インピーダンスよりも低い抵抗値の抵抗を有することを
特徴とする光送信器。 - 【請求項２】 電流源と、前記電流源にエミッタが接続
され、ベースに正相信号が入力される第１のトランジス
タと、前記電流源にエミッタが接続され、ベースに逆相
信号が入力される第２のトランジスタと、前記第１又は
第２のトランジスタのコレクタにカソードが接続された
発光素子とを有する光送信器において、 前記第１又は第２のトランジスタのコレクタと前記発光
素子の間に設けられた反射吸収回路と、前記反射吸収回
路と前記発光素子の間に設けられたダンピング抵抗と、
前記ダンピング抵抗と前記発光素子の間に並列接続さ
れ、前記発光素子にバイアス電流を供給するバイアス供
給回路とを備え、 前記反射吸収回路は、前記第１又は第２のトランジスタ
の出力インピーダンスよりも低い抵抗値の抵抗を有する
ことを特徴とする光送信器。 - 【請求項３】 前記反射吸収回路は、前記抵抗と直列に
接続されたコンデンサを備えたことを特徴とする請求項
１もしくは請求項２に記載の光送信器。 - 【請求項４】 前記ダンピング抵抗と前記発光素子の間
に、前記発光素子の緩和振動に起因するピークを打ち消
すように動作する容量を有したフィルタを設けた事を特
徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の光送
信器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00556596A JP3368738B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光送信器 |
| US08/758,364 US5721456A (en) | 1996-01-17 | 1996-12-03 | Optical transmitter |
| EP96120494A EP0785638B1 (en) | 1996-01-17 | 1996-12-19 | Optical transmitter |
| DE69623924T DE69623924T2 (de) | 1996-01-17 | 1996-12-19 | Optischer Sender |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00556596A JP3368738B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光送信器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002269871A Division JP3463754B2 (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 光送信器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09200150A JPH09200150A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3368738B2 true JP3368738B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=11614742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00556596A Expired - Fee Related JP3368738B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光送信器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5721456A (ja) |
| EP (1) | EP0785638B1 (ja) |
| JP (1) | JP3368738B2 (ja) |
| DE (1) | DE69623924T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2311435C (en) * | 2000-06-13 | 2004-04-20 | Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee | Capacitor regulated high efficiency driver for light emitting diode |
| US6678294B1 (en) * | 2000-11-06 | 2004-01-13 | Northrop Grumman Corporation | Distributed feedback laser apparatus for avoiding stimulated brillouin scattering |
| US6667661B1 (en) | 2001-05-04 | 2003-12-23 | Euvis, Inc. | Laser diode driver with high power efficiency |
| JP5157457B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2013-03-06 | 富士通株式会社 | 半導体素子の制御回路 |
| TWI539763B (zh) * | 2014-09-26 | 2016-06-21 | 財團法人工業技術研究院 | 光通訊裝置及其控制方法 |
| JP6046288B1 (ja) * | 2016-01-14 | 2016-12-14 | 株式会社東芝 | 電流出力回路及び光送信器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60178735A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子駆動回路 |
| JPS6159885A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | 発光ダイオ−ドの駆動回路 |
| NL8701986A (nl) * | 1987-08-25 | 1989-03-16 | Oce Nederland Bv | Besturingsschakeling voor een laserprinter. |
| US4818896A (en) * | 1987-08-28 | 1989-04-04 | Hewlett-Packard Company | Optical transmitter driver with current peaking |
| JPH01237807A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| WO1991000621A1 (en) * | 1989-06-24 | 1991-01-10 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Light-emitting diode drive circuit |
| CA2040626C (en) * | 1990-08-02 | 1995-05-23 | Shigeo Hayashi | Light emitting element drive circuit |
| JPH04192729A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Fujitsu Ltd | 光送信装置 |
| US5343323A (en) * | 1991-10-24 | 1994-08-30 | General Motors Corporation | Lan electro-optical interface |
| US5398008A (en) * | 1992-08-17 | 1995-03-14 | Alcatel N.V. | Circuit arrangement for amplitude-modulating the drive signal of a laser |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP00556596A patent/JP3368738B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-03 US US08/758,364 patent/US5721456A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-19 EP EP96120494A patent/EP0785638B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-19 DE DE69623924T patent/DE69623924T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69623924D1 (de) | 2002-10-31 |
| US5721456A (en) | 1998-02-24 |
| EP0785638A3 (en) | 2001-03-28 |
| JPH09200150A (ja) | 1997-07-31 |
| EP0785638A2 (en) | 1997-07-23 |
| DE69623924T2 (de) | 2003-06-05 |
| EP0785638B1 (en) | 2002-09-25 |
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