JP2006352741A - デッドタイム制御回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】 各温度で最適なデッドタイムを得ることができる温度特性調整機能を有し、又は、回路が大型化しコスト的に不利になることが無く、又は、デッドタイムの高精度な制御が可能なデッドタイム制御回路を提供する。
【解決手段】 基準電圧発生回路1と、オペアンプ2、トランジスタ11と抵抗3からなる電圧−電流変換部10と、カレントミラーと、遅延回路8及びAND回路9とを具備するデッドタイム制御回路において、負の温度特性を有する基準電圧発生回路1の出力電圧を電圧−電流変換部10によって電流変換し、その電流をカレントミラーによって伝達し、遅延回路8を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を制御している。
【選択図】 図1

Description

本発明は、デッドタイム制御回路に関し、特に、負荷駆動時の同時オフ期間(デッドタイム)の温度特性の改善に関するものである。
デジタルオーディオの様に直流電源によって入力信号に応じて負荷を駆動する場合、2つのスイッチング素子を直流電源間に直列接続し、それら2つの素子を排他的にオンオフすることで交流駆動を実現している。一例として図5を用いて説明すると、PWM(Pulse Width Modulator)からの出力信号がプリドライバ18に入力され、プリドライバ18で排他的にオンオフするハイサイド出力HOとローサイド出力LOを生成し、2つのスイッチング素子19a、19bを制御することで負荷20を駆動している。その際、スイッチング素子19a、19bを制御するプリドライバ18の出力において、2つのスイッチング素子19a、19bが同時にオンし大きな貫通電流が流れるのを防止するため、立上がりの遅延時間を立下がりの遅延時間よりも長く(遅く)し、その遅延時間の差から同時オフ時間(デッドタイム)を設けている。
基本的なデッドタイム制御回路は、図6に示すように、遅延回路8とAND回路9から構成されている。入力端子5からの信号は、遅延回路8によって立上り、立下りともほぼ一定時間遅れてAND回路9の一入力端子に入力されると共に、AND回路9の他の入力端子にも直接入力される。これにより、AND回路9からは、立上りのみ遅延し立下りが遅延していない出力が得られる。先に説明した図5のプリドライバ18は、デッドタイム制御回路を2回路用い、排他的にオンオフするハイサイド入力HIとローサイド入力LIから、立上りのみ遅延し立下りが遅延していないハイサイド出力HOとローサイド出力LOを生成しており、図7に示すように、立上りと立下りの遅延時間の差からデッドタイムを生み出している。
実用的なデッドタイム制御回路は、図8に示すように、図6を用いて説明したデッドタイム制御回路の遅延回路8に外付けの抵抗と容量を付加し、デッドタイムを調整可能としたものである。
図6及び図8のように、遅延回路を用いたデッドタイム制御回路においては、遅延時間の精度が直接デッドタイムの精度に影響するため、例えば、高速動作するデジタルアンプのように数ナノ秒台のデッドタイムを設定する必要がある場合、遅延時間にも高精度が要求される。
これに対し、2つのインバータで構成される遅延回路において、第1のインバータの遅延時間が変化した場合、第2のインバータの遅延時間を逆に変化させることによって、安定した遅延時間を得る方法が提案されている(特許文献1参照)。
図9は、特許文献1の図2、図3、図5、図6、図7を1つにまとめて示したもので、図中の符号は特許文献1の符号を用いている。論理32と遅延セル50の2つのインバータからなる遅延回路において、n−チャネルトランジスタ34をモデル化したn−チャネルトランジスタ64によって、ノード38の電圧をノード68の電圧としてモデル化し、オペアンプによってノード68の電圧に追従するノード73の電圧を、抵抗とカレントミラーによって遅延セル50の定電流源62としている。また、電源(VDD)側についても同様にp−チャネルトランジスタ36をモデル化した定電流源62'を設けている。
これにより、例えば、接合温度の低下、電源電圧の増大等によって論理32の遅延時間が小さくなった場合、ノード68の電圧低下、ノード73の電圧低下、電流76、84、86の減少となり、遅延セル50の遅延時間が増加し、遅延回路全体の遅延時間が安定化される。
特開平6−216750号公報(第5頁、図2、図3、図5、図6、図7)
しかしながら、前述の図8で示したデッドタイム制御回路に、図9を用いて説明した遅延回路を適用しても、次のような残された問題点があった。すなわち、第1に、出力立上り立下りが正の温度特性を持つのに対し、デッドタイムは負の温度特性を有している。このため、図10に示すように、ハッチングで示す箇所(高温時)において、デッドタイムが小さくなり、ローサイド出力、ハイサイド出力共に"H"を出力して、スイッチング素子が同時にONして貫通電流が流れる恐れがあった。第2に、抵抗と容量の2つの外付け素子を必要とするため、回路が大型化し、コスト的にも不利であった。第3に、抵抗と容量の2つの外付け素子がばらつき要因となるため、デッドタイムの高精度な制御が困難であった。
本発明の課題は、各温度で最適なデッドタイムを得ることができる温度特性調整機能を有し、又は、回路が大型化しコスト的に不利になることが無く、又は、デッドタイムの高精度な制御が可能なデッドタイム制御回路を提供することである。
本発明の請求項1記載のデッドタイム制御回路は、遅延回路とAND回路とを具備するデッドタイム制御回路において、デッドタイムの温度特性が調整可能である。
本発明の請求項2記載のデッドタイム制御回路は、請求項1記載のデッドタイム制御回路において、前記遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を、温度特性の調整可能な基準電圧発生回路によって制御している。
本発明の請求項3記載のデッドタイム制御回路は、請求項1〜2記載のデッドタイム制御回路において、前記基準電圧発生回路の出力電圧が負の温度特性を有する。
本発明の請求項4記載のデッドタイム制御回路は、請求項1〜3記載のデッドタイム制御回路において、温度特性の調整可能な前記基準電圧発生回路の出力電圧をオペアンプ、トランジスタと抵抗によって電流変換し、その電流をカレントミラーによって伝達し、前記遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を制御している。
本発明のデッドタイム制御回路によれば、遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を、温度特性の調整可能な基準電圧発生回路によって制御しているため、各温度で最適なデッドタイムを得ることができ、デッドタイムが出力立上り立下り時間と同様に正の温度特性を持つため、高温時においても貫通電流が流れる恐れが無い。また、前記基準電圧発生回路の出力電圧をオペアンプ、トランジスタと抵抗によって電流変換し、その電流をカレントミラーによって、前記遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を制御しているため、回路が大型化しコスト的に不利になることが無く、また、デッドタイムの高精度な制御が可能であるという優れた産業上の効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照し、従来例と同一物には同一の符号を用いて説明する。
本発明の第1の実施形態であるデッドタイム制御回路は、図1に示すように、基準電圧発生回路1と、オペアンプ2、トランジスタ11と抵抗3からなる電圧−電流変換部10と、カレントミラーと、遅延回路8及びAND回路9とを具備している。
基準電圧発生回路1は、p−チャネルトランジスタで構成されたカレントミラーとn−チャネルトランジスタで構成されたカレントミラーが直列接続され、接地側の一端は直列接続された抵抗R1とダイオードD1を介して、他端はダイオードD2を介して接地されている。また、p−チャネルトランジスタを用いたカレントミラーの出力はトランジスタ14のゲートに接続され、トランジスタ14のソースは基準電圧発生回路1の出力であるノード12を経由し、直列接続された抵抗R2とダイオードD3を介して接地されている。
電圧−電流変換部10は、オペアンプ2の正入力に前記基準電圧発生回路1の出力であるノード12が接続され、オペアンプ2の出力はトランジスタ11のゲートに接続され、トランジスタ11のソースはオペアンプ2の負入力に接続されるとともに外部端子4、抵抗3を介して接地されている。また、トランジスタ11のドレインは、2段直列構成のカレントミラーの一端に接続され、カレントミラーの他端は遅延回路8の第1のインバータ6の接地側電流源として接続されている。遅延回路8とAND回路9とを具備するデッドタイム生成回路は、前述の電流源が異なる以外は、図6を用いて説明した従来のデッドタイム制御回路と同一である。
次に、本発明の実施形態であるデッドタイム制御回路の動作を説明する。基準電圧発生回路1の各トランジスタのゲート幅Wとゲート長Lの比W/Lが等しい場合、電流15、電流16と電流17は全て等しくなる。従って、抵抗R1の抵抗値をr1、抵抗R2の抵抗値をr2、ダイオードD1、D2,D3の順方向電圧をそれぞれVF1,VF2,VF3とすると、電流15〜17は(VF2−VF1)/r1で表され、抵抗値r1によって電流17を定電流に設定できる。一方、電流17の値をIrefとすると、ノード12の電圧VrefはVF3+r2×Irefで表される。
ここで、順方向電圧VF3は負の、抵抗値r2は正の温度特性を有するため、図3(a)及び図4に示すように、抵抗値r2の値を可変することで、ノード12の電圧Vrefの温度特性を可変することができ、本発明では抵抗値r2の値を一定値以下に設定し、ノード12の電圧Vrefに負の温度特性を与えている。
ノード12の電圧Vrefは、電圧−電流変換部10の抵抗3の抵抗値で定まる比率で電流値に変換され、カレントミラーを介して遅延回路8の第1のインバータに流れる電流を制御している。このため、ノード12の電圧Vrefが負の温度特性を持つ場合、第1のインバータ6に流れる電流も負の温度特性を持つことになる。一方で、第1のインバータ6に流れる電流値が減少するとその遅延時間は大きくなり、AND回路9の出力のデッドタイムも大きくなるため、図3(b)及び図4に示すように、デッドタイムは正の温度特性を持つことになる。
このように、遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を、温度特性の調整可能な基準電圧発生回路によって制御しており、または、前記基準電圧発生回路が負の温度特性を有しており、または、基準電圧発生回路の出力電圧をオペアンプ、トランジスタと抵抗によって電流変換し、その電流をカレントミラーによって伝達し、前記遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を制御している点が、本発明のデッドタイム制御回路の特徴である。
本発明のデッドタイム制御回路によれば、遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を、温度特性の調整可能な基準電圧発生回路によって制御しているため、各温度で最適なデッドタイムを得ることができ、デッドタイムが出力立上り立下り時間と同様に正の温度特性を持つため、高温時においても貫通電流が流れる恐れが無い。また、前記基準電圧発生回路の出力電圧をオペアンプ、トランジスタと抵抗によって電流変換し、その電流をカレントミラーによって、前記遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を制御しているため、容量素子が不要で1個の外付け抵抗のみでデッドタイムが設定でき回路が大型化しコスト的に不利になることが無く、また、デッドタイムの高精度な制御が可能であるという優れた産業上の効果が得られる。
本発明の第2の実施形態であるデッドタイム制御回路は、図2に示すように、基準電圧発生回路1と、オペアンプ2、トランジスタ11と抵抗3からなる電圧−電流変換部10と、カレントミラーと、遅延回路8及びAND回路9とを具備している点は、上述の第1の実施形態と同様であり、電流源のカレントミラーが遅延回路8の第2のインバータ7の接地側電流源として接続されている点が第1の実施形態と異なる。本実施形態のデッドタイム制御回路においても、第1の実施形態と同様の回路動作により同様の効果が得られる。
また、本実施形態では、電流源としてのカレントミラーを遅延回路の接地側に接続したが、カレントミラーを1段とし電源(VDD)側に接続しても良い。
尚、本発明のデッドタイム制御回路は、上記のデジタルオーディオの実施例に限定されるものではなく、例えば、インバータ照明やモータ駆動のように排他的にオンオフする信号によって駆動する回路であれば適用可能である。また、相反する伝導型のトランジスタ等、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得る。
本発明の第1の実施形態のデッドタイム制御回路を示す回路図。 本発明の第2の実施形態のデッドタイム制御回路を示す回路図。 (a)本発明の基準電圧発生回路の出力電圧の温度特性を示す図。 (b)本発明のデッドタイム制御回路の出力立上り立下りとデッドタイムの温度特性を示す図。 抵抗値r2とVref及びデッドタイムの温度特性の関係を説明する図。 従来のデジタルオーディオの負荷駆動を説明する回路ブロック図。 従来のデッドタイム制御回路を示す回路図。 デッドタイムを説明するタイミングチャート。 従来の別のデッドタイム制御回路を示す回路図。 従来の遅延回路の遅延時間の精度改善を説明する回路図。 従来のデッドタイム制御回路の出力立上り立下りとデッドタイムの温度特性を示す図。
符号の説明
1 基準電圧発生回路
2 オペアンプ
3 抵抗
4 外部端子
5 入力端子
6 第1のインバータ
7 第2のインバータ
8 遅延回路
9 AND回路
10 電圧−電流変換部
11 トランジスタ
12、13 ノード
14 トランジスタ
15、16、17 電流
18 プリドライバ
19a、19b スイッチング素子
20 負荷
32 論理
34 n−チャネルトランジスタ
36 p−チャネルトランジスタ
38 ノード
50 遅延セル
62、62' モデル的回路
64 n−チャネルトランジスタ
68、73 ノード
76、84、86 電流
D1、D2,D3 ダイオード
HI ハイサイド入力
HO ハイサイド出力
Iref 基準電流(電流17の電流値)
LI ローサイド入力
LO ローサイド出力
R1、R2 抵抗
r1、r2 抵抗値
VF1、VF2、VF3 ダイオードの順方向電圧
Vref 基準電圧(ノード12の電圧)

Claims (4)

  1. 遅延回路とAND回路とを具備するデッドタイム制御回路において、デッドタイムの温度特性が調整可能なことを特徴とするデッドタイム制御回路。
  2. 請求項1記載のデッドタイム制御回路において、前記遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を、温度特性の調整可能な基準電圧発生回路によって制御していることを特徴とするデッドタイム制御回路。
  3. 請求項1〜2記載のデッドタイム制御回路において、前記基準電圧発生回路の出力電圧が負の温度特性を有することを特徴とするデッドタイム制御回路。
  4. 請求項1〜3記載のデッドタイム制御回路において、温度特性の調整可能な前記基準電圧発生回路の出力電圧をオペアンプ、トランジスタと抵抗によって電流変換し、その電流をカレントミラーによって伝達し、前記遅延回路を構成する少なくとも1つのインバータに流れる電流を制御していることを特徴とするデッドタイム制御回路。
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