JP2006351945A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 従来外付けされていたコンデンサHCをICに内蔵してコンデンサHCの接地が該IC内になるようにすると共に、端子T3と接地間に接続された抵抗R2の抵抗値を変えることにより、増幅回路3の電流出力能力を増減させて増幅回路3の電流出力能力を可変しコンデンサHCを充電する時間を変えて、レーザダイオードLDに対する光量制御のフィードバックループの応答速度を調整するようにした。
【選択図】 図1
Description
図5において、半導体レーザ駆動回路100は、レーザダイオードLDの光量が設定値になるようにレーザダイオードLDを駆動するものである。半導体レーザ駆動回路100は、フォトダイオードPD、増幅回路102、サンプルホールド回路103、電流発生回路104、オン/オフ回路105、検出回路106及び抵抗R101,R103で構成され、増幅回路102、サンプルホールド回路103、電流発生回路104、オン/オフ回路105及び検出回路106は1つのICに集積されている。
オン/オフ回路105は、入力された画像信号Spに応じてオン/オフ制御され、電流発生回路104から出力された電流をレーザダイオードLDに断続的に供給する。
このように、従来の半導体レーザ駆動回路100では、サンプルホールド回路103のコンデンサHCを外付けにしており、コンデンサHCの容量値を適宜選択することによって光量制御のフィードバックループの応答速度を調整していた。
前記半導体レーザの光量を設定する外部からの光量設定信号と前記受光素子からの電流に応じた電圧との電圧差を増幅して出力する増幅回路と、
外部から入力される第1制御信号に応じて該増幅回路の出力電圧を保持するサンプルホールド回路と、
該サンプルホールド回路からの出力電圧を電流に変換する電圧−電流変換回路と、
外部から入力される第2制御信号に応じて、該電圧−電流変換回路で変換された電流の前記半導体レーザへの供給制御を行うスイッチ回路と、
を備え、
前記サンプルホールド回路は、前記増幅回路の出力電圧で充電されて保持するコンデンサを有し、前記増幅回路は、電流出力能力が、設定された値に可変されて該コンデンサの充電時間を可変し、前記半導体レーザに対する光量制御のフィードバックループの応答速度を可変するものである。
また、サンプルホールド回路のコンデンサを充電する増幅回路の電流出力能力をICに外付けされた抵抗又は電流源によって変更することができ、半導体レーザ駆動回路の応答速度を調整することができる。
更に、フォトダイオードの出力電流が変化しても該フォトダイオードの端子電圧を所定値で一定にして、前記電流−電圧変換回路から出力される電圧を該所定値を基準とした電圧にするようにしたことから、フォトダイオードの応答速度の改善を図ることができる。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ駆動回路の構成例を示した図である。
図1において、半導体レーザ駆動回路1は、レーザダイオードLDの光量が設定値になるようにレーザダイオードLDを駆動するものである。
半導体レーザ駆動回路1は、フォトダイオードPD、増幅回路3、サンプルホールド回路4、電圧−電流変換回路5、スイッチ回路6及び抵抗R1,R2で構成され、サンプルホールド回路4は、アナログスイッチASとサンプルホールドコンデンサ(以下、コンデンサと呼ぶ)HCで構成されている。また、増幅回路3、サンプルホールド回路4、電圧−電流変換回路5及びスイッチ回路6は1つのICに集積されている。なお、抵抗R1は電流−電圧変換回路をなす。
サンプルホールド信号Sshは、レーザダイオードLDが発光中だけサンプルホールド回路4のアナログスイッチASをオンさせて増幅回路3の出力電圧でコンデンサHCを充電させ、その他の場合は、アナログスイッチASをオフさせて増幅回路3の出力電圧をコンデンサHCの電圧としてホールドさせる。
スイッチ回路6は、画像信号Spに応じてオン/オフ制御される。スイッチ回路6がオンしているとき、レーザダイオードLDは電圧−電流変換回路5で変換された電流が供給されて発光し、スイッチ回路6がオフ状態になると、レーザダイオードLDは電流供給が絶たれて消灯する。
レーザダイオードLDの光量が減少すると抵抗R1の電圧降下が小さくなり、増幅回路3の出力電圧が上昇してレーザダイオードLDの駆動電流が増加し、レーザダイオードLDの光量が増す。逆に、レーザダイオードLDの光量が増加すると抵抗R1の電圧降下が大きくなり増幅回路3の出力電圧が低下し、レーザダイオードLDの駆動電流が減少して、レーザダイオードLDの光量が減少する。このような動作を繰り返して、レーザダイオードLDの光量は、光量設定信号Ssetに応じた光量に制御される。
図2において、増幅回路3は、PMOSトランジスタM1〜M6及びNMOSトランジスタM7〜M10で構成され、PMOSトランジスタM5及びM6は差動対をなしている。PMOSトランジスタM5及びM6の各ソースは接続され、電源電圧Vddと該接続部との間にPMOSトランジスタM3が接続されている。PMOSトランジスタM1及びM3はカレントミラー回路を形成しており、PMOSトランジスタM1及びM3の各ゲートは接続され、該接続部はPMOSトランジスタM1のドレインに接続されている。また、PMOSトランジスタM1のドレインは端子T3に接続され、端子T3と接地電圧との間に抵抗R2が接続されている。
PMOSトランジスタM1のドレイン電流id1は、抵抗R2に流れる電流であり下記(1)式で表される。
id1=(Vdd−Vgs1)/R2………………(1)
但し、Vgs1はPMOSトランジスタM1のゲート−ソース間電圧を示している。
なお、適当な電流源が存在する場合は、端子T3に、抵抗R2に代えて電流源を接続するようにしてもよい。この場合のPMOSトランジスタM1のドレイン電流id1は、端子T3に接続された電流源の電流値になる。
増幅回路3のバイアス電流が増加すると、NMOSトランジスタM8及びM9のドレイン電流も増加することから、NMOSトランジスタM8及びM9とカレントミラー回路を構成しているNMOSトランジスタM7とM10のドレイン電流もそれぞれ増加し、NMOSトランジスタM7のドレインに接続されているPMOSトランジスタM2のドレイン電流も増加する。更に、PMOSトランジスタM2とカレントミラー回路を構成しているPMOSトランジスタM4のドレイン電流も増加するため増幅回路3の電流出力能力が増加することになる。
T=V×C/i………………(2)
なお、前記(2)式において、VはコンデンサHCの電圧変動を、CはコンデンサHCの容量を、iはコンデンサHCへの充電電流をそれぞれ示している。
前記(2)式から、充電時間Tを変えるには、コンデンサHCの容量Cを固定しても充電電流iを変えることで実現できることが分かる。すなわち、増幅回路3の電流出力能力を抵抗R2で設定することによって、コンデンサHCの充電電流を増減させることができるため、半導体レーザ駆動回路1の応答速度を任意に設定することができる。
また、従来、レーザダイオードLDの応答速度に応じて、コンデンサHCの容量値を変更していたが、コンデンサHCをICに内蔵したため、容量値を変更できなくなった。しかし、端子T3と接地間に接続された外付け抵抗R2の抵抗値を変えることにより、増幅回路3の電流出力能力を増減させて増幅回路3の電流出力能力を可変しコンデンサHCを充電する時間を変えることができ、レーザダイオードLDに対する光量制御のフィードバックループの応答速度を調整することができる。
前記第1の実施の形態では、フォトダイオードPDの光電流に応じて、抵抗R1の電圧降下が変化するようになっている。しかし、フォトダイオードPDのPN接合部には接合容量が存在し、また、フォトダイオードPDのアノードから端子T1までの配線には寄生容量が存在する。これらの容量は、フォトダイオードPDの光電流imで充放電されるため、該光電流imが小さい場合、これらの容量の充放電に時間がかかり応答速度を著しく低下させる。このため、フォトダイオードPDの光電流imが変化してもフォトダイオードPDの端子電圧を変化しないようにすると共に、光電流im自体を増幅して扱いやすくする検出回路を設けてもよく、このようにしたものを本発明の第2の実施の形態とする。
図3は、本発明の第2の実施の形態における半導体レーザ駆動回路の構成例を示した図である。なお、図3では、図1と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図1との相違点のみ説明する。
図3において、半導体レーザ駆動回路1aは、レーザダイオードLDの光量が所望の値になるようにレーザダイオードLDを駆動するものである。
フォトダイオードPDのアノードは、端子T1を介して検出回路7の一方の入力端に接続されると共に抵抗R1及び端子T7を介して検出回路7の他方の入力端に接続されている。検出回路7の出力端は、増幅回路3の非反転入力端に接続されている。また、増幅回路3の反転入力端には、端子T2を介して光量設定信号Ssetが入力されている。
図4において、検出回路7は、演算増幅回路A2、及び所定の基準電圧Vrefを生成して出力する基準電圧発生回路11からなる。
演算増幅回路A2において、反転入力端は端子T1に接続され、非反転入力端には基準電圧Vrefが入力され、出力端は増幅回路3の非反転入力端に接続されている。
光電流imが変化しても端子T1の電圧は変わらないため、フォトダイオードPDのPN接合容量への充電時間が不要になる。また、端子T7の電圧は変化するが、この部分の寄生容量の充電は演算増幅回路A2の出力電流によって行われる。演算増幅回路A2の出力電流が光電流imよりも十分に大きければ、フォトダイオードPDの応答速度を向上させることができる。なお、図4の検出回路7を使用した場合は、図3の端子T2に入力される光量設定信号Ssetは、接地基準ではなく、基準電圧Vrefを基準にした信号に変更すればよく、光量設定信号Ssetの電圧は基準電圧Vrefよりも小さくなるようにする。
3 増幅回路
4 サンプルホールド回路
5 電圧−電流変換回路
6 スイッチ回路
7 検出回路
PD フォトダイオード
LD レーザダイオード
R1,R2 抵抗
AS アナログスイッチ
HC コンデンサ
T1〜T7,GND 端子
Claims (8)
- 半導体レーザからのレーザ光を受光素子で電流に変換し、該電流に応じた電圧が設定値になるように半導体レーザに供給する電流を制御して光量が設定値になるように該半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路において、
前記半導体レーザの光量を設定する外部からの光量設定信号と前記受光素子からの電流に応じた電圧との電圧差を増幅して出力する増幅回路と、
外部から入力される第1制御信号に応じて該増幅回路の出力電圧を保持するサンプルホールド回路と、
該サンプルホールド回路からの出力電圧を電流に変換する電圧−電流変換回路と、
外部から入力される第2制御信号に応じて、該電圧−電流変換回路で変換された電流の前記半導体レーザへの供給制御を行うスイッチ回路と、
を備え、
前記サンプルホールド回路は、前記増幅回路の出力電圧で充電されて保持するコンデンサを有し、前記増幅回路は、電流出力能力が、設定された値に可変されて該コンデンサの充電時間を可変し、前記半導体レーザに対する光量制御のフィードバックループの応答速度を可変することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。 - 前記増幅回路は、バイアス電流が可変されて電流出力能力が設定されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動回路。
- 前記受光素子は、受光した光量に応じた電流を出力するフォトダイオードであり、該フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して前記増幅回路に出力する電流−電圧変換回路を備えることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ駆動回路。
- 前記フォトダイオードの出力電流の変化に対して該フォトダイオードの端子電圧を所定値で一定にし、前記電流−電圧変換回路から出力される電圧を該所定値を基準とした電圧にする、前記フォトダイオードの出力電流の検出を行う検出回路を備えることを特徴とする請求項3記載の半導体レーザ駆動回路。
- 前記増幅回路、サンプルホールド回路、電圧−電流変換回路及びスイッチ回路は、1つのICに集積され、該ICは、前記増幅回路のバイアス電流が設定される設定端子を備え、該設定端子に外付けされる抵抗の抵抗値に応じて前記増幅回路のバイアス電流が可変されることを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ駆動回路。
- 前記増幅回路、サンプルホールド回路、電圧−電流変換回路及びスイッチ回路は、1つのICに集積され、該ICは、前記増幅回路のバイアス電流が設定される設定端子を備え、該設定端子に外付けされる電流源から供給される電流に応じて前記増幅回路のバイアス電流が可変されることを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ駆動回路。
- 前記増幅回路、サンプルホールド回路、電圧−電流変換回路、スイッチ回路及び検出回路は、1つのICに集積され、該ICは、前記増幅回路のバイアス電流が設定される設定端子を備え、該設定端子に外付けされる抵抗の抵抗値に応じて前記増幅回路のバイアス電流が可変されることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ駆動回路。
- 前記増幅回路、サンプルホールド回路、電圧−電流変換回路、スイッチ回路及び検出回路は、1つのICに集積され、該ICは、前記増幅回路のバイアス電流が設定される設定端子を備え、該設定端子に外付けされる電流源から供給される電流に応じて前記増幅回路のバイアス電流が可変されることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005178071A JP2006351945A (ja) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | 半導体レーザ駆動回路 |
US11/453,927 US7729399B2 (en) | 2005-06-17 | 2006-06-16 | Semiconductor laser driving circuit less susceptible to noise interference |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005178071A JP2006351945A (ja) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006351945A true JP2006351945A (ja) | 2006-12-28 |
Family
ID=37573285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005178071A Pending JP2006351945A (ja) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7729399B2 (ja) |
JP (1) | JP2006351945A (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Request for written amendment filed |
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