JP3008029U - ターンオフタイム改善回路 - Google Patents

ターンオフタイム改善回路

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JP3008029U
JP3008029U JP1994006266U JP626694U JP3008029U JP 3008029 U JP3008029 U JP 3008029U JP 1994006266 U JP1994006266 U JP 1994006266U JP 626694 U JP626694 U JP 626694U JP 3008029 U JP3008029 U JP 3008029U
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JP
Japan
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transistor
switching element
turn
base
pulse width
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Application number
JP1994006266U
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English (en)
Inventor
守男 佐藤
Original Assignee
大平電子株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 降圧型コンバータにおけるスイッチング素子
のターンオフ時にスイッチング素子の制御電極の電荷を
放電する回路を付加し、ターンオフタイムの改善を行な
う。 【構成】 PNP型スイッチングトランジスタ11のエ
ミッタ・ベース間にNPN型トランジスタ13を接続
し、PNP型スイッチングトランジスタ11のベースと
パルス幅制御回路12の出力端子との間に抵抗14を接
続し、PNP型スイッチングトランジスタ11のベース
とNPNトランジスタ13のベースとの間に抵抗15を
接続し、更にNPNトランジスタ13のベースとパルス
幅制御回路12の出力端子との間にコンデンサを接続し
た。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案はスイッチング電源に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の降圧型コンバータのターンオフタイム改善回路は図3に示す回路が用い られていた。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
図3に示した従来の方式は、スイッチング素子11がオン状態のときに抵抗1 6に電流が流れるため、入力電圧が高い降圧型コンバータではパワーロスが大き くなるという欠点を有していた。
【0004】 一方、抵抗16の抵抗値を大きくすれば、抵抗16そのものによるパワーロス は減少するが、スイッチングトランジスタ11のターンオフ時に制御電極に蓄積 されている電荷の放電が遅くなり、ターンオフタイム改善の効果が薄れる。
【0005】 そこで本発明は、スイッチング素子11のターンオフ時に制御電極に蓄積され ている電荷を別のトランジスタによって放電させることによってターンオフタイ ムの改善を行なうことを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本考案の請求項1におけるターンオフタイム改 善回路は、スイッチング素子の制御電極とパルス幅制御回路の出力端子との間に 接続された抵抗の両端に発生する電圧によって充放電を繰り返すコンデンサと抵 抗とからなる直列回路を付加し、かつ、コンデンサに直列に接続された抵抗両端 の電圧がターンオン時とターンオフ時では極性が反転することを利用して、ター ンオン時には逆方向にバイアスされ、ターンオフ時には順方向にバイアスされる トランジスタを付加して、このトランジスタによってスイッチング素子の制御電 極の電荷を放電させる。
【0007】 本考案の請求項2におけるターンオフタイム改善回路は、請求項1のコンデン サに直列に接続されている抵抗をダイオードに変更し、コンデンサの放電々流が トランジスタの順方向バイアス電流になることによってスイッチング素子の制御 電極の電荷を放電させる。
【0008】
【作用】
パルス幅制御回路の信号によってスイッチング素子がターンオンすると、スイ ッチング素子の制御電極とパルス幅制御回路の出力端子との間に接続された抵抗 両端に電圧が加わり、コンデンサはコンデンサに直列に接続された抵抗を通して 電流が流れて充電する。
【0009】 パルス幅制御回路の信号によってスイッチング素子がターンオフすると、スイ ッチング素子の制御電極とパルス幅制御回路の出力端子との間に接続された抵抗 両端の電圧が下がり、コンデンサはコンデンサに直列接続された抵抗を通して放 電する。
【0010】 コンデンサに直列に接続された抵抗に発生する電圧によってトランジスタがオ ン状態になり、スイッチング素子の制御電極の電荷が急速に放電され、ターンオ フタイムを短縮する。
【0011】
【実施例】
図1は本考案の請求項1の実施例である。
【0012】 図1において、パルス幅制御回路12の信号によってPNP型スイッチングト ランジスタ11がターンオンすると、抵抗14の両端に発生する電圧によってコ ンデンサ16が充電される。このとき、充電々流によって抵抗15に発生する電 圧はNPN型トランジスタ13のベース・エミッタ間を逆バイアスする。パルス 幅制御回路12の信号によってPNP型スイッチングトランジスタ11がターン オフすると、コンデンサ16は放電するが、放電々流によって抵抗15に発生す る電圧はNPN型トランジスタ13のベース・エミッタ間を順バイアスし、NP N型トランジスタ13はオン状態となり、PNP型スイッチングトランジスタ1 1のターンオフを早める。
【0013】 図2は本考案の請求項2の実施例である。
【0014】 図2において、コンデンサの充電はダイオード17を流れ、放電はトランジス タ13のベースを流れる。その他は図1の実施例と同じである。
【0015】
【考案の効果】
本考案によって降圧型コンバータのターンオフタイムのスピードアップ化が容 易となり、少ない追加部品によって効率を上げることができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の請求項1の実施例を示す回路図であ
る。
【図2】本考案の請求項2の実施例を示す回路図であ
る。
【図3】従来の方式を示す回路図である。
【符号の説明】
11 PNP型スイッチングトランジスタ 12 パルス幅制御回路 13 NPN型トランジスタ 14 抵抗 15 抵抗 16 コンデンサ 17 ダイオード

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スイッチング素子とパルス幅制御回路を
    有する降圧型コンバータにおいて、前記スイッチング素
    子の制御電極に蓄積される電荷を放電するトランジスタ
    と、前記スイッチング素子の制御電極と前記パルス幅制
    御回路の出力端子との間に接続された抵抗と、前記スイ
    ッチング素子の制御電極と前記トランジスタのベースと
    の間に接続された抵抗と、前記トランジスタのベースと
    前記パルス幅制御回路の出力端子との間に接続されたコ
    ンデンサとからなり、これによって前記スイッチング素
    子のターンオフタイムを短縮させることを特徴とするタ
    ーンオフタイム改善回路。
  2. 【請求項2】 前記スイッチング素子の制御電極と前記
    トランジスタのベースとの間に接続された抵抗をダイオ
    ードに変更した請求項1記載のターンオフタイム改善回
    路。
JP1994006266U 1994-04-20 1994-04-20 ターンオフタイム改善回路 Expired - Lifetime JP3008029U (ja)

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