JP2007324463A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体レーザダイオードや駆動回路の特性の変化に対しても、光出力における符号間干渉を十分に低減すること。
【解決手段】 この半導体レーザ駆動回路1は、光信号を生成するためのレーザダイオード(LD)2を駆動する駆動回路において、LD2に並列に接続され、LD2から発生した高周波電流を分流させるフィルタ回路3を備え、フィルタ回路3の周波数特性が可変に構成されている。これにより、LDや駆動回路自体の高周波特性にばらつきが生じたり、動作温度の変化によってそれらの特性が変化した場合であっても、フィルタ回路3の周波数特性を変更することで安定して高周波電流を吸収することができる。
【選択図】図1
【解決手段】 この半導体レーザ駆動回路1は、光信号を生成するためのレーザダイオード(LD)2を駆動する駆動回路において、LD2に並列に接続され、LD2から発生した高周波電流を分流させるフィルタ回路3を備え、フィルタ回路3の周波数特性が可変に構成されている。これにより、LDや駆動回路自体の高周波特性にばらつきが生じたり、動作温度の変化によってそれらの特性が変化した場合であっても、フィルタ回路3の周波数特性を変更することで安定して高周波電流を吸収することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信用の半導体レーザダイオードの駆動回路に関し、特に、高速光通信における半導体レーザダイオードの光出力の符号間干渉を低減できる駆動回路に関するものである。
強度変調された光信号を生成する半導体レーザダイオード(以下、LDと言う)に接続される駆動回路の構成としては、様々な形態のものが知られている。一般に、LDにおいては、キャリアが活性層に注入されてから安定した光出力が得られるまでの間にタイムラグが生じ、そのため光信号を高速変調した場合にはLDにおいて高周波電流が発生して、得られる光出力が符号間干渉を引き起こす場合がある。下記特許文献1には、このような符号間干渉を抑えるために、LDに並列に接続され、LDから発生する高周波電流を吸収する回路を含む駆動回路が開示されている。すなわち、この駆動回路は、容量と抵抗とを含む直列回路、ダイオードと容量とを含む並列回路、又は、容量と抵抗とを含む直列回路とダイオードと容量とを含む並列回路とが並列に接続された回路を有している。このような駆動回路は、LDで発生した高周波電流を吸収する役割を担う。
特開昭60−187075号公報
上述したような従来の駆動回路においては、LDから発生する高周波電流の吸収を、抵抗、容量、ダイオードといった定数が一定の固定素子の組合せで実現している。これは、LDにおける強度変調を損なうことなくLDから発生する高周波電流を吸収するためには、高周波特性に優れた素子を用いる必要があるからである。このような理由から、特性値が一定の2端子素子の組み合わせが用いられている。
しかしながら、LDや駆動回路自体の特性にはばらつきが存在し、このようなばらつきに対しては、LDの高周波電流を効率よく吸収できるように、駆動回路内の固定素子を別の定数の固定素子に付け替える必要がある。また、LDの動作温度の変化による特性の変化に対しては、2端子素子の温度特性によってはLDで発生した高周波電流を十分に吸収できない場合がある。
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、半導体レーザダイオードや駆動回路の特性の変化に対しても、光出力における符号間干渉を十分に低減することが可能な半導体レーザ駆動回路を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ駆動回路は、光信号を生成するための半導体レーザダイオードを駆動する半導体レーザ駆動回路において、レーザダイオードに並列に接続され、レーザダイオードから発生した高周波電流を分流させるフィルタ回路を備え、フィルタ回路の周波数特性が可変に構成されていることを特徴とする。
このような半導体レーザ駆動回路においては、半導体レーザダイオードから発生する高周波電流がその半導体レーザダイオードに並列に接続されたフィルタ回路に分流されることにより、生成される光出力におけるオーバーシュートやアンダーシュートを低減することができる結果、光出力の符号間干渉を防止することができる。このとき、半導体レーザダイオードや駆動回路自体の高周波特性にばらつきが生じたり、動作温度の変化によってそれらの特性が変化した場合であっても、フィルタ回路の周波数特性を変更することで安定して高周波電流を吸収することができる。
フィルタ回路は、抵抗素子と、抵抗素子に直列に接続された可変容量の容量素子とを有することが好ましい。この場合、抵抗素子と直列に接続された容量素子の容量を変更することで、半導体レーザダイオードの特性に対応したフィルタ回路の所望の周波数特性を得ることができる。
また、容量素子は、固定容量の第1の容量素子と、第1の容量素子に直列に接続された電圧制御型の可変容量素子である第2の容量素子とを含むことが好ましい。かかる構成を採れば、第1の容量素子の存在により、電圧制御型の第2の容量素子の容量の変化を大きくすることができ、半導体レーザダイオードの特性変化により幅広く対応することができる。
さらに、第1の容量素子の容量は、第2の容量素子の最大容量より大きいことが好ましい。この場合、第1の容量素子によってフィルタ回路へ流れる直流を遮断しつつ、第2の容量素子のみによって半導体レーザダイオードの特性変化に容易に対応することができる。
またさらに、第2の容量素子に接続され、半導体レーザダイオードの動作温度に応じた電圧を第2の容量素子に印加することによって、第2の容量素子の容量を制御する信号生成回路を更に備えることが好ましい。かかる信号生成回路を備えれば、半導体レーザダイオードの動作温度に応じてフィルタ回路の周波数特性を変化させることで、動作温度による半導体レーザダイオードの特性変化に対しても、符号間干渉を十分に低減することができる。
また、フィルタ回路は、可変抵抗値の抵抗素子と、抵抗素子に直列に接続された容量素子とを有することも好ましい。かかる構成を採れば、容量素子と直列に接続された抵抗素子の抵抗値を変更することで、半導体レーザダイオードの特性に対応した所望の周波数特性を得ることができる。
さらに、抵抗素子は、一対の電流端子、当該電流端子間を流れる電流を制御する制御端子を有し、該制御端子を接地するモードで動作させるトランジスタであって、該電流端子の一方に容量素子が接続されていることが好ましい。かかるトランジスタには、制御端子に電流端子間の電流制御用の信号が入力されることで、信号に応じた可変の抵抗素子として機能することができ、容量素子と接続されてフィルタ回路の周波数特性を調整することが可能となる。
またさらに、半導体レーザダイオードの動作温度に応じて抵抗素子の抵抗値を制御する信号を生成し、トランジスタの制御端子に入力する信号生成回路を更に備えることが好ましい。このような信号生成回路を備えれば、半導体レーザダイオードの動作温度に応じてフィルタ回路の周波数特性を変化させることで、動作温度による半導体レーザダイオードの特性変化に対しても、符号間干渉を十分に低減することができる。
本発明の半導体レーザ駆動回路によれば、半導体レーザダイオードや駆動回路の特性の変化に対しても、光出力における符号間干渉を十分に低減することができる。
以下、図面を参照しつつ本発明に係る半導体レーザ駆動回路の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態である半導体レーザ駆動回路1の構成を示す図である。同図に示す半導体レーザ駆動回路1は、光通信で用いられる光送信器等に内蔵され、半導体レーザダイオード(以下、LDという)2を駆動して強度変調された光信号を生成するための回路である。
図1は、本発明の第1実施形態である半導体レーザ駆動回路1の構成を示す図である。同図に示す半導体レーザ駆動回路1は、光通信で用いられる光送信器等に内蔵され、半導体レーザダイオード(以下、LDという)2を駆動して強度変調された光信号を生成するための回路である。
半導体レーザ駆動回路1は、LD2に並列に接続され、LD2から発生した高周波電流を分流させるフィルタ回路3と、フィルタ回路3の周波数特性を制御する信号生成回路4と、LD駆動源5とを備えている。LD2のカソードは、LD駆動源5の正相データ端子5aに接続され、LD2のアノードはLD駆動源5の逆相データ端子5b及び正電源Vccに接続されている。LD駆動源5は、高周波パルス信号である正相のデータ出力及び逆相のデータ出力を生成し、それぞれ、正相データ端子5a及び逆相データ端子5bに出力する。
フィルタ回路3は、LD2のアノードに一端が接続された可変容量の容量素子6と、容量素子6の他端とLD2のカソードとの間において、容量素子6と直列に接続された抵抗値R1[Ω]の抵抗7とから構成されている。詳細には、容量素子6は、LD2のアノードに一端が接続された固定容量C1[F]のコンデンサ8と、カソードがコンデンサ8の他端に、アノードが抵抗7にそれぞれ接続された可変容量ダイオード9とを有している。
可変容量ダイオード9は、アノード−カソード間の逆バイアス電圧により接合容量Cvを変化させることが可能な電圧制御型の可変容量素子である。ここで、図2には、可変容量ダイオード9に印加する逆バイアス電圧Vcと可変容量ダイオード9の容量Cvとの関係を示すグラフである。同図により、可変容量ダイオード9の逆バイアス電圧Vcを増加すると容量Cvは単調に減少することがわかる。可変容量ダイオード9のカソードには、デジタルアナログコンバータ等で構成される信号生成回路4が接続され、信号生成回路4が生成する電圧によって逆バイアス電圧Vcが調整される。例えば、図2のような特性の可変容量ダイオード9の場合、信号生成回路4の出力電圧をVcc−0.8V、LD2の順方向電圧を1.5Vとすると、可変容量ダイオード9の逆バイアス電圧Vcは0.7V程度となり、容量Cvは約17pFとなる。このような可変容量ダイオード9を含むフィルタ回路3は、抵抗7に直列に接続される容量素子6の容量Cvが可変にされているので、全体のフィルタ特性(周波数特性)が可変にされる。
なお、フィルタ回路3の容量素子6は、固定容量のコンデンサ8と可変容量ダイオード9とで構成されており、コンデンサ8の容量C1は、可変容量ダイオードのCvの最大値に比較して十分大きく(例えば、常温でCv=17pFに対して、C1=1000pF)されている。フィルタ回路3が抵抗と電圧制御型の可変容量のみを含む場合は、LDの順方向電圧がほぼ固定されているため、容量を可変にすることが不可能になるが、固定容量のコンデンサを直列に接続することで電圧制御型の可変容量ダイオード9に印加する電圧を制御することが可能になる。さらに、固定容量C1が可変容量Cvに比較して十分大きくされることで、容量素子6全体の容量がほぼ可変容量Cvになる。そのため、固定容量のコンデンサ8は、容量素子6の可変容量制御を可能にしつつ、直流遮断のためのみに機能することでフィルタ回路3のフィルタ特性には影響を及ぼさない。
可変容量ダイオード9に接続された信号生成回路4には、LD2の動作温度を検出するためのサーミスタ等の温度センサ10が接続されている。信号生成回路4は、温度センサ10により検出された動作温度に応じて可変容量ダイオード9に印加する電圧を設定して、容量Cvを制御する。このとき、信号生成回路4は、その動作温度におけるLD2の特性に応じてフィルタ回路3のフィルタ特性が変化するように電圧を設定する。
以上説明した半導体レーザ駆動回路1によれば、LD2から発生する高周波電流がそのLD2に並列に接続されたフィルタ回路3に分流されることにより、生成される光出力におけるオーバーシュートやアンダーシュートを低減することができる結果、光出力の符号間干渉を防止することができる。このとき、フィルタ回路3を可変可能な容量と抵抗とで構成することにより、フィルタ回路3のフィルタ特性を最適な特性に調整することができる。その結果、LD2や半導体レーザ駆動回路1自体の高周波特性にばらつきが生じたり、動作温度の変化によってそれらの特性が変化した場合であっても、フィルタ回路3の周波数特性を変更することで安定してLDの高周波電流を吸収することができる。
さらに、信号生成回路4はLD2の動作温度に応じた電圧を可変容量ダイオード9に印加して、LD2の動作温度に応じてフィルタ回路3の周波数特性を変化させているので、動作温度によるLD2の特性変化に対しても、符号間干渉を十分に低減することができる。
図3は、半導体レーザ駆動回路1におけるLD2の光出力波形を示す図であり、(a)は動作温度−10°Cの場合の光出力波形、(b)は動作温度65°Cの場合の光出力波形である。この場合、抵抗7の抵抗値R1=30Ω、伝送速度は2.48832Gbpsであり、LD2を23段の擬似ランダム信号で駆動し、可変容量Cvが動作温度−10°Cで15pF、動作温度65°Cで18pFになるように、信号生成回路4の出力電圧を制御した。このように、半導体レーザ駆動回路1では、動作温度が変化してもオーバーシュートやアンダーシュートが低減された良好な光波形が得られている。図4は、図3の光出力波形が得られたときの可変容量ダイオード9の逆バイアス電圧の温度依存性を示す。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図5は、本発明の第2実施形態である半導体レーザ駆動回路21の構成を示す図である。同図に示すように、半導体レーザ駆動回路21において、LD2に並列に接続されたフィルタ回路23は、可変抵抗値を有する可変抵抗素子27と、エミッタフォロア回路としての可変抵抗素子27の出力に直列に接続された固定容量C1のコンデンサ8とから構成されている。
すなわち、可変抵抗素子27は、バイポーラトランジスタであるNPNトランジスタ31、抵抗値R2の抵抗32、及び容量C2のコンデンサ33を含んで構成されており、NPNトランジスタ31のコレクタ(電流端子)はLD2のアノード、逆相データ端子5b、及び正電源Vccに、NPNトランジスタ31のエミッタ(電流端子)はコンデンサ8に、NPNトランジスタ31のベース(制御端子)は信号生成回路24に、それぞれ接続されている。さらに、NPNトランジスタ31のエミッタとアースとの間に抵抗32が、NPNトランジスタ31のベースとアースとの間にコンデンサ33が、それぞれ接続されている。
この可変抵抗素子27は、いわゆるエミッタフォロア回路であり、その出力インピーダンスがフィルタ回路23の可変抵抗として利用されている。そして、信号生成回路24の生成する電圧がエミッタフォロア回路に入力されることによって可変抵抗値が制御されている。すなわち、NPNトランジスタ31は、一対の電流端子(コレクタ、エミッタ)間に流れる電流を、制御端子(ベース)によって制御可能であり、制御端子を接地するモードで動作するトランジスタである。例えば、C1=16pF、R2=2.2kΩ、信号生成回路24の出力電圧2.7V、NPNトランジスタ31のベースコレクタ間電圧Vbe=0.5Vとすると、NPNトランジスタ31にはエミッタ電流Ieが約1mA流れる。このとき、NPNトランジスタ31のエミッタ抵抗Reは、Re=kT/(q・Ie)≒0.026/Ie(kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の電荷量を示す)で求められるので、Re≒26Ωとなる。コンデンサ33の容量R2=0.01μFであり信号生成回路24の内部インピーダンスR0の影響を無視することができるので、エミッタフォロア回路の出力インピーダンスZ0は、下記式(1);
Z0=Re+(Rb+R0)/(1+β)=Re+Rb/(1+β) …(1)
[上記式中、RbはNPNトランジスタ31のベース抵抗、βは電流増幅率を示す]
で求められる。ここで、Rb=400Ω、β=100とすると、Z0=26+400/(1+100)=約30Ωとなる。ここで、信号生成回路24の出力電圧を、2.0〜3.3Vの範囲で変化させると、エミッタ抵抗Reを20.4〜38.2Ωの範囲で変化させることができる結果、出力インピーダンスZ0を24.4〜42.2Ωの範囲で制御することが可能になる。
Z0=Re+(Rb+R0)/(1+β)=Re+Rb/(1+β) …(1)
[上記式中、RbはNPNトランジスタ31のベース抵抗、βは電流増幅率を示す]
で求められる。ここで、Rb=400Ω、β=100とすると、Z0=26+400/(1+100)=約30Ωとなる。ここで、信号生成回路24の出力電圧を、2.0〜3.3Vの範囲で変化させると、エミッタ抵抗Reを20.4〜38.2Ωの範囲で変化させることができる結果、出力インピーダンスZ0を24.4〜42.2Ωの範囲で制御することが可能になる。
信号生成回路24は、温度センサ10により検出された動作温度に応じてNPNトランジスタ31に印加する電圧を設定して、出力インピーダンスZ0を制御する。このとき、信号生成回路4は、その動作温度におけるLD2の特性に応じてフィルタ回路3のフィルタ特性が変化するように電圧を設定する。
以上説明した半導体レーザ駆動回路21によれば、エミッタフォロア回路である可変抵抗素子27を、信号生成回路4からの電圧信号に応じた可変の抵抗素子として機能させることができ、フィルタ回路23の周波数特性を可変に調整することが可能となる。
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、半導体レーザ駆動回路1の可変容量ダイオード9を、図6に示すように、その極性が逆になるように接続してもよい。駆動回路1が内蔵される光送信器の動作電源電圧や、LD2の駆動方法、LD駆動源5等の種類等が変わり、可変容量ダイオード9のカソード電位がLD2のカソード電位より低く設定される場合がありうる。このような場合に、可変容量ダイオード9を逆極性で接続することにより、可変容量ダイオード9が順バイアスされて順方向電流が流れることを避けることができ、フィルタ回路3を正常に動作させることができる。
また、半導体レーザ駆動回路21の可変抵抗素子27に含まれる抵抗としては、図7に示すように、可変抵抗52を使用してもよい。このように可変抵抗を使用することで、NPNトランジスタ31のエミッタ電流Ieの調整範囲を広げることができるので、可変抵抗素子27の抵抗の調整範囲も広げることができる。図8は、可変抵抗52の抵抗値VR1を様々に変化させた場合の信号生成回路24の出力電圧と可変抵抗素子27の出力インピーダンスZ0との関係を示すグラフである。この結果により、抵抗値VR1によって可変抵抗素子27の抵抗値の調整範囲が徐々に変化していることがわかる。
また、半導体レーザ駆動回路21の可変容量素子に含まれるトランジスタとしては、図9に示すように、MOSFET、MESFET、J−FET等のN型FET51を用いてもよい。この場合、N型FET51のドレインはLD2のアノード、逆相データ端子5b、及び正電源Vccに、N型FET51のソースはコンデンサ8に、N型FET51のゲートは信号生成回路24に、それぞれ接続される。さらに、N型FET51のソースとアースとの間に抵抗32が、N型FET51のゲートとアースとの間にコンデンサ33が、それぞれ接続される。この可変抵抗素子57は、ソースフォロア回路として動作し、このソースフォロア回路に信号生成回路24から抵抗制御用の電圧が入力されて、出力インピーダンスが調整される。すなわち、N型FET51は、一対の電流端子(ドレイン、ソース)間に流れる電流を、制御端子(ゲート)によって制御可能であり、制御端子を接地するモードで動作するトランジスタである。
1,21…半導体レーザ駆動回路、2…半導体レーザダイオード(LD)、3,23…フィルタ回路、4,24…信号生成回路、6…容量素子、7…抵抗、8…コンデンサ(第1の容量素子)、9…可変容量ダイオード(第2の容量素子)、27…可変抵抗素子、31…NPNトランジスタ、51…N型FET、57…可変抵抗素子。
Claims (8)
- 光信号を生成するための半導体レーザダイオードを駆動する半導体レーザ駆動回路において、
前記レーザダイオードに並列に接続され、前記レーザダイオードから発生した高周波電流を分流させるフィルタ回路を備え、前記フィルタ回路の周波数特性が可変に構成されている、
ことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。 - 前記フィルタ回路は、
抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された可変容量の容量素子とを有する、
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動回路。 - 前記容量素子は、
固定容量の第1の容量素子と、前記第1の容量素子に直列に接続された電圧制御型の可変容量素子である第2の容量素子とを含む、
ことを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ駆動回路。 - 前記第1の容量素子の容量は、前記第2の容量素子の最大容量より大きい、
ことを特徴とする請求項3記載の半導体レーザ駆動回路。 - 前記第2の容量素子に接続され、前記半導体レーザダイオードの動作温度に応じた電圧を前記第2の容量素子に印加することによって、第2の容量素子の容量を制御する信号生成回路を更に備える、
ことを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ駆動回路。 - 前記フィルタ回路は、
可変抵抗値の抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された容量素子とを有する、
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動回路。 - 前記抵抗素子は、一対の電流端子、当該電流端子間を流れる電流を制御する制御端子を有し、該制御端子を接地するモードで動作させるトランジスタであって、該電流端子の一方に前記容量素子が接続されている、
ことを特徴とする請求項6記載の半導体レーザ駆動回路。 - 前記半導体レーザダイオードの動作温度に応じて前記抵抗素子の抵抗値を制御する信号を生成し、前記トランジスタの制御端子に入力する信号生成回路を更に備える、
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ駆動回路。
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