JPS62221217A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS62221217A JPS62221217A JP61065422A JP6542286A JPS62221217A JP S62221217 A JPS62221217 A JP S62221217A JP 61065422 A JP61065422 A JP 61065422A JP 6542286 A JP6542286 A JP 6542286A JP S62221217 A JPS62221217 A JP S62221217A
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Links
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- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 101000577937 Xenopus laevis Midkine-A Proteins 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザ装置の駆動に用いることができ
る半導体集積回路装置に関するものである。
る半導体集積回路装置に関するものである。
従来の技術
半導体レーザ装置の駆動回路としては、従来ディスクリ
ート素子としてのシリコントランジスタを組み合わせた
電流切り換え型駆動回路が使われてきた。
ート素子としてのシリコントランジスタを組み合わせた
電流切り換え型駆動回路が使われてきた。
第４図は、従来のシリコントランジスタを用いた電流切
り換え型駆動回路の回路図を示すものである。第４図に
おいてＱｌおよびＱ２は電流切り換えスイッチとしては
たらくトランジスタである。
り換え型駆動回路の回路図を示すものである。第４図に
おいてＱｌおよびＱ２は電流切り換えスイッチとしては
たらくトランジスタである。
電源とシリコントランジスタＱ２のコレクタの間には半
導体レーザＬＤが接続されている。φ、φはそれぞれシ
リコントランジスタＱ１ 、Ｑ２のベースに入力される
非反転９反転入力である。
導体レーザＬＤが接続されている。φ、φはそれぞれシ
リコントランジスタＱ１ 、Ｑ２のベースに入力される
非反転９反転入力である。
以上のように構成された従来のシリコントランジスタを
用いた電流切り換え型駆動回路について、以下にその動
作を説明する。
用いた電流切り換え型駆動回路について、以下にその動
作を説明する。
半導体レーザＬＤに流れるピーク電流は、トランジスタ
Ｑ３のベース電流Ｉ、で制御される。トランジスタＱ１
のベース電位φが、トランジスタＱ２のベース電位ｄよ
り高い時、トランジスタＱ１はオン状態になり、半導体
レーザＬＤに電流が流れ発光する。逆にトランジスタＱ
１のベースを位φカ、トランジスタＱ２のベース電位φ
より低いトキ、トランジスタＱ１はオフ状態になり、半
導体レーザＬＤに電流が流れず発光しない。
Ｑ３のベース電流Ｉ、で制御される。トランジスタＱ１
のベース電位φが、トランジスタＱ２のベース電位ｄよ
り高い時、トランジスタＱ１はオン状態になり、半導体
レーザＬＤに電流が流れ発光する。逆にトランジスタＱ
１のベースを位φカ、トランジスタＱ２のベース電位φ
より低いトキ、トランジスタＱ１はオフ状態になり、半
導体レーザＬＤに電流が流れず発光しない。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来のシリコントランジスタを用いた電
流切り換え型駆動回路では、シリコントランジスタＱ１
およびＱ２のスイッチング時間が遅く、したがって半導
体レーザに流れるピーク電流の立ち上がり、立ち下がり
時間が遅かった。またディスクリート素子の組み合わせ
のため、駆動回路のコストが高くついた。
流切り換え型駆動回路では、シリコントランジスタＱ１
およびＱ２のスイッチング時間が遅く、したがって半導
体レーザに流れるピーク電流の立ち上がり、立ち下がり
時間が遅かった。またディスクリート素子の組み合わせ
のため、駆動回路のコストが高くついた。
そこで、半導体材料を化合物半導体にして高速化を図り
、また集積化してコストダウンを図ることが考えられる
。
、また集積化してコストダウンを図ることが考えられる
。
しかし、化合物半導体を用いたバイポーラトランジスタ
は現在開発されていないので、従来のシリコントランジ
スタを用いた電流切り換え型駆動回路でシリコントラン
ジスタの代りに化合物半導体のショットキ接合電界効果
トランジスタを用いると、ショットキ接合電界効果トラ
ンジスタの特性により、回路の直流伝達特性の遷移領域
が広くなるため、半導体レーザＬＤに流れるピーク電流
の切り換えが難しい。遷移領域を狭くして、充分に電流
を切り換えるためには、回路構成が複雑になり半導体集
積回路装置のチップ面積が犬きくなる。また従来と同じ
回路構成では、非反転１反転入力を必要とするので、入
力部分の回路構成が複雑になる。
は現在開発されていないので、従来のシリコントランジ
スタを用いた電流切り換え型駆動回路でシリコントラン
ジスタの代りに化合物半導体のショットキ接合電界効果
トランジスタを用いると、ショットキ接合電界効果トラ
ンジスタの特性により、回路の直流伝達特性の遷移領域
が広くなるため、半導体レーザＬＤに流れるピーク電流
の切り換えが難しい。遷移領域を狭くして、充分に電流
を切り換えるためには、回路構成が複雑になり半導体集
積回路装置のチップ面積が犬きくなる。また従来と同じ
回路構成では、非反転１反転入力を必要とするので、入
力部分の回路構成が複雑になる。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、簡易な回
路構成の半導体レーザ駆動用半導体集積回路装置を提供
することを目的としている。
路構成の半導体レーザ駆動用半導体集積回路装置を提供
することを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
前記問題点を解決するために、本発明の半導体集積回路
装置は、入力信号をレベルシフトする入力信号変換回路
と、前記入力信号変換回路の出力を波形整形するための
バッフアートＦＥＴロジック回路と、前記バッフアート
ＦＥＴロジック回路の出力信号によってスイッチされる
ＦＥＴおよび出力電流制御端子を有するＦＩＴを含む電
流駆動回路とを有して構成されている。
装置は、入力信号をレベルシフトする入力信号変換回路
と、前記入力信号変換回路の出力を波形整形するための
バッフアートＦＥＴロジック回路と、前記バッフアート
ＦＥＴロジック回路の出力信号によってスイッチされる
ＦＥＴおよび出力電流制御端子を有するＦＩＴを含む電
流駆動回路とを有して構成されている。
作用
本発明により、半導体レーザを駆動するのに必要な大電
流を高速にスイッチングできる回路が簡易に構成される
。
流を高速にスイッチングできる回路が簡易に構成される
。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、本発明の半導体集積回路装置の第１の実施例
を示す回路図である。半導体材料としてはガリウム砒素
（ＧａＡｓ ）を用いている。
を示す回路図である。半導体材料としてはガリウム砒素
（ＧａＡｓ ）を用いている。
第１図に示すように、本発明の半導体集積回路は入力信
号変換回路、波形整形回路および電流駆動回路からなる
。波形整形回路はＢＦＬ回路を形成している。Ｔｒ１〜
Ｔｒ８ はすべてショットキ接合電界効果トランジスタ
（以下ＭＥＳＦＥＴと称す）、Ｄ１〜Ｄ６はすべて７＝
！ツトキダイオード、”５ｒＲ２は抵抗であり、入力端
子ＷＩＮ 、出力端子Ｙ２Ｏ丁。
号変換回路、波形整形回路および電流駆動回路からなる
。波形整形回路はＢＦＬ回路を形成している。Ｔｒ１〜
Ｔｒ８ はすべてショットキ接合電界効果トランジスタ
（以下ＭＥＳＦＥＴと称す）、Ｄ１〜Ｄ６はすべて７＝
！ツトキダイオード、”５ｒＲ２は抵抗であり、入力端
子ＷＩＮ 、出力端子Ｙ２Ｏ丁。
電源電圧端子ＶＤＤおよびＶＳ３ 、 出力ピーク電
流制御端子ＶＩＰ＋接地端子ＧＮＤを有する。半導体レ
ーザは電源電圧端子Ｖｌ）Ｄと出力端子ＶＯｔｌτの間
に接続される。電源電圧端子ｖＤＤおよびＶＳ４にはそ
れぞれ＋ｓｖ、 −ｓｖがかけられる。入力端子ＶＩ）
ｌ Ｉｃ Ｔ Ｔ Ｌ ｖへｔｖ （標準： ｏ −レ
ベルｏ、 ３ｙ。
流制御端子ＶＩＰ＋接地端子ＧＮＤを有する。半導体レ
ーザは電源電圧端子Ｖｌ）Ｄと出力端子ＶＯｔｌτの間
に接続される。電源電圧端子ｖＤＤおよびＶＳ４にはそ
れぞれ＋ｓｖ、 −ｓｖがかけられる。入力端子ＶＩ）
ｌ Ｉｃ Ｔ Ｔ Ｌ ｖへｔｖ （標準： ｏ −レ
ベルｏ、 ３ｙ。
ハイレベル３．５Ｖ） の信号が入ると、入力信号変
換回路のショットキダイオードＤ１〜Ｄ３でレベルシフ
トされ、ＢＦＬ信号として波形整形回路のＭＫＳＦＥＴ
Ｔｒ４のゲートに入る。波形整形回路のＭＫＳＦＥＴＴ
ｒ３およびＴｒ４はインバータ回路を構成しているから
、Ｍ Ｘ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ Ｔｒｓのゲートには、ＭＫ
ＳＦＥＴＴｒ４のゲートに入った信号とはハイレベルと
ローレベルの逆転した信号が入る。ＭＩＣ３ＦＥＴ’Ｉ
’ｒｓのゲートに入った信号は、さらにショットキダイ
オードＤ４〜Ｄ６によってレベルシフトされ、電流駆動
回路のＭＥＳＦＥＴＴｒ８ をスイッチングできる電
圧レベルとなる。このような入力信号変換回路と波形整
形回路によって、Ｍ Ｋ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ ’ｒｒａの
スイッチングの立ち上がり、立ち下がり時間はいずれも
Ｉ ｎｓ程度となる。電流駆動回路はＭＥＳＦＥＴ”ｒ
７＋ Ｔｒ８および抵抗Ｒ２で構成される。入力がロー
レベルの時、ＭＫＳＦＫＴＴｒ８ のゲートに入る信
号はハイレベルで、ＭＥＳＦＥＴＴｒ８ はオン状態に
なり、半導体レーザに電流が流れ発光する。
換回路のショットキダイオードＤ１〜Ｄ３でレベルシフ
トされ、ＢＦＬ信号として波形整形回路のＭＫＳＦＥＴ
Ｔｒ４のゲートに入る。波形整形回路のＭＫＳＦＥＴＴ
ｒ３およびＴｒ４はインバータ回路を構成しているから
、Ｍ Ｘ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ Ｔｒｓのゲートには、ＭＫ
ＳＦＥＴＴｒ４のゲートに入った信号とはハイレベルと
ローレベルの逆転した信号が入る。ＭＩＣ３ＦＥＴ’Ｉ
’ｒｓのゲートに入った信号は、さらにショットキダイ
オードＤ４〜Ｄ６によってレベルシフトされ、電流駆動
回路のＭＥＳＦＥＴＴｒ８ をスイッチングできる電
圧レベルとなる。このような入力信号変換回路と波形整
形回路によって、Ｍ Ｋ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ ’ｒｒａの
スイッチングの立ち上がり、立ち下がり時間はいずれも
Ｉ ｎｓ程度となる。電流駆動回路はＭＥＳＦＥＴ”ｒ
７＋ Ｔｒ８および抵抗Ｒ２で構成される。入力がロー
レベルの時、ＭＫＳＦＫＴＴｒ８ のゲートに入る信
号はハイレベルで、ＭＥＳＦＥＴＴｒ８ はオン状態に
なり、半導体レーザに電流が流れ発光する。
逆に入力がハイレベルの時、ＭＥＳＦＥＴＴｒ８のゲー
トに入る信号はローレベルで、ＭＥＳＦＥＴＴｒ８はオ
フ状態になり、半導体レーザに電流は流れず発光しない
。ＭＥＳＦＥＴＴｒ８と直列に接続されたＭＥＳＦＥＴ
Ｔｒ、 は出力電流のピーク値を制御するためのもの
である。ＭＥＳＦＫＴＴｒ、のゲート電位を、保護抵抗
Ｒ２を介して出力ピーク電流制御端子ｖｒｐにより制御
することによって、出力電流のピーク値をコントロール
できる。）Ｊｌ！：ＳＦＩ！：ＴＴｒ。
トに入る信号はローレベルで、ＭＥＳＦＥＴＴｒ８はオ
フ状態になり、半導体レーザに電流は流れず発光しない
。ＭＥＳＦＥＴＴｒ８と直列に接続されたＭＥＳＦＥＴ
Ｔｒ、 は出力電流のピーク値を制御するためのもの
である。ＭＥＳＦＫＴＴｒ、のゲート電位を、保護抵抗
Ｒ２を介して出力ピーク電流制御端子ｖｒｐにより制御
することによって、出力電流のピーク値をコントロール
できる。）Ｊｌ！：ＳＦＩ！：ＴＴｒ。
のゲート電位をＭＥＳＦＥＴのしきい値電圧以下にして
おくと電流は流れず、ゲート電位を上げていくと（最大
０．７Ｖ ） 、 １５０ｍ人程鹿の出力ピーク電流が
得られる（ ＭＥＳＦＥＴ Ｔｒｙ、 Ｔｒａのゲート
幅がいずれも１５００７１ｍの場合）。
おくと電流は流れず、ゲート電位を上げていくと（最大
０．７Ｖ ） 、 １５０ｍ人程鹿の出力ピーク電流が
得られる（ ＭＥＳＦＥＴ Ｔｒｙ、 Ｔｒａのゲート
幅がいずれも１５００７１ｍの場合）。
第３図は、本発明の化合物半導体集積回路の第２の実施
例を示す回路図である。半導体材料としてはガリウム砒
素（ＧａＡｓ ）を用いている。
例を示す回路図である。半導体材料としてはガリウム砒
素（ＧａＡｓ ）を用いている。
ＭＥＳＦＫＴＴｒ、 〜Ｔｒ８．ショットキダイオード
Ｄ１〜Ｄ６．抵抗Ｒ１，Ｒ２，入力端子ｖＩＮ、電源電
圧端子ｖｎｏおよびｖＳＢ＋ 出力ピーク電流制御端
子ｖｆＰ＋ 接地端子ＧＮＤについては、第１の実施
例に示した回路構成と全く同じである。
Ｄ１〜Ｄ６．抵抗Ｒ１，Ｒ２，入力端子ｖＩＮ、電源電
圧端子ｖｎｏおよびｖＳＢ＋ 出力ピーク電流制御端
子ｖｆＰ＋ 接地端子ＧＮＤについては、第１の実施
例に示した回路構成と全く同じである。
本実施例の回路は、ＭＥＳＦＥＴＴｒ８と並列にＭＥＳ
ＦＥＴＴｒ９が出力端子ＶＯ［ＩＴと接地端子（、ＮＤ
の間に接続され、まだＭＫＳＦＥＴＴｒ、 のゲート
電位を制御する出力バイアス電流制御端子ＶＩＢを有す
る。出力バイアス電流制御端子ＶＩＢでＭＫＳＦＥＴＴ
ｒ？のゲート電位を制御することによって、半導体レー
ザに直流的なバイアス電流を流すことができる。ＭＥＳ
ＦＥＴ Ｔｒ、のゲート電位をＭＥＳＦＥＴのしきい値
電圧以上に上げていくと（最大０．７Ｖ）。
ＦＥＴＴｒ９が出力端子ＶＯ［ＩＴと接地端子（、ＮＤ
の間に接続され、まだＭＫＳＦＥＴＴｒ、 のゲート
電位を制御する出力バイアス電流制御端子ＶＩＢを有す
る。出力バイアス電流制御端子ＶＩＢでＭＫＳＦＥＴＴ
ｒ？のゲート電位を制御することによって、半導体レー
ザに直流的なバイアス電流を流すことができる。ＭＥＳ
ＦＥＴ Ｔｒ、のゲート電位をＭＥＳＦＥＴのしきい値
電圧以上に上げていくと（最大０．７Ｖ）。
１００ｍム程度の出力バイアス電流が得られる（ Ｍｌ
！：５ＦＥＴ Ｔｒ９（７）ゲート幅が６００１１ｍ
＋７）場合）。
！：５ＦＥＴ Ｔｒ９（７）ゲート幅が６００１１ｍ
＋７）場合）。
一般に半導体レーザの発光出力りと電流工の関係は第３
図のようになり、しきい値電流Ｉｔｈ以上の電流値の時
、発光する。出力バイアス電流制御端子ＶＩＢにより、
ＭＥＳＦＥＴＴｒ、のゲート電位を制御して、あらかじ
め、半導体レーザにしきい値電流を流しておくと、電流
駆動回路により、スムーズに半導体レーザを駆動できる
。
図のようになり、しきい値電流Ｉｔｈ以上の電流値の時
、発光する。出力バイアス電流制御端子ＶＩＢにより、
ＭＥＳＦＥＴＴｒ、のゲート電位を制御して、あらかじ
め、半導体レーザにしきい値電流を流しておくと、電流
駆動回路により、スムーズに半導体レーザを駆動できる
。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、波形整形回路と出
力ピーク電流制御端子を有する半導体レーザ駆動用の半
導体集積回路装置が、きわめて簡単な回路構成で実現さ
れ、たいへん有用である。
力ピーク電流制御端子を有する半導体レーザ駆動用の半
導体集積回路装置が、きわめて簡単な回路構成で実現さ
れ、たいへん有用である。
第１図は本発明の一実施例における半導体集積回路装置
の回路図、第２図は本発明の他の実施例における半導体
集積回路装置の回路図、第３図は半導体レーザの発光出
力と電流の関係を示す特性図、第４図は従来のシリコン
トランジスタを用いた電流切り換え型駆動回路の回路図
である。 Ｔｒ１〜Ｔｒ８・・・・・・ＦＩＴ、Ｉｈ〜Ｄ６・・・
・・・ダイオード、ｖＤＤ＋ ｖｌｉｓ・・・・・・電
源電圧端子、ＶＩＰ・・・・・・出力ピーク電流制御端
子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｈ−
鳥−ＦＥＴ 第１図 Ｄ＋〜Ｉ）Ｃ−グ（τ−ドＶｌｌ１１．
Ｖｓｓ −−一截源電圧埠チＶＩＰ−ｉｆｌ方乙’−り
’ｔ５’Ｌ’ｌ’ｍｐ）ｒｆｉｏ３−第２図 第３図 ψ、４− 人力
の回路図、第２図は本発明の他の実施例における半導体
集積回路装置の回路図、第３図は半導体レーザの発光出
力と電流の関係を示す特性図、第４図は従来のシリコン
トランジスタを用いた電流切り換え型駆動回路の回路図
である。 Ｔｒ１〜Ｔｒ８・・・・・・ＦＩＴ、Ｉｈ〜Ｄ６・・・
・・・ダイオード、ｖＤＤ＋ ｖｌｉｓ・・・・・・電
源電圧端子、ＶＩＰ・・・・・・出力ピーク電流制御端
子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｈ−
鳥−ＦＥＴ 第１図 Ｄ＋〜Ｉ）Ｃ−グ（τ−ドＶｌｌ１１．
Ｖｓｓ −−一截源電圧埠チＶＩＰ−ｉｆｌ方乙’−り
’ｔ５’Ｌ’ｌ’ｍｐ）ｒｆｉｏ３−第２図 第３図 ψ、４− 人力
Claims (1)
- 入力信号をレベルシフトする入力変換回路と、前記入力
信号変換回路の出力を波形整形するためのバッファード
ＦＥＴロジック回路と、前記バッファードＦＥＴロジッ
ク回路の出力信号によってスイッチされるＦＥＴおよび
出力電流制御端子を有するＦＥＴを含む電流駆動回路と
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065422A JPS62221217A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065422A JPS62221217A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221217A true JPS62221217A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13286611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61065422A Pending JPS62221217A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221217A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152659A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| EP0333494A2 (en) * | 1988-03-18 | 1989-09-20 | Nec Corporation | Semiconductor driver for producing switching and offset signals |
| JP2011101351A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 論理回路および該論理回路を有する表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56112123A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-04 | Nec Corp | Input circuit |
| JPS58130621A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 論理回路 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61065422A patent/JPS62221217A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56112123A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-04 | Nec Corp | Input circuit |
| JPS58130621A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 論理回路 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152659A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 | Nippon Inter Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| EP0333494A2 (en) * | 1988-03-18 | 1989-09-20 | Nec Corporation | Semiconductor driver for producing switching and offset signals |
| JP2011101351A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 論理回路および該論理回路を有する表示装置 |
| US8786313B2 (en) | 2009-10-09 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and display device having the same |
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