JPS62273787A - 発光素子駆動回路 - Google Patents

発光素子駆動回路

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JPS62273787A
JPS62273787A JP61116511A JP11651186A JPS62273787A JP S62273787 A JPS62273787 A JP S62273787A JP 61116511 A JP61116511 A JP 61116511A JP 11651186 A JP11651186 A JP 11651186A JP S62273787 A JPS62273787 A JP S62273787A
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gaas
transistor
circuit
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Mitsuo Tamura
田村 光夫
Tatsuo Otsuki
達男 大槻
Hiroaki Asada
浩明 浅田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は、レーザプリンターや光通信の半導体レーザ駆
動装置や発光ダイオード駆動装置に用いることができる
発光素子駆動回路に関するものである。
従来の技術 半導体レーザは、光通信やコンパクトディスクなどの光
源として広く用いられるようになってきたが、近年、レ
ーザプリンターの光源としても注目されている。
半導体レーザのパルス変調回路としては、Si−トラン
ジスタを用いた電流切換え型駆動回路がよく使われてい
る。(参考文献:柳井久義編集。
[光通信−・ンドプック」、朝食書店、(19B2)。
1)539)ところが、レーザプリンターに用いられる
半導体レーザ駆動回路としては、60〜100mAのパ
ルス電流をIn8以下の立ち上がり及び立ち下がり時間
でスイッチングさせる必要があり、Si−トランジスタ
を用いた電流切換え型駆動回路では限界にきている。そ
こで、GaAs −F ETを用いた電流切換え型駆動
回路が用いられるようになってきた。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来のGa
As −F E Tを用いた電流切換え型駆動回路につ
いて説明する。
第2図は従来のGaAs −F E Tを用いた電流切
換え型駆動回路の構成を示すものである。第2図におい
てQlおよびQ2は電流切換えスイッチを構成する一対
のGaAs−FETである。Q4は、定電流源を構成す
るG&ム5−FETである。LDは半導体レーザである
。φ、φは、GaAs−FETQl。
Q2のゲートに入力する非反転および反転入力で、EC
Lレベル(ハイレベル−〇、9Vl  ローレベル−1
,a v 、) ヲ−1,4Vレベルシフトしたものを
用いている。Vllgは、ECL、ICに合わせ−5・
2vとしている。
以上のように構成された従来のGaAs −F E T
を用いた電流切換え型駆動回路について以下その動作を
説明する。
半導体レーザLDに流れるパルス電流は、 GaAs−
FETQ4のゲート電位VPで制御され、GaAs−F
ETQlのゲート電位φがGaAs −F HT Q 
2のゲート電位φより高い時、GaAs −F E T
 Q 1はオンし、半導体レーザLDに電流が流れ発光
する。一方、GaAs −F E T Q 1のゲート
電位φがGaAs −F E T Q2のゲート電位φ
より低い時、GaAs −F E T Q 1はオフし
、半導体レーザLDに電流が流れず非発光となる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、GaAs−FETは、Norma/4y
 −off形FETを作ることが困難であるためNor
mal/y−on形FETを用いることが多い。そのた
め半導体レーザに流れる電流をゼロから制御しようとす
ると、GaAs−FETQ4のゲート電位vPは、ソー
ス電位(Vss−−s・2v)より低い電位から制御す
る必要があり、vss以外に電源を必要とする欠点を有
するとともに、GaAs −F E TQ4の温度特性
によって、半導体レーザに流れる電流が温度によって変
化するという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、単一電源で電流を完全に制御
でき、高速の大電流スイッチングが可能で、簡単な温度
補償回路で電流の温度変化を防止できる発光素子駆動回
路を提供するものである。
5/・−1 問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の発光素子駆動回
路は、電流切換え型発光素子駆動回路の電流切換えスイ
ッチが一対のFETで構成され、定電流源がバイポーラ
トランジスタで構成されている。
作用 この構成により、大電流の高速スイッチングは、FET
で構成される電流切換えスイッチで行なわれ、電流の制
御は、バイポーラトランジスタのペース電位で行なわれ
るので電流制御用の余分な電源を必要とせず、電流の温
度変化も従来用いられてきたバイポーラトランジスタの
温度補償ニよって防止できる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第1図は、本発明の発光素子駆動回路を用いた半導体レ
ーザ駆動回路の構成を示すものである。
第1図において、QlおよびQ2は電流切換えス6へ−
/ インチを構成する一対のGaAs −F E Tである
Q3は、定電流源を構成するSi−トランジスタである
。LDは半導体レーザである。Dlは、温度補償用のダ
イオードで、Si−トランジスタQ3のベース、エミッ
タ電圧VBI+の温度変化とダイオードの順方向電圧v
Fの温度変化が同じものを用いた。VRlは、Si −
)ランジスタQ3のペース電位を設定する可変抵抗であ
る。φ、φは、GaAs−FIT Q 1 、  Q 
2のゲートに入力する非反転および反転入力で、ECL
レベル(ハイレベル−〇・9 v +  ローレベル−
1・sv)を−1・4vレベルシフトしたものを用いて
いる。VSSは、’EOL。
XCjに合わせ、−5,2Vとしている。
以上のように構成された半導体レーザ駆動回路について
、その動作を説明する。
半導体し〜ザLDに流れるパルス電流は、S=−トラン
ジスタのペース電位VBで制御され、VB−Vss≧V
 B Lへ0・7vで電流が流れ始めるので、0〜V8
11の範囲で完全に電流が制御できる。また、電流の温
度変化も、Si −トランジスタの温度補7ベー 償として従来からよく使われる温度補償用ダイオードD
1を用いることで容易に行なわれる。さらに、定電流源
に使われる半導体素子は、高速性を必要としないので、
Si −トランジスタで十分である。
大電流の高速スイッチング特性を決定するのは、電流切
換えスイッチを構成する半導体素子によるが、GaAs
 −F X Tを用いているので、全く問題はない。
以上のように本実施例によれば、電流切換え型発光素子
駆動回路の電流切換えスイッチを一対のGaAs −F
 IE Tで構成し、定電流源を5i−)ランジスタで
構成することによって電流制御用の余分な電源を必要と
せず、大電流の高速スイッチングが行なえ、電流の温度
変化も従来用いられてきた温度補償用ダイオードによっ
て防止できる。
発明の効果 以上のように、本発明の発光素子駆動回路は、電流切換
え型発光素子駆動回路の電流切換えスイッチを構成する
一対の半導体素子をFITで構成し、定電流源を構成す
る半導体素子をバイポーラトランジスタで構成すること
によって、電流制御用の余分な電源を必要とせず、大電
流の高速スイッチングが行なえ、電流の温度変化も簡単
な温度補償回路で防止でき、その実用的効果は大なるも
のがある。さらに、バイポーラトランジスタとしてGa
As−へテロバイポーラトランジスタを用いれば、発光
素子駆動回路をワンチップ上にIC化できると言う効果
が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の発光素子駆動回路を用いた半導体レー
ザ駆動回路の構成図、第2図は従来のGaAs −F 
E Tを用いた電流切換え型駆動回路の構成図である。 Ql、Q2・・・・・・電流切換えスイッチを構成する
GaAs −F E T 、 Q 3・・・・・・定電
流源を構成するSi−トランジスタ、LD・・・・・・
半導体レーザ、Dl・・・・・・温度温償用ダイオード
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名喝 失シ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電流切換えスイッチかつ一対のFETで構成され
    、定電流源がバイポーラトランジスタで構成されること
    を特徴とする電流切換え型の発光素子駆動回路。
  2. (2)FETがGaAsFETであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の発光素子駆動回路。
  3. (3)バイポーラトランジスタとしてGaAsヘテロバ
    イポーラトランジスタを用いることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の発光素子駆動回路。
JP11651186A 1986-05-21 1986-05-21 発光素子駆動回路 Expired - Lifetime JPH0734491B2 (ja)

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