CN1609559A - 光学传感电路 - Google Patents
光学传感电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1609559A CN1609559A CNA2004100837718A CN200410083771A CN1609559A CN 1609559 A CN1609559 A CN 1609559A CN A2004100837718 A CNA2004100837718 A CN A2004100837718A CN 200410083771 A CN200410083771 A CN 200410083771A CN 1609559 A CN1609559 A CN 1609559A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nmos pass
- optical sensing
- sensing circuit
- pass transistor
- links
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 80
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000002592 echocardiography Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/082—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with FET's
Abstract
本发明披露了一种光学传感电路，包括：电流产生结构，用以产生振幅与入射光强度成比例的光电流；转换结构，用以转换电流产生结构产生的光电流，以响应输出控制信号；和电路稳定结构，通过一个独立的，不受转换结构工作状态影响的电流反馈，来稳定电流产生结构的工作状态。这样，为了保持反相环的稳定，可以使反相环不受输出控制单元的输出控制信号的影响，因此，其可靠性就提高了。另外，只有由晶体管构成的光学传感电路受到技术参数的影响是更小的，从而光学传感电路的均匀性也就提高了，也能够提供宽范围的工作电压，用以增强光学传感电路的信号转换特性。而且，通过提供具有高增益的反相环，光学传感电路的响应速度也可能提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学传感电路，特别是一种能把光信号转化为电信号的光学传感电路。本申请参考了2003年10月24日公布的第2003-73199号的韩国专利，根据其内容完整地披露了本发明。
背景技术
图1是作为现有技术的美国专利号为6,104,020的文献所披露的一种电路.
根据图1，普通的光学传感电路包括一个电流源1，它能施加光学传感器的驱动电流；一个光电流产生单元，它能产生并放大光电流，以响应光学传感器中的入射光强度；一个反相环，用以稳定光电流产生单元2的工作电压；一个电压信号输出单元12，用以输出与光电流产生单元2产生的光电流成比例的电压信号；转换单元9，用以控制光电流产生单元2的光电流，使之流入电压信号输出单元12或依赖输出控制信号13的状态的电源。
光电流产生单元2包括一个发光二极管3，这个发光二极管能产生与光学传感器的入射光强度相呼应的光电流；发光二极管3的一个寄生电容4；和一个PNP晶体管5，用以放大发光二极管3产生的光电流。
反相环6包括一个NMOS晶体管7，它的漏极与转换单元9的一个NMOS晶体管10相连，源极与光电流产生单元2的一个PNP晶体管5相连，栅极与电流源1相连，用以提供与转换单元9中的NMOS晶体管10的工作状态相呼应的一个反相环产生电流；一个NMOS晶体管8，它的漏极与电流源1相连，栅极与发光二极管的阴极相连，源极与光电流产生单元2中的发光二极管的阳极3相连，用以提供与电流源1相呼应的反相环产生电流；和在光电流产生单元2内的PNP晶体管5。
转换单元9包括一个NMOS晶体管10，晶体管的栅极与输出控制端13相连，漏极与电源相连，源极与反相环6相连，用以控制与输出控制端13的输出信号相呼应的NMOS晶体管7中的漏极电流；和一个NMOS晶体管11，它的栅极与输出控制段13相连，漏极与存储电容12相连，源极与反相环6相连，以控制流经NMOS晶体管7到电压信号输出单元12的光电流的开启和关闭，从而使之与输出控制段13的输出信号相呼应。
电压信号输出单元12包括一个存储电容12，它能产生一个与光电流产生单元2产生的光电流成比例的电压信号。
上述关于图1中的光学传感器电路的工作流程如下：
当有光信号进入发光二极管3时，将产生与入射光强度成比例的光电流。只要通过反相环6的PNP晶体管5的基极电压保持恒定，光电流就能作为PNP晶体管5的基极电流流过。这样，当光电流作为PNP晶体管5的基极电流时，通过一个电流放大因子，电流就被放大了。比如：流入NMOS晶体管7中的PNP晶体管5的放大电流。
通过NMOS晶体管7的电流的开关特性依赖于输出控制段13的输出控制信号的状态，而且这一电流是作为存储电容12的电压信号被输出的，或者是进入反相环电路以保持PNP晶体管5的基极电压的恒定。
首先，当从输出控制段13施加一具有“开闸值”的输出控制信号到转换单元9时，与输出控制信号相呼应，转换单元9的PMOS晶体管11就处在开启状态，转换单元9的NMOS晶体管10处在关闭状态。
这样，流经NMOS晶体管7的电流将使存储在电压信号输出单元12的存储电容12中的电荷放电。
结果，在电压信号输出单元12中将产生与所释放的电荷量成比例的电流，而且，产生的电压信号与产生的电流成比例。另外，产生的电压信号通过输出端14被输出。
相反，当从输出控制段13施加一具有“闭闸值”的输出控制信号到转换单元9时，与输出控制信号相呼应，转换单元9的NMOS晶体管10就处在开启状态，转换单元9的PMOS晶体管11处在关闭状态。如：关闸状态。
当存储电容12不释放电荷时，流经NMOS晶体管10的电流将被用来提供一通路，用以稳定包括NMOS晶体管7，NMOS晶体管8和PNP晶体管5在内的反相环。
一个好的光学传感器电路应当具备高的光电转换效率，在明暗的环境下的宽广的工作范围，高的信噪比和快速的响应特性。
在图1所示的现有技术中，通过耦合NMOS晶体管7、NMOS晶体管8和PNP晶体管5组成的反相环，将形成稳定的电路，其具备高的转换效率，宽广的工作范围和高的信噪比。
然而，对保持反相环的稳定性这一问题，尤其值得关注。这是因为当时间不够用来保持驱动作为输出控制段13的理想脉冲信号的输出控制信号时，NMOS晶体管7和PMOS晶体管11可能同时关闭，从而使反相环处于暂时的不稳定状态，在输出控制段13切换的时间段内，NMOS晶体管10和PMOS晶体管11都处于关闭状态。
另外，当利用输出控制信号驱动全部光学传感电路时，如果一个特别的光学传感器中的入射光强度太大的话，通过光学传感电路的光电流产生单元2产生的光电流的振幅与入射光强度之比将变大。由此，存储电容12的电压会快速降低。
在这种情形下，PNP晶体管5的发射极电压减小，以至于PNP晶体管5关闭，而反相环也不能保持正常工作状态，从而导致反相环的每个端电压不能保持稳定。
这种不稳定的反相环将导致PNP晶体管5的基极电压也不能保持稳定，这样将使光学传感电路的总的光电流转换特性降低。
另外，当PNP晶体管5具有使光电流放大这一优点后，由于技术参数的原因，PNP晶体管的电流放大因子不能均匀地分布在各像素之间，这样，光学传感电路的总的均匀性将会受到负面影响。
发明内容
本发明的目的是提供一个光学传感电路，它能持续保持反相环的稳定，具有快速的响应特性和一个宽广的工作范围，通过快速地执行光电转换来增加发光信号的转换速度。
根据所述本发明的一方面，光学传感电路包括：电流产生结构，用以产生振幅与入射光强度成比例的光电流；转换结构，用以转换电流产生结构产生的光电流，以响应输出控制信号；和电路稳定结构，通过一个独立的，不受转换结构工作状态影响的电流反馈，来稳定电流产生结构的工作状态。
附图说明
图1是关于现有技术中的光学传感电路的示意图；
图2是关于本发明第一实施例的光学传感电路的示意图；
图3是关于本发明第二实施例的光学传感电路的示意图；
图4是关于本发明第三实施例的光学传感电路的示意图；
图5是关于本发明第四实施例的光学传感电路的示意图；
图6是关于本发明第五实施例的光学传感电路的示意图；
图7是关于本发明第六实施例的光学传感电路的示意图；
具体实施方式
根据上面对本发明涉及的光学传感电路的描述，以下将参考附图进一步描述依据本申请发明的较佳实施例。我们将示意出描述中所使用的附图，以帮助理解本发明。虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用于限定本发明，在不脱离本发明的精神和范围内的一些等效变化和改动都属于本发明的保护范围。
图2是关于本发明第一实施例的光学传感电路的示意图。
图2中的光学传感电路通过在光学传感电路的反相环6(与图1中所示的相同)的部分增加一个NMOS晶体管22来保持反相环的持续稳定。其它与图1所示的电路结构中相同的部分已由附图标记示出，这里就不必一一复述了。
再如图2所示，本发明所述的光学传感电路的反相环20还包括一个NMOS晶体管22，它的漏极与电源相连，栅极与电流源1相连，源极与PNP晶体管5相连。
在反相环20中，来自于输出控制端13的输出控制信号从“开闸”状态切换到“关闸”状态(或从“关闸”状态切换到“开闸”状态)。在这期间内，如果NMOS晶体管10和PMOS晶体管11同时关闭，那么，NMOS晶体管21也将关闭。然而，在本发明所述的光学传感电路中的反相环中加入的NMOS晶体管22总是能使反相环性能保持稳定，这是因为它的漏极直接与电源相连，而它的源极直接与PNP晶体管5相连的缘故。
换句话说，当NMOS晶体管21关闭时，NMOS晶体管22将替代NMOS晶体管21来工作，以稳定由NMOS晶体管22，NMOS晶体管23和PNP晶体管5组成的反相环20。
上述图2中的光学传感电路弥补了图1中作为现有技术的光学传感电路中的反相环6的不足之处，从而提供了更加稳定的反相环20。
图3是关于本发明第二实施例的光学传感电路的示意图。
图3中的光学传感电路具有更宽工作电压范围，并且使其稳定的反相环部分(与图2中所示的相同)的均匀性得到改善。
其它与图2所示的电路结构中相同的部分已由附图标记示出，这里就不必一一复述了。
再如图3所示，本发明所述的光学传感电路的光电路产生单元30包括一个发光二极管31，它可以产生响应光学传感器中入射光强度的光电流；和一个发光二极管的寄生电容32。
这里发光二极管31产生的光电流直接流向NMOS晶体管21，通过NMOS晶体管21的这一光电流也可流向反相环20或者依赖于转换单元9的工作状态的电压信号输出单元12。
上述图3中的光学传感电路去掉了如图2所示的光电流产生单元2中的PNP晶体管5的部分。这样，存储电容12的工作电压将被减小至与施加到PNP晶体管5的射极和基极之间的正向开启电压相等。由此，光学传感电路的工作电压范围变宽了。
另外带来的好处是，由于PNP晶体管5中的电流放大因子受技术参数影响的缘故，将引起电路的均匀性降低。比如，去掉PNP晶体管5后，固定模式的噪声也就降低了。
图4是关于本发明第三实施例的光学传感电路的示意图。
图4所示的是一个具有稳定的反相环部分20(与图2中所示的相同)的光学传感电路，并且它的结构更加简化。
其它与图2所示的电路结构中相同的部分已由附图标记示出，这里就不必一一复述了。
再如图4所示，本发明所述的光学传感电路的转换单元44包括一个PMOS晶体管45，当转换单元44的输出控制信号在“开闸”状态时，PMOS晶体管处于开启状态，当输出控制信号在“闭闸”状态时，PMOS晶体管处于关闭状态。
这样，反相环40能够持续保持与光学传感电路的转换单元44的工作状态无关，从而使PNP晶体管5的基极电压保持恒定。
上述图4中的光学传感电路去掉了如图2所示的转换单元9中的NMOS晶体管10的部分，这样电路结构更加简化。同时反相环40独立于转换单元44，传送的输出控制信号将使反相环40不受输出控制端13的输出控制信号的影响。
图5是关于本发明第四实施例的光学传感电路的示意图。
图5中的光学传感电路采用了图2、图3和图4中的光学传感电路结构，具有以下特点：稳定的反相环，一个更加简化的电路结构，一个更宽的工作电压范围和使光学传感电路的均匀性得到改善。
其它与图2所示的电路结构中相同的部分已由附图标记示出，这里就不必一一复述了。
再如图5所示，光电流产生单元50具有一个发光二极管51，发光二极管51的寄生电容52和一个包含PMOS晶体管58在内的转换单元57，当输出控制信号在“开闸”状态时，PMOS晶体管58处于开启状态，当输出控制信号在“闭闸”状态时，PMOS晶体管58处于关闭状态。
上述图5中的光学传感电路去掉了如图2所示的转换单元9中的NMOS晶体管10的部分，这样电路结构更加简化。同时反相环53独立于传送输出信号的输出控制端13，从而使反相环53不受输出控制端13的输出控制信号的影响。
另外，去掉了如图2所示的光电流产生单元2中的PNP晶体管5的部分后，光学传感电路的工作电压范围变得更宽了。而且，由于PNP晶体管5的电流放大因子受技术参数的影响，将使电路的均匀性降低，比如：可能降低了固定模式的噪声。
图6是关于本发明第五实施例的光学传感电路的示意图。
为了使反相环的响应时间减少，图6所示的光学传感电路具有与图4中所示的电路相同的结构：反相环的增益提高了，并且能保持反相环的稳定，更加简化的电路结构。最后，以至于它能极大地提高光学传感电路的响应速度。
其它与图2所示的电路结构中相同的部分已由附图标记示出，这里就不必一一复述了。
再看图6，本发明所述的光学传感电路的反相环60还包括一个NMOS晶体管63，它与NMOS晶体管64一起形成了串接架构部分。
这里，随着NMOS晶体管62的栅极和NMOS晶体管63的漏极之间的阻抗的增加，反相环60的增益也变得更高，从而快速稳定反相环60中的PNP晶体管5的基极电压。
图6所示的光学传感电路的串接架构部分使反相环的响应时间减少。最后，光学传感电路的响应速度加快，并能更有效地传输输出信号。
图7是关于本发明第六实施例的光学传感电路的示意图。
为了使反相环的响应时间减少，图7所示的光学传感电路具有与图5中所示的电路相同的结构：反相环的增益提高了，并且能保持反相环的稳定，更加简化的电路结构，更宽的工作电压范围和使光学传感电路的均匀性得到改善。最后，以至于它能极大地提高光学传感电路的响应速度。
其它与图2所示的电路结构中相同的部分已由附图标记示出，这里就不必一一复述了。
再如图7所示，本发明所述的光学传感电路的反相环73还包括一个NMOS晶体管76，它与NMOS晶体管77一起形成了串接架构。
这里，随着NMOS晶体管75的栅极和NMOS晶体管76的漏极之间的阻抗的增加，反相环73的增益也变得更高，从而快速稳定反相环70中的发光二极管71的阴极电压。
图7所示的光学传感电路的串接架构减少了反相环的响应时间。最后，光学传感电路的响应速度加快，并能更有效地传输输出信号。
如上所述，反相环总是能保持稳定，并且不受输出控制单元的输出控制信号的影响。因此，其可靠性也就提高了。
另外，只有由晶体管构成的光学传感电路受到技术参数的影响是更小的，从而光学传感电路的均匀性也就提高了，也能够提供宽范围的工作电压，用以增强光学传感电路的信号转换特性。
而且，通过提供具有高增益的反相环，光学传感电路的响应速度也可能提高。
本发明所涉及的光学传感电路已以较佳的实施例公开如上，然而本领域的普通技术人员在不脱离本发明的精神和范围内可依此作一些等效变化和改动。因此，本发明的保护范围以权利要求书中所述的为准。
Claims (6)
1.一种光学传感电路，其特征在于包括：
电流产生结构，用以产生振幅与入射光强度成比例的光电流；
转换结构，用以转换电流产生结构产生的光电流，以响应输出控制信号；以及
电路稳定结构，通过一个独立的，不受转换结构工作状态影响的电流反馈，来稳定电流产生结构的工作状态。
2.如权利要求1所述的光学传感电路，其特征在于所述的电流产生结构包括：
发光二极管，这个发光二极管能产生振幅与入射光强度成比例的光电流。
3.如权利要求2所述的光学传感电路，其特征在于所述的电流产生结构还包括：
PNP晶体管，用以放大发光二极管产生的光电流。
4.如权利要求1所述的光学传感电路，其特征在于所述的转换结构包括：
MOS晶体管，它能允许光电流流入依赖转换结构工作状态的电路稳定结构中，并且也施加来自电源和分离电流源中任何一个的电流通过。
5.如权利要求1所述的光学传感电路，其特征在于所述的电路稳定结构包括：
第一NMOS晶体管，它的漏极与转换结构相连，源极与电流产生结构相连，栅极与电流源相连；
第二NMOS晶体管，它的漏极与电源相连，栅极与电流源相连，源极与电流产生结构相连；以及
第三NMOS晶体管，它的漏极与第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极相连，源极与地端相连，栅极与电流产生结构相连。
6.如权利要求5所述的光学传感电路，其特征在于所述的电路稳定结构还包括：
第四NMOS晶体管，它的漏极与第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极相连，栅极与第二NMOS晶体管相连，源极与第三NMOS晶体管相连。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030073199A KR100666697B1 (ko) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | 광센서 회로 |
| KR10-2003-0073199 | 2003-10-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1609559A true CN1609559A (zh) | 2005-04-27 |
| CN1609559B CN1609559B (zh) | 2010-05-12 |
Family
ID=34617223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2004100837718A Expired - Fee Related CN1609559B (zh) | 2003-10-20 | 2004-10-19 | 光学传感电路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7129463B2 (zh) |
| KR (1) | KR100666697B1 (zh) |
| CN (1) | CN1609559B (zh) |
| TW (1) | TWI284456B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103162821A (zh) * | 2011-12-12 | 2013-06-19 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 光检测器电路及其检测方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6080447B2 (ja) * | 2011-12-01 | 2017-02-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| KR102102702B1 (ko) * | 2013-06-19 | 2020-04-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
| US10079644B2 (en) * | 2015-08-10 | 2018-09-18 | Finisar Corporation | Out-of-band signal detection |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769384A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-23 | Hewlett-Packard Company | Low differential light level photoreceptors |
| US6104020A (en) | 1998-02-17 | 2000-08-15 | Agilent Technologies | Electronic shutter for a low differential light level photo-receiver cell |
| JP3845202B2 (ja) | 1998-05-28 | 2006-11-15 | オリンパス株式会社 | 対数圧縮型測光回路 |
| JP3664035B2 (ja) * | 1999-03-29 | 2005-06-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 固体撮像装置 |
| GB9930257D0 (en) * | 1999-12-22 | 2000-02-09 | Suisse Electronique Microtech | Optoelectronic sensor |
| WO2002063691A2 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Symagery Microsystems Inc. | Active pixel cell with charge storage |
| US6593560B2 (en) * | 2001-03-16 | 2003-07-15 | Agilent Technologies, Inc. | Photodetector circuit with voltage output |
| KR101152117B1 (ko) * | 2004-01-02 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
-
2003
- 2003-10-20 KR KR1020030073199A patent/KR100666697B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-10-13 TW TW093130955A patent/TWI284456B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-19 CN CN2004100837718A patent/CN1609559B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-19 US US10/968,535 patent/US7129463B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103162821A (zh) * | 2011-12-12 | 2013-06-19 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 光检测器电路及其检测方法 |
| CN103162821B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-02-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 光检测器电路及其检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050116146A1 (en) | 2005-06-02 |
| TWI284456B (en) | 2007-07-21 |
| KR100666697B1 (ko) | 2007-01-09 |
| CN1609559B (zh) | 2010-05-12 |
| US7129463B2 (en) | 2006-10-31 |
| KR20050037915A (ko) | 2005-04-25 |
| TW200529557A (en) | 2005-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1223118C (zh) | 具有温度补偿功能的光发送机以及光传输系统 | |
| CN1180389C (zh) | 显示器件中的有源矩阵方法的驱动电路 | |
| CN1324825C (zh) | 光信号接收电路及光信号接收半导体器件 | |
| CN1918794A (zh) | 差分驱动电路和包括该差分驱动电路的电子设备 | |
| CN1234639A (zh) | 半导体激光装置 | |
| ATE431970T1 (de) | Licht emittierendes material und organische leuchtdiode | |
| CN1848019A (zh) | 恒压电源电路和测试恒定电压源的方法 | |
| CN1677905A (zh) | 发光二极管驱动电路和光纤链路用光发射机 | |
| CN1213483C (zh) | 半导体器件 | |
| CN101056093A (zh) | 可变增益放大器 | |
| CN201533301U (zh) | 用于光电耦合器的光敏接收电路 | |
| CN1499683A (zh) | 半导体激光器光输出稳定电路及光发送模块 | |
| CN1543027A (zh) | 偏流生成电路、激光二极管驱动电路和光通信用发送器 | |
| CN1609559A (zh) | 光学传感电路 | |
| CN1781025A (zh) | I/f变换装置和光检测装置 | |
| CN1929032A (zh) | 取样保持电路模块以及对输入信号进行取样并保持的方法 | |
| CN1728553A (zh) | 高速开关常开型固体继电器 | |
| CN1412633A (zh) | 电压检测电路 | |
| CN1802057A (zh) | 用于驱动并联led的电流源电路 | |
| CN1677522A (zh) | 激光器驱动电路 | |
| CN1960173A (zh) | 功率输出级 | |
| CN1841928A (zh) | 斩波型比较器 | |
| CN1138333C (zh) | 电荷泵及其集成电路以及减小电荷泵的峰值电流的方法 | |
| CN101044675A (zh) | 电子电路的电流和/或电压控制的控制电路 | |
| CN105827236A (zh) | 一种用于驱动硅基雪崩光电二极管的电路结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100512 Termination date: 20131019 |