JP3185698B2 - 基準電圧発生回路 - Google Patents
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Description
に関し、特に順方向にバイアスされたダイオード接合の
順方向電圧を利用してバンドギャップ電圧の整数倍の電
圧を出力する基準電圧発生回路に関するものである。
路素子では、厳格な温度補償特性を満たすため、順方向
にバイアスされたダイオード接合の順方向電圧を利用し
てバンドギャップ電圧の整数倍の電圧を出力する基準電
圧発生回路、いわゆるバンドギャップ基準電圧発生回路
が用いられる。図8は一般的なバンドギャップ基準電圧
発生回路を示す回路図であり、同図において、1は所定
の正相入力電圧(VIN+)を出力する正相入力電圧発
生部、2は所定の逆相入力電圧(VIN−)を出力する
逆相入力電圧発生部である。
子にそれぞれ入力された正相入力電圧および逆相入力電
圧に基づいて所定の基準出力電圧VOUTを出力するオ
ペアンプ(演算増幅器)OP1からなる電圧出力部であ
る。R0は正相入力電圧発生部1および逆相入力電圧発
生部2に対して、常時、電源電圧VDDを供給する抵抗
である。
OUTと接地電位GNDとの間に接続されており、基準
出力電圧VOUT側から順に、抵抗R1、順方向のダイ
オードD1,D2が直列接続され、抵抗R1とダイオー
ドD1のアノードとの接続点から正相入力電圧が出力さ
れる。また逆相入力電圧発生部2は、正相入力電圧発生
部1と並列して、基準出力電圧VOUTと接地電位GN
Dとの間に接続されており、基準出力電圧VOUT側か
ら順に、抵抗R2,R3、順方向のダイオードD3,D
4が直列接続され、抵抗R2,R3の接続点から逆相入
力電圧が出力される。
力電圧VIN−はオペアンプOP1の正相入力端子およ
び逆相入力端子にそれぞれ入力され、ダイオードの順方
向電圧VFが有する温度係数(−2mV/゜C)と、電
圧VT=kT/q(k:ボルツマン定数,T=絶対温
度、q=電気素量)が有する温度係数(+0.085m
V/゜C)とが互いに打ち消され、温度係数がほぼゼロ
のバンドギャップ電圧の整数倍(この場合はダイオード
2個なので2倍分)の基準出力電圧VOUTがオペアン
プOP1から出力されるものとなっていた。
うな従来の基準電圧発生回路では、電源電圧VDDの立
ち上げ時、単に抵抗R0から正相入力電圧発生部1およ
び逆相入力電圧発生部2に対して電源電圧VDDを供給
するものとなっているため、電源電圧VDDの立ち上げ
が緩やかな場合には、電源電圧VDDが所定値に達する
までの期間において、基準出力電圧VOUTが不安定と
なるという問題点があった。図9は従来の基準電圧発生
回路の動作を示す波形図であり、実線は所望の基準出力
電圧、破線は従来の基準出力電圧を示している。
気的特性に製造ばらつきを有している。特に、従来の基
準電圧発生回路(図8参照)において、オペアンプOP
1の入力オフセット電圧のばらつき、あるいは正相入力
電圧発生部1および逆相入力電圧発生部2で用いられる
抵抗R1〜R3の抵抗値のばらつきが所定方向に偏って
いる場合には、電源電圧VDDの立ち上げが緩やかなと
き、電源電圧VDDが所定値に達するまでの期間におい
て、基準出力電圧VOUTが電源電圧VDDに沿って上
昇するという安定した所望の特性(実線)が得られず、
破線に示すように基準出力電圧の発生が電源電圧より遅
れ、不安定となるという問題点があった。本発明はこの
ような課題を解決するためのものであり、電源電圧VD
Dの立ち上げが緩やかな場合でも、安定した基準出力電
圧が得られる基準電圧発生回路を提供することを目的と
している。
るために、本発明による基準電圧発生回路は、基準出力
電圧と接地電位の間に設けられ、順方向バイアスにて直
列接続されたn個(nは2以上の整数)ダイオード接合
を有し所定の正相入力電圧を出力する正相入力電圧発生
部と、基準出力電圧と接地電位の間に設けられ、順方向
バイアスにて直列接続されたn個のダイオード接合を有
し所定の逆相入力電圧を出力する逆相入力電圧発生部
と、電源電圧と接地電位との間に設けられ、正相入力端
子および逆相入力端子にそれぞれ正相入力電圧および逆
相入力電圧が入力される演算増幅器を有し、この出力に
基づいて所望の基準出力電圧を出力する電圧出力部と、
基準出力電圧が所定値を下回る場合には、基準出力電圧
を電源電圧にプルアップするとともに、逆相入力電圧を
正相入力電圧より高い電位に制御する低電圧制御部とを
備えるものである。したがって、電源電圧立ち上がり時
において基準出力電圧が所定値を下回る場合には、低電
圧制御部にて、基準出力電圧が電源電圧にプルアップさ
れるとともに、逆相入力電圧が正相入力電圧より高い電
位に保持され、電源電圧とほぼ等しい電位の基準出力電
圧が出力される。
電圧との間に設けられ、演算増幅器の出力に応じて動作
する第1のMOSトランジスタを有するものである。し
たがって、演算増幅器の出力に応じて第1のMOSトラ
ンジスタが動作し、電源電圧から第1のMOSトランジ
スタを介して所望の基準出力電圧が出力される。また、
電圧出力部は、演算増幅器の出力を所望の基準出力電圧
として直接出力するものである。したがって、演算増幅
器から所望の基準出力電圧が直接出力される。
力電圧との間に設けられ、基準出力電圧が所定値を下回
る場合に動作して基準出力電圧を電源電圧にプルアップ
する第2のMOSトランジスタと、基準出力電圧と逆相
入力電圧発生部との間に設けられ、基準出力電圧が所定
値を下回る場合に動作して逆相入力電圧を正相入力電圧
より高い電位に保持する第3のMOSトランジスタとを
有するものである。したがって、基準出力電圧が所定値
を下回る場合には、第2のMOSトランジスタにより基
準出力電圧が電源電圧にプルアップされるとともに、第
3のMOSトランジスタにより逆相入力電圧が正相入力
電圧より高い電位に保持される。
力電圧との間に設けられ、基準出力電圧が所定値を下回
る場合に動作して基準出力電圧を電源電圧にプルアップ
する第2のMOSトランジスタと、電源電圧と逆相入力
電圧発生部との間に設けられ、基準出力電圧が所定値を
下回る場合に動作して逆相入力電圧を正相入力電圧より
高い電位に保持する第3のMOSトランジスタとを有す
るものである。したがって、基準出力電圧が所定値を下
回る場合には、第2のMOSトランジスタにより基準出
力電圧が電源電圧にプルアップされるとともに、第3の
MOSトランジスタにより逆相入力電圧が正相入力電圧
より高い電位に保持される。
力電圧との間に設けられ、基準出力電圧が所定値を下回
る場合に動作して基準出力電圧を電源電圧にプルアップ
する第2のMOSトランジスタと、接地電位と正相入力
電圧発生部との間に設けられ、基準出力電圧が所定値を
下回る場合に動作して正相入力電圧を逆相入力電圧より
低い電位に保持する第4のMOSトランジスタとを有す
るものである。したがって、基準出力電圧が所定値を下
回る場合には、第2のMOSトランジスタにより基準出
力電圧が電源電圧にプルアップされるとともに、第4の
MOSトランジスタにより正相入力電圧が逆相入力電圧
より低い電位に保持される。
圧に対して正負反転させ基準電圧を発生させるようにし
たものである。
して説明する。図1は本発明の第1の実施の形態である
基準電圧発生回路を示す回路図であり、同図において、
前述の説明(図8参照)と同じまたは同等部分には同一
符号を付してある。図1おいて、(a)は基準電圧発生
回路の全体、(b)は電圧監視回路を示しており、1は
所定の正相入力電圧VIN+を出力する正相入力電圧発
生部、2は所定の逆相入力電圧VIN−を出力する逆相
入力電圧発生部、3は正相入力端子および逆相入力端子
にそれぞれ入力された正相入力電圧および逆相入力電圧
に基づいて所定の基準出力電圧VOUTを出力するオペ
アンプ(演算増幅器)OP1を有する電圧出力部であ
る。
OUTと接地電位GNDとの間に接続されており、基準
出力電圧VOUT側から順に、抵抗R2,R3、順方向
のダイオードD3,D4が直列接続され、抵抗R2,R
3の接続点から正相入力電圧が出力される。また逆相入
力電圧発生部2は、正相入力電圧発生部1と並列して、
基準出力電圧VOUTと接地電位GNDとの間に接続さ
れており、基準出力電圧VOUT側から順に、抵抗R
1、順方向のダイオードD1,D2が直列接続され、抵
抗R1とダイオードD1のアノードとの接続点から逆相
入力電圧が出力される。
DDと基準出力電圧VOUTとの間に、オペアンプOP
1の出力に応じて動作するPチャンネルMOSトランジ
スタTr1(第1のMOSトランジスタ)が設けられて
いる。4は基準出力電圧VOUTを常時監視し、基準出
力電圧VOUTが所定値を下回る場合には、正相入力電
圧発生部1および逆相入力電圧発生部2に対して電源電
圧VDDを供給するとともに、逆相入力電圧VIN−が
正相入力電圧VIN+を上回るように制御する低電圧制
御部である。
圧VOUTの電圧を常時監視し、所定値を下回る場合に
は検出出力DET0を出力する電圧監視回路と、電源電
圧VDDと基準出力電圧VOUTとの間に接続され、検
出出力DET0に応じてオンするPチャンネルMOSト
ランジスタTr2(第2のMOSトランジスタ)と、基
準出力電圧VOUTと逆相入力電圧発生部2の出力端す
なわちオペアンプOP1の逆相入力端子との間に接続さ
れ、検出出力DET0に応じてオンするPチャンネルM
OSトランジスタTr3(第3のMOSトランジスタ)
と電流制限用の抵抗R5との直列接続から構成されてい
る。
て、R51,52は監視する基準出力電圧VOUTを分
圧する抵抗、Tr51は抵抗R51,52の分圧出力に
基づいて動作するNチャンネルMOSトランジスタ、R
53はトランジスタTr51の出力DET1を電源電圧
VDDにプルアップする抵抗、Tr52はトランジスタ
Tr51の出力DET1に基づいて動作するPチャンネ
ルMOSトランジスタ、R54はトランジスタTr52
の出力を接地電位にプルダウンする抵抗である。
準出力電圧の所定値は、抵抗R51,52とトランジス
タTr51の動作ゲート電圧により決定される。またこ
の所定値として、通常動作時に出力される所望の基準出
力電圧値以下であって、正相入力電圧発生部1,逆相入
力電圧発生部2および電圧出力部3が正常動作可能とな
る電圧が設定される。
施の形態の動作を説明する。図2は本発明の第1の実施
の形態による基準出力電圧回路の動作を示す波形図であ
り、(a)は正相入力電圧VIN+、逆相入力電圧VI
N−および基準出力電圧VOUTを示し、(b)は電圧
監視回路5の検出出力DET0,DET1を示してい
る。この場合、いずれも2.4Vを基準出力電圧VOU
Tの正常値とし、電源電圧VDDが1ms当たり1Vで
上昇する場合を例に説明する。
された直後では、電源電圧VDDが十分上昇しておら
ず、ダイオードD1,D2およびD3,D4の順方向電
圧以下では、正相入力電圧発生部1および逆相入力電圧
発生部2が動作しない。また、電圧監視回路5のトラン
ジスタTr51のゲートには、トランジスタTr51が
オンするのに十分な電圧が供給されず、トランジスタT
r51はオフのままとなる。
3により電源電圧VDDとほぼ同じ電位となり、トラン
ジスタTr52もオフのままとなることから、検出出力
DET0は抵抗R54により接地電位GNDと同じ電位
となる。一方、トランジスタTr2は、この接地電位G
NDと同じ電位の検出出力DET0に応じてオンし、基
準出力電圧VOUTを電源電圧VDDにプルアップする
が、トランジスタTr2のゲート−ソース間電圧が十分
に印可されていないために、完全にオンすることができ
ない。したがって、基準出力電圧VOUTとして、電源
電圧VDDと接地電位GNDとのほぼ中間電位が出力さ
れる。
DがダイオードD1,D2およびD3,D4の順方向電
圧以上に上昇して、ダイオードD1〜D4が徐々にオン
し、正相入力電圧発生部1および逆相入力電圧発生部2
が動作可能となる。ここで、基準出力電圧VOUTが十
分上昇しておらず、電圧監視回路5のトランジスタTr
51,Tr52がオフのままであることから、検出出力
DET0が接地電位GNDと同じ電位のままとなり、ト
ランジスタTr2,Tr3がオン状態に維持される。
逆相入力電圧VIN−が、トランジスタTr3および抵
抗R5を介して基準出力電圧VOUTにプルアップさ
れ、オペアンプOP1に入力される逆相入力電圧VIN
−が、正相入力電圧VIN+より高い電位に保持され
る。したがって、オペアンプOP1からの出力が接地電
位GNDとなり、トランジスタTr1がオンし、基準出
力電圧VOUTは電源電圧VDDとほぼ等しい値で上昇
する。
VOUTが十分上昇して、電圧監視回路5のトランジス
タTr51,Tr52がオンして、検出出力DET0が
電源電圧VDDと同じ電位となり、トランジスタTr
2,Tr3がオフとなる。これに応じて、トランジスタ
Tr2による基準出力電圧VOUTのプルアップ、およ
びトランジスタTr3による逆相入力電圧VIN−のプ
ルアップが停止されるが、基準出力電圧VOUTが所望
値に達していないことから、正相入力電圧発生部1およ
ぴ逆相入力電圧発生部2の動作により、逆相入力電圧V
IN−が、正相入力電圧VIN+より高い電位に保持さ
れる。
が接地電位GNDとなり、トランジスタTr1のオン状
態が維持され、基準出力電圧VOUTは電源電圧VDD
とほぼ等しい値で上昇する。その後、時刻T3におい
て、基準出力電圧VOUTが所望値(ここでは2.4
V)まで上昇して、正相入力電圧発生部1およぴ逆相入
力電圧発生部2から出力される正相入力電圧VIN+お
よぴ逆相入力電圧VIN−が等しくなり、オペアンプO
P1の出力が所定電圧値に保持され、基準出力電圧VO
UTが所望値に維持されるものとなる。
準出力電圧VOUTを常時監視し、基準出力電圧VOU
Tが所定値を下回る場合には、正相入力電圧発生部1お
よび逆相入力電圧発生部2に対して電源電圧VDDを供
給するとともに、逆相入力電圧VIN−が正相入力電圧
VIN+を上回るようにしたので、従来(図8参照)の
ように、電源電圧VDDの立ち上げ時、単に抵抗R0か
ら正相入力電圧発生部1および逆相入力電圧発生部2に
対して電源電圧VDDを供給するものと比較して、電源
電圧VDDの立ち上げが緩やかな場合でも、基準出力電
圧VOUTが所望値に達するまで、電源電圧VDDとほ
ぼ同じ電位で上昇する安定した出力が得られる。
DDと基準出力電圧VOUTとの間にトランジスタTr
1を設けて、オペアンプOP1からの僅かな電流でトラ
ンジスタTr1を駆動して基準出力電圧VOUTを出力
するようにしたので、オペアンプOP1の出力段にて消
費される電流を節約することができる。なお、この電圧
出力部の構成は、図3に示すように、オペアンプOP1
の出力をそのまま基準出力電圧VOUTとして用いても
良く、少ない回路構成部品で実現することができる。こ
の場合、トランジスタTr1がないことからオペアンプ
OP1の出力を反転させる必要があり、正相入力電圧発
生部1および逆相入力電圧発生部2の回路構成が、前述
(図1参照)と比べて相互に入れ替っわている。
電圧VOUTと逆相入力電圧発生部2の出力端すなわち
オペアンプOP1の逆相入力端子との間に、トランジス
タTr3および抵抗R5の直列接続回路を設けて、基準
出力電圧VOUTが所定電圧値を下回る場合には、逆相
入力電圧VIN−を基準出力電圧VOUTにプルアップ
るようにしたので、そのプルアップ電流がトランジスタ
Tr2,Tr3および抵抗R5を介して流れるものとな
り、プルアップ電流を節約することができる。なお、ト
ランジスタTr3および抵抗R5の直列接続回路は、図
4に示すように、電源電圧VDDと逆相入力電圧発生部
2の出力端との間に設けても良く、正相入力電圧VIN
+に比較して逆相入力電圧VIN−をより高く保持で
き、より安定した制御が可能となる。
施の形態について説明する。図5は、本発明の第2の実
施の形態による基準電圧発生回路を示す回路図であり、
同図において、前述の説明(図1参照)と同じまたは同
等部分には同一符号を付してある。図5おいて、(a)
は基準電圧発生回路の全体、(b)は電圧監視回路を示
しており、第1の実施の形態とは、低電圧制御部4の構
成が異なる。
では、逆相入力電圧VIN−を正相入力電圧VIN+よ
り上回る電位に保持する手段として、基準出力電圧VO
UTと逆相入力電圧発生部2の出力端すなわちオペアン
プOP1の逆相入力端子との間に、トランジスタTr3
および抵抗R5の直列接続回路を設けた場合について説
明した。図5に示す第2の実施の形態では、正相入力電
圧発生部2の出力端すなわちオペアンプOP1の正相入
力端子と接地電位GNDとの間に、トランジスタTr4
(第4のMOSトランジスタ)および電流制限用の抵抗
R6の直列接続回路を設けて、逆相入力電圧VIN−を
正相入力電圧VIN+より上回る電位に保持するように
したものである。
r4としてNチャンネルのMOSトランジスタが用いら
れる。また、電圧監視回路5からは、トランジスタTr
4を駆動するための検出出力DET1が、トランジスタ
Tr51と抵抗R53との接続点から供給されている。
なお、この場合の動作については、前述の説明とほぼ同
様であり、ここでの説明は省略するが、前述と同等の作
用効果が得られることは明白である。
発生部1および逆相入力電圧発生部2では、それぞれダ
イオードD1,D2およびD3,D4を、順方向に2つ
直列接続した場合を例に説明したが、これに限定される
ものではなく、3つ以上のダイオードを用いた場合でも
本発明を適用することができ、前述と同様の作用効果が
得られる。さらに、以上の説明において、ダイオード接
合(pn接合)を有する素子として、ダイオードを例に
説明したが、これに限定されるものではなく、等価的に
ダイオード接合(pn接合)を有する素子、例えばトラ
ンジスタなどの素子であってもよい。
4では、逆相入力電圧発生部2の出力端すなわちオペア
ンプOP1の逆相入力端子をトランジスタTr3にてプ
ルアップするようにした場合を例に説明したが、これに
限定されるものではなく、逆相入力電圧VIN−を正相
入力電圧VIN+に比較して高く保持しうる接続点であ
れば、逆相入力電圧発生部2および正相入力電圧発生部
1のいずれの接続点をプルアップしてもよい。また、こ
のことは、第2の実施の形態において、正相入力電圧発
生部1の出力端すなわちオペアンプOP1の正相入力端
子をトランジスタTr4にてプルダウンする場合も同様
である。
Dに対して正電圧である電源電圧VDDで動作する場合
を例に説明したが、これに限定されるものではなく、前
述と同様にして、図6,7に示すように、接地電位GN
Dに対して負電圧である電源電圧VSSで動作させるよ
うにしてもよい。図6,7は、負電源電圧VSSで動作
する基準電圧発生回路を示す回路図であり、それぞれ前
述の図1,3に対応する。また、図6,7において、前
述の図1,3の回路部と同様の機能を有するものには、
同一符号を付してある。
位GNDとの差が所定値以下の場合に、低電圧制御部4
から検出出力DET0が出力され、トランジスタTr
2,3がオンする。これにより、逆相入力電圧発生部2
の出力すなわちオペアンプOP1の逆相入力端子VIN
−が負電源電圧VSS側に引き下げられ、オペアンプO
P1の出力によりトランジスタTr1がオンして、基準
出力電圧VOUTとして負電源電圧VSSとほぼ同じ電
圧が出力される。
地電位GNDとの差が所定値以下の場合、低電圧制御部
4から検出出力DET1が出力され、トランジスタTr
4がオンする。これにより、正相入力電圧発生部2の出
力すなわちオペアンプOP1の正相入力端子VIN+が
接地電位側に引き下げられ、オペアンプOP1の出力に
よりトランジスタTr1がオンして、基準出力電圧VO
UTとして負電源電圧VSSとほぼ同じ電圧が出力され
る。
力電圧と接地電位の間に設けられ、順方向バイアスにて
直列接続されたn個(nは2以上の整数)ダイオード接
合を有し所定の正相入力電圧および逆相入力電圧をそれ
ぞれ出力する正相入力電圧発生部および逆相入力電圧発
生部と、電源電圧と接地電位との間に設けられ、正相入
力端子および逆相入力端子にそれぞれ正相入力電圧およ
び逆相入力電圧が入力される演算増幅器を有し、この出
力に基づいて所望の基準出力電圧を出力する電圧出力部
とを設け、基準出力電圧が所定値を下回る場合には、基
準出力電圧を電源電圧にプルアップするとともに、逆相
入力電圧を正相入力電圧より高い電位に制御するように
したものである。したがって、電源電圧立ち上がり時に
おいて基準出力電圧が所定値を下回る場合でも、電源電
圧とほぼ等しい電位の基準出力電圧が出力されるものと
なり、従来のように、電源電圧の立ち上げ時、単に抵抗
から正相入力電圧発生部および逆相入力電圧発生部に対
して電源電圧を供給するものと比較して、電源電圧の立
ち上げが緩やかな場合でも、基準出力電圧が所望値に達
するまで電源電圧とほぼ同じ電位で上昇する安定した出
力が得られる。
電圧との間に第1のMOSトランジスタを設けて、演算
増幅器の出力に応じて動作させるようにしたので、演算
増幅器の出力に応じて電源電圧から第1のMOSトラン
ジスタを介して所望の基準出力電圧が出力されるものと
なり、演算増幅器の出力段における消費電流を飛躍的に
節約することができる。また、電圧出力部は、演算増幅
器の出力を所望の基準出力電圧として直接出力するよう
にしたので、少ない回路構成部品で実現することができ
る。また、基準出力電圧が所定値を下回る場合、低電圧
制御部にて、電源電圧と基準出力電圧との間に設けた第
2のMOSトランジスタにより基準出力電圧を電源電圧
にプルアップするとともに、基準出力電圧と逆相入力電
圧発生部との間に設けた第3のMOSトランジスタによ
り逆相入力電圧を正相入力電圧より高い電位に保持する
ようにしたので、この保持電流が第2および第3のMO
Sトランジスタを介して流れるものとなり、保持電流を
節約することができる。
合、低電圧制御部にて、電源電圧と基準出力電圧との間
に設けた第2のMOSトランジスタにより基準出力電圧
を電源電圧にプルアップするとともに、基準出力電圧と
逆相入力電圧発生部との間に設けた第3のMOSトラン
ジスタにより逆相入力電圧を正相入力電圧より高い電位
に保持するようにしたので、正相入力電圧に比較して逆
相入力電圧を確実に高く保持でき、より安定した制御が
可能となる。また、基準出力電圧が所定値を下回る場
合、低電圧制御部にて、電源電圧と基準出力電圧との間
に設けた第2のMOSトランジスタにより基準出力電圧
を電源電圧にプルアップするとともに、接地電位と正相
入力電圧発生部との間に設けた第4のMOSトランジス
タにより正相入力電圧を逆相入力電圧より低い電位に保
持するようにしたので、電源電圧が低い場合でも、正相
入力電圧に比較して逆相入力電圧を確実に高く保持で
き、より安定した制御が可能となる。
生回路を示す回路図である。
生回路の動作を示す信号波形図である。
る。
る。
生回路の回路図である。
路図である。
す回路図である。
る。
形図である。
…電圧出力部、4…低電圧制御部、5…電圧監視回路、
OP1…オペアンプ(演算増幅器)、Tr1…Pチャン
ネルMOSトランジスタ(第1のMOSトランジス
タ)、Tr2…PチャンネルMOSトランジスタ(第2
のMOSトランジスタ)、Tr3…PチャンネルMOS
トランジスタ(第3のMOSトランジスタ)、Tr52
…PチャンネルMOSトランジスタ、Tr4…Nチャン
ネルMOSトランジスタ(第4のMOSトランジス
タ)、Tr51…NチャンネルMOSトランジスタ、R
0〜R6,R51〜R54…抵抗、VDD…電源電圧、
VSS…負電源電圧、GND…接地電位、VOUT…基
準出力電圧、VIN+…正相入力電圧、VIN−…逆相
入力電圧、DET0,DET1…検出出力。
Claims (7)
- 【請求項1】 順方向にバイアスされたダイオード接合
の順方向電圧を利用してバンドギャップ電圧の整数倍の
基準出力電圧を発生する基準電圧発生回路において、 基準出力電圧と接地電位との間に設けられ、順方向バイ
アスにて直列接続されたn個(nは2以上の整数)のダ
イオード接合を有し所定の正相入力電圧を出力する正相
入力電圧発生部と、 基準出力電圧と接地電位との間に設けられ、順方向バイ
アスにて直列接続されたn個のダイオード接合を有し所
定の逆相入力電圧を出力する逆相入力電圧発生部と、 電源電圧と接地電位との間に設けられ、正相入力端子お
よび逆相入力端子にそれぞれ正相入力電圧および逆相入
力電圧が入力される演算増幅器を有し、この出力に基づ
いて所望の基準出力電圧を出力する電圧出力部と、 基準出力電圧が所定値を下回る場合には、基準出力電圧
を電源電圧にプルアップするとともに、逆相入力電圧を
正相入力電圧より高い電位に制御する低電圧制御部とを
備えることを特徴とする基準電圧発生回路。 - 【請求項2】 請求項1記載の基準電圧発生回路におい
て、 電圧出力部は、 電源電圧と基準出力電圧との間に設けられ、前記演算増
幅器の出力に応じて動作する第1のMOSトランジスタ
を有することを特徴とする基準電圧発生回路。 - 【請求項3】 請求項1記載の基準電圧発生回路におい
て、 電圧出力部は、 前記演算増幅器の出力を所望の基準出力電圧として直接
出力することを特徴とする基準電圧発生回路。 - 【請求項4】 請求項1記載の基準電圧発生回路におい
て、 低電圧制御部は、 電源電圧と基準出力電圧との間に設けられ、基準出力電
圧が所定値を下回る場合に動作して基準出力電圧を電源
電圧にプルアップする第2のMOSトランジスタと、 基準出力電圧と逆相入力電圧発生部との間に設けられ、
基準出力電圧が所定値を下回る場合に動作して逆相入力
電圧を正相入力電圧より高い電位に保持する第3のMO
Sトランジスタとを有することを特徴とする基準電圧発
生回路。 - 【請求項5】 請求項1記載の基準電圧発生回路におい
て、 低電圧制御部は、 電源電圧と基準出力電圧との間に設けられ、基準出力電
圧が所定値を下回る場合に動作して基準出力電圧を電源
電圧にプルアップする第2のMOSトランジスタと、 電源電圧と逆相入力電圧発生部との間に設けられ、基準
出力電圧が所定値を下回る場合に動作して逆相入力電圧
を正相入力電圧より高い電位に保持する第3のMOSト
ランジスタとを有することを特徴とする基準電圧発生回
路。 - 【請求項6】 請求項1記載の基準電圧発生回路におい
て、 低電圧制御部は、 電源電圧と基準出力電圧との間に設けられ、基準出力電
圧が所定値を下回る場合に動作して基準出力電圧を電源
電圧にプルアップする第2のMOSトランジスタと、 接地電位と正相入力電圧発生部との間に設けられ、基準
出力電圧が所定値を下回る場合に動作して正相入力電圧
を逆相入力電圧より低い電位に保持する第4のMOSト
ランジスタとを有することを特徴とする基準電圧発生回
路。 - 【請求項7】 請求項1〜6記載の基準電圧発生回路
を、接地電圧に対して正負反転させ基準電圧を発生させ
ることを特徴とする基準電圧発生回路。
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US6411158B1 (en) * | 1999-09-03 | 2002-06-25 | Conexant Systems, Inc. | Bandgap reference voltage with low noise sensitivity |
US6359425B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-03-19 | Zilog, Inc. | Current regulator with low voltage detection capability |
JP3519361B2 (ja) | 2000-11-07 | 2004-04-12 | Necエレクトロニクス株式会社 | バンドギャップレファレンス回路 |
US6815941B2 (en) * | 2003-02-05 | 2004-11-09 | United Memories, Inc. | Bandgap reference circuit |
US6707286B1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-03-16 | Ami Semiconductor, Inc. | Low voltage enhanced output impedance current mirror |
JP4212036B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | 定電圧発生器 |
JP4103859B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2008-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 基準電圧発生回路 |
JP4627651B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-02-09 | シチズンホールディングス株式会社 | 定電圧発生回路 |
EP1815303B1 (en) * | 2004-11-18 | 2009-01-07 | Nxp B.V. | Reference voltage circuit |
JP4603378B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2010-12-22 | 株式会社豊田中央研究所 | 基準電圧回路 |
KR100645770B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2006-11-14 | 주식회사 팬택 | 자동전압조절 기능을 지원하는 레벨 변환장치 |
TWI269955B (en) * | 2005-08-17 | 2007-01-01 | Ind Tech Res Inst | Circuit for reference current and voltage generation |
JP2007060544A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Micron Technol Inc | 温度係数が小さいパワー・オン・リセットを生成する方法及び装置 |
JP2007058772A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Micron Technol Inc | バンド・ギャップ基準から可変出力電圧を生成する方法及び装置 |
JP2007059024A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Micron Technol Inc | 温度補償された読み出し・検証動作をフラッシュ・メモリにおいて生成するための方法及び装置 |
US7321256B1 (en) * | 2005-10-18 | 2008-01-22 | Xilinx, Inc. | Highly reliable and zero static current start-up circuits |
TWI394367B (zh) * | 2006-02-18 | 2013-04-21 | Seiko Instr Inc | 帶隙定電壓電路 |
JP4931619B2 (ja) * | 2006-02-18 | 2012-05-16 | セイコーインスツル株式会社 | バンドギャップ定電圧回路 |
US7489556B2 (en) * | 2006-05-12 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for generating read and verify operations in non-volatile memories |
JP2008117215A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Toshiba Corp | 基準電位発生回路 |
JP5085238B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-11-28 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 基準電圧回路 |
KR100940151B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2010-02-03 | 주식회사 동부하이텍 | 밴드갭 기준전압 발생회로 |
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JP5123679B2 (ja) * | 2008-01-28 | 2013-01-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 基準電圧生成回路及びその起動制御方法 |
CN102144196B (zh) * | 2008-09-05 | 2013-11-06 | 松下电器产业株式会社 | 基准电压产生电路 |
JP2011048601A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Renesas Electronics Corp | 基準電流電圧発生回路 |
US8049549B2 (en) * | 2010-02-26 | 2011-11-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Delta phi generator with start-up circuit |
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US4857823A (en) * | 1988-09-22 | 1989-08-15 | Ncr Corporation | Bandgap voltage reference including a process and temperature insensitive start-up circuit and power-down capability |
JP2754834B2 (ja) * | 1990-02-20 | 1998-05-20 | 日本電気株式会社 | バンドギャップ基準電圧発生回路 |
KR910018738A (ko) * | 1990-04-09 | 1991-11-30 | 양갑수 | 가정용 난방장치 |
KR100247796B1 (ko) * | 1993-02-27 | 2000-04-01 | 윤종용 | 경질 우레탄 폼의 제조방법 |
GB9423033D0 (en) * | 1994-11-15 | 1995-01-04 | Sgs Thomson Microelectronics | A voltage reference circuit |
US5646518A (en) * | 1994-11-18 | 1997-07-08 | Lucent Technologies Inc. | PTAT current source |
-
1997
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7495504B2 (en) | 2004-04-16 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Reference voltage generation circuit |
Also Published As
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