JPH04207711A - 半導体発光素子の駆動回路 - Google Patents

半導体発光素子の駆動回路

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JPH04207711A
JPH04207711A JP2339345A JP33934590A JPH04207711A JP H04207711 A JPH04207711 A JP H04207711A JP 2339345 A JP2339345 A JP 2339345A JP 33934590 A JP33934590 A JP 33934590A JP H04207711 A JPH04207711 A JP H04207711A
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JP
Japan
Prior art keywords
control signal
transistor
semiconductor light
light emitting
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP2339345A
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English (en)
Inventor
Yoshihide Okumura
奥村 佳秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体発光素子の駆動回路に関するもので
あり、特に半導体発光素子にスイッチング動作を行わせ
る能動素子のための回路構成に関するものである。
〔従来の技術〕
第4図は従来の半導体発光素子の駆動回路の一例を示す
回路図である。図において、カソードか低電位点lと接
続されているレーザダイオード2のアノードと高電位点
3との間には定電流源4が接続されていて、スイッチン
グ用のショットキークランプ構成npn )ランジスタ
(以下ショットキークランプnpn トランジスタとい
う)9のコレクタ、エミッタ、そしてベースの各端子は
、上記レーザダイオード2のアノード、低電位点1゜そ
して入力端子6とそれぞれ接続されている。
次に動作について説明する。
第5図はレーザ出力とレーザ電流との関係を示すレーザ
出力特性図である。第5図において、レーザ電流I、が
しきい値電流1 lbより小さい領域では、レーザ出力
Pは非常に小さく、レーザ電流■、がI lbを越える
と、レーザ電流I、の増加に伴って、レーザ出力Pは急
激に増大する。いま、Poなるレーザ出力てレーザを発
光させるには、I。なるレーザ電流を流す必要かある。
さて、第4図において、スイッチング用のショットキー
クランプnpnトランジスタ9かコレクタ電流として、
はぼ定電流源4の電流値を取りうるとき(以下ON状態
という)のベース電流の電位を高電位V。、コレクタ電
流が流れない状態(以下OFF状態という)のベース電
流の電位を低電位VLと定める。
いま、定電流源4の出力電流がI。であるとする。この
とき、入力端子11のレベルか低電位VLのときには、
スイッチング用ショットキークランプnpn トランジ
スタ9はOFF状態となり、■。
なる電流がレーザに流れて、レーザはPoなる出力で発
光する。一方入力端子11のレベルが高電位V□のとき
は、スイッチング用のショットキークランプnpn ト
ランジスタ9はON状態となり、上記スイッチング用の
ショットキークランプnpnトランジスタ9にI。なる
電流の吸い込みか生じて、レーザダイオード2に流れる
電流は無くなり、レーザの発光は停止される。従って、
第4図の回路では、スイッチングデータ信号を入力端子
11に印加することにより、レーザダイオード2にスイ
ッチング動作を行わせることかできる。
第6図はスイッチング動作波形図である。図において、
入力端子11のレベルかvHからV、へ変化するとI、
は一定時間かかって0からI。になり、入力端子11の
レベルがVLからV。へ変化すると■、は一定時間かか
って■。から0になる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体レーザの駆動回路は以上のように構成され
ているので、第6図に示すように、入力端子印加波形の
デユーティとレーザ出力波形のデユーティが大きく異な
ってしまうという問題点があった。この現象は、レーザ
電流の立ち上かりか遅く、立ち下がりか速い場合に顕著
になる。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、入力端子印加波形のデユーティとレーザ出
力波形のデユーティを等しくできる半導体発光素子の駆
動回路を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体発光素子の駆動回路は、制御信号
によりスイッチングされて半導体発光素子を駆動する電
流を分流する能動素子の制御信号入力端子と低電位点間
に並列に容量および第1の抵抗を接続し、かつ上記制御
信号入力端子と制御信号線との間に第2の抵抗を接続し
たものである。
〔作用〕
この発明においては、制御信号によりスイッチングされ
て半導体発光素子を駆動する電流を分流する能動素子の
制御信号入力端子と低電位点間に並列に容量および第1
の抵抗を接続し、かつ上記制御信号入力端子と制御信号
線との間に第2の抵抗を接続したので、上記能動素子か
オフからオンに移行する時のオン開始時間を遅らせるこ
とができ、半導体発光素子がオンしている時間を長くす
ることかできるので、上記制御信号波形のデユーティと
半導体発光素子の光出力波形のデユーティを等しくする
ことかできる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図、第2図及び第3図はそれぞれ本発明の第1.第
2及び第3の実施例による半導体発光素子の駆動回路を
示す回路図であり、図において、第4図と同一符号は同
−又は相当部分である。
以下、第1の実施例について説明する。
第1図において、トランジスタ9のコレクタは電流源4
の出力に、エミッタは低電位点に接続され、トランジス
タ9のベース、エミッタ間と並列にコンデンサ8および
抵抗5が接続され、トランジスタ10のコレクタは抵抗
6を介して高電位点3に、エミッタは抵抗7を介してト
ランジスタ9のベースに、ベースは制御信号入力点11
に接続されている。
上記のように構成された半導体発光素子の駆動回路にお
いて、電流源4の出力電流をI3、制御信号入力点11
に印加される信号の“H”レベルをV18、“L”レベ
ルをVILとすれば、制御信号人力点11にV ILか
印加されている時はトランジスタlOおよび9はオフし
ており、レーザダイオード2にはI、なる電流か流れて
レーザダイオード2はオンしている。VlHか印加され
ている時はトランジスタ9はI、なる電流を吸い込み、
レーザダイオード2に流れる電流は0となってレーサ出
力は0である。制御信号入力点11の電圧がVl(。
からVlHに移行する時は、まずトランジスタ10かオ
ンしてエミッタ電流が流れだすか、抵抗7とコンデンサ
8で構成される遅延回路(以下、遅延回路■と記す)の
ためにトランジスタ9のベース電位の上昇か遅れて該ト
ランジスタのオンか遅れ、その結果、レーザダイオード
2のオフか遅れる。
制御信号入力点11の電圧かV I HからVILに移
行する時は、まずトランジスタIOかオフしエミッタ電
流か0となり、コンデンサ8に蓄積されていた電荷は抵
抗5とコンデンサ8て構成される遅延回路(以下、遅延
回路■と記す)で放電されてトランジスタ9の電位か降
下し、該トランジスタはオフに至る。従って、遅延回路
■の時定数を遅延回路■の時定数よりも大きくした場合
にはトランジスタ9のオンからオフへ移行する時間より
もオフからオンへ移行する時間を大きくすることかでき
、その結果、レーザダイオード2かオンしている時間を
長くすることかできる。
第7図は本実施例の動作を示す波形図である。
なお、上記第1の実施例ではスイッチング回路を構成す
るトランジスタとしてショットキークランプnpn )
ランジスタを用いたが、これはショットキークランプさ
れていないnpn )ランジスタてもよく、また、第2
図に示す本発明の第2の実施例のようにトランジスタ1
0のかわりにpnpトランジスタ12を使用してもよい
。さらには、第3図に示す本発明の第3の実施例のよう
にトランジスタ9のかわりにpチャンネルMOSトラン
ジスタ13を、トランジスタ10のかわりにnチャンネ
ルMOSトランジスタ14を用いても同様の効果が得ら
れる。
また、上記実施例では半導体発光素子としてレーザダイ
オードを用いたものを示したか、他の種類の半導体発光
素子例えば発光ダイオードなとにおいても同様の効果か
期待てきる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、カソードか低電位点
と接続された半導体発光素子と、出力か上記発光素子の
アノードに接続された該発光素子に駆動電流を供給する
電流源と、主電流路の一端か上記低電位点に接続され他
端か上記電流源の出力に接続され制御信号によりスイッ
チングされて上記駆動電流を分流する能動素子とを有す
る半導体発光素子の駆動回路において、上記能動素子の
制御信号入力端子と上記低電位点間に並列に接続された
容量及び第1の抵抗と、上記制御信号入力端子と制御信
号線との間に接続された第2の抵抗とを備えた構成とし
たから、上記能動素子がオフからオンに移行する時のオ
ン開始時間を遅らせることができ、半導体発光素子がオ
ンしている時間を長くすることかできるので、上記制御
信号波形のデユーティと半導体発光素子の光出力波形の
デユーティを等しくすることかできる効果かある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1の実施例による半導体発光素子
の駆動回路を示す回路図、第2図、第3図はこの発明の
第2.第3の実施例を示す回路図、第4図は従来の半導
体発光素子の駆動回路を示す回路図、第5図は半導体レ
ーザダイオードの動作特性を示す図、第6図は第4図の
従来回路における動作を示す波形図、第7図はこの発明
に係る回路での動作を示す波形図である。 図において、1は低電位電源、2は半導体発光素子、3
は低電位電源、4は電流源、5〜7は抵抗、8はコンデ
ンサ、9.  l・0はnpnトランジスタ、12はp
np )ランジスタ、13.14はMOSトランジスタ
、11は制御信号入力端子である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)カソードが低電位点と接続された半導体発光素子
    と、出力が上記発光素子のアノードに接続された該発光
    素子に駆動電流を供給する電流源と、主電流路の一端が
    上記低電位点に接続され他端が上記電流源の出力に接続
    され制御信号によりスイッチングされて上記駆動電流を
    分流する能動素子とを有する半導体発光素子の駆動回路
    において、上記能動素子の制御信号入力端子と上記低電
    位点間に並列に接続された容量及び第1の抵抗と、上記
    制御信号入力端子と制御信号線との間に接続された第2
    の抵抗とを備えたことを特徴とする半導体発光素子駆動
    回路。
JP2339345A 1990-11-30 1990-11-30 半導体発光素子の駆動回路 Pending JPH04207711A (ja)

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