JP2007042809A - 発光素子駆動回路および光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 周囲温度が変化しても発光素子からの反射波を十分に低減し、変調電流波形の劣化を防止できる発光素子駆動回路および光モジュールを提供する。
【解決手段】 発光素子駆動回路3は、レーザダイオード2へ変調電流Im1を供給する変調電流供給部4と、レーザダイオード2および変調電流供給部4を結ぶ接続線路8と定電位線Vccとの間にインピーダンスを与える反射吸収部5と、周囲温度に応じた温度信号STを生成する温度センサ7とを備える。そして、反射吸収部5は、接続線路と定電位線Vccとの間に接続されたダイオード15と、温度センサ7からの温度信号STの値に基づいてダイオード15の電流量Iを制御することによりダイオード15のインピーダンスを制御する制御手段(電流源16、調整部19、および電流源駆動部20)とを有する。
【選択図】 図2
【解決手段】 発光素子駆動回路3は、レーザダイオード2へ変調電流Im1を供給する変調電流供給部4と、レーザダイオード2および変調電流供給部4を結ぶ接続線路8と定電位線Vccとの間にインピーダンスを与える反射吸収部5と、周囲温度に応じた温度信号STを生成する温度センサ7とを備える。そして、反射吸収部5は、接続線路と定電位線Vccとの間に接続されたダイオード15と、温度センサ7からの温度信号STの値に基づいてダイオード15の電流量Iを制御することによりダイオード15のインピーダンスを制御する制御手段(電流源16、調整部19、および電流源駆動部20)とを有する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、発光素子駆動回路および光モジュールに関するものである。
レーザダイオードなどの発光素子を駆動するための回路を備える光送信器として、例えば特許文献1に開示されたものがある。図5(a)及び(b)は、特許文献1に記載された光送信器の内部回路を示す回路図である。図5(a)を参照すると、光送信器100は、入力バッファ101、電界効果トランジスタ(FET)102〜104、発光素子105、LDバイアス供給回路106、及び反射吸収回路107を備える。
入力バッファ101は、外部から入力された変調信号を差動信号に変換する。FET102は、入力バッファ101からの差動信号の一方を受けて、逆相側の変調電流を生成する。FET103は、入力バッファ101からの差動信号の他方を受けて、正相側の変調電流を生成する。FET104は、定電流源として機能し、FET102および103を流れる電流量の総和を一定に維持する。発光素子105は、FET103によって生成された変調電流を受けて発光する。LDバイアス供給回路106は、発光素子105へバイアス電流を供給する。
図5(b)は、図5(a)に示した反射吸収回路107の一例を示す回路図である。発光素子を駆動する回路においては、発光素子を流れる電流量の変動によるインピーダンス変動などに起因して、反射波が生じる。この反射波は、発光素子105に接続されたFET103のドレイン端子に影響を与え、変調電流波形を劣化させる一因となる。反射吸収回路107は、このような反射波を低減するために設けられた回路である。図5(b)を参照すると、反射吸収回路107は、発光素子105とFET103とを結ぶ接続線路108と定電位線Vccとの間に直列に接続された抵抗素子107aを有する。
しかしながら、特許文献1に開示された回路には、次の課題がある。すなわち、この回路では、発光素子105のインピーダンスに応じて反射吸収回路107の抵抗素子107aの抵抗値を調整しても、周囲温度の変化によって発光素子105のインピーダンスが変動すると、反射波を十分に低減することができず、変調電流波形が劣化してしまう。また、反射吸収回路107の抵抗素子107aの抵抗値も周囲温度によって変動するので、変調電流波形が更に劣化してしまう。
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、周囲温度が変化しても発光素子からの反射波を十分に低減し、変調電流波形の劣化を防止できる発光素子駆動回路および光モジュールを提供することを目的とする。
上記した課題を解決するために、本発明による発光素子駆動回路は、発光素子へ変調電流を供給するための発光素子駆動回路であって、発光素子に接続され、発光素子へ変調電流を供給する変調電流供給部と、発光素子および変調電流供給部を結ぶ接続線路と定電位線との間に接続された反射吸収部と、周囲温度に応じた温度信号を生成する測温素子とを備え、反射吸収部が、接続線路と定電位線との間に接続されたインピーダンス可変素子と、測温素子からの温度信号の値に基づいてインピーダンス可変素子のインピーダンスを制御する制御手段とを有することを特徴とする。
上記した発光素子駆動回路では、制御手段が、測温素子からの温度信号に応じてインピーダンス可変素子のインピーダンスを制御している。従って、上記した発光素子駆動回路によれば、周囲温度の変化による発光素子のインピーダンス変動に応じて反射吸収部のインピーダンスを調整できるので、周囲温度が変化しても発光素子からの反射波を十分に低減し、変調電流波形の劣化を防止できる。
また、発光素子駆動回路は、反射吸収部が、インピーダンス可変素子としてのダイオードと、ダイオードに電流を供給する電流源とを更に有し、ダイオードの端子の一つがコンデンサを介して接続線路と接続されており、制御手段が、電流源の電流量を制御することによりダイオードのインピーダンスを制御することを特徴としてもよい。これにより、反射吸収部のインピーダンス可変素子を簡易に構成できるとともに、該インピーダンス可変素子のインピーダンスを容易に制御できる。ダイオードのほうに変調電流の直流成分が流れ込まないようにするため、ダイオードの端子と接続線路の間は、コンデンサ、またはコンデンサと抵抗を直列にしたものを入れることが望ましい。
また、この場合、ダイオードと接続線路の間にはハイパスフィルタが挿入された構成になるため、変調電流のレベルが遷移する時にダイオード端子に初期パルスが発生するが、このパルスのパルス幅が、変調電流の信号周期よりも短くすることにより、変調電流のレベルの遷移が立ち上がるときと下がるときで、反射吸収部のインピーダンスを変えることができる。
また、本発明による光モジュールは、発光素子と、発光素子に接続され、発光素子へ変調電流を供給する変調電流供給部と、発光素子と変調電流供給部とを結ぶ接続線路と定電位線との間に接続された反射吸収部と、周囲温度に応じた温度信号を生成する測温素子とを備え、反射吸収部が、接続線路と定電位線との間に接続されたインピーダンス可変素子と、測温素子からの温度信号の値に基づいてインピーダンス可変素子のインピーダンスを制御する制御手段とを有することを特徴とする。
上記した光モジュールでは、制御手段が、測温素子からの温度信号に応じてインピーダンス可変素子のインピーダンスを制御している。従って、上記した光モジュールによれば、周囲温度が変化しても発光素子からの反射波を十分に低減し、変調電流波形の劣化を防止できる。
本発明による発光素子駆動回路および光モジュールによれば、周囲温度が変化しても発光素子からの反射波を十分に低減し、変調電流波形の劣化を防止できる。
以下、添付図面を参照しながら本発明による発光素子駆動回路および光モジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明による発光素子駆動回路および光モジュールの第1実施形態の構成を示す回路図である。本実施形態の光モジュール1は、レーザダイオード2といった発光素子と、レーザダイオード2を高速で駆動するための発光素子駆動回路3とを備える。レーザダイオード2のアノードは、電源電位に保持された定電位線Vccに電気的に接続されている。発光素子駆動回路3は、レーザダイオード2へ変調電流Im1を供給する変調電流供給部4と、レーザダイオード2からの反射波を低減する反射吸収部5と、レーザダイオード2へバイアス電流Ibiasを供給するバイアス供給部6と、レーザダイオード2および発光素子駆動回路3の周囲温度に応じた温度信号を生成する温度センサ7とを有する。
図1は、本発明による発光素子駆動回路および光モジュールの第1実施形態の構成を示す回路図である。本実施形態の光モジュール1は、レーザダイオード2といった発光素子と、レーザダイオード2を高速で駆動するための発光素子駆動回路3とを備える。レーザダイオード2のアノードは、電源電位に保持された定電位線Vccに電気的に接続されている。発光素子駆動回路3は、レーザダイオード2へ変調電流Im1を供給する変調電流供給部4と、レーザダイオード2からの反射波を低減する反射吸収部5と、レーザダイオード2へバイアス電流Ibiasを供給するバイアス供給部6と、レーザダイオード2および発光素子駆動回路3の周囲温度に応じた温度信号を生成する温度センサ7とを有する。
変調電流供給部4は、バッファ11、一対のFET12及び13、並びにFET14を有する。FET12及び13双方のソースは、FET14のドレインに電気的に接続されている。FET12のドレインは、定電位線Vccに電気的に接続されている。FET13のドレインは、反射吸収部5を介してレーザダイオード2のカソードに電気的に接続されている。FET14のソースは、接地電位に保持された定電位線GNDに電気的に接続されている。
また、バッファ11は、差動入力端11a、正相出力端11b、及び逆相出力端11cを有する。FET12のベースは、バッファ11の正相出力端11bに電気的に接続されている。トランジスタ13のベースは、バッファ11の逆相出力端11cに電気的に接続されている。バッファ11の差動入力端11aは、発光素子駆動回路3の外部に設けられる図示しない信号生成回路と電気的に接続される。
変調電流供給部4において、バッファ11の差動入力端11aに高周波信号が入力されると、この高周波信号と同相の正相信号Sm2がFET12のベースに入力されるとともに、この高周波信号とは逆相である逆相信号Sm1がトランジスタ13のベースに入力される。FET12および13はベース電圧が低いほどドレイン−ソース間の電流値が大きくなる方式のFETであり、逆相信号Sm1がFET13のベースに入力されることにより、レーザダイオード2には正相の変調電流Im1が流れる。変調電流Im1は、FET14によってその電流値が規定され、反射吸収部5を介して流れる。また、正相信号Sm2がFET12のベースに入力されることにより、変調電流Im1とは逆相の変調電流Im2が流れる。変調電流Im2の電流量は、FET14によって変調電流Im1と同じ電流量に規定される。
バイアス供給部6は、レーザダイオード2のカソードと定電位線GNDとの間に接続されている。バイアス供給部6は、定常的なバイアス電流Ibiasを生成し、レーザダイオード2にバイアス電流Ibiasを供給する。そして、定常的なバイアス電流Ibiasと高周波の変調電流Im1とを合わせた駆動電流(Ibias+Im1)がレーザダイオード2へ供給されることにより、レーザダイオード2から光出力信号が出力される。
温度センサ7は、レーザダイオード2及び発光素子駆動回路3の周囲温度に応じた温度信号を生成するための測温素子である。温度センサ7は、例えばサーミスタやダイオード等によって構成される。温度センサ7は、後述する反射吸収部5に接続されており、生成した温度信号を反射吸収部5へ提供する。
反射吸収部5は、レーザダイオード2からの反射波を吸収するために、レーザダイオード2と変調電流供給部4とを結ぶ接続線路と定電位線Vccとの間に接続され、インピーダンスを与える回路部分である。ここで、図2は、本実施形態の反射吸収部5の内部構成を示す回路図である。図2を参照すると、反射吸収部5は、ダイオード15、電流源16、抵抗素子17aおよび17b、容量素子18、調整部19、並びに電流源駆動部20を有する。
抵抗素子17aの一端は、レーザダイオード2のカソードとFET13のドレインとを結ぶ接続線路8に容量素子(コンデンサ)18を介して接続されている。また、抵抗素子17aの他端は、ダイオード15を介して定電位線Vccに接続されている。この構成により、抵抗素子17aは、接続線路8と定電位線Vccとの間にインピーダンスを与える。また、容量素子18は、接続線路8と抵抗素子17aとの間に接続されている。このように、抵抗素子17a及び容量素子18が接続線路8と定電位線Vccとの間に接続されることによって、ローパスフィルタが構成されるので、反射波が問題となる高周波帯域における波高を効果的に抑えるとともに、変調電流Im1の周波数帯域における波高の減衰量を小さくできる。なお、本実施形態では容量素子18が接続線路8と抵抗素子17aとの間に接続されているが、接続線路8と容量素子18との間に抵抗素子17aが接続された構成でもよい。
抵抗素子17bは、レーザダイオード2のカソードとFET13のドレインとの間に接続されており、ダンピング抵抗として機能する。通常、レーザダイオード等の発光素子は、緩和振動特性を有する。従って、発光素子を高周波で駆動する際、電流波形の立ち上がり時においてオーバーシュートおよびアンダーシュートを伴うことがある。これに対し、本実施形態のようにレーザダイオード2のカソードとFET13のドレインとの間にダンピング抵抗(抵抗素子17b)を設けることによって、FET13の負荷が高まり、緩和振動を低減できる。
ダイオード15は、本実施形態におけるインピーダンス可変素子である。ダイオード15は、接続線路8と定電位線Vccとの間(本実施形態では、抵抗素子17aと定電位線Vccとの間)に接続される。具体的には、ダイオード15のアノードは、定電位線Vccに接続されている。また、ダイオード15のカソードは、抵抗素子17aに接続されている。なお、接続線路8と容量素子18との間に抵抗素子17aが接続される場合には、ダイオード15のカソードは、容量素子18を介して接続線路8に接続されるとよい。
反射吸収部5は、電流源16を更に有する。また、調整部19および電流源駆動部20は、本実施形態における制御手段を構成する。すなわち、調整部19および電流源駆動部20は、温度センサ7からの温度信号STの値に基づいて、ダイオード15のインピーダンス値を制御する。
電流源16は、ダイオード15のカソードと定電位線GNDとの間に接続されている。電流源16は、ダイオード15に電流を供給するための回路部分であり、ダイオード15を流れる電流量Iを規定する。一般的に、理想的なダイオードのインピーダンスRoは、(Ro=kT/eI:kはボルツマン定数、Tは素子温度(絶対温度)、eは電気素量、Iは電流量)として表すことができる。従って、ダイオードのインピーダンスRoは、電流量Iの増加にともない減少する傾向がある。本実施形態の反射吸収部5においては、ダイオード15を流れる電流量Iを電流源16が規定することにより、インピーダンスRoが任意の値に設定される。電流源16の電流量Iは、電流源駆動部20によって制御される。なお、実際のダイオードのインピーダンスRoには上記数式以外に容量や寄生抵抗なども寄与するが、電流量Iの増加に伴ってインピーダンスRoが減少する傾向は同じである。
調整部19は、レーザダイオード2及び発光素子駆動回路3の周囲温度に応じて、ダイオード15を流れる電流量Iを調整するための回路部分である。上述した抵抗素子17a及び17b並びにレーザダイオード2のインピーダンスや、容量素子18のキャパシタンスは、レーザダイオード2及び発光素子駆動回路3の周囲温度に応じて変動する。調整部19は、ダイオード15のインピーダンスRoを周囲温度に基づいて変化させることにより、接続線路8と定電位線Vccとの間のインピーダンスを補正する。
具体的には、調整部19は、温度センサ7に接続されており、温度センサ7から温度信号STを受け取る。調整部19は、温度信号STに基づいて、電流源16の電流量Iを制御するための制御信号Scを電流源駆動部20へ提供する。なお、調整部19における入力(温度信号ST)と出力(制御信号Sc)との関係(補正関数)は、例えば周囲温度の変化によるインピーダンス変化及びキャパシタンス変化を予め測定しておき、その測定結果に基づいて求めることができる。調整部19は、補正関数を実現する非線形回路によって構成されてもよく、或いは、補正関数を記憶したメモリによって構成されてもよい。非線形回路によって構成する場合、ダイオードやトランジスタの非線形性を利用することにより、容易に構成できる。
ここで、本実施形態の光モジュール1および発光素子駆動回路3が有する効果について、従来技術と対比して説明する。
図5に示した従来の回路においては、周囲温度の変化によって反射吸収回路107内部のキャパシタンス、インダクタンス、および抵抗値が変動することがある。また、周囲温度の変化によって、FET103の出力インピーダンスや発光素子105のインピーダンスも変化する。特に、発光素子105がレーザダイオードである場合には、発光強度を一定に保つために、レーザダイオードの温度変化に応じて駆動電流量を増減することが行われている。レーザダイオードのインピーダンス値は、温度変化のほかに駆動電流量の変化によっても大きく変動する。例えば、駆動電流量が閾値電流値の近傍であるときのインピーダンスが30Ωであっても、駆動電流量が閾値電流値より50mA程度高くなると、5〜10Ω程度まで変動してしまう。
このように、図5に示した従来の回路では、或る温度で最適な反射吸収特性をもつように反射吸収回路107を設計しても、反射吸収回路107を構成する各素子の特性、発光素子105を駆動するFET103の出力インピーダンス、または発光素子105自体のインピーダンスが温度変化により変動すると、インピーダンスの不整合(ミスマッチング)が生じてしまう。そして、この不整合に起因する反射波がFET103の変調電流波形に影響を及ぼし、発光素子105の光出力波形を劣化させる原因となる。特に、ローレベルの光出力波形においては、インピーダンスの大きさが駆動電流量に対して相対的に高くなり、インピーダンスの変化の割合も相対的に大きくなるので、光出力波形が劣化し易く、ジッタを生じやすい。
上記した従来の回路の問題点に対し、本実施形態の光モジュール1および発光素子駆動回路3においては、制御手段(電流源16、調整部19、および電流源駆動部20)が、温度センサ7からの温度信号STに応じて電流量Iを制御することにより、ダイオード15のインピーダンスを制御している。ダイオード15は接続線路8と定電位線Vccとの間に接続されているので、ダイオード15のインピーダンスが変化すると、反射吸収部5の反射吸収特性が変化する。従って、本実施形態の発光素子駆動回路3によれば、周囲温度の変化による抵抗素子17a及び17bのインピーダンスの変動、容量素子18のキャパシタンスの変動、FET13の出力インピーダンスの変動、並びにレーザダイオード2のインピーダンスの変動に応じて、反射吸収部5の反射吸収特性を調整できるので、周囲温度が変化してもレーザダイオード2からの反射波を十分に低減し、変調電流波形の劣化を防止できる。これにより、広い温度範囲で良好な光出力波形を得ることが可能となる。
また、本実施形態のように、反射吸収部5はインピーダンス可変素子としてダイオード15を有することが好ましい。これにより、インピーダンス可変素子を簡易に構成できる。そして、この場合、制御手段(電流源16、調整部19、および電流源駆動部20)が、ダイオード15の電流量Iを制御することによりダイオード15のインピーダンスを制御することが好ましい。これにより、ダイオード15のインピーダンスを容易に制御できる。
なお、図2において、容量素子18及びダイオード15は、ハイパスフィルタを構成している。そのため、容量素子18の容量が充分大きければダイオード15のカソード端子に発生する電気波形はレーザダイオード2に印加する電流波形と変わらないが、容量素子18の容量が小さい場合、ダイオード15のカソード端子にはインパルス応答である初期パルス電気信号が発生する。この初期パルスのパルス時間幅が、レーザダイオード2に印加される信号の周期よりも短い場合には、反射吸収部5のレーザダイオード2側から見たインピーダンスが信号の立ち上がりと立ち下がりとで異なる値となる。
これは、レーザダイオード2に印加される駆動電流がレベル遷移を開始するタイミングにおいては、ダイオード15に印加される電圧が信号の立ち上がりと立ち下がり時とで等しくなっているためである。電流信号が立ち上がる場合にはダイオード15の両端電位差を大きくするパルスが発生し、電流信号が立ち下がる場合にはダイオード15の両端電位差を小さくするパルスが発生する。ダイオード15のインピーダンスは両端電位差が大きいほど小さくなるため、立ち上がりと立ち下がりとで異なるインピーダンスとなる。なお、電流信号の立ち下がり時のインピーダンスが大きすぎる場合にはダイオード15または電流源16と並列に抵抗を入れることが望ましい。
なお、容量素子18の容量を充分小さくした場合、図2の場合には立ち上がり時のインピーダンスが低く、立ち下がり時のインピーダンスが高くなるが、逆にしたい場合には、ダイオード15と電流源16とを入れ換えて、定電位線GND側にダイオード15を、定電位線Vcc側に電流源16を配置すればよい。
(第2の実施の形態)
図3は、本発明による発光素子駆動回路の第2実施形態の構成の一部を示す回路図である。本実施形態の発光素子駆動回路3aと上記第1実施形態の発光素子駆動回路3との相違点は、反射吸収部51の内部構成である。なお、本実施形態の発光素子駆動回路3aにおける反射吸収部51以外の構成については、上記第1実施形態の発光素子駆動回路3の構成と同様なので詳細な説明を省略する。
図3は、本発明による発光素子駆動回路の第2実施形態の構成の一部を示す回路図である。本実施形態の発光素子駆動回路3aと上記第1実施形態の発光素子駆動回路3との相違点は、反射吸収部51の内部構成である。なお、本実施形態の発光素子駆動回路3aにおける反射吸収部51以外の構成については、上記第1実施形態の発光素子駆動回路3の構成と同様なので詳細な説明を省略する。
本実施形態の反射吸収部51は、レーザダイオード2からの反射波を吸収するために、レーザダイオード2とFET13とを結ぶ接続線路8と定電位線Vccとの間にインピーダンスを与える。反射吸収部51は、ダイオード15、抵抗素子17aおよび17b、容量素子18、調整部19、電流源駆動部21、並びに電流源22を有する。これらのうち、ダイオード15、抵抗素子17aおよび17b、容量素子18、並びに調整部19の構成および作用は、第1実施形態と同様である。
本実施形態の電流源22は、トランジスタ22aを含んで構成されている。トランジスタ22aのコレクタはダイオード15のカソードに接続されており、トランジスタ22aのエミッタは定電位線GNDに接続されている。
また、電流源駆動部21は、トランジスタ21aおよびインピーダンス可変素子21bを含んで構成されている。トランジスタ21aは、トランジスタ22aと一対となってカレントミラー回路を構成している。すなわち、トランジスタ21aのコレクタは、インピーダンス可変素子21bを介して定電位線Vccに接続されている。トランジスタ21aのベースは、トランジスタ21aのコレクタに短絡されるとともに、トランジスタ22aのベースに接続されている。トランジスタ21aのエミッタは、定電位線GNDに接続されている。
インピーダンス可変素子21bは、定電位線Vccとトランジスタ21aのコレクタおよびベースとの間に接続されており、トランジスタ21aに流れる電流量を規定する。すなわち、インピーダンス可変素子21bのインピーダンスが大きくなるほどトランジスタ21aの電流量が小さくなり、トランジスタ22aおよびダイオード15を流れる電流量Iも小さくなる。また、インピーダンス可変素子21bのインピーダンスが小さくなるほどトランジスタ21aの電流量が大きくなり、トランジスタ22aおよびダイオード15を流れる電流量Iも大きくなる。
インピーダンス可変素子21bは、インピーダンスを制御されるための制御入力を有する。インピーダンス可変素子21bの制御入力は調整部19と電気的に接続されており、調整部19は、制御信号Scをインピーダンス可変素子21bの制御入力へ提供する。なお、インピーダンス可変素子21bとしては、制御信号Scがアナログ信号である場合には、例えばFETが好適に用いられる。また、制御信号Scがディジタル信号である場合には、例えばデジタルポテンショメータが好適に用いられる。調整部19は、レーザダイオード2及び発光素子駆動回路3の周囲温度を示す温度信号STに基づいて、制御信号Scを生成する。
反射吸収部の電流源および電流源駆動部は、本実施形態のようにカレントミラー回路を用いた構成であってもよい。これにより、ダイオード15を流れる電流量Iを好適に制御し、反射吸収部51の反射吸収特性を容易に調整できる。なお、図3に示した構成は、本発明の電流源および電流駆動部に適用可能なカレントミラー回路の一例であり、他に様々な構成のカレントミラー回路を適用できる。
(第3の実施の形態)
図4は、本発明による発光素子駆動回路の第3実施形態の構成の一部を示す回路図である。本実施形態の発光素子駆動回路3bと第1実施形態の発光素子駆動回路3との相違点は、反射吸収部52の構成である。なお、本実施形態の発光素子駆動回路3bにおける反射吸収部52以外の構成については、上記第1実施形態の発光素子駆動回路3の構成と同様なので詳細な説明を省略する。また、反射吸収部52が有する抵抗素子17aおよび17b並びに容量素子18(いずれも図2参照)については、図示を省略している。
図4は、本発明による発光素子駆動回路の第3実施形態の構成の一部を示す回路図である。本実施形態の発光素子駆動回路3bと第1実施形態の発光素子駆動回路3との相違点は、反射吸収部52の構成である。なお、本実施形態の発光素子駆動回路3bにおける反射吸収部52以外の構成については、上記第1実施形態の発光素子駆動回路3の構成と同様なので詳細な説明を省略する。また、反射吸収部52が有する抵抗素子17aおよび17b並びに容量素子18(いずれも図2参照)については、図示を省略している。
図4を参照すると、本実施形態の反射吸収部52は、調整部30、電流源駆動部40、および電流源43を有する。このうち、電流源43は、トランジスタ44を含んで構成されている。トランジスタ44のコレクタはダイオード15のカソードに接続されており、トランジスタ44のエミッタは抵抗素子42を介して定電位線GNDに接続されている。
電流源駆動部40は、オペアンプ41および抵抗素子42を含んで構成されている。オペアンプ41の非反転入力端41aは、調整部30に接続されている。反転入力端41bは、トランジスタ44のエミッタに接続されるとともに、抵抗素子42を介して定電位線GNDに接続されている。出力端41cは、トランジスタ44のベースに接続されている。この構成において、ダイオード15に流れる電流量Iは、トランジスタ44のインピーダンス変化に応じて変化する。トランジスタ44のインピーダンスは、オペアンプ41の出力電圧によって制御される。オペアンプ41は、抵抗素子42における電圧降下分(すなわちトランジスタ44のエミッタ電位)が制御信号Scの電圧値と等しくなるように負帰還制御を行う。これにより、ダイオード15を流れる電流量Iが制御される。
調整部30は、アナログ−ディジタル変換器(ADC)31、記憶素子(メモリ)32、スイッチ33、およびディジタル−アナログ変換器(DAC)34を有する。ADC31は、温度センサ7からのアナログ信号である温度信号STをディジタルデータである温度データDSTに変換するための回路である。なお、本実施形態においては、温度センサ7の一端は、ADC31の入力端に接続されるとともに、抵抗素子23を介して定電位線Vccに接続されている。また、温度センサ7の他端は、定電位線GNDに接続されている。この構成において、周囲温度の変化に応じて温度センサ7の抵抗値が変化すると、温度センサ7と抵抗素子23との間の抵抗分圧値が変化する。ADC31は、この抵抗分圧値を温度信号STとして取り込む。
DAC34は、ディジタルデータである制御データDSCをアナログ信号である制御信号SCに変換するための回路である。DAC34の出力端はオペアンプ41の非反転入力端41aに接続されており、DAC34は、非反転入力端41aへ制御信号SCを提供する。
メモリ32は、温度データDSTの数値に対応する制御データDSCを記憶しておくための回路である。メモリ32は、ADC31からの温度データDSTに対応する制御データDSCをDAC34へ出力する。このとき、ADC31からの温度データDSTの数値と、対応する制御データDSCを記憶するアドレスとを一致させておくとよい。これにより、メモリ32は、ADC31からの温度データDSTに対して直接的に制御データDSCを抽出できるので、回路構成を簡素にできる。また、メモリ32としては、電源の供給がなくても記憶内容が保存されるフラッシュメモリを用いることが好ましいが、これに限定されるものではない。
メモリ32に記憶される温度データDSTと制御データDSCとの関係(補正関数)は、例えば、周囲温度の変化による光出力波形の劣化を制御データDSCにより補正しながら、最適な制御データDSCを見つけることにより構築するとよい。このとき、メモリ32としてフラッシュメモリを用いる場合には、他のメモリと異なり書き込み回数に制限があるので、温度設定を変化させるたびにメモリ内容を書き換えるのは好ましくない。このような場合、ADC52aの出力端に接続された外部出力端子52a、およびスイッチ33を介してDAC34の入力端に接続された外部入力端子52bを利用するとよい。すなわち、温度データDSTを外部出力端子52aからモニタしつつ、外部入力端子52bへ入力する制御データDSCを変化させて最適な制御データDSCの数値を求める。そして、温度データDSTに対応する最適な制御データDSCを、書き込み端子52cからメモリ32へ測定後に一括して書き込むとよい。
なお、ワンチップマイコンといったCPUが既に光モジュールに内蔵されている場合には、メモリ32に代えて、このようなCPUを用いてもよい。その際には、温度データDSTと制御データDSCとの関係(補正関数)をプログラムとして記憶させ、該プログラムに基づいて最適な制御データDSCをCPUに演算させてもよい。メモリ32を用いた場合、およびCPUを用いた場合のそれぞれにおいて、制御データDSCの抽出(または演算)には10ms程度の時間を要することもあるが、周囲温度の変化は通常緩やかであり、問題なく動作できる。従って、CPUを用いる場合においても、光モジュールに内蔵されるCPUの作業負荷には殆ど影響しない。
反射吸収部の制御手段は、本実施形態のような調整部30、電流源駆動部40、および電流源43によって構成されてもよい。これにより、ダイオード15を流れる電流量Iを温度変化に応じて好適に制御し、反射吸収部52の反射吸収特性を容易に且つ精度良く調整できる。また、発光素子の温度特性は一般的に個体差が大きいが、本実施形態のように調整部30がメモリ32を備えてディジタル処理を行うことにより、個々の光モジュール毎に補正関数を精度よく調整できるので、発光素子からの反射波をより効果的に低減し、変調電流波形の劣化を防止できる。
また、ダイオード、抵抗、或いはデジタルポテンショメータなどを用いて制御手段を構成する場合、これらの素子の電気的特性は温度変化によって変動する。たとえば、理想的なダイオードの場合、電流1mAのときの室温でのインピーダンスは26Ωであるが、摂氏77℃では30Ω、摂氏−30℃では21Ωに変化する。従って、温度信号STと制御信号SCとの補正関数を開発段階で決定し、該補正関数に基づいて制御手段を設計する場合には、素子特性の温度変化分も考慮して設計する必要がある。他方、本実施形態のように、個々の光モジュール毎に補正関数を測定して反射吸収部52の反射吸収特性を調整する場合には、素子特性の温度変化分を調整過程において吸収できる。
本発明による発光素子駆動回路および光モジュールは、上記した実施形態に限られるものではなく、他にも様々な変形が可能である。例えば、上記各実施形態では変調電流供給部をFETによって構成しているが、バイポーラトランジスタによって構成してもよい。また、上記各実施形態では変調電流供給部を差動出力のいわゆるシリーズ駆動回路によって構成しているが、その他の方式の駆動回路(シャント駆動回路やコンプリメンタリ駆動回路など)によって構成してもよい。また、反射吸収部が有する抵抗素子に代えて、コイル(インダクタ)を用いても良い。
また、上記各実施形態ではインピーダンス可変素子(ダイオード15)が一つのみ設けられた構成が示されているが、反射吸収部はインピーダンス可変素子を複数有しても良い。例えば、反射吸収部が複数のインピーダンス可変素子を有しており、複数のインピーダンス可変素子同士が、接続線路と定電位線との間において互いに並列に接続されていてもよい。これにより、反射吸収部におけるインピーダンス調整精度を高めて、発光素子からの反射波をより効果的に低減できる。
或いは、複数のインピーダンス可変素子同士が、接続線路と定電位線との間において互いに直列に接続されていてもよい。これにより、反射吸収部におけるインピーダンス調整幅をより広くできるので、より広い範囲の周囲温度変化に対応できる。なお、インピーダンス可変素子としてダイオードを用いる場合、ダイオードの電圧降下は1個あたり0.6〜0.8Vであるが、光モジュールが3.3V程度の電源で動作し、かつ電流源の電圧降下が0.5V程度であれば、ダイオードを2段や3段程度に直列に接続することは可能である。この場合、上記各実施形態のように接続線路とダイオードとの間に容量素子を設けてあれば、直流成分を遮断するので発光素子側の電圧配分への影響を回避できる。
1…光モジュール、2…レーザダイオード、3,3a,3b…発光素子駆動回路、4…変調電流供給部、5,51,52…反射吸収部、6…バイアス供給部、7…温度センサ、8…接続線路、11…バッファ、15…ダイオード、16,22,43…電流源、19,30…調整部、20,21,40…電流源駆動部、31…ADC、32…メモリ、34…DAC、41…オペアンプ、DSC…制御データ、DST…温度データ、Ibias…バイアス電流、Im1,Im2…変調電流、Sc…制御信号、ST…温度信号。
Claims (4)
- 発光素子へ変調電流を供給するための発光素子駆動回路であって、
前記発光素子に接続され、前記発光素子へ前記変調電流を供給する変調電流供給部と、
前記発光素子および前記変調電流供給部を結ぶ接続線路と定電位線との間に接続された反射吸収部と、
周囲温度に応じた温度信号を生成する測温素子と
を備え、
前記反射吸収部が、
前記接続線路と前記定電位線との間に接続されたインピーダンス可変素子と、
前記測温素子からの前記温度信号の値に基づいて前記インピーダンス可変素子のインピーダンスを制御する制御手段と
を有することを特徴とする、発光素子駆動回路。 - 前記反射吸収部が、前記インピーダンス可変素子としてのダイオードと、前記ダイオードに電流を供給する電流源とを更に有し、
前記ダイオードの端子の一つがコンデンサを介して前記接続線路と接続されており、
前記制御手段が、前記電流源の電流量を制御することにより前記ダイオードのインピーダンスを制御することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子駆動回路。 - 前記変調電流のレベルの遷移時に前記接続線路と接続された前記ダイオードの端子に発生する初期パルス電気信号のパルス幅が、前記変調電流の信号周期よりも短いことを特徴とする、請求項2に記載の発光素子駆動回路。
- 発光素子と、
前記発光素子に接続され、前記発光素子へ変調電流を供給する変調電流供給部と、
前記発光素子と前記変調電流供給部とを結ぶ接続線路と定電位線との間に接続された反射吸収部と、
周囲温度に応じた温度信号を生成する測温素子と
を備え、
前記反射吸収部が、
前記接続線路と前記定電位線との間に接続されたインピーダンス可変素子と、
前記測温素子からの前記温度信号の値に基づいて前記インピーダンス可変素子のインピーダンスを制御する制御手段と
を有することを特徴とする、光モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005224482A JP2007042809A (ja) | 2005-08-02 | 2005-08-02 | 発光素子駆動回路および光モジュール |
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JP2005224482A JP2007042809A (ja) | 2005-08-02 | 2005-08-02 | 発光素子駆動回路および光モジュール |
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Family
ID=37800526
Family Applications (1)
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JP2005224482A Pending JP2007042809A (ja) | 2005-08-02 | 2005-08-02 | 発光素子駆動回路および光モジュール |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164386A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の制御回路及び半導体集積素子 |
JP2010129571A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザ駆動回路 |
CN109088305A (zh) * | 2018-10-29 | 2018-12-25 | 深圳技术大学(筹) | 一种激光光源 |
-
2005
- 2005-08-02 JP JP2005224482A patent/JP2007042809A/ja active Pending
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