JPS6387779A - 半導体発光素子の駆動回路 - Google Patents
半導体発光素子の駆動回路Info
- Publication number
- JPS6387779A JPS6387779A JP61233617A JP23361786A JPS6387779A JP S6387779 A JPS6387779 A JP S6387779A JP 61233617 A JP61233617 A JP 61233617A JP 23361786 A JP23361786 A JP 23361786A JP S6387779 A JPS6387779 A JP S6387779A
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- JP
- Japan
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- transistor
- laser diode
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- light emitting
- semiconductor light
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザダイオード等の半導体発光素子の駆動回
路に関し、特にレーザダイオードのパルス駆動回路に関
する。
路に関し、特にレーザダイオードのパルス駆動回路に関
する。
従来、この種のパルス駆動回路は第３図、第４図、第５
図に示すように直列制御、並列制御、差動（ＥＣＬ）に
よる制御の３方式があった。一般的にレーザダイオード
を高速で駆動するためにはＥＣＬ方式が用いられており
、直列、並列方式ではパルス駆動の応答特性は駆動トラ
ンジスタの応答特性によるところが大であるため、ＥＣ
Ｌ並みの応答特性を直列、並列方式で実現するのは難し
い。
図に示すように直列制御、並列制御、差動（ＥＣＬ）に
よる制御の３方式があった。一般的にレーザダイオード
を高速で駆動するためにはＥＣＬ方式が用いられており
、直列、並列方式ではパルス駆動の応答特性は駆動トラ
ンジスタの応答特性によるところが大であるため、ＥＣ
Ｌ並みの応答特性を直列、並列方式で実現するのは難し
い。
第３図に示す直列制御によるレーザダイオードのパルス
駆動回路では、電源端子４と地気の間に負荷５．能動素
子（ＦＥＴ、バイポーラトランジスタ等）６．レーザダ
イオード８が直列に接続され、能動素子６に入力端子７
が接続されている。
駆動回路では、電源端子４と地気の間に負荷５．能動素
子（ＦＥＴ、バイポーラトランジスタ等）６．レーザダ
イオード８が直列に接続され、能動素子６に入力端子７
が接続されている。
第４図に示す並列制御によるレーザダイオードのパルス
駆動回路では、一端が電源端子４に接続された負荷１０
の他端と地気の間にレーザダイオード９と能動素子１１
が並列に接続され、能動素子１１に入力端子が接続され
ている。
駆動回路では、一端が電源端子４に接続された負荷１０
の他端と地気の間にレーザダイオード９と能動素子１１
が並列に接続され、能動素子１１に入力端子が接続され
ている。
第５図に示すＥＣＬ方式によるレーザダイオードのパル
ス駆動回路では、一端が接地された定電流源１５の他端
と電源端子４の間にレーザダイオード１３とトランジス
タ１６の直列接続と負荷１４とトランジスタ１７の直列
接続とが並列に接続されている。
ス駆動回路では、一端が接地された定電流源１５の他端
と電源端子４の間にレーザダイオード１３とトランジス
タ１６の直列接続と負荷１４とトランジスタ１７の直列
接続とが並列に接続されている。
上述した従来の直列、並列方式はトランジスタを活性領
域内で大幅に動かしたりあるいは飽和−遮断領域で動か
すためトランジスタでの応答がＥＣＬにくらべてどうし
ても遅くなるという欠点がある。
域内で大幅に動かしたりあるいは飽和−遮断領域で動か
すためトランジスタでの応答がＥＣＬにくらべてどうし
ても遅くなるという欠点がある。
本発明の半導体発光素子の駆動回路は、定電流源と、こ
の定電流源と地気との間に接続された半導体発光素子と
、エミッタが接地されたトランジスタと、このトランジ
スタのコレクタと前記定電流源との間に接続され前記定
電流源からの電流を分流するショットキーバリヤダイオ
ードとを含んで構成される。
の定電流源と地気との間に接続された半導体発光素子と
、エミッタが接地されたトランジスタと、このトランジ
スタのコレクタと前記定電流源との間に接続され前記定
電流源からの電流を分流するショットキーバリヤダイオ
ードとを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。第１図にお
いて、電源端子４に接続された定電流源１８と地気の間
にレーザダイオード１が接続され、またエミッタが接地
されたトランジスタ３のコレクタと定電流源１８の間に
複数のショットキーバリヤダイオード２が並列に接続さ
れている。
いて、電源端子４に接続された定電流源１８と地気の間
にレーザダイオード１が接続され、またエミッタが接地
されたトランジスタ３のコレクタと定電流源１８の間に
複数のショットキーバリヤダイオード２が並列に接続さ
れている。
常時定電流源１８より流れる電流をレーザダイオード１
側およびショットキーバリヤダイオード２、トランジス
タ３側に分流し、トランジスタ３のベース電流を変える
ことにより、ショットキーバリヤダイオード２．トラン
ジスタ３側の電流およびレーザダイオード１側の電流を
変動させ、レーザダイオード１の光出力のオン／オフを
行う。
側およびショットキーバリヤダイオード２、トランジス
タ３側に分流し、トランジスタ３のベース電流を変える
ことにより、ショットキーバリヤダイオード２．トラン
ジスタ３側の電流およびレーザダイオード１側の電流を
変動させ、レーザダイオード１の光出力のオン／オフを
行う。
この実施例は並列駆動方式のレーザダイオードのパルス
駆動回路においてさらに高速化をねらったものである。
駆動回路においてさらに高速化をねらったものである。
レーザダイオードの順方向電圧ＶＦＴＬＤＩはトランジ
スタ３のコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＨにショット
キーバリヤダイオード２の順方向電圧ＶＦ（ＳＢＤ）を
加えたものになるという関係から、トランジスタ３を活
性領域にてドライブすることにより、トランジスタ３の
等価的な抵抗値（直流的に見て）を変化させ、トランジ
スタ３のＶｃＥを変え、ＶＦ（ＬＤＩを変化させてレー
ザダイオード１の光出力のオン／オフを行う。
スタ３のコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＨにショット
キーバリヤダイオード２の順方向電圧ＶＦ（ＳＢＤ）を
加えたものになるという関係から、トランジスタ３を活
性領域にてドライブすることにより、トランジスタ３の
等価的な抵抗値（直流的に見て）を変化させ、トランジ
スタ３のＶｃＥを変え、ＶＦ（ＬＤＩを変化させてレー
ザダイオード１の光出力のオン／オフを行う。
すなわち、ＶＦ（ＬＤＩの立ち上り電圧よりＶＦ（ＳＢ
Ｄ）の立ち上り電圧とＶＣＥの和の方が小さいときは、
レーザダイオード１は電流を維持できなくなりオフとな
る。逆にＶＦ（ＬＤ）の立ち上り電圧よりＶＦ（ＳＲＤ
Ｉの立ち上り電圧とＶＣＥの和の方が大きいときは、レ
ーザダイオード１は電流が流れオンとなる。
Ｄ）の立ち上り電圧とＶＣＥの和の方が小さいときは、
レーザダイオード１は電流を維持できなくなりオフとな
る。逆にＶＦ（ＬＤ）の立ち上り電圧よりＶＦ（ＳＲＤ
Ｉの立ち上り電圧とＶＣＥの和の方が大きいときは、レ
ーザダイオード１は電流が流れオンとなる。
ショットキーバリヤダイオード２をトランジスタ３と直
列にして使用するため、通常のトランジスタのスイッチ
ング動作に比べて本実施例は、トランジスタ３の活性領
域のごく一部でドライブできるため、レーザダイオード
１８側およびショットキーバリヤダイオード２．トラン
ジスタ３間の電流の切換えを高速化できる。すなわち、
ＶＰＩＬＤＩの立ち上り電圧に対して■ｃ２の変動をＶ
ＦＩＳＢＤＩの立ち上り電圧分だけ減らした範囲で動作
させることができるため高速化できる。より高速化する
ためには、なるべく ＶＰＴＬＤＩの立ち上り電圧とＶ
Ｆ（ＳＢＤ）の立ち上り電圧およびＶＣＨの和との差が
小さくなる状態でトランジスタ３を駆動する。
列にして使用するため、通常のトランジスタのスイッチ
ング動作に比べて本実施例は、トランジスタ３の活性領
域のごく一部でドライブできるため、レーザダイオード
１８側およびショットキーバリヤダイオード２．トラン
ジスタ３間の電流の切換えを高速化できる。すなわち、
ＶＰＩＬＤＩの立ち上り電圧に対して■ｃ２の変動をＶ
ＦＩＳＢＤＩの立ち上り電圧分だけ減らした範囲で動作
させることができるため高速化できる。より高速化する
ためには、なるべく ＶＰＴＬＤＩの立ち上り電圧とＶ
Ｆ（ＳＢＤ）の立ち上り電圧およびＶＣＨの和との差が
小さくなる状態でトランジスタ３を駆動する。
第２図はトランジスタのＶＣＥＩＣの特性を示すグラフ
で、線分Ａは第１図に示すトランジスタ３の動作特性を
示し、線分Ｂは通常のスイッチング動作するトランジス
タの動作特性を示す。
で、線分Ａは第１図に示すトランジスタ３の動作特性を
示し、線分Ｂは通常のスイッチング動作するトランジス
タの動作特性を示す。
以上説明したように本発明は、ショットキーバリヤダイ
オードとトランジスタを直列接続したものを半導体発光
素子と並列に接続することによりトランジスタの動作領
域をせばめ、半導体発光素子のオンオフを高速化できる
効果がある。
オードとトランジスタを直列接続したものを半導体発光
素子と並列に接続することによりトランジスタの動作領
域をせばめ、半導体発光素子のオンオフを高速化できる
効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図はトランジ
スタのｖｃｔｘｃ特性を示すグラフ、第３図〜第５図は
従来の半導体発光素子の駆動回路の回路図である。 １．８．９．１３・・・レーザダイオード、２・・・シ
ョットキーバリヤダイオード、３，１６．１７・・・バ
イポーラトランジスタ、４・・・電源端子、５，１０．
１４・・・負荷、６．１１・・・能動素子、７，１２第
Ｉ 回 第 ２ 回
スタのｖｃｔｘｃ特性を示すグラフ、第３図〜第５図は
従来の半導体発光素子の駆動回路の回路図である。 １．８．９．１３・・・レーザダイオード、２・・・シ
ョットキーバリヤダイオード、３，１６．１７・・・バ
イポーラトランジスタ、４・・・電源端子、５，１０．
１４・・・負荷、６．１１・・・能動素子、７，１２第
Ｉ 回 第 ２ 回
Claims (1)
- 定電流源と、この定電流源と地気との間に接続された
半導体発光素子と、エミッタが接地されたトランジスタ
と、このトランジスタのコレクタと前記定電流源との間
に接続され前記定電流源からの電流を分流するショット
キーバリヤダイオードとを含むことを特徴とする半導体
発光素子の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233617A JPS6387779A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体発光素子の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233617A JPS6387779A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体発光素子の駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6387779A true JPS6387779A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16957850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61233617A Pending JPS6387779A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体発光素子の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6387779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296382A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子の駆動回路 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61233617A patent/JPS6387779A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296382A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子の駆動回路 |
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