JPS62216525A - インバ−タ用パワ−トランジスタのドライブ回路 - Google Patents
インバ−タ用パワ−トランジスタのドライブ回路Info
- Publication number
- JPS62216525A JPS62216525A JP61060373A JP6037386A JPS62216525A JP S62216525 A JPS62216525 A JP S62216525A JP 61060373 A JP61060373 A JP 61060373A JP 6037386 A JP6037386 A JP 6037386A JP S62216525 A JPS62216525 A JP S62216525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- power transistor
- current
- drive circuit
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/615—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、出力段をなすパワートランジスタの前段にド
ライバ用トランジスタをダーリントン接続してなるイン
バータ用パワートランジスタのドライブ回路に関する。
ライバ用トランジスタをダーリントン接続してなるイン
バータ用パワートランジスタのドライブ回路に関する。
(従来の技術)
従来、この種のインバータ用パワートランジスタのドラ
イブ回路として、第5図に示すものが供されている。即
ち、この第5図において、1はパワートランジスタ、2
はドライブ回路で、これはドライバ用トランジスタ3及
び高速ダイオード4から構成されている。このドライブ
回路2は、ドライバ用トランジスタ3のエミッタをパワ
ートランジスタ1のベースに接続すると共に、ドライバ
用トランジスタ3のコレクタを図示極性の高速ダイオー
ド4を介してパワートランジスタ1のコレクタに接続す
ることにより構成されており、以てドライバ用トランジ
スタ3をパワートランジスタ1の前段にダーリントン接
続している。尚、5は還流ダイオードで、これはパワー
トランジスタ1のコレクタ及びエミッタ間に図示極性に
て接続されている。
イブ回路として、第5図に示すものが供されている。即
ち、この第5図において、1はパワートランジスタ、2
はドライブ回路で、これはドライバ用トランジスタ3及
び高速ダイオード4から構成されている。このドライブ
回路2は、ドライバ用トランジスタ3のエミッタをパワ
ートランジスタ1のベースに接続すると共に、ドライバ
用トランジスタ3のコレクタを図示極性の高速ダイオー
ド4を介してパワートランジスタ1のコレクタに接続す
ることにより構成されており、以てドライバ用トランジ
スタ3をパワートランジスタ1の前段にダーリントン接
続している。尚、5は還流ダイオードで、これはパワー
トランジスタ1のコレクタ及びエミッタ間に図示極性に
て接続されている。
ところで、良く知られているようにパワートランジスタ
1のコレクターエミッタ間電圧VCEとコレクタ電流I
Cとの間の特性は第4図に示すように、コレクタ電流I
Cが所定値以上になるとコレフタ−エミッタ間電圧VC
Eが飽和状態を維持できなくなって急激に上昇する。こ
の急激に上昇する変曲点はベース電流IBの電流値によ
って変化し、ベース電流IBの電流値が大きくなるに従
って変曲点におけるコレクタ電流ICの電流値が大きく
なる。即ち、ベース電流113を大きくすればコレクタ
ーエミッタ間電圧VCEを抑制できる。上記構成の場合
、変曲点のコレクターエミッタ間電圧VCEは1.5〜
2.5V程度である。従って、上記構成において、コレ
クターエミッタ間電圧VCEが3v程度まで上昇すると
、パワートランジスタ1は不飽和状態になり、ドライバ
用トランジスタ3のコレクタ電流Ifは高速ダイオード
4の電圧−電流特性によってのみ抑制されるようになる
。
1のコレクターエミッタ間電圧VCEとコレクタ電流I
Cとの間の特性は第4図に示すように、コレクタ電流I
Cが所定値以上になるとコレフタ−エミッタ間電圧VC
Eが飽和状態を維持できなくなって急激に上昇する。こ
の急激に上昇する変曲点はベース電流IBの電流値によ
って変化し、ベース電流IBの電流値が大きくなるに従
って変曲点におけるコレクタ電流ICの電流値が大きく
なる。即ち、ベース電流113を大きくすればコレクタ
ーエミッタ間電圧VCEを抑制できる。上記構成の場合
、変曲点のコレクターエミッタ間電圧VCEは1.5〜
2.5V程度である。従って、上記構成において、コレ
クターエミッタ間電圧VCEが3v程度まで上昇すると
、パワートランジスタ1は不飽和状態になり、ドライバ
用トランジスタ3のコレクタ電流Ifは高速ダイオード
4の電圧−電流特性によってのみ抑制されるようになる
。
このような状態で、高速ダイオード4に印加される電圧
がその順方向電圧降下分(約0.6V程度)に達すると
、コレクタ電流I″Cが急激に増大するため、パワート
ランジスタ1のベースに蓄積されるキャリアの量が増大
する。これにより、コレクターエミッタ間電圧VCEが
低下即ち所定の電圧に保持されるようなフィードバック
ループが上記回路に形成される。
がその順方向電圧降下分(約0.6V程度)に達すると
、コレクタ電流I″Cが急激に増大するため、パワート
ランジスタ1のベースに蓄積されるキャリアの量が増大
する。これにより、コレクターエミッタ間電圧VCEが
低下即ち所定の電圧に保持されるようなフィードバック
ループが上記回路に形成される。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記構成では、フィードバックループの
ループゲインが非常に高くなると共に、パワートランジ
スタエのベースにキャリアがM積される時間が遅れ要素
となるため、このフィードバックループは発振現象が生
じ易い状態にある。
ループゲインが非常に高くなると共に、パワートランジ
スタエのベースにキャリアがM積される時間が遅れ要素
となるため、このフィードバックループは発振現象が生
じ易い状態にある。
このため、フィードバックループに発振現象が生ずると
、ベース電流の大きな振動が起こる結果、パワートラン
ジスタ1のコレクタ損失が増大し、場合によってはパワ
ートランジスタ1が破損する虞もあった。
、ベース電流の大きな振動が起こる結果、パワートラン
ジスタ1のコレクタ損失が増大し、場合によってはパワ
ートランジスタ1が破損する虞もあった。
そこで、本発明の目的は、フィードバックループにおけ
る発振現象の発生を防止し得るインバータ用パワートラ
ンジスタのドライブ回路を提供するにある。
る発振現象の発生を防止し得るインバータ用パワートラ
ンジスタのドライブ回路を提供するにある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のインバータ用パワートランジスタのドライブ回
路は、パワートランジスタの前段にドライバ用トランジ
スタを高速ダイオードを介してダーリントン接続すると
共に、このドライバ用トランジスタのコレクタ電流或は
エミッタ電流の通電路に抵抗を介在させるように構成し
たものである。
路は、パワートランジスタの前段にドライバ用トランジ
スタを高速ダイオードを介してダーリントン接続すると
共に、このドライバ用トランジスタのコレクタ電流或は
エミッタ電流の通電路に抵抗を介在させるように構成し
たものである。
(作用)
ドライバ用トランジスタのコレクタ電流或はエミッタ電
流の通電路に介在された抵抗によって、パワートランジ
スタのコレクターエミッタ間電圧の変化に対するドライ
バ用トランジスタのコレクタ電流の変化を抑制してフィ
ードバックループのループゲインを調節する。この結果
、上記抵抗が発振に対する減衰器として作用するように
なり、フィードバックループにおいて発振現象が生ずる
ことが防止される。
流の通電路に介在された抵抗によって、パワートランジ
スタのコレクターエミッタ間電圧の変化に対するドライ
バ用トランジスタのコレクタ電流の変化を抑制してフィ
ードバックループのループゲインを調節する。この結果
、上記抵抗が発振に対する減衰器として作用するように
なり、フィードバックループにおいて発振現象が生ずる
ことが防止される。
(実施例)
以下、本発明の第1の実施例につき第1図及び第2図並
びに前記第4図を参照して説明する。
びに前記第4図を参照して説明する。
第1図において、11はインバータ用のパワートランジ
スタで、これはインバータ主回路の最終段に配置されて
おり、第4図に示すような特性を有する。12はパワー
トランジスタ11を駆動するドライブ回路で、これは、
ドライバ用トランジスタ13.高速ダイオード14及び
抵抗15から構成されている。具体的には、ドライバ用
トランジスタ13のエミッタをパワートランジスタ11
のベースに接続すると共に、ドライバ用トランジスタ1
3のコレクタを抵抗15及び図示極性の高速ダイオード
14を介してパワートランジスタ11のコレクタに接続
することにより、ドライバ用トランジスタ13をパワー
トランジスタ11の前段にダーリントン接続している。
スタで、これはインバータ主回路の最終段に配置されて
おり、第4図に示すような特性を有する。12はパワー
トランジスタ11を駆動するドライブ回路で、これは、
ドライバ用トランジスタ13.高速ダイオード14及び
抵抗15から構成されている。具体的には、ドライバ用
トランジスタ13のエミッタをパワートランジスタ11
のベースに接続すると共に、ドライバ用トランジスタ1
3のコレクタを抵抗15及び図示極性の高速ダイオード
14を介してパワートランジスタ11のコレクタに接続
することにより、ドライバ用トランジスタ13をパワー
トランジスタ11の前段にダーリントン接続している。
尚、図示はしないが、このようなダーリントン接続され
たドライブ回路を更に多段に接続する構成としても良い
。
たドライブ回路を更に多段に接続する構成としても良い
。
ここで、ドライブ回路12は、インバータ主回路電流ひ
いてはパワートランジスタ11のコレクタ電流ICが増
大する場合には、インバータ主回路電流から分流したド
ライバ用トランジスタ13のコレクタ電流1−Cに対応
したベース電流113も増加することにより、コレクタ
ーエミッタ間電圧VCEの上昇を抑止するようになって
いる。また、コレクタ電流ICの電流値が小さい場合に
は、ドライバ用トランジスタ13のコレクタ電流1−C
も減少し、以てパワートランジスタ11のコレクターエ
ミッタ間電圧VCEを所定の電圧に保持するフィードバ
ックループが形成されている。尚、16は還流ダイオー
ドで、これはその両端を夫々パワートランジスタ11の
コレクタ及びエミッタに図示極性のように接続している
。ここで、高速ダイオード14は、第2図に示すような
順方向電圧降下VF−電流IF特性17(尚、18は通
常のダイオードの特性)ををするもので、還流ダイオー
ド16がオンされたときに流れる逆電流を防止すると共
に、上記フィードバックループにおける発振を抑止して
いる。また、抵抗15は、ドライバ用トランジスタ13
のコレクタ電流の通電路に介在されることにより、パワ
ートランジスタ11のコレクターエミッタ間電圧VCE
の変化に対するドライバ用トランジスタ13のコレクタ
電流I゛Cの変化を抑制してフィードバックループのル
ープゲインを低下させると共に、上記フィードバックル
ープにおける発振に対する減衰器として用いられている
。この結果、パワートランジスタ11のコレクタ損失が
増大することを防止でき、パワートランジスタ11が破
損することを効果的に防止し得る。
いてはパワートランジスタ11のコレクタ電流ICが増
大する場合には、インバータ主回路電流から分流したド
ライバ用トランジスタ13のコレクタ電流1−Cに対応
したベース電流113も増加することにより、コレクタ
ーエミッタ間電圧VCEの上昇を抑止するようになって
いる。また、コレクタ電流ICの電流値が小さい場合に
は、ドライバ用トランジスタ13のコレクタ電流1−C
も減少し、以てパワートランジスタ11のコレクターエ
ミッタ間電圧VCEを所定の電圧に保持するフィードバ
ックループが形成されている。尚、16は還流ダイオー
ドで、これはその両端を夫々パワートランジスタ11の
コレクタ及びエミッタに図示極性のように接続している
。ここで、高速ダイオード14は、第2図に示すような
順方向電圧降下VF−電流IF特性17(尚、18は通
常のダイオードの特性)ををするもので、還流ダイオー
ド16がオンされたときに流れる逆電流を防止すると共
に、上記フィードバックループにおける発振を抑止して
いる。また、抵抗15は、ドライバ用トランジスタ13
のコレクタ電流の通電路に介在されることにより、パワ
ートランジスタ11のコレクターエミッタ間電圧VCE
の変化に対するドライバ用トランジスタ13のコレクタ
電流I゛Cの変化を抑制してフィードバックループのル
ープゲインを低下させると共に、上記フィードバックル
ープにおける発振に対する減衰器として用いられている
。この結果、パワートランジスタ11のコレクタ損失が
増大することを防止でき、パワートランジスタ11が破
損することを効果的に防止し得る。
第3図は本発明の第2の実施例を示すもので、第1の実
施例と異なるところは、抵抗15の代わりに、抵抗19
をドライバ用トランジスタ13のエミッタ電流の通電路
に介在させるように構成した点にある。この第2の実施
例においても、第1の実施例と同様な作用効果を得るこ
とができる。
施例と異なるところは、抵抗15の代わりに、抵抗19
をドライバ用トランジスタ13のエミッタ電流の通電路
に介在させるように構成した点にある。この第2の実施
例においても、第1の実施例と同様な作用効果を得るこ
とができる。
[発明の効果]
本発明は以上の説明から明らかなように、ドライバ用ト
ランジスタのコレクタ電流或はエミッタ電流の通電路に
抵抗を介在させるだけの簡単な構成によって、フィード
バックループにおける発振現象の発生を防止し得るとい
う優れた効果を奏する。
ランジスタのコレクタ電流或はエミッタ電流の通電路に
抵抗を介在させるだけの簡単な構成によって、フィード
バックループにおける発振現象の発生を防止し得るとい
う優れた効果を奏する。
第1図及び第2図は本発明の第1の実施例を示すもので
、第1図は電気的構成図、第2図は高速ダイオードの特
性図であり、第3図は本発明の第2の実施例を示す第1
図相当図である。また、第4図はパワートランジスタの
特性図、第5図は従来構成を示す第1図相当図である。 図面中、11はパワートランジスタ、12はドライブ回
路、13はドライバ用トランジスタ、14は高速ダイオ
ード、15.19は抵抗を示す。
、第1図は電気的構成図、第2図は高速ダイオードの特
性図であり、第3図は本発明の第2の実施例を示す第1
図相当図である。また、第4図はパワートランジスタの
特性図、第5図は従来構成を示す第1図相当図である。 図面中、11はパワートランジスタ、12はドライブ回
路、13はドライバ用トランジスタ、14は高速ダイオ
ード、15.19は抵抗を示す。
Claims (1)
- 1、パワートランジスタの前段に高速ダイオードを介し
てドライバ用トランジスタをダーリントン接続してなる
インバータ用パワートランジスタのドライブ回路におい
て、前記ドライバ用トランジスタのコレクタ電流或はエ
ミッタ電流の通電路に抵抗を介在させたことを特徴とす
るインバータ用パワートランジスタのドライブ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61060373A JPS62216525A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | インバ−タ用パワ−トランジスタのドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61060373A JPS62216525A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | インバ−タ用パワ−トランジスタのドライブ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62216525A true JPS62216525A (ja) | 1987-09-24 |
Family
ID=13140264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61060373A Pending JPS62216525A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | インバ−タ用パワ−トランジスタのドライブ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62216525A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05218833A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Uchino:Kk | サージ電圧吸収回路 |
JP2012222393A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Sanken Electric Co Ltd | スイッチング回路 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61060373A patent/JPS62216525A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05218833A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Uchino:Kk | サージ電圧吸収回路 |
JP2012222393A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Sanken Electric Co Ltd | スイッチング回路 |
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