KR100666697B1 - 광센서 회로 - Google Patents

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    • H03F3/082Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's

Abstract

본 발명은 광센서 회로를 공개한다. 이 광센서 회로는 입사되는 광량에 비례하는 광전류를 생성하여 출력노드로 인가하는 포토 다이오드를 구비하는 광전류 생성부, 셔터 신호가 제1 상태이면, 제어노드에 인가된 광전류를 전압 발생용 캐패시터로 인가하고, 셔터 신호가 제2 상태이면 제어노드에 소정의 전류를 인가하는 스위칭부, 및 출력노드에 인가된 광전류를 제어노드로 인가하고, 출력노드에 인가된 광전류를 통해 포토 다이오드의 피드백 루프를 항상 형성하는 회로 안정화부를 구비하고, 회로 안정화부는 제어 노드에 소정의 제어 전류가 인가되면 출력 노드에 인가되는 광전류에 응답하여 포토 다이오드의 피드백 루프를 형성하고, 제어 노드에 소정의 전류가 인가되지 않으면 피드백 루프를 해제하고 출력 노드에 인가된 광전류를 제어 노드로 인가하는 제1 NMOS 트랜지스터. 출력 노드에 인가된 광전류에 응답하여 포토 다이오드의 피드백 루프를 항상 형성하는 제2 NMOS 트랜지스터, 및 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터와 포토 다이오드에 연결되어, 피드백 루프를 형성하기 위한 전류 경로를 제공하는 제 3 NMOS 트랜지스터를 구비하는 안정화된 피드백 루프를 포함한다. 따라서 출력 제어부의 출력 제어 신호에 피드백 루프가 영향을 받지 않고 항상 안정적으로 유지될 수 있도록 하여 신뢰성을 증대한다.

Description

광센서 회로{Circuit of optic sensor}
도 1은 종래의 기술에 따른 광센서 회로를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
본 발명은 광센서 회로에 관한 것으로, 특히 광 신호를 전기적인 신호로 바꾸는 광센서 회로에 관한 것이다.
이 분야에 적용된 종래의 기술로서 U.S. Pat. No. 6104020 에 제시된 회로를 도 1에 나타내었다.
도 1을 참조하면, 종래의 광센서 회로는 광센서의 구동 전류를 인가하는 전류원(1), 광센서로 입사되는 광량에 응답하여 광전류를 생성하고 증폭하는 광전류 생성부(2), 광전류 생성부(2)의 동작 전압을 안정화하여 주는 피드백 루프(6)와, 광전류 생성부(2)를 통해 생성된 광전류에 비례하는 전압 신호를 발생하여 출력하는 전압 신호 발생부(12), 출력 제어 신호의 상태에 따라 광전류 생성부(2)의 광전류를 피드백 루프(6) 또는 전압 신호 발생부(12)로 스위칭하여 주는 스위칭부(9)로 구성된다.
광전류 생성부(2)는 광센서로 입사되는 광량에 응답하여 광전류를 생성하는 포토다이오드(3)와, 포토다이오드(3)의 기생 캐패시터(4)와, 포토다이오드(3)에 의해 생성된 광전류를 증폭하는 PNP 트랜지스터(5)로 구성된다.
피드백 루프(6)는 스위칭부(9)의 NMOS 트랜지스터(10)와 드레인 노드가 연결되고 광전류 생성부(2)의 PNP 트랜지스터(5)와 소스 노드가 연결되고 전류원(1)과 게이트 노드가 연결되어, 스위칭부(9)의 NMOS 트랜지스터(10)의 동작에 응답하여 피드백 루프 생성 전류를 제공하는 NMOS 트랜지스터(7)와, 전류원(1)과 드레인 노드가 연결되고 포토다이오드의 캐소드 노드와 게이트 노드가 연결되고 광전류 생성부(2)의 포토다이오드의 아노드 노드(3)와 소스 노드가 연결되어 전류원(1)에 응답하여 피드백 루프 생성 전류를 제공하는 NMOS 트랜지스터(8)와, 광전류 생성부(2)의 PNP 트랜지스터(5)로 구성된다.
스위칭부(9)는 출력 제어부(13)와 게이트 노드가 연결되고 전원과 드레인 노드가 연결되고, 피드백 루프(6)와 소스 노드가 연결되어, 출력 제어부(13)의 출력 신호에 응답하여 NMOS 트랜지스터(7)의 드레인 노드의 전류 공급을 제어하는 NMOS 트랜지스터(10)와, 출력 제어부(13)와 게이트 노드가 연결되고 축적 캐패시터(12)와 드레인 노드가 연결되고, 피드백 루프(6)와 소스 노드가 연결되어 출력 제어부(13)의 출력 신호에 응답하여 NMOS 트랜지스터(7)를 통해 전달되는 광전류를 전압 신호 발생부(12)로 스위칭하는 NMOS 트랜지스터(10)로 구성된다.
전압 신호 발생부(12)는 광전류 생성부(2)를 통해 생성된 광전류에 비례하는 전압 신호를 발생하는 축적 캐패시터(12)로 구성된다.
이와 같이 구성된 도 1의 광센서 회로의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
포토다이오드(3)에 빛이 조사되면 광량에 비례한 광전류가 흐르게 된다. 이 광전류는 피드백 루프(6)에 의해 PNP 트랜지스터(5)의 베이스 노드의 전압이 일정하게 유지 된다면, PNP 트랜지스터(5)의 베이스 전류로서 흐르게 된다. 이렇게 광전류가 PNP 트랜지스터(5)의 베이스 전류로서 흐르게 되면 NMOS 트랜지스터(7)에는 PNP 트랜지스터(5)의 전류 증폭률(Gain) 만큼 증폭된 전류가 흐르게 된다.
이 NMOS 트랜지스터(7)를 통해 전달되는 전류는 출력 제어부(13)의 출력 제어 신호의 상태에 따라 스위칭되어 축적 캐패시터(12)에 전압신호로서 나타나게 되거나 피드백 루프회로로 흘러 PNP 트랜지스터(5)의 베이스 전압을 일정하게 유지하여 준다.
먼저 스위칭부(9)가 출력 제어부(13)로부터 출력 활성화 상태(Shutter On) 값을 가지는 출력 제어 신호를 인가받으면, 스위칭부(9)의 PMOS 트랜지스터(11)는 출력 제어 신호에 응답하여 "온"이 되고, NMOS 트랜지스터(10)는 "오프"가 된다.
따라서 NMOS 트랜지스터(7)를 통해 전달되는 전류는 전압 신호 발생부(12)의 축적 캐패시터(12)에 축적되어 있던 전하를 방전시키게 된다.
이에 전압 신호 발생부(12)에는 방전된 전하량에 비례하는 전류가 생성되고, 생성된 전류에 비례하는 전압 신호가 발생된다. 그리고 발생된 전압 신호는 출력단자(14)를 통해 외부로 출력된다.
반면에 스위칭부(9)가 출력 제어부(13)로부터 출력 비활성화 상태(Shutter Off) 값을 가지는 출력 제어 신호를 인가받으면, 스위칭부(9)의 NMOS 트랜지스터(10)는 출력 비활성화 상태(Shutter Off)에 응답하여 "온"이 되고, PMOS 트랜지스터(11)는 "오프"가 된다.
NMOS 트랜지스터(10)를 통해 전달되는 전류는 축적 캐패시터(12)가 전하를 방전하지 않을 때 NMOS 트랜지스터들(7, 8)과, PNP 트랜지스터(5)로 이루어진 피드백 루프를 안정하게 유지하는 전류의 경로를 제공하는 역할을 한다.
우수한 광센서 회로는 요구 조건으로 광이 전압으로 변환되는 효율이 높고, 어둡고 밝은 모든 환경에서 동작할 수 있도록 동작 범위가 넓고, 또 높은 신호 대 잡음비와 빠른 응답성을 가져야 한다.
도 1의 종래기술은 NMOS 트랜지스터들(7, 8)과, PNP 트랜지스터(5)들의 연결로 이루어진 피드백 루프가 안정된 회로를 이루고 있어, 고 효율과 넓은 동작범위와 높은 신호 대 잡음 비를 가지게 된다.
그러나 안정된 피드백 루프를 유지하기 위해서는 상당한 주의를 필요로 한다. 이는 출력 제어부(13)의 펄스 신호로서 출력 제어 신호를 구동하게 될 때 타이밍을 주의 깊게 유지하지 않으면, NMOS 트랜지스터(7)와 PMOS 트랜지스터(11)가 동시에 "오프" 되는 구간이 생겨 피드백 루프가 일시적으로 불안정하게 되기 때문이 다.
그리고 출력 제어신호를 사용하여 전체 광센서 회로를 구동하는 경우, 특정광센서로 입사 되는 광량이 많게 되면, 광센서 회로의 광전류 생성부(6)를 통해 생성되는 광전류 크기도 입사 되는 광량에 비례하여 커지게 되고, 이에 따라 축적 캐패시터(12)의 전압 또한 빨리 떨어지게 된다.
이런 경우, PNP 트랜지스터(5)의 에미터 노드의 전압이 낮아져 PNP 트랜지스터(5)가 "오프"로 되어, 피드백 루프가 유지되지 못하고 피드백 루프의 각 노드 전압은 불안정한 상태로 된다.
이렇게 불안정한 상태의 피드백 루프는 PNP 트랜지스터(5)의 베이스 노드의 전압을 불안정하게 하고, 이는 전체적인 광센서 회로의 광전류 변환 특성을 저하하게 한다.
그리고 PNP 트랜지스터(5)는 광에 의해 생성된 전류를 증폭하는 장점은 있지만, PNP 트랜지스터(5)의 전류 증폭률이 공정 산포에 의해 차이가 발생하여 광센서 회로의 전체의 균일성에 악영향을 주는 요인이 되기도 한다.
본 발명의 목적은 안정된 피드백 루프를 지속적으로 유지함과 동시에 광전류의 전환이 신속하게 이루어지도록 빠른 응답성을 제공하면서 동작범위를 높여 광신호의 변환율도 향상되도록 하는 광센서 회로는 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 광센서 회로는 입사되는 광량에 비례하는 광전류를 생성하여 출력노드로 인가하는 포토 다이오드를 구비하는 광전류 생성부, 셔터 신호가 제1 상태이면, 제어노드에 인가된 광전류를 전압 발생용 캐패시터로 인가하고, 셔터 신호가 제2 상태이면 제어노드에 소정의 전류를 인가하는 스위칭부, 및 출력노드에 인가된 광전류를 제어노드로 인가하고, 출력노드에 인가된 광전류를 통해 포토 다이오드의 피드백 루프를 항상 형성하는 회로 안정화부를 구비하고, 회로 안정화부는 제어 노드에 소정의 제어 전류가 인가되면 출력 노드에 인가되는 광전류에 응답하여 포토 다이오드의 피드백 루프를 형성하고, 제어 노드에 소정의 전류가 인가되지 않으면 피드백 루프를 해제하고 출력 노드에 인가된 광전류를 제어 노드로 인가하는 제1 NMOS 트랜지스터. 출력 노드에 인가된 광전류에 응답하여 포토 다이오드의 피드백 루프를 항상 형성하는 제2 NMOS 트랜지스터, 및 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터와 포토 다이오드에 연결되어, 피드백 루프를 형성하기 위한 전류 경로를 제공하는 제 3 NMOS 트랜지스터를 구비하는 안정화된 피드백 루프를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하면 본 발명의 광센서 회로를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 2의 광센서 회로는 도 1의 광센서 회로의 피드백 루프(6)에 NMOS 트랜지스터(22)를 추가하여 피드백 루프의 지속적인 안정성을 보장한 것이다. 이에 도 1과 동일한 구조 및 동일한 동작을 하는 회로에 대해서는 도 1과 동일한 번호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
계속해서 도 2를 참조하여 본 발명의 광센서 회로의 피드백 루프(20)를 살펴보면, 피드백 루프(20)는 전원과 드레인 노드가 연결되고 전류원(1)과 게이트 노드가 연결되고, PNP 트랜지스터(5)와 소스 노드가 연결되는 NMOS 트랜지스터(22)를 추가로 더 구비한다.
피드백 루프(20)는 출력 제어부(13)로부터 전송되는 출력 제어 신호가 출력 활성화 상태에서 출력 비활성화 상태(또는 출력 비활성화 상태에서 출력 활성화 상태)로 천이 되는 구간에서, NMOS 트랜지스터(10), PMOS 트랜지스터(11)가 동시에 "오프" 되면, NMOS 트랜지스터(21)도 "오프"가 되어 일시적으로 피드백 루프(20)가 불안정하게 동작될 수 있다.
그러나 본 발명의 광센서 회로의 피드백 루프에 추가된 NMOS 트랜지스터(22)는 전원과 직접 드레인 노드가 연결되고, PNP 트랜지스터(5)와 소스 노드가 연결되어 항상 피드백 루프를 유지하도록 하여 준다.
즉, NMOS 트랜지스터(21)가 "오프"되는 경우, NMOS 트랜지스터(22)가 NMOS 트랜지스터(21)의 역할을 대신하여 NMOS 트랜지스터들(22, 23)과, PNP 트랜지스터(5)로 이루어진 피드백 루프(20)를 안정하게 유지하여 준다.
이와 같이 도 2의 광센서 회로는 도 1의 종래의 광센서 회로의 피드백 루프(6)의 결점을 보완하고, 보다 안정된 피드백 루프(20)를 제공하여 준다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 3의 광센서 회로는 도 2에서의 안정된 피드백 루프(20)와 함께, 보다 넓은 동작 전압 범위, 그리고 광센서 회로의 균일성을 높인 회로의 예이다.
도 2와 동일한 구조 및 동일한 동작을 하는 회로에 대해서는 도 2와 동일한 번호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
계속해서 도 3을 참조하여 본 발명의 광센서 회로의 광전류 생성부(30)의 구성을 살펴보면, 광전류 생성부(30)는 광센서로 입사 되는 광량에 응답하여 광전류를 생성하는 포토다이오드(31)와, 포토다이오드(31)의 기생 캐패시터(32)로 구성된다.
이에 포토다이오드(31)에서 생성된 광전류는 직접적으로NMOS 트랜지스터(21)로 전달되고, 이 NMOS 트랜지스터(21)를 통해 전달되는 광전류는 스위칭부(9)의 동작에 따라 피드백 루프(20) 또는 축적 캐패시터(12)로 스위칭 된다.
이와 같은 도 3의 광센서 회로는 도 2의 광전류 생성부(2)의 PNP 트랜지스터(5)를 제거함으로써, 축적 캐패시터(12)가 동작할 수 있는 전압이 PNP 트랜지스터(5)의 에미터-베이스 다이오드의 순방향의 "턴 온(turn-on)" 전압만큼 낮아지게 된다. 이에 따라 광센서 회로의 동작 전압 범위는 넓어지게 된다.
또한 PNP 트랜지스터(5)를 제거함으로써, PNP 트랜지스터(5)의 전류 증폭률의 공정 산포에 의한 균일성의 악화, 즉 고정된 패턴 노이즈(fixed pattern noise) 가 낮아지게 하는 효과를 제공한다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 4의 광센서 회로는 도 2 의 안정된 피드백 루프(20)와 함께, 보다 간단한 광센서 회로의 구조를 가지는 회로이다.
도 2와 동일한 구조 및 동일한 동작을 하는 회로에 대해서는 도 2와 동일한 번호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
계속해서 도 4를 참조하여 본 발명의 광센서 회로의 스위칭부(44)의 구성을 살펴보면, 스위칭부(44)는 출력 제어 신호가 출력 활성화 상태이면 "온"이 되고, 출력 비활성화 상태이면 "오프"가 되는 PMOS 트랜지스터(45)로 구성된다.
따라서 광센서 회로의 스위칭부(44)의 동작에 상관없이 피드백 루프(40)는 지속적으로 유지되어 PNP 트랜지스터(5)의 베이스 전압을 항상 일정하게 유지하여 준다.
이상과 같이 도 4의 광센서 회로는 도 2의 스위칭부(9)의 NMOS 트랜지스터(10)를 제거함으로써, 보다 간단한 광센서 회로를 구현함과 동시에, 피 드백 루프(40)를 출력 제어 신호를 전송하는 스위칭부(44)와 분리하여, 피드백 루프(40)가 출력 제어부(13)의 출력 제어 신호에 영향을 받지 않도록 한다.
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 5의 광센서 회로는 도 2, 도 3, 도 4의 광센서 회로를 응용한 것으로써, 안정된 피드백 루프, 보다 간단한 회로의 구조, 보다 넓은 동작 전압 범위, 그리고 광센서 회로의 균일성을 높인 회로의 예이다.
도 2와 동일한 구조 및 동일한 동작을 하는 회로에 대해서는 도 2와 동일한 번호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 계속해서 참조하면, 광전류 생성부(50)는 포토다이오드(51)와, 포토다이오드(51)의 기생 캐패시터(52)로 구성되고, 스위칭부(57)는 출력 제어 신호가 출력 활성화 상태이면 "온"이 되고, 출력 비활성화 상태이면 "오프"가 되는 PMOS 트랜지스터(58)로 구성된다.
이상과 같이 도 5의 광센서 회로는 도 2의 스위칭부(9)의 NMOS 트랜지스터(10)를 제거하여, 보다 간단한 광센서 회로를 구현함과 동시에, 피드백 루프(53)를 출력 제어 신호를 전송하는 출력 제어부(13)와 분리하여, 피드백 루프(53)가 출력 제어부(13)의 출력 제어 신호에 영향을 받지 않도록 한다.
또한 도 2의 광전류 생성부(2)의 PNP 트랜지스터(5)를 제거하여, 광센서 회로의 동작 전압이 넓어지게 함과 동시에, PNP 트랜지스터(5)의 전류 증폭률의 공정 산포에 의한 균일성의 악화, 즉 고정된 패턴 노이즈(fixed pattern noise)를 낮아지게 되는 효과를 제공한다.
도 6은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 6의 광센서 회로는 도 4의 광센서 회로의 안정된 피드백 루프 및 간단한 광센서 회로의 구조와 함께, 피드백 루프의 이득(Gain)을 높여, 피드백 루프의 응답 시간이 단축되도록 하고, 최종적으로 광센서 회로의 응답성을 빠르게 하는 효과를 제공한다.
도 2와 동일한 구조 및 동일한 동작을 하는 회로에 대해서는 도 2와 동일한 번호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
계속해서 도 6을 참조하여 본 발명의 광센서 회로의 피드백 루프(60)의 구성을 살펴보면, 피드백 루프(60)는 NMOS 트랜지스터(64)와 캐스코드 구조를 형성하는 NMOS 트랜지스터(63)를 더 구비한다.
이에 NMOS 트랜지스터(62)의 게이트 단자와 NMOS 트랜지스터(63)의 드레인 단자 사이의 임피던스는 증가된다. 따라서 이 피드백 루프(60)의 이득(Gain) 또한 증가되어 피드백 루프(60) 안에 있는 PNP 트랜지스터(5)의 베이스 전압을 더욱 빠르게 안정화 시킬 수 있다.
따라서 도 6의 광센서 회로는 이 캐스코드 구조를 사용함으로써 피드백 루프의 응답 시간이 단축되도록 하고, 최종적으로 광센서 회로의 응답성을 빠르게 하여, 더욱 효과적으로 광 신호를 전달할 수 있도록 한다.
도 7은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 광센서 회로를 도시한 도면이다.
도 7의 광센서 회로는 도 5의 광센서 회로의 안정된 피드백 루프, 보다 간단한 회로의 구조, 보다 넓은 동작 전압 범위, 그리고 광센서 회로의 균일성과 함께, 피드백 루프의 이득(Gain)을 높여, 피드백 루프의 응답 시간이 단축되도록 하고, 최종적으로 광센서 회로의 응답성을 빠르게 하는 효과를 제공한다.
도 2와 동일한 구조 및 동일한 동작을 하는 회로에 대해서는 도 2와 동일한 번호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
계속해서 도 7을 참조하여 본 발명의 광센서 회로의 피드백 루프(73)의 구성을 살펴보면, 피드백 루프(73)는 NMOS 트랜지스터(77)와 캐스코드 구조를 형성하는 NMOS 트랜지스터(76)를 더 구비한다.
이에 NMOS 트랜지스터(75)의 게이트 단자와 NMOS 트랜지스터(76)의 드레인 단자 사이의 임피던스는 증가된다. 따라서 이 피드백 루프(73)의 이득(Gain) 또한 증가되어 피드백 루프(70) 안에 있는 포토다이오드(71)의 캐소드 노드의 전압을 더욱 빠르게 안정화 시킬 수 있다.
따라서 도 7의 광센서 회로는 이 캐스코드 구조를 사용함으로써 피드백 루프의 응답 시간이 단축되도록 하고, 최종적으로 광센서 회로의 응답성을 빠르게 하여, 더욱 효과적으로 광 신호를 전달할 수 있도록 한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서 본 발명의 광센서 회로는 출력 제어부의 출력 제어 신호에 피드백 루 프가 영향을 받지 않고 항상 안정적으로 유지될 수 있도록 하여 신뢰성을 증대하여 준다.
또한 공정 산포에 의한 영향을 적게 받도록 트랜지스터만을 사용해 구성함으로써 광센서 회로의 균일성을 높임과 동시에, 넓은 동작 전압 범위를 제공하여 광센서 회로의 신호 변환 성능을 증대하여 준다.
또한 높은 이득(Gain)을 갖는 피드백 루프를 제공하여 광센서 회로가 보다 빠른 응답성을 가지도록 하여 준다.

Claims (6)

  1. 입사되는 광량에 비례하는 상기 광전류를 생성하여 출력노드로 인가하는 포토 다이오드를 구비하는 광전류 생성부;
    셔터 신호가 제1 상태이면, 제어노드에 인가된 상기 광전류를 전압 발생용 캐패시터로 인가하고, 상기 셔터 신호가 제2 상태이면 상기 제어노드에 소정의 전류를 인가하는 스위칭부; 및
    상기 출력노드에 인가된 상기 광전류를 상기 제어노드로 인가하고, 상기 출력노드에 인가된 상기 광전류를 통해 상기 포토 다이오드의 피드백 루프를 항상 형성하는 회로 안정화부를 구비하고,
    상기 회로 안정화부는
    상기 제어 노드에 소정의 제어 전류가 인가되면 상기 출력 노드에 인가되는 상기 광전류에 응답하여 상기 포토 다이오드의 피드백 루프를 형성하고, 상기 제어 노드에 소정의 전류가 인가되지 않으면 상기 피드백 루프를 해제하고 상기 출력 노드에 인가된 상기 광전류를 상기 제어 노드로 인가하는 제1 NMOS 트랜지스터;
    상기 출력 노드에 인가된 상기 광전류에 응답하여 상기 포토 다이오드의 피드백 루프를 항상 형성하는 제2 NMOS 트랜지스터; 및
    상기 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터와 상기 포토 다이오드에 연결되어, 상기 피드백 루프를 형성하기 위한 전류 경로를 제공하는 제 3 NMOS 트랜지스터를 구비하는 안정화된 피드백 루프를 가지는 광센서 회로.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 광전류 생성부는
    상기 포토 다이오드의 캐소드에 연결된 베이스 노드와 상기 출력 노드에 연결된 이미터 노드와 접지 전압에 연결된 콜렉터 노드를 가지며, 상기 베이스 노드에 인가된 광 전류를 증폭하여 상기 이미터 노드로 출력하는 PNP 트랜지스터를 더 구비하고,
    상기 제1 내지 제3 NMOS 트랜지스터는 상기 포토 다이오드의 캐소드 및 상기 PNP 트랜지스터의 베이스 노드와 상기 PNP 트랜지스터의 이미터 노드를 통하는 상기 피드백 루프를 계속 형성하는 것을 특징으로 하는 안정화된 피드백 루프를 가지는 광센서 회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭부는
    상기 셔터 신호가 제1 상태이면 상기 전압 발생용 캐패시터로 상기 광 전류를 전송하고, 상기 셔터 신호가 제2 상태이면 전원으로부터 상기 피드백 전류를 생성하여 상기 제어 노드로 인가하는 적어도 하나 이상의 MOS 트랜지스터들을 구비하는 것을 특징으로 하는 안정화된 피드백 루프를 가지는 광센서 회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 회로 안정화부는
    상기 제1 NMOS 트랜지스터는 상기 제어 노드에 연결된 드레인 노드와, 상기 출력 노드에 연결된 소스 노드와 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 게이트 노드에 연결된 게이트 노드를 가지고,
    상기 제2 NMOS 트랜지스터는 전원에 연결된 드레인 노드와, 상기 출력 노드에 연결된 소스 노드와 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 게이트 노드에 연결된 게이트 노드를 가지고,
    상기 제3 NMOS 트랜지스터는 상기 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터의 게이트 노드에 연결된 드레인 노드와, 접지 전압에 연결된 소스 노드와, 상기 포토 다이오드의 캐소드에 연결된 게이트 노드를 가지는 것을 특징으로 하는 안정화된 피드백 루프를 가지는 광센서 회로.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 회로 안정화부는
    상기 제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터의 게이트 노드에 공통 연결되는 드레인 노드와, 상기 제3 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되는 소스와, 상기 제 1 및 제 2 NMOS 트랜지스터의 소스 노드에 공통 연결되는 게이트 노드를 가지는 제 4 NMOS 트랜지스터를 더 구비하고,
    상기 피드백 루프의 이득은 상기 제 4 NMOS 트랜지스터의 임피던스에 따라 증가되는 것을 특징으로 하는 안정화된 피드백 루프를 가지는 광센서 회로.
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