JP2009123959A - 光送信機及び光送信機の制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易に半導体レーザの動作特性を改善することが可能な光送信機を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態の光送信機1は、半導体レーザ40と、半導体レーザ40に供給するためのバイアス電流であって、一定値を有する当該バイアス電流を生成するバイアス電流源20と、トランジスタであって、制御端子と一対の電流端子を備え、半導体レーザ40に並列に接続されており、該制御端子に印加された変調信号に応じて該一対の電流端子間に流れる電流をスイッチングしてバイアス電流を分流することにより、半導体レーザ40の出力光を変調する当該トランジスタ30と、半導体レーザ40の出力光に応じた電流信号を生成するフォトダイオード50と、トランジスタ30の制御端子にバイアス電圧を供給し、当該バイアス電圧を電流信号に応じて変更する制御回路60とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の一実施形態の光送信機1は、半導体レーザ40と、半導体レーザ40に供給するためのバイアス電流であって、一定値を有する当該バイアス電流を生成するバイアス電流源20と、トランジスタであって、制御端子と一対の電流端子を備え、半導体レーザ40に並列に接続されており、該制御端子に印加された変調信号に応じて該一対の電流端子間に流れる電流をスイッチングしてバイアス電流を分流することにより、半導体レーザ40の出力光を変調する当該トランジスタ30と、半導体レーザ40の出力光に応じた電流信号を生成するフォトダイオード50と、トランジスタ30の制御端子にバイアス電圧を供給し、当該バイアス電圧を電流信号に応じて変更する制御回路60とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信などに用いられる光送信機、及び、この光送信機の制御方法に関するものである。
広い動作温度範囲を要求される光送信機においては、低温時の半導体レーザの特性の変化が問題となる。例えば−20℃〜85℃の動作温度範囲を要求される場合、半導体レーザの発振波長、閾値電流、スロープ効率、緩和振動周波数などが、温度に応じて大きく変化するため、低温時に良好な光変調波形を得られないことがある。
この問題点に関し、特許文献1に記載の光送信機では、抵抗体をヒータとして用い、低温時に半導体レーザを昇温して、半導体レーザの動作特性を改善している。
特開2007−180378号公報
しかしながら、特許文献1に記載の光送信機では、APC(Auto Power Control)制御とは別に、抵抗体に電流を供給する電流源と、半導体レーザの温度をモニタして電流源の電流を制御する制御回路とを必要とし、半導体レーザの動作特性を改善するためのヒータ制御が複雑であった。
そこで、本発明は、簡易に半導体レーザの動作特性を改善することが可能な光送信機及び光送信機の制御方法を提供することを目的としている。
本発明の光送信機は、半導体レーザと、半導体レーザに供給するためのバイアス電流であって、一定値を有する当該バイアス電流を生成するバイアス電流源と、トランジスタであって、制御端子と一対の電流端子を備え、半導体レーザに並列に接続されており、該制御端子に印加された変調信号に応じて該一対の電流端子間に流れる電流をスイッチングしてバイアス電流を分流することにより、半導体レーザの出力光を変調する当該トランジスタと、半導体レーザの出力光に応じた電流信号を生成するフォトダイオードと、トランジスタの制御端子にバイアス電圧を供給し、当該バイアス電圧を電流信号に応じて変更する制御回路と、を備えることを特徴とする。
この光送信機では、制御回路が半導体レーザの出力光に応じてトランジスタに供給するバイアス電圧を変更するので、トランジスタによって分流されるバイアス電流を変更することができ、その結果、半導体レーザに供給されるバイアス電流を変更することができる。したがって、半導体レーザの温度が変動しても、半導体レーザの出力光を一定に保持することができる(APC制御)。
この光送信機によれば、バイアス電流源がバイアス電流を一定に保持するので、上記したAPC制御により、半導体レーザのバイアス電流が小さい低温動作時には、トランジスタに分流されるバイアス電流が増加する。その結果、トランジスタが半導体レーザに対してヒータとして作用し、半導体レーザを昇温することができる。したがって、この光送信機によれば、特別なヒータ制御を行うことなく、APC制御を行うだけで、簡易に半導体レーザの動作特性を改善することができる。
上記した半導体レーザと上記したトランジスタとが単一のパッケージ内に配置されていることが好ましい。この構成によれば、半導体レーザに対するトランジスタのヒータ作用を強めることができ、半導体レーザの動作特性をより改善することができる。
また、上記した光送信機は、入力変調信号を増幅して変調信号を生成するドライバ部を更に備え、上記した制御回路は、ドライバ部からの変調信号の振幅を、電流信号に応じて変更してもよい。この構成によれば、制御回路が半導体レーザの出力光に応じて変調信号の振幅を変更するので、半導体レーザの温度が変動しても、半導体レーザの出力光の消光比を一定に保持することができる(APC制御)。
本発明の光送信機の制御方法は、半導体レーザと、半導体レーザに供給するためのバイアス電流を生成するバイアス電流源と、トランジスタであって、制御端子と一対の電流端子を備え、半導体レーザに並列に接続されており、該制御端子に印加された変調信号に応じて該一対の電流端子間に流れる電流をスイッチングしてバイアス電流を分流することにより、半導体レーザの出力光を変調する当該トランジスタと、半導体レーザの出力光に応じた電流信号を生成するフォトダイオードと、トランジスタの制御端子にバイアス電圧を供給する制御回路と、入力変調信号を増幅して変調信号を生成するドライバ部と、を備える光送信機の制御方法であって、バイアス電流源からのバイアス電流を一定値に保持し、フォトダイオードからの電流信号に応じて、ドライバ部からの変調信号の振幅及びバイアス電圧を変更する。
この光送信機の制御方法では、半導体レーザの出力光に応じてトランジスタに供給するバイアス電圧を変更するので、トランジスタによって分流されるバイアス電流を変更することができ、その結果、半導体レーザに供給されるバイアス電流を変更することができる。したがって、半導体レーザの温度が変動しても、半導体レーザの出力光を一定に保持することができる(APC制御)。また、半導体レーザの出力光に応じて変調信号の振幅を変更するので、半導体レーザの温度が変動しても、半導体レーザの出力光の消光比を一定に保持することができる(APC制御)。
この光送信機の制御方法によれば、バイアス電流源からのバイアス電流を一定に保持するので、上記したAPC制御により、半導体レーザのバイアス電流が小さい低温動作時には、トランジスタに分流されるバイアス電流が増加する。その結果、トランジスタが半導体レーザに対してヒータとして作用し、半導体レーザを昇温することができる。したがって、この光送信機の制御方法によれば、特別なヒータ制御を行うことなく、APC制御を行うだけで、簡易に半導体レーザの動作特性を改善することができる。
本発明によれば、簡易に半導体レーザの動作特性を改善することができる。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図1は、本発明の実施形態に係る光送信機を示す回路図である。図1に示す光送信機1は、ドライバ部10と、バイアス電流源20と、トランジスタ30と、半導体レーザ40と、フォトダイオード50と、制御回路60と、DCカット用容量素子71,72,76と、終端用抵抗素子73,75と、インダクタ74とを備えている。
ドライバ部10は、入力変調信号Sinを受けて変調信号Smを生成する。このドライバ部10は、アンプ11と差動増幅回路12とを有している。アンプ11は、入力変調信号Sinを増幅して差動変調信号を生成し、差動増幅回路12へ出力する。差動増幅回路12は、差動変調信号に応じて変調信号Smを生成する。この差動増幅回路12は、差動対を構成するトランジスタ13,14と、負荷用抵抗素子15,16と、電流源17とを有している。
本実施形態では、トランジスタ13,14は、それぞれバイポーラトランジスタである。トランジスタ13,14のベースには、アンプ11からの差動変調信号がそれぞれ入力される。トランジスタ13のコレクタは、負荷用抵抗素子15を介して高電位側の電源に接続されると共に、DCカット用容量素子72を介して終端用抵抗素子73により高周波的に接地されている。一方、トランジスタ14のコレクタは、負荷用抵抗素子16を介して高電位側の電源に接続されると共に、DCカット用容量素子71を介してトランジスタ30のゲート、および終端用抵抗75に接続されている。トランジスタ13,14のソースは共に電流源17に接続されており、電流源17は低電位側の電源に接地されている。
電流源17は、トランジスタ13,14、負荷用抵抗素子15,16及び終端用抵抗素子73に電流Imを供給する。また、電流源17は、この電流Imの値を、制御回路60からの電流制御信号Vmの値に応じて変更する。
ここで、変調信号Smの振幅値は、Im×(R16//R75)であり、電流Imの値に応じて変化することとなる。
Im:電流Imの値
R16:負荷用抵抗素子16の抵抗値
R75:終端用抵抗素子75の抵抗値
Im:電流Imの値
R16:負荷用抵抗素子16の抵抗値
R75:終端用抵抗素子75の抵抗値
バイアス電流源20は、インダクタ74を介して半導体レーザ40のアノードに接続されており、半導体レーザ40のカソードは接地されている。バイアス電流源20は、半導体レーザ40に供給するためのバイアス電流Ibを生成する。バイアス電流源20は、このバイアス電流Ibの値を一定に保持する。なお、インダクタ74は、トランジスタ30による半導体レーザ40の変調に起因する高周波ノイズをバイアス電流源20に対して遮断する目的で設けられている。
トランジスタ30は、半導体レーザ40に並列に接続されている。具体的には、トランジスタ30のドレイン(電流端子)は、半導体レーザ40とインダクタ74との間のノードに接続されており、トランジスタ30のソース(電流端子)は接地されている。トランジスタ30のゲート(制御端子)には、終端用抵抗素子75を介して、制御回路60からのゲートバイアス電圧Vgが入力される。終端用抵抗素子75と制御回路60との間のノードと、低電位側の電源との間には、直流成分を遮断するための容量素子76が接続されている。トランジスタ30は、変調信号Smに応じてスイッチングし、バイアス電流Ibを分流することによって、半導体レーザ40の出力光を変調する。
半導体レーザ40の出力光の一部は、フォトダイオード50に入力される。フォトダイオード50のアノードは接地されており、カソードは制御回路60に接続されている。フォトダイオード50は、半導体レーザ40からの出力光の大きさに応じた値を有する電流信号Siを生成し、制御回路60へ供給する。
制御回路60は、トランジスタ30のゲートにゲートバイアス電圧Vgを供給し、このゲートバイアス電圧Vgの値を電流信号Siの値に応じて変更する。換言すれば、制御回路60は、電流信号Siの値、すなわち半導体レーザ40の出力光のパワーが一定となるように、ゲートバイアス電圧Vgの値を変更する。また、制御回路60は、差動増幅回路12の電流源17に電流制御信号Vmを供給し、この電流制御信号Vmの値を電流信号Siの値に応じて変更する。換言すれば、制御回路60は、電流信号Siの値、すなわち半導体レーザ40の出力光の消光比が一定となるように、電流制御信号Vmの値を変更する。すなわち、制御回路60は、半導体レーザ40の出力光のパワー及び消光比を一定に保持するように、APC制御を行う。
この制御回路60は、I/V変換器61と誤差増幅アンプ62,63とを備えている。I/V変換器61は、フォトダイオード50からの電流信号Siを電圧信号に変換し、誤差増幅アンプ62,63へ出力する。誤差増幅アンプ62,63には、それぞれ、基準電圧Vr1,Vr2も入力される。誤差増幅アンプ62は、I/V変換器61からの電圧信号の値と基準電圧Vr1の値とを比較し、これらの差分に応じた値を有するゲートバイアス電圧Vgを生成する。一方、誤差増幅アンプ63は、I/V変換器61からの電圧信号の値と基準電圧Vr2の値とを比較し、これらの差分に応じた値を有する電流制御信号Vmを生成する。
本実施形態では、トランジスタ30、半導体レーザ40、フォトダイオード50、インダクタ74、抵抗素子75及び容量素子76が、単一の同軸型パッケージP内に配置されている。このように、トランジスタ30及び半導体レーザ40は、単一のパッケージP内に配置されていることが好ましい。更に、トランジスタ30と半導体レーザ40とは、隣接して配置されていることが好ましい。
次に、環境動作温度が変動したときの光送信機1の動作を説明する。
図2は、半導体レーザの駆動電流に対する出力光を示す図である。図2において、曲線T1及びT2は、半導体レーザ40の温度がそれぞれT1、T2(T1<T2)のときの出力光特性である。また、光波形Woは、半導体レーザ40の出力光波形であり、電流波形Wi1は、半導体レーザ40の温度がT1のときに光波形Woを得るための半導体レーザ40の駆動電流波形であり、電流波形Wi2は、半導体レーザ40の温度がT2のときに光波形Woを得るための半導体レーザ40の駆動電流波形である。
図2によれば、半導体レーザ40の温度がT1の場合、光波形Woの出力光を得るためには、電流波形Wi2から電流波形Wi1のように、温度がT2の場合に比べて、駆動電流を小さくすればよいことがわかる。すなわち、半導体レーザ40の温度が低い場合、出力光を一定に保持するためには、半導体レーザ40に供給するバイアス電流Ildbを小さくすると共に、変調振幅Ildmを小さくすればよいことがわかる。
図3は、トランジスタのゲート電圧に対する半導体レーザの駆動電流を示す図である。電圧波形Wv1は、半導体レーザ40の駆動電流波形Wi1を得るためのトランジスタ30のゲート電圧波形であり、電圧波形Wv2は、半導体レーザ40の駆動電流波形Wi2を得るためのトランジスタ30のゲート電圧波形である。
図3によれば、半導体レーザ40に供給するバイアス電流Ildbを小さくするためには、電圧波形Wv2から電圧波形Wv1のように、トランジスタ30のゲートバイアス電圧Vgを大きくすればよいことがわかる。また、変調振幅Ildmを小さくするためには、変調信号Smの振幅値Im×(R16//R75)を小さくすればよいことがわかる。
本実施形態の光送信機1では、半導体レーザ40の温度が低い場合、制御回路60がゲートバイアス電圧Vgを大きくするので、トランジスタ30に分流されるバイアス電流が大きくなり、半導体レーザ40に供給されるバイアス電流Ildbが小さくなる(図3参照)。その結果、半導体レーザ40の出力光のパワーを一定に保持することができる(図2参照)。
更に、半導体レーザ40の温度が低い場合、制御回路60が電流制御信号Vmを小さくするので、差動増幅回路12の電流源17の電流Imが小さくなり、変調信号Smの振幅値Im×(R16//R75)が小さくなり、半導体レーザ40の駆動電流の変調振幅Ildmが小さくなる(図3参照)。その結果、半導体レーザ40の出力光の消光比を一定に保持することができる(図2参照)。
一方、半導体レーザ40の温度が高い場合、制御回路60がゲートバイアス電圧Vgを小さくするので、トランジスタ30に分流されるバイアス電流が小さくなり、半導体レーザ40に供給されるバイアス電流Ildbが大きくなる(図3参照)。その結果、半導体レーザ40の出力光のパワーを一定に保持することができる(図2参照)。
更に、半導体レーザ40の温度が高い場合、制御回路60が電流制御信号Vmを大きくするので、差動増幅回路12の電流源17の電流Imが大きくなり、変調信号Smの振幅値Im×(R16//R75)が大きくなり、半導体レーザ40の駆動電流の変調振幅Ildmが大きくなる(図3参照)。その結果、半導体レーザ40の出力光の消光比を一定に保持することができる(図2参照)。
このように、本実施形態の光送信機1では、制御回路60によるAPC制御によって、半導体レーザ40の温度が変動しても、半導体レーザの出力光を一定に保持することができる。
また、本実施形態の光送信機1によれば、バイアス電流源20がバイアス電流Ibを一定に保持するので、上記したAPC制御により、半導体レーザ40のバイアス電流Ildbが小さい低温動作時には、トランジスタ30に分流されるバイアス電流が増加する。その結果、トランジスタ30が半導体レーザ40に対してヒータとして作用し、半導体レーザ40を昇温することができる。したがって、本実施形態の光送信機1によれば、特別なヒータ制御を行うことなく、APC制御を行うだけで、簡易に半導体レーザ40の動作特性を改善することができる。
また、本実施形態の光送信機1によれば、トランジスタ30と半導体レーザ40とが、単一の同軸型パッケージP内に配置されており、好ましくは、隣接して配置されているので、半導体レーザ40に対するトランジスタ30のヒータ作用を強めることができ、半導体レーザ40の動作特性をより改善することができる。
また、本実施形態の光送信機1によれば、半導体レーザ40の順方向電圧をVF、変調信号Smの振幅をVAとすれば、半導体レーザ40とトランジスタ30の消費電力の和は、VF×Ildb+VA2/R75
で与えられ、VF、VAの変動分を無視すれば、同軸型パッケージの消費電力はほぼ一定に自動的に制御される。そのため、メモリ等を使ったヒータ制御は不要となる。
で与えられ、VF、VAの変動分を無視すれば、同軸型パッケージの消費電力はほぼ一定に自動的に制御される。そのため、メモリ等を使ったヒータ制御は不要となる。
このように、本実施形態では、トランジスタ30は、レーザ光出力変調、レーザ光出力制御、ヒータの3つの役割を果たしている。
ところで、特許文献1の図4に記載の光送信機では、半導体レーザ12とアンプ46との間に変調電流が流れるので、パッケージの接続ピンに変調電流が流れることとなり、大きな電磁放射ノイズが放射されてしまうことがある。
しかしながら、本実施形態の光送信機1によれば、トランジスタ30を半導体レーザ40と同一の同軸型パッケージP内に設けているので、特許文献1に記載の光送信機に比べて、変調電流が同軸型パッケージPの接続ピンに流れることがないという利点が得られる。その結果、本実施形態の光送信機1によれば、特許文献1に記載の光送信機に比べて、電磁放射ノイズの抑制も容易であるという利点が得られる。
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。
1…光送信機、10…ドライバ部、11…アンプ、12…差動増幅回路、13,14…トランジスタ、15,16…負荷用抵抗素子、17…電流源、20…バイアス電流源、30…トランジスタ、40…半導体レーザ、50…フォトダイオード、60…制御回路、61…I/V変換器、62,63…誤差増幅アンプ、71,72,76…DCカット用容量素子、73,75…終端用抵抗素子、74…インダクタ、Si…電流信号、Sin…入力変調信号、Sm…変調信号、Vg…ゲートバイアス電圧、Vm…電流制御信号。
Claims (4)
- 半導体レーザと、
前記半導体レーザに供給するためのバイアス電流であって、一定値を有する当該バイアス電流を生成するバイアス電流源と、
トランジスタであって、制御端子と一対の電流端子を備え、前記半導体レーザに並列に接続されており、該制御端子に印加された変調信号に応じて該一対の電流端子間に流れる電流をスイッチングして前記バイアス電流を分流することにより、前記半導体レーザの出力光を変調する当該トランジスタと、
前記半導体レーザの出力光に応じた電流信号を生成するフォトダイオードと、
前記トランジスタの前記制御端子にバイアス電圧を供給し、当該バイアス電圧を前記電流信号に応じて変更する制御回路と、
を備えることを特徴とする、光送信機。 - 前記半導体レーザと前記トランジスタとが単一のパッケージ内に配置されている、請求項1に記載の光送信機。
- 入力変調信号を増幅して前記変調信号を生成するドライバ部を更に備え、
前記制御回路は、前記ドライバ部からの前記変調信号の振幅を、前記電流信号に応じて変更する、請求項1又は2に記載の光送信機。 - 半導体レーザと、
前記半導体レーザに供給するためのバイアス電流を生成するバイアス電流源と、
トランジスタであって、制御端子と一対の電流端子を備え、前記半導体レーザに並列に接続されており、該制御端子に印加された変調信号に応じて該一対の電流端子間に流れる電流をスイッチングして前記バイアス電流を分流することにより、前記半導体レーザの出力光を変調する当該トランジスタと、
前記半導体レーザの出力光に応じた電流信号を生成するフォトダイオードと、
前記トランジスタの前記制御端子にバイアス電圧を供給する制御回路と、
入力変調信号を増幅して前記変調信号を生成するドライバ部と、
を備える光送信機の制御方法であって、
前記バイアス電流源からの前記バイアス電流を一定値に保持し、
前記フォトダイオードからの前記電流信号に応じて、前記ドライバ部からの前記変調信号の振幅及び前記バイアス電圧を変更する、
光送信機の制御方法。
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