JP2004304708A - 光電流・電圧変換回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】通常の光入力レベルに対しては、増幅器本来の利得を確保しつつリニアな増幅が得られ、光入力レベルが増大しても増幅器出力が飽和せず回路全体の応答速度が低下しない光電流・電圧変換回路を提供する。
【解決手段】フォトダイオード10への光電流入力を第1の増幅器15で受け、続くクランプ回路22で第1の増幅器15の出力の飽和を防ぐ。クランプ回路22は、NPN型トランジスタ16のエミッタが第1の増幅器15の出力端13に、コレクタが第1の抵抗17を介して電源ライン7に接続され、第1、第2のダイオード18、19によるダイオード列20の一端側カソード電極が接地され、他端側アノード電極が第2の抵抗21を介して電源ライン7に接続され、ダイオード列20と第2の抵抗21との接続点にトランジスタ16のベースが接続され、第1の増幅器15の出力電圧をクランプする。
【選択図】 図1
【解決手段】フォトダイオード10への光電流入力を第1の増幅器15で受け、続くクランプ回路22で第1の増幅器15の出力の飽和を防ぐ。クランプ回路22は、NPN型トランジスタ16のエミッタが第1の増幅器15の出力端13に、コレクタが第1の抵抗17を介して電源ライン7に接続され、第1、第2のダイオード18、19によるダイオード列20の一端側カソード電極が接地され、他端側アノード電極が第2の抵抗21を介して電源ライン7に接続され、ダイオード列20と第2の抵抗21との接続点にトランジスタ16のベースが接続され、第1の増幅器15の出力電圧をクランプする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、受光素子により発生する光電流を電圧に変換して出力する光電流・電圧変換回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトダイオードなどの受光素子により発生する光電流を電圧に変換して出力する光電流・電圧変換回路が多くの分野で利用されている。例えば、FA関連のサーボ制御機器やシーケンサやインバータ機器等で入出力間を電気的に絶縁することを目的として、入力側の発光素子(例えば発光ダイオード)に電気信号を供給し、発光素子から出力側の受光素子へ光で信号を伝え、受光素子から電気信号を出力するフォトカプラの受光回路に用いられている。また、赤外線通信や光ケーブル通信等の受信回路および最近の光ディスク装置でのレーザー反射光信号を電気的ディジタル信号に変換する光検出回路にも広く用いられている。この光電流・電圧変換回路はIC化され受光ICとして使用されている。
【0003】
以下、受光ICの一例について、図2を参照して説明する。
図において、1はフォトダイオードで入射光を検出し、光電流Ipdを発生する。2は反転増幅器で入力端3と出力端4の間に帰還抵抗5(抵抗値をRfとする)が接続され増幅器6を構成している。フォトダイオード1の一端(図示例ではアノード電極)は反転増幅器2の入力端3に接続され、他端(カソード電極)は電源ライン7に接続され、その両端にはほぼ一定の逆バイアス電圧がかけられている。
フォトダイオード1に光入力されない場合には、光電流Ipdは発生せず、帰還抵抗5には電流が流れないため、増幅器6の出力電圧Vaは入力端3とほぼ等しい電圧Voとなる。この電圧Voが基準値となり、フォトダイオード1に光入力があると、光量に応じた光電流Ipdが帰還抵抗5に流れ、帰還抵抗5の両端に(Ipd×Rf)の電圧を発生し、出力端4の電圧Vaは基準値電圧Voから電圧(Vo−Ipd×Rf)に変化する。
【0004】
図2に示す受光ICを用いて例えば、フォトカプラを構成した場合、IC論理素子からHighまたはLowレベルの信号が発光素子に供給されると、発光素子から受光ICへ光で信号が伝わり、受光ICから論理に応じたHighまたはLowレベルの信号が出力される。このようにして、IC論理素子からの信号が入出力間を電気的に絶縁して伝達される。
フォトカプラの受光素子への入力信号レベルが大きくなると、受光ICに用いられる光電流・電圧変換回路の反転増幅器2が飽和し応答が遅くなり、IC論理素子からの信号が正確に伝達されなくなるという問題がある。
【0005】
この増幅器の飽和の問題を回避する光電流・電圧変換回路が、特許文献1に開示されている。特許文献1にはフォトダイオードのアノードを接地しカソードを増幅器の入力端に接続した例が掲載されているが、フォトダイオードのカソードを電源に接続しアノードを増幅器の入力端に接続した例を図3、図4に示す。光入力に対する帰還抵抗に流れる電流の向きと増幅器出力の論理が異なるが、基本的な回路の動作すなわち微弱光入力時は、帰還抵抗5が支配的となり比較的リニアな増幅をし、強光入力時は、主に帰還抵抗5と並列接続されたクランプ素子の特性に従った増幅となる点は特許文献1の開示例と変わらない。
【0006】
図3は、クランプ素子としてダイオード8を用いている。図において、フォトダイオード1は入射光を検出し、光電流Ipdを発生する。反転増幅器2は入力端3と出力端4の間に帰還抵抗5が接続され増幅器6を構成している。フォトダイオード1の一端(図示例ではアノード電極)は反転増幅器2の入力端3に接続され、その両端にはほぼ一定の逆バイアス電圧がかけられている。図示例ではフォトダイオード1の他端であるカソード電極が電源ライン7に接続されている。そして、ダイオード8のアノードが反転増幅器2の入力端3に、カソードが出力端4に接続されている。
光入力が小さいときは、光電流Ipdも小さく、ダイオード8には電流が流れず帰還抵抗5に流れる電流も少ない。しかし、光入力が大きくなり光電流Ipdが増大すると、反転増幅器2の入出力間電圧がダイオードの順方向ターンオン電圧に達しダイオード8を流れる電流は急に増大する。光電流Ipdが増えて出力電圧が減少するが、ダイオードの作用で入力電圧よりターンオン電圧以下には低下しない。このように、微弱光入力時はダイオードがオンせずリニアな増幅をし、強光入力時は主にダイオード8のV−I特性に従った増幅となる。
【0007】
図4は、クランプ素子としてエンハンスメント型nチャンネルMOSFET9を用いている。図において、フォトダイオード1は入射光を検出し、光電流Ipdを発生する。反転増幅器2は入力端3と出力端4の間に帰還抵抗5(抵抗値をRfとする)が接続され増幅器6を構成している。フォトダイオード1の一端(図示例ではアノード電極)は反転増幅器2の入力端3に接続され、その両端にはほぼ一定の逆バイアス電圧がかけられている。図示例ではフォトダイオード1の他端であるカソード電極が電源ライン7に接続されている。そして、MOSFET9のゲートとドレインが反転増幅器2の入力端3に、ソースが出力端4に接続されている。
光入力が小さいときは、光電流Ipdも小さく、MOSFET9には電流がほとんど流れず帰還抵抗5に流れる電流も少ない。しかし、光入力が大きくなり光電流Ipdが増大するにつれ、反転増幅器2の入出力間電圧すなわちMOSFET9のゲート・ソース間電圧VGSが増大し、MOSFET9を流れる電流はMOSFET9のVGS−ID特性に従い増大する。つまり、MOSFET9のオン抵抗が電流の増大とともに小さくなり、反転増幅器2の入出力間抵抗である帰還抵抗5とMOSFET9の合成抵抗も小さくなる。よって、光電流Ipdが増加しても、反転増幅器2の出力が飽和することはない。このように、微弱光入力時は帰還抵抗5が支配的となり比較的リニアな増幅をし、強光入力時は主にMOSFET9のVGS−ID特性に従った増幅となる。
【0008】
このように図3、図4に示す回路では、フォトダイオード1に大きな光入力があった場合に、帰還抵抗5と並列に接続したクランプ素子8、9が導通状態となり、このため多くの光電流はクランプ素子を流れ反転増幅器2そのものが飽和することを防止できる。
【0009】
【特許文献1】
特開昭61−41213号公報 (第2−4頁、第1図、第5図)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところがクランプ素子としてダイオード8を用いたものは、ダイオードがオフしているときに広がっていた空乏層をキャリアが移動する時間が長くなるため、ダイオードがオフからオンへの遷移時間が長く、微弱光入力時から強光入力時への応答速度が遅いという問題があった。
また、クランプ素子としてMOSFET9を用いたものは、反転増幅器2の入出力間に電位差が発生した時点から利得に制限がかかるため、増幅器本来の制限がかからない最大の利得を確保することができず、よりリニアな増幅が得られないという問題があった。
本発明は斯かる実情に鑑み、受光ICの光電流・電圧変換回路内の増幅器が飽和しない光入力レベルに対しては、増幅器本来の制限がかからない最大の利得を確保しつつ、よりリニアな増幅が得られ、強光入力レベルに対しては、増幅器出力が飽和せず、回路全体の応答速度が低下しないことにより高速動作が維持可能となる光電流・電圧変換回路を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電流・電圧変換回路は、フォトダイオードと、入力端に前記フォトダイオードが逆バイアス状態で接続され、光電流を電圧変換する増幅器と、トランジスタのコレクタを電源側に、エミッタを前記増幅器出力端にそれぞれ接続し、複数のダイオードを同一方向に直列接続したダイオード列の一端側カソードを接地し他端側アノードを抵抗を介して電源に接続し、前記ダイオード列と抵抗の接続点に前記トランジスタのベースを接続してなるクランプ回路とを備えたことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例を図1を参照して説明する。
図において、10は光照射により光電流Ipdを発生するフォトダイオード、11は反転増幅器で、入力端12と出力端13の間に帰還抵抗14が接続され第1の増幅器15を構成している。
フォトダイオード10の一端(図示例ではアノード電極)は第1の増幅器15の入力端12に接続され、他端(カソード電極)は電源ライン7に接続されてその両端はほぼ一定の逆バイアス電圧がかけられている。
16はNPN型トランジスタで、エミッタは第1の増幅器15の出力端13に、コレクタは第1の抵抗17を介して電源ライン7に接続されている。
18、19は第1、第2のダイオードで、同一方向に直列接続されてダイオード列20を構成し、このダイオード列20の一端側のカソード電極が接地され、他端側のアノード電極が第2の抵抗21を介して電源ライン7に接続され、ダイオード列20と第2の抵抗21との接続点にトランジスタ16のベースが接続されている。これらトランジスタ16、第1、第2の抵抗17、21、ダイオード列20によって、第1の増幅器15の出力電圧をクランプするクランプ回路22を構成している。
23は入力抵抗、24は反転増幅器で、入力端25と出力端26の間に帰還抵抗27が接続され、入力端25に入力抵抗23の一端が接続され増幅器28を構成し、入力抵抗23の他端が第1の増幅器15の出力端13に接続されている。こうして光電流・電圧変換回路29を構成している。
【0013】
この回路の動作を以下に説明する。フォトダイオード10に光入力されない場合には、光電流Ipdは発生せず、第1の帰還抵抗14には電流が流れないため、第1の増幅器15の出力電圧Va1は入力端12とほぼ等しい電圧Vo1となる。この電圧Vo1が基準値となり、フォトダイオード10に光入力されると、光量に応じた光電流Ipdが第1の帰還抵抗14(抵抗値をRf1とする)に流れ、第1の帰還抵抗14の両端に(Ipd×Rf1)の電圧を発生し、第1の増幅器15の出力電圧Va1は基準値電圧Vo1から電圧Va1=(Vo1−Ipd×Rf1)に変化する。
フォトダイオード10への光入力レベルが徐々に増加するにつれ、第1の増幅器15の出力電圧Va1も変化(低下)していく。しかし、第1の増幅器15の出力に接続されているトランジスタ16のベースはダイオード列20と第2の抵抗21との接続点に接続されており、トランジスタ16のベース電圧は、ダイオードの順方向ターンオン電圧をVfとすると電圧2・Vfにバイアスされた状態となっている。このため、トランジスタ16がオフしているときにおいて出力電圧Va1のVo1からの電圧低下(Ipd×Rf1)がほぼトランジスタ16のベース・エミッタ間の順方向電圧Vbeにまで低下した時点でトランジスタ16がオンし、トランジスタ16のベース・エミッタ間には順方向電圧Vbeが発生する。従って、第1の増幅器15の出力電圧Va1は
Vo1≧(Vo1−Ipd×Rf1)≧2Vf−Vbe≒Vf
の範囲で変化することになる。すなわち、ほぼダイオード1個分の順方向電圧Vfに相当する電圧以上に低下しようとするとクランプ動作が行われ、第1の増幅器15の出力電圧が飽和することはない。第1の増幅器15の出力端13のクランプ電圧Vclとしては
Vcl=2・Vf−Vbe≒Vf
となる。この第1の増幅器15の出力電圧が、入力抵抗23を含む次段の第2の増幅器28に入力され、増幅度Av2で増幅され光電流・電圧変換回路29の出力となる。
増幅度Av2は、入力抵抗23(抵抗値をRiとする)と第2の反転増幅器24の第2の帰還抵抗27(抵抗値をRf2とする)により決定され(−Rf2/Ri)であらわされる。
以上のようにフォトダイオード10に光が照射されると、第1の増幅器15およびクランプ回路22で第1の増幅器15の出力が飽和することなく電圧変換され、第2の増幅器28で所望の電圧に増幅され、光電流・電圧変換が行なわれる。
なお、クランプ回路22の第1、第2のダイオード18、19の順方向電圧Vfは、第1、第2のダイオード18、19を流れる電流値およびその素子サイズで、また、トランジスタ16のベース・エミッタ間の順方向電圧Vbeは、トランジスタ16を流れる電流値およびその素子サイズでそれぞれ決まり、具体的には、各素子を流れる電流値は、第1および第2の抵抗17、21の抵抗値でそれぞれ調整される。
【0014】
このように、フォトダイオード10に入力される光の強度が上昇し光電流Ipdが増加しても、第1の増幅器15の出力が飽和することなく、第1の増幅器15の応答性が維持された状態で第2の増幅器28で所望の電圧に増幅され、光電流・電圧変換が行なわれる。逆に、強光入力から微弱光入力へ入力される光が変化しても、第1の増幅器15の出力が飽和していないため、光電流・電圧変換回路の応答速度が遅くなるということもない。
また、第1の増幅器15の出力がクランプ電圧Vclに達するまでは、利得制限なく動作し、従来例のように第1の増幅器15の入出力端間に電位差が発生した時点から利得制限がかかるという問題も解消される。
そのため、増幅器が飽和しない光入力レベルでは、増幅器本来の制限がかからない最大の利得を確保しつつ、よりリニアな増幅が得られ、また、強光入力レベルに変化しても、出力が飽和せず、光電流・電圧変換回路29全体での応答速度も低下しないため高速動作が維持可能である。
【0015】
尚、本発明の第1、第2の反転増幅器11、24としては、例えばエミッタ接地の前段トランジスタとエミッタフォロワの後段トランジスタの2段構成であってもよい。また、第1、第2のダイオード18、19はトランジスタのベース、コレクタ間を共通接続したものを用いることができる。
さらに、フォトダイオード10の逆バイアスのかけ方として、図1ではフォトダイオード10の他端が電源ライン7に接続されているが、カソード電極を第1の増幅器15の入力に接続しアノード電極を接地した構成でもよい。この場合のクランプ回路は、NPN型トランジスタに替えPNP型トランジスタを用い、エミッタを第1の増幅器15の出力端13に、コレクタを第3の抵抗を介して接地するとともに、同一方向に直列接続されたダイオード列の一端側カソード電極を接地し、他端側アノード電極を第4の抵抗を介して電源ライン7に接続し、PNP型トランジスタのベースをダイオード列と第4の抵抗との接続点に接続する構成とすればよい。
【0016】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光電流・電圧変換回路によれば、第1の増幅器出力にダイオードの順方向電圧およびトランジスタのベース・エミッタ間の順方向電圧を利用したクランプ回路を設けたことにより、第1の増幅器が飽和しない光入力レベルに対しては、増幅器本来の最大の利得を確保しつつ、よりリニアな増幅が得られ、微弱光入力から強光入力へ入力が変化しても、第1の増幅器出力が飽和しないため、回路全体での応答速度が低下せず高速動作が維持可能となり、光電流・電圧変換回路の光入力レベルのダイナミックレンジを拡大できるという優れた効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の光電流・電圧変換回路を示す回路図。
【図2】従来の光電流・電圧変換回路の一例を示す回路図。
【図3】従来の光電流・電圧変換回路の他の例を示す回路図。
【図4】従来の光電流・電圧変換回路の他の例を示す回路図。
【符号の説明】
10 フォトダイオード
15 第1の増幅器
16 トランジスタ
17,21 抵抗
18,19 ダイオード
22 クランプ回路
28 第2の増幅器
【発明の属する技術分野】
本発明は、受光素子により発生する光電流を電圧に変換して出力する光電流・電圧変換回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトダイオードなどの受光素子により発生する光電流を電圧に変換して出力する光電流・電圧変換回路が多くの分野で利用されている。例えば、FA関連のサーボ制御機器やシーケンサやインバータ機器等で入出力間を電気的に絶縁することを目的として、入力側の発光素子(例えば発光ダイオード)に電気信号を供給し、発光素子から出力側の受光素子へ光で信号を伝え、受光素子から電気信号を出力するフォトカプラの受光回路に用いられている。また、赤外線通信や光ケーブル通信等の受信回路および最近の光ディスク装置でのレーザー反射光信号を電気的ディジタル信号に変換する光検出回路にも広く用いられている。この光電流・電圧変換回路はIC化され受光ICとして使用されている。
【0003】
以下、受光ICの一例について、図2を参照して説明する。
図において、1はフォトダイオードで入射光を検出し、光電流Ipdを発生する。2は反転増幅器で入力端3と出力端4の間に帰還抵抗5(抵抗値をRfとする)が接続され増幅器6を構成している。フォトダイオード1の一端(図示例ではアノード電極)は反転増幅器2の入力端3に接続され、他端(カソード電極)は電源ライン7に接続され、その両端にはほぼ一定の逆バイアス電圧がかけられている。
フォトダイオード1に光入力されない場合には、光電流Ipdは発生せず、帰還抵抗5には電流が流れないため、増幅器6の出力電圧Vaは入力端3とほぼ等しい電圧Voとなる。この電圧Voが基準値となり、フォトダイオード1に光入力があると、光量に応じた光電流Ipdが帰還抵抗5に流れ、帰還抵抗5の両端に(Ipd×Rf)の電圧を発生し、出力端4の電圧Vaは基準値電圧Voから電圧(Vo−Ipd×Rf)に変化する。
【0004】
図2に示す受光ICを用いて例えば、フォトカプラを構成した場合、IC論理素子からHighまたはLowレベルの信号が発光素子に供給されると、発光素子から受光ICへ光で信号が伝わり、受光ICから論理に応じたHighまたはLowレベルの信号が出力される。このようにして、IC論理素子からの信号が入出力間を電気的に絶縁して伝達される。
フォトカプラの受光素子への入力信号レベルが大きくなると、受光ICに用いられる光電流・電圧変換回路の反転増幅器2が飽和し応答が遅くなり、IC論理素子からの信号が正確に伝達されなくなるという問題がある。
【0005】
この増幅器の飽和の問題を回避する光電流・電圧変換回路が、特許文献1に開示されている。特許文献1にはフォトダイオードのアノードを接地しカソードを増幅器の入力端に接続した例が掲載されているが、フォトダイオードのカソードを電源に接続しアノードを増幅器の入力端に接続した例を図3、図4に示す。光入力に対する帰還抵抗に流れる電流の向きと増幅器出力の論理が異なるが、基本的な回路の動作すなわち微弱光入力時は、帰還抵抗5が支配的となり比較的リニアな増幅をし、強光入力時は、主に帰還抵抗5と並列接続されたクランプ素子の特性に従った増幅となる点は特許文献1の開示例と変わらない。
【0006】
図3は、クランプ素子としてダイオード8を用いている。図において、フォトダイオード1は入射光を検出し、光電流Ipdを発生する。反転増幅器2は入力端3と出力端4の間に帰還抵抗5が接続され増幅器6を構成している。フォトダイオード1の一端(図示例ではアノード電極)は反転増幅器2の入力端3に接続され、その両端にはほぼ一定の逆バイアス電圧がかけられている。図示例ではフォトダイオード1の他端であるカソード電極が電源ライン7に接続されている。そして、ダイオード8のアノードが反転増幅器2の入力端3に、カソードが出力端4に接続されている。
光入力が小さいときは、光電流Ipdも小さく、ダイオード8には電流が流れず帰還抵抗5に流れる電流も少ない。しかし、光入力が大きくなり光電流Ipdが増大すると、反転増幅器2の入出力間電圧がダイオードの順方向ターンオン電圧に達しダイオード8を流れる電流は急に増大する。光電流Ipdが増えて出力電圧が減少するが、ダイオードの作用で入力電圧よりターンオン電圧以下には低下しない。このように、微弱光入力時はダイオードがオンせずリニアな増幅をし、強光入力時は主にダイオード8のV−I特性に従った増幅となる。
【0007】
図4は、クランプ素子としてエンハンスメント型nチャンネルMOSFET9を用いている。図において、フォトダイオード1は入射光を検出し、光電流Ipdを発生する。反転増幅器2は入力端3と出力端4の間に帰還抵抗5(抵抗値をRfとする)が接続され増幅器6を構成している。フォトダイオード1の一端(図示例ではアノード電極)は反転増幅器2の入力端3に接続され、その両端にはほぼ一定の逆バイアス電圧がかけられている。図示例ではフォトダイオード1の他端であるカソード電極が電源ライン7に接続されている。そして、MOSFET9のゲートとドレインが反転増幅器2の入力端3に、ソースが出力端4に接続されている。
光入力が小さいときは、光電流Ipdも小さく、MOSFET9には電流がほとんど流れず帰還抵抗5に流れる電流も少ない。しかし、光入力が大きくなり光電流Ipdが増大するにつれ、反転増幅器2の入出力間電圧すなわちMOSFET9のゲート・ソース間電圧VGSが増大し、MOSFET9を流れる電流はMOSFET9のVGS−ID特性に従い増大する。つまり、MOSFET9のオン抵抗が電流の増大とともに小さくなり、反転増幅器2の入出力間抵抗である帰還抵抗5とMOSFET9の合成抵抗も小さくなる。よって、光電流Ipdが増加しても、反転増幅器2の出力が飽和することはない。このように、微弱光入力時は帰還抵抗5が支配的となり比較的リニアな増幅をし、強光入力時は主にMOSFET9のVGS−ID特性に従った増幅となる。
【0008】
このように図3、図4に示す回路では、フォトダイオード1に大きな光入力があった場合に、帰還抵抗5と並列に接続したクランプ素子8、9が導通状態となり、このため多くの光電流はクランプ素子を流れ反転増幅器2そのものが飽和することを防止できる。
【0009】
【特許文献1】
特開昭61−41213号公報 (第2−4頁、第1図、第5図)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところがクランプ素子としてダイオード8を用いたものは、ダイオードがオフしているときに広がっていた空乏層をキャリアが移動する時間が長くなるため、ダイオードがオフからオンへの遷移時間が長く、微弱光入力時から強光入力時への応答速度が遅いという問題があった。
また、クランプ素子としてMOSFET9を用いたものは、反転増幅器2の入出力間に電位差が発生した時点から利得に制限がかかるため、増幅器本来の制限がかからない最大の利得を確保することができず、よりリニアな増幅が得られないという問題があった。
本発明は斯かる実情に鑑み、受光ICの光電流・電圧変換回路内の増幅器が飽和しない光入力レベルに対しては、増幅器本来の制限がかからない最大の利得を確保しつつ、よりリニアな増幅が得られ、強光入力レベルに対しては、増幅器出力が飽和せず、回路全体の応答速度が低下しないことにより高速動作が維持可能となる光電流・電圧変換回路を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電流・電圧変換回路は、フォトダイオードと、入力端に前記フォトダイオードが逆バイアス状態で接続され、光電流を電圧変換する増幅器と、トランジスタのコレクタを電源側に、エミッタを前記増幅器出力端にそれぞれ接続し、複数のダイオードを同一方向に直列接続したダイオード列の一端側カソードを接地し他端側アノードを抵抗を介して電源に接続し、前記ダイオード列と抵抗の接続点に前記トランジスタのベースを接続してなるクランプ回路とを備えたことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例を図1を参照して説明する。
図において、10は光照射により光電流Ipdを発生するフォトダイオード、11は反転増幅器で、入力端12と出力端13の間に帰還抵抗14が接続され第1の増幅器15を構成している。
フォトダイオード10の一端(図示例ではアノード電極)は第1の増幅器15の入力端12に接続され、他端(カソード電極)は電源ライン7に接続されてその両端はほぼ一定の逆バイアス電圧がかけられている。
16はNPN型トランジスタで、エミッタは第1の増幅器15の出力端13に、コレクタは第1の抵抗17を介して電源ライン7に接続されている。
18、19は第1、第2のダイオードで、同一方向に直列接続されてダイオード列20を構成し、このダイオード列20の一端側のカソード電極が接地され、他端側のアノード電極が第2の抵抗21を介して電源ライン7に接続され、ダイオード列20と第2の抵抗21との接続点にトランジスタ16のベースが接続されている。これらトランジスタ16、第1、第2の抵抗17、21、ダイオード列20によって、第1の増幅器15の出力電圧をクランプするクランプ回路22を構成している。
23は入力抵抗、24は反転増幅器で、入力端25と出力端26の間に帰還抵抗27が接続され、入力端25に入力抵抗23の一端が接続され増幅器28を構成し、入力抵抗23の他端が第1の増幅器15の出力端13に接続されている。こうして光電流・電圧変換回路29を構成している。
【0013】
この回路の動作を以下に説明する。フォトダイオード10に光入力されない場合には、光電流Ipdは発生せず、第1の帰還抵抗14には電流が流れないため、第1の増幅器15の出力電圧Va1は入力端12とほぼ等しい電圧Vo1となる。この電圧Vo1が基準値となり、フォトダイオード10に光入力されると、光量に応じた光電流Ipdが第1の帰還抵抗14(抵抗値をRf1とする)に流れ、第1の帰還抵抗14の両端に(Ipd×Rf1)の電圧を発生し、第1の増幅器15の出力電圧Va1は基準値電圧Vo1から電圧Va1=(Vo1−Ipd×Rf1)に変化する。
フォトダイオード10への光入力レベルが徐々に増加するにつれ、第1の増幅器15の出力電圧Va1も変化(低下)していく。しかし、第1の増幅器15の出力に接続されているトランジスタ16のベースはダイオード列20と第2の抵抗21との接続点に接続されており、トランジスタ16のベース電圧は、ダイオードの順方向ターンオン電圧をVfとすると電圧2・Vfにバイアスされた状態となっている。このため、トランジスタ16がオフしているときにおいて出力電圧Va1のVo1からの電圧低下(Ipd×Rf1)がほぼトランジスタ16のベース・エミッタ間の順方向電圧Vbeにまで低下した時点でトランジスタ16がオンし、トランジスタ16のベース・エミッタ間には順方向電圧Vbeが発生する。従って、第1の増幅器15の出力電圧Va1は
Vo1≧(Vo1−Ipd×Rf1)≧2Vf−Vbe≒Vf
の範囲で変化することになる。すなわち、ほぼダイオード1個分の順方向電圧Vfに相当する電圧以上に低下しようとするとクランプ動作が行われ、第1の増幅器15の出力電圧が飽和することはない。第1の増幅器15の出力端13のクランプ電圧Vclとしては
Vcl=2・Vf−Vbe≒Vf
となる。この第1の増幅器15の出力電圧が、入力抵抗23を含む次段の第2の増幅器28に入力され、増幅度Av2で増幅され光電流・電圧変換回路29の出力となる。
増幅度Av2は、入力抵抗23(抵抗値をRiとする)と第2の反転増幅器24の第2の帰還抵抗27(抵抗値をRf2とする)により決定され(−Rf2/Ri)であらわされる。
以上のようにフォトダイオード10に光が照射されると、第1の増幅器15およびクランプ回路22で第1の増幅器15の出力が飽和することなく電圧変換され、第2の増幅器28で所望の電圧に増幅され、光電流・電圧変換が行なわれる。
なお、クランプ回路22の第1、第2のダイオード18、19の順方向電圧Vfは、第1、第2のダイオード18、19を流れる電流値およびその素子サイズで、また、トランジスタ16のベース・エミッタ間の順方向電圧Vbeは、トランジスタ16を流れる電流値およびその素子サイズでそれぞれ決まり、具体的には、各素子を流れる電流値は、第1および第2の抵抗17、21の抵抗値でそれぞれ調整される。
【0014】
このように、フォトダイオード10に入力される光の強度が上昇し光電流Ipdが増加しても、第1の増幅器15の出力が飽和することなく、第1の増幅器15の応答性が維持された状態で第2の増幅器28で所望の電圧に増幅され、光電流・電圧変換が行なわれる。逆に、強光入力から微弱光入力へ入力される光が変化しても、第1の増幅器15の出力が飽和していないため、光電流・電圧変換回路の応答速度が遅くなるということもない。
また、第1の増幅器15の出力がクランプ電圧Vclに達するまでは、利得制限なく動作し、従来例のように第1の増幅器15の入出力端間に電位差が発生した時点から利得制限がかかるという問題も解消される。
そのため、増幅器が飽和しない光入力レベルでは、増幅器本来の制限がかからない最大の利得を確保しつつ、よりリニアな増幅が得られ、また、強光入力レベルに変化しても、出力が飽和せず、光電流・電圧変換回路29全体での応答速度も低下しないため高速動作が維持可能である。
【0015】
尚、本発明の第1、第2の反転増幅器11、24としては、例えばエミッタ接地の前段トランジスタとエミッタフォロワの後段トランジスタの2段構成であってもよい。また、第1、第2のダイオード18、19はトランジスタのベース、コレクタ間を共通接続したものを用いることができる。
さらに、フォトダイオード10の逆バイアスのかけ方として、図1ではフォトダイオード10の他端が電源ライン7に接続されているが、カソード電極を第1の増幅器15の入力に接続しアノード電極を接地した構成でもよい。この場合のクランプ回路は、NPN型トランジスタに替えPNP型トランジスタを用い、エミッタを第1の増幅器15の出力端13に、コレクタを第3の抵抗を介して接地するとともに、同一方向に直列接続されたダイオード列の一端側カソード電極を接地し、他端側アノード電極を第4の抵抗を介して電源ライン7に接続し、PNP型トランジスタのベースをダイオード列と第4の抵抗との接続点に接続する構成とすればよい。
【0016】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光電流・電圧変換回路によれば、第1の増幅器出力にダイオードの順方向電圧およびトランジスタのベース・エミッタ間の順方向電圧を利用したクランプ回路を設けたことにより、第1の増幅器が飽和しない光入力レベルに対しては、増幅器本来の最大の利得を確保しつつ、よりリニアな増幅が得られ、微弱光入力から強光入力へ入力が変化しても、第1の増幅器出力が飽和しないため、回路全体での応答速度が低下せず高速動作が維持可能となり、光電流・電圧変換回路の光入力レベルのダイナミックレンジを拡大できるという優れた効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の光電流・電圧変換回路を示す回路図。
【図2】従来の光電流・電圧変換回路の一例を示す回路図。
【図3】従来の光電流・電圧変換回路の他の例を示す回路図。
【図4】従来の光電流・電圧変換回路の他の例を示す回路図。
【符号の説明】
10 フォトダイオード
15 第1の増幅器
16 トランジスタ
17,21 抵抗
18,19 ダイオード
22 クランプ回路
28 第2の増幅器
Claims (1)
- フォトダイオードと、入力端に前記フォトダイオードが逆バイアス状態で接続され、光電流を電圧変換する増幅器と、トランジスタのコレクタを電源側に、エミッタを前記増幅器出力端にそれぞれ接続し、複数のダイオードを同一方向に直列接続したダイオード列の一端側カソードを接地し他端側アノードを抵抗を介して電源に接続し、前記ダイオード列と抵抗の接続点に前記トランジスタのベースを接続してなるクランプ回路とを備えたことを特徴とする光電流・電圧変換回路。
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JP2010527172A (ja) * | 2007-04-18 | 2010-08-05 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 高データレートのオフチップ・データ通信を実行するためのシステム及び方法 |
JP2013065941A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 受光回路 |
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2003
- 2003-04-01 JP JP2003098001A patent/JP2004304708A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010527172A (ja) * | 2007-04-18 | 2010-08-05 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 高データレートのオフチップ・データ通信を実行するためのシステム及び方法 |
JP2013065941A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 受光回路 |
US8884208B2 (en) | 2011-09-15 | 2014-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light receiving circuit |
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