JP3405518B2 - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JP3405518B2 JP3405518B2 JP01696498A JP1696498A JP3405518B2 JP 3405518 B2 JP3405518 B2 JP 3405518B2 JP 01696498 A JP01696498 A JP 01696498A JP 1696498 A JP1696498 A JP 1696498A JP 3405518 B2 JP3405518 B2 JP 3405518B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
を駆動する半導体レーザ駆動回路に関する。
を駆動する半導体レーザ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤ（light emitting diode）を負荷
とした場合には、立上がり／立ち下がりが鈍くオーバシ
ュート、アンダシュート、リンギンクのない波形となる
ので、ＬＥＤは一般には高速動作に向かないとされてい
たが、現在では、ＬＥＤを高速動作させることができる
ようになった。ＬＥＤを高速動作させる回路としては、
例えば、特願平８−２２２７４０号に記載されているも
のが知られている。特願平８−２２２７４０号に記載さ
れている回路例を図３に示す。この回路の入力は、通
常、単相信号である。この単相信号は増幅器３００１に
より互いに相補的な両相信号に変換される。ＬＥＤ３０
０３は増幅器３００２の入力と出力のうち、同相の入出
力端子どうしがそれぞれコンデンサ３００５，３００６
により接続されており、増幅器３００２の一方の出力端
子には、ＬＥＤ３００３のカソードが接続され、他方の
出力端子には、ＬＥＤ３００３の等価抵抗と同程度の抵
抗値のダミー抵抗３００４が接続されていて、電流の平
衡がとられている。増幅器３００１からの互いに相補的
な両相信号は、この増幅器３００２により電圧−電流変
換され、得られた電流がＬＥＤ３００３に流れ、ＬＥＤ
３００３が発光する。
とした場合には、立上がり／立ち下がりが鈍くオーバシ
ュート、アンダシュート、リンギンクのない波形となる
ので、ＬＥＤは一般には高速動作に向かないとされてい
たが、現在では、ＬＥＤを高速動作させることができる
ようになった。ＬＥＤを高速動作させる回路としては、
例えば、特願平８−２２２７４０号に記載されているも
のが知られている。特願平８−２２２７４０号に記載さ
れている回路例を図３に示す。この回路の入力は、通
常、単相信号である。この単相信号は増幅器３００１に
より互いに相補的な両相信号に変換される。ＬＥＤ３０
０３は増幅器３００２の入力と出力のうち、同相の入出
力端子どうしがそれぞれコンデンサ３００５，３００６
により接続されており、増幅器３００２の一方の出力端
子には、ＬＥＤ３００３のカソードが接続され、他方の
出力端子には、ＬＥＤ３００３の等価抵抗と同程度の抵
抗値のダミー抵抗３００４が接続されていて、電流の平
衡がとられている。増幅器３００１からの互いに相補的
な両相信号は、この増幅器３００２により電圧−電流変
換され、得られた電流がＬＥＤ３００３に流れ、ＬＥＤ
３００３が発光する。
【０００３】入力信号がパルス信号の場合には、高周波
数成分がそのパルス信号の立上がりと立下がりエッジに
含まれるので、立上がりと立下がりのみが増幅器３００
２をバイパスしてＬＥＤ３００３にフィードフォワード
されることになり、ＬＥＤ負荷の場合の立上がりと立下
がり時の波形の鈍りが補正されることになる。
数成分がそのパルス信号の立上がりと立下がりエッジに
含まれるので、立上がりと立下がりのみが増幅器３００
２をバイパスしてＬＥＤ３００３にフィードフォワード
されることになり、ＬＥＤ負荷の場合の立上がりと立下
がり時の波形の鈍りが補正されることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この回路のＬＥＤ３０
０３に代えてレーザダイオードを用いた場合、容量性素
子であるＬＥＤを用いた場合とは相違して、インダクタ
ンス性素子であるレーザダイオードのインダクタンス
と、フィードフォワード回路の容量（すなわち、コンデ
ンサ３００５，３００６）とに起因して、パルスの立上
がりと立下がりが急峻になり過ぎ、オーバシュート、ア
ンダシュート、リンギングが増加することになる。従っ
て、レーザダイオードに対してはこのフィードフォワー
ド回路は有効な手段ではなかった。
０３に代えてレーザダイオードを用いた場合、容量性素
子であるＬＥＤを用いた場合とは相違して、インダクタ
ンス性素子であるレーザダイオードのインダクタンス
と、フィードフォワード回路の容量（すなわち、コンデ
ンサ３００５，３００６）とに起因して、パルスの立上
がりと立下がりが急峻になり過ぎ、オーバシュート、ア
ンダシュート、リンギングが増加することになる。従っ
て、レーザダイオードに対してはこのフィードフォワー
ド回路は有効な手段ではなかった。
【０００５】レーザダイオード駆動回路において、負荷
の等価回路はレーザダイオードだけで決定されるもので
はなく、例えば、レーザダイオードと駆動回路との間の
ボンデイングワイヤの寄生インダクタンス、ボンディン
グパッドと接地電極との寄生容量等が複雑に関係してく
る。特に、１ＧＨｚを超えた周波数では、１ＧＨｚ以下
の周波数では無視できたこれら寄生素子の影響が、レー
ザダイオードの動作に顕著に反映される。さらに、駆動
回路自体に含まれる出力容量も寄与してきて、レーザダ
イオードのインダクタンス成分および接合容量成分をど
んなに小さくしても、これら寄生素子の影響を除去する
ことができず、レーザダイオードの出力にリンギングが
現われる。
の等価回路はレーザダイオードだけで決定されるもので
はなく、例えば、レーザダイオードと駆動回路との間の
ボンデイングワイヤの寄生インダクタンス、ボンディン
グパッドと接地電極との寄生容量等が複雑に関係してく
る。特に、１ＧＨｚを超えた周波数では、１ＧＨｚ以下
の周波数では無視できたこれら寄生素子の影響が、レー
ザダイオードの動作に顕著に反映される。さらに、駆動
回路自体に含まれる出力容量も寄与してきて、レーザダ
イオードのインダクタンス成分および接合容量成分をど
んなに小さくしても、これら寄生素子の影響を除去する
ことができず、レーザダイオードの出力にリンギングが
現われる。
【０００６】本発明の目的は、上記のような問題点を解
決し、レーザダイオード出力のリンギングを抑制するこ
とができる半導体レーザ駆動回路を提供することにあ
る。
決し、レーザダイオード出力のリンギングを抑制するこ
とができる半導体レーザ駆動回路を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ駆
動回路は、相補的な入力信号をそれぞれ所定のレベルに
レベル変換するレベル変換回路と、該レベル変換回路に
よるレベル変換により得られた入力信号に基づき駆動し
てレーザダイオードに該レーザダイオードの接続導体に
寄生する寄生インダクタを介して変調電流を流す差動増
幅回路とを有する半導体レーザ駆動回路において、前記
レベル変換回路の出力端子と、該出力端子に現われる信
号と同相の信号が現われる前記差動増幅回路の出力端子
の間に、それぞれ、前記入力信号の周波数近傍の共振周
波数を有するフィードフォワード回路であって、抵抗と
コンデンサを直列接続してなるフィードフォワード回路
を備えたことを特徴とする。
動回路は、相補的な入力信号をそれぞれ所定のレベルに
レベル変換するレベル変換回路と、該レベル変換回路に
よるレベル変換により得られた入力信号に基づき駆動し
てレーザダイオードに該レーザダイオードの接続導体に
寄生する寄生インダクタを介して変調電流を流す差動増
幅回路とを有する半導体レーザ駆動回路において、前記
レベル変換回路の出力端子と、該出力端子に現われる信
号と同相の信号が現われる前記差動増幅回路の出力端子
の間に、それぞれ、前記入力信号の周波数近傍の共振周
波数を有するフィードフォワード回路であって、抵抗と
コンデンサを直列接続してなるフィードフォワード回路
を備えたことを特徴とする。
【０００８】本発明の半導体レーザ駆動回路は、電界効
果トランジスタにより構成することができ、レベル変換
回路はソースフォロワーとすることができる。
果トランジスタにより構成することができ、レベル変換
回路はソースフォロワーとすることができる。
【０００９】本発明の半導体レーザ駆動回路は、相補的
な信号を単相入力信号から生成する回路を備えることが
できる。
な信号を単相入力信号から生成する回路を備えることが
できる。
【００１０】電界効果トランジスタはＧａＡｓ−ＭＥＳ
ＦＥＴとすることができる。
ＦＥＴとすることができる。
【００１１】最高動作周波数は少なくとも１．０ＧＨｚ
を超えるようにすることができる。
を超えるようにすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態を示
す。これはレーザダイオード駆動回路の最終出力段の例
である。図１において、１は増幅器であり、単相入力信
号を相補的な２相の信号に変換するものである。２はソ
ースフォロワーであり、ＦＥＴ（field effect transis
tor ）２０１，２０２により構成されており、増幅器１
からの相補的な信号のうちの一方の信号のレベルを所定
のレベルに変換するものである。３はソースフォロワー
であり、ＦＥＴ３０１，３０２により構成されており、
増幅器１からの相補的な信号のうちの他方の信号のレベ
ルを所定のレベルに変換するものである。これらのレベ
ル変換はソースフォロワーＦＥＴのゲート−ソース間電
圧（Ｖｇｓ）で実現されるが、これに加えてＦＥＴのソ
ースに直列に順方向接続された複数のダイオードを接続
し、ダイオードの順方向電圧降下を利用することもでき
る。ＦＥＴ２０１，２０２，３０１，３０２はゲート長
が０．８ｎｍであり、ゲート幅が１８０μｍである。ソ
ースフォロワー２，３の消費電力は負側電源に接続され
ているＦＥＴ２０２，３０２のゲートに入力される動作
電流制御信号（バイアス電圧）で決定される。
す。これはレーザダイオード駆動回路の最終出力段の例
である。図１において、１は増幅器であり、単相入力信
号を相補的な２相の信号に変換するものである。２はソ
ースフォロワーであり、ＦＥＴ（field effect transis
tor ）２０１，２０２により構成されており、増幅器１
からの相補的な信号のうちの一方の信号のレベルを所定
のレベルに変換するものである。３はソースフォロワー
であり、ＦＥＴ３０１，３０２により構成されており、
増幅器１からの相補的な信号のうちの他方の信号のレベ
ルを所定のレベルに変換するものである。これらのレベ
ル変換はソースフォロワーＦＥＴのゲート−ソース間電
圧（Ｖｇｓ）で実現されるが、これに加えてＦＥＴのソ
ースに直列に順方向接続された複数のダイオードを接続
し、ダイオードの順方向電圧降下を利用することもでき
る。ＦＥＴ２０１，２０２，３０１，３０２はゲート長
が０．８ｎｍであり、ゲート幅が１８０μｍである。ソ
ースフォロワー２，３の消費電力は負側電源に接続され
ているＦＥＴ２０２，３０２のゲートに入力される動作
電流制御信号（バイアス電圧）で決定される。
【００１３】４は差動増幅回路であり、ＦＥＴ４０１，
４０２のソースを共通接続し、この共通接続したソース
を、変調電流制御信号に応じた電流を流すＦＥＴ４０３
を介して負側電源に接続し、ＦＥＴ４０１のドレインは
ボンディングワイヤ（ボンディングワイヤとして、径が
２０μｍ〜１５０μｍ程度の細い金線またはアルミ線を
採用したので、これらボンディングワイヤは約１ｎＨ／
ｍｍの寄生インダクタンスを有する。図１には寄生イン
ダクタ４０４として図示してある）を介して正側電源に
接続してあり、ＦＥＴ４０２のドレインはボンディング
ワイヤ（図１には寄生インダクタ４０５として図示して
ある）およびレーザダイオード４０６を介して正側電源
に接続してある。
４０２のソースを共通接続し、この共通接続したソース
を、変調電流制御信号に応じた電流を流すＦＥＴ４０３
を介して負側電源に接続し、ＦＥＴ４０１のドレインは
ボンディングワイヤ（ボンディングワイヤとして、径が
２０μｍ〜１５０μｍ程度の細い金線またはアルミ線を
採用したので、これらボンディングワイヤは約１ｎＨ／
ｍｍの寄生インダクタンスを有する。図１には寄生イン
ダクタ４０４として図示してある）を介して正側電源に
接続してあり、ＦＥＴ４０２のドレインはボンディング
ワイヤ（図１には寄生インダクタ４０５として図示して
ある）およびレーザダイオード４０６を介して正側電源
に接続してある。
【００１４】ＦＥＴ４０１は、そのドレインが、直列接
続した抵抗６０１およびコンデンサ６０２により構成さ
れるフィードフォワード回路６を介して、ソースフォロ
ワー３に接続してあり、そのゲートがソースフォロワー
２に接続してある。
続した抵抗６０１およびコンデンサ６０２により構成さ
れるフィードフォワード回路６を介して、ソースフォロ
ワー３に接続してあり、そのゲートがソースフォロワー
２に接続してある。
【００１５】ＦＥＴ４０２は、そのドレインが、直列接
続した抵抗５０１およびコンデンサ５０２により構成さ
れるフィードフォワード回路５を介して、ソースフォロ
ワー２に接続してあり、そのゲートがソースフォロワー
３に接続してある。ソースフォロワー２，３の出力信号
が相補的であるので、ＦＥＴ４０１，４０２のうちの一
方のＦＥＴがＯＮになるとともに、他方のＦＥＴがＯＦ
Ｆになり、ＯＮになったＦＥＴのみが導通して、ＦＥＴ
４０３で決定される変調電流が流れ、ＦＥＴ４０１がＯ
Ｎになったときにのみ、レーザダイオード４０６に電流
が流れ発光することになる。
続した抵抗５０１およびコンデンサ５０２により構成さ
れるフィードフォワード回路５を介して、ソースフォロ
ワー２に接続してあり、そのゲートがソースフォロワー
３に接続してある。ソースフォロワー２，３の出力信号
が相補的であるので、ＦＥＴ４０１，４０２のうちの一
方のＦＥＴがＯＮになるとともに、他方のＦＥＴがＯＦ
Ｆになり、ＯＮになったＦＥＴのみが導通して、ＦＥＴ
４０３で決定される変調電流が流れ、ＦＥＴ４０１がＯ
Ｎになったときにのみ、レーザダイオード４０６に電流
が流れ発光することになる。
【００１６】抵抗５０１，６０１としては、１００Ωの
抵抗を採用し、コンデンサ５０２，６０２としては０．
７ｐＦのコンデンサを採用した。フィードフォワード回
路５の抵抗５０１とコンデンサ５０２と、フィードフォ
ワード回路６の抵抗６０１とコンデンサ６０２とは、半
導体レーザ駆動回路を構成するＩＣ（integrated circu
it）を作成する際に、同一プロセスで形成することが可
能である。抵抗５０１，６０１は、イオン注入層を用い
た注入抵抗（シート抵抗は約５００Ω／□）を利用し
て、パターンの縦横比を１：５にすることにより作成す
ることができる。また、抵抗値の大きい金属材料（Ｎｉ
Ｃｒ、ＴａＮ等）を薄膜形成した金属抵抗層（１０Ω／
□ないし１００Ω／□）を用いても作成可能である。コ
ンデンサ５０２，６０２は、配線層の層間絶縁膜を用い
たＭＩＭ（metal-insulator-metalコンデンサ（約０．
０８ｆＦ／μｍ2 ）を利用した場合は、９０μｍ×９０
μｍの面積で０．７ｐＦが実現可能であり、ダイオード
の接合容量用いても作成可能である。
抵抗を採用し、コンデンサ５０２，６０２としては０．
７ｐＦのコンデンサを採用した。フィードフォワード回
路５の抵抗５０１とコンデンサ５０２と、フィードフォ
ワード回路６の抵抗６０１とコンデンサ６０２とは、半
導体レーザ駆動回路を構成するＩＣ（integrated circu
it）を作成する際に、同一プロセスで形成することが可
能である。抵抗５０１，６０１は、イオン注入層を用い
た注入抵抗（シート抵抗は約５００Ω／□）を利用し
て、パターンの縦横比を１：５にすることにより作成す
ることができる。また、抵抗値の大きい金属材料（Ｎｉ
Ｃｒ、ＴａＮ等）を薄膜形成した金属抵抗層（１０Ω／
□ないし１００Ω／□）を用いても作成可能である。コ
ンデンサ５０２，６０２は、配線層の層間絶縁膜を用い
たＭＩＭ（metal-insulator-metalコンデンサ（約０．
０８ｆＦ／μｍ2 ）を利用した場合は、９０μｍ×９０
μｍの面積で０．７ｐＦが実現可能であり、ダイオード
の接合容量用いても作成可能である。
【００１７】７はバイアス電流制御回路であって、ＦＥ
Ｔ７０２はドレインがボンディングワイヤ（図１には寄
生インダクタ７０１として図示してある）を介してレー
ザ４０６のカソードに接続してあり、ソースが負側電源
に接続してあり、ゲートに供給されるバイアス電流制御
信号に基づき、レーザダイオード４０６のバイアス電流
を発光閾値電流近傍にするものである。
Ｔ７０２はドレインがボンディングワイヤ（図１には寄
生インダクタ７０１として図示してある）を介してレー
ザ４０６のカソードに接続してあり、ソースが負側電源
に接続してあり、ゲートに供給されるバイアス電流制御
信号に基づき、レーザダイオード４０６のバイアス電流
を発光閾値電流近傍にするものである。
【００１８】差動増幅器４のＦＥＴ４０１，４０２と、
バイアス電流制御回路７のＦＥＴ７０２として、それぞ
れ、ゲート長が０．８μｍ、ゲート幅が８００μｍのＦ
ＥＴが使用されている。このようにゲート幅を長くし
て、大きな電流を流すことができるようになっている
が、ＦＥＴの接合容量に起因する出力容量も大きくなっ
ている。ＦＥＴ４０１，４０２の接合容量は、数ｐＦ程
度存在する。
バイアス電流制御回路７のＦＥＴ７０２として、それぞ
れ、ゲート長が０．８μｍ、ゲート幅が８００μｍのＦ
ＥＴが使用されている。このようにゲート幅を長くし
て、大きな電流を流すことができるようになっている
が、ＦＥＴの接合容量に起因する出力容量も大きくなっ
ている。ＦＥＴ４０１，４０２の接合容量は、数ｐＦ程
度存在する。
【００１９】次に、動作を説明する。レーザダイオード
４０６はバイアス電流がＦＥＴ７０２により制御されて
いて、発光閾値電流近傍にバイアスされている状態で、
増幅器１に単相の入力信号が入力されると、この単相の
入力信号は増幅器１により相補的な２相の信号に変換さ
れる。得られた相補的な２相の信号は、一方がソースフ
ォロワー２により差動増幅回路４の入力電圧に合うよう
に変換され差動増幅回路４に入力され、他方がソースフ
ォロワー３により差動増幅回路４の入力電圧に合うよう
に変換され差動増幅回路４に入力される。差動増幅回路
４に入力された信号は相補的な信号であるので、差動増
幅回路４のＦＥＴ４０１，４０２のうちの一方のＦＥＴ
がＯＮになったとき、他方のＦＥＴがＯＦＦになり、Ｏ
ＮになったＦＥＴにのみ、ＦＥＴ４０３で決定される変
調電流が流れる。従って、レーザダイオード４０６に
は、ＦＥＴ４０２がＯＮになったときにのみ、電流が流
れ、レーザダイオード４０６からレーザ光が出射される
ことになる。
４０６はバイアス電流がＦＥＴ７０２により制御されて
いて、発光閾値電流近傍にバイアスされている状態で、
増幅器１に単相の入力信号が入力されると、この単相の
入力信号は増幅器１により相補的な２相の信号に変換さ
れる。得られた相補的な２相の信号は、一方がソースフ
ォロワー２により差動増幅回路４の入力電圧に合うよう
に変換され差動増幅回路４に入力され、他方がソースフ
ォロワー３により差動増幅回路４の入力電圧に合うよう
に変換され差動増幅回路４に入力される。差動増幅回路
４に入力された信号は相補的な信号であるので、差動増
幅回路４のＦＥＴ４０１，４０２のうちの一方のＦＥＴ
がＯＮになったとき、他方のＦＥＴがＯＦＦになり、Ｏ
ＮになったＦＥＴにのみ、ＦＥＴ４０３で決定される変
調電流が流れる。従って、レーザダイオード４０６に
は、ＦＥＴ４０２がＯＮになったときにのみ、電流が流
れ、レーザダイオード４０６からレーザ光が出射される
ことになる。
【００２０】ここで、フィードフォワード回路５，６を
設けなかった場合は、差動増幅回路４のＦＥＴ４０１，
４０２の接合容量に起因して、パルスの立上がりと立下
がりが鈍り、その上、この数ｐＦ程度の差動増幅回路４
のＦＥＴ４０１，４０２の接合容量と、約１ｎＨ／ｍｍ
の差動増幅回路４のボンディングワイヤの寄生インダク
タンスとの共振によりリンギング等が発生することにな
る。これら接合容量と寄生インダクタンスによる共振周
波数は、数ＧＨｚ程度になり、この共振周波数は信号周
波数と同等の値である。例えば２ＧＨｚの諭理１が連続
するＮＲＺ（non-return-to-zero）信号を入力した場合
の出力波形の一例を図２に実線で示す。縦軸のスケール
は任意である。
設けなかった場合は、差動増幅回路４のＦＥＴ４０１，
４０２の接合容量に起因して、パルスの立上がりと立下
がりが鈍り、その上、この数ｐＦ程度の差動増幅回路４
のＦＥＴ４０１，４０２の接合容量と、約１ｎＨ／ｍｍ
の差動増幅回路４のボンディングワイヤの寄生インダク
タンスとの共振によりリンギング等が発生することにな
る。これら接合容量と寄生インダクタンスによる共振周
波数は、数ＧＨｚ程度になり、この共振周波数は信号周
波数と同等の値である。例えば２ＧＨｚの諭理１が連続
するＮＲＺ（non-return-to-zero）信号を入力した場合
の出力波形の一例を図２に実線で示す。縦軸のスケール
は任意である。
【００２１】これに対して、本実施の形態では、図１に
示すように、フィードフォワード回路５，６を設け、フ
ィードフォワード回路５，６を、それぞれ、１００Ωの
抵抗と、この抵抗に直列接続した０．７ｐＦのコンデン
サとにより構成した。従って、フィードフォワード回路
５，６の共振周波数は信号の周波数の近傍の値の約２．
３ＧＨｚとなる。例えば２ＧＨｚの諭理１が連続するＮ
ＲＺ（non-return-to-zero）信号を入力した場合の出力
波形は、図２に点線で示すようになる。
示すように、フィードフォワード回路５，６を設け、フ
ィードフォワード回路５，６を、それぞれ、１００Ωの
抵抗と、この抵抗に直列接続した０．７ｐＦのコンデン
サとにより構成した。従って、フィードフォワード回路
５，６の共振周波数は信号の周波数の近傍の値の約２．
３ＧＨｚとなる。例えば２ＧＨｚの諭理１が連続するＮ
ＲＺ（non-return-to-zero）信号を入力した場合の出力
波形は、図２に点線で示すようになる。
【００２２】図２から分かるように、フィードフォワー
ド回路５，６を挿入した場合の方が、しない場合より、
出力波形のオーバシュートは大きいが、リンギングは小
さい。フィードフォワード回路５，６を挿入しない場
合、諭理１が連続的に現われたとき、最初の論理１の区
間で発生したリンギングが、次の諭理１の区間にまで継
続している様子が認められ、レーザダイオード４０６と
レーザダイオード駆動回路を用いた光信号伝送系により
送られた信号は、受信側でビット誤り率が増大してしま
うことになる。一方、フィードフォワード回路５，６を
挿入した場合は、図２から分かるように、リンギングが
抑制されるので、光伝送系での誤り率を低下させること
が可能になる。フィードフォワード回路５，６を挿入し
た効果により、光パルスの立下がり波形においても、立
ち下がり時間が短くなることが認められる。
ド回路５，６を挿入した場合の方が、しない場合より、
出力波形のオーバシュートは大きいが、リンギングは小
さい。フィードフォワード回路５，６を挿入しない場
合、諭理１が連続的に現われたとき、最初の論理１の区
間で発生したリンギングが、次の諭理１の区間にまで継
続している様子が認められ、レーザダイオード４０６と
レーザダイオード駆動回路を用いた光信号伝送系により
送られた信号は、受信側でビット誤り率が増大してしま
うことになる。一方、フィードフォワード回路５，６を
挿入した場合は、図２から分かるように、リンギングが
抑制されるので、光伝送系での誤り率を低下させること
が可能になる。フィードフォワード回路５，６を挿入し
た効果により、光パルスの立下がり波形においても、立
ち下がり時間が短くなることが認められる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上記のように構成したので、半導体レーザの出力波形の
リンギングを抑制することができる。
上記のように構成したので、半導体レーザの出力波形の
リンギングを抑制することができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】出力波形の一例を示す図である。
【図３】ＬＥＤ駆動回路の従来例を示すブロック図であ
る。
る。
１ 増幅器
２，３ ソースフォロワー
４ 差動増幅回路
５，６ フィードフォワード回路
７ バイアス電流制御回路
２０１，２０２，３０１，３０２，４０１，４０２，７
０２ ＦＥＴ ４０６ レーザダイオード ５０１，６０１ 抵抗 ５０２，６０２ コンデンサ
０２ ＦＥＴ ４０６ レーザダイオード ５０１，６０１ 抵抗 ５０２，６０２ コンデンサ
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０４Ｂ 10/28
Claims (6)
- 【請求項１】 相補的な入力信号をそれぞれ所定のレベ
ルにレベル変換するレベル変換回路と、該レベル変換回
路によるレベル変換により得られた入力信号に基づき駆
動してレーザダイオードに該レーザダイオードの接続導
体に寄生する寄生インダクタを介して変調電流を流す差
動増幅回路とを有する半導体レーザ駆動回路において、 前記レベル変換回路の出力端子と、該出力端子に現われ
る信号と同相の信号が現われる前記差動増幅回路の出力
端子の間に、それぞれ、前記入力信号の周波数近傍の共
振周波数を有するフィードフォワード回路であって、抵
抗とコンデンサを直列接続してなるフィードフォワード
回路を備えたことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。 - 【請求項２】 請求項１において、電界効果トランジス
タにより構成したことを特徴とする半導体レーザ駆動回
路。 - 【請求項３】 請求項２において、前記レベル変換回路
はソースフォロワーであることを特徴とする半導体レー
ザ駆動回路。 - 【請求項４】 請求項１において、前記相補的な信号を
単相入力信号から生成する回路を備えたことを特徴とす
る半導体レーザ駆動回路。 - 【請求項５】 請求項２において、前記電界効果トラン
ジスタはGaAs-MESFETであることを特徴とする半導体レ
ーザ駆動回路。 - 【請求項６】 請求項１において、最高動作周波数が少
なくとも１.０GHzを超えることを特徴とする半導体レー
ザ駆動回路。
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|---|---|---|---|
| JP01696498A JP3405518B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01696498A JP3405518B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214781A JPH11214781A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3405518B2 true JP3405518B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=11930797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01696498A Expired - Fee Related JP3405518B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3405518B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2004273631A (ja) | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Opnext Japan Inc | 直接変調型光モジュール |
| US8228962B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-07-24 | Iptronics A/S | Low power drive circuit |
| JP2011228946A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | パルス変調回路 |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP01696498A patent/JP3405518B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH11214781A (ja) | 1999-08-06 |
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