JP2001519098A - レーザ変調制御法およびその装置 - Google Patents

レーザ変調制御法およびその装置

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Abstract

(57)【要約】 半導体レーザの伝達消光比の直接制御を行うレーザ変調制御装置とその方法。比較的低い周波数でかつ小さな振幅であるパイロット・トーンは、レーザを駆動するために使用される信号上に重ね合わされる。レーザ変調電流の固定した部分にパイロット・トーンの振幅を設定することで、パイロット・トーン周波数で光データ振幅の固定した部分を変化させる伝達光学パワーを発生させる。レーザ変調電流を制御するフィードバックを使用することにより、動作温度もしくはレーザの老化による変動にかかわらず、変化の振幅は所望の値で保持され、次に、伝送光データ振幅を一定値で保持する。分離制御ループは、特定の値で平均光学パワーを保持するために使用される。光データ振幅と平均光パワーは、一定値のまま残るので、消光比も一定値になる。代替の実施形態が開示されている。

Description

【発明の詳細な説明】 レーザ変調制御法およびその装置 発明の背景 1.発明の分野 本発明は、半導体レーザ変調制御の分野に関するものである。 2.従来の技術 光データ通信に一般に使用されている半導体レーザの光学的特性は、強い温度 依存および老化による長期的劣化があるので、半導体レーザは変調制御が望まれ ている。制御は、熱電気冷却器を使用して、固定した温度にレーザを保つことに より達成できる。しかし、この解決法はコストがかかり、一般に最初のスイッチ オン時に安定するまで長時間かかる。また、老化による変動を補償できない。ま た、高周波法が、変調制御を行うために使用されてきた(F.S.Chen「S imultaneous Feedback Control of Bias and Modulation Currents for Injecti on Lasers」、Electronics Letters,Vol.1 6,pp.7−8,1980;J.J.Stisciaの米国特許第54024 33号、1995)が、これらの技術は、コストのかかる高速フォト・ダイオー ドと、回路の寄生分の慎重な制御と、高電力散逸の複雑な高周波回路とを必要と する。したがって、従来の技術(D.W.Smithの論文「Laser Le vel−Control Circuit for High−Bit−Rat e Systems Using a Slope Detector」、El ectronics Letters,Vol.14,pp.775−776, 1978;H.Trimmelの米国特.許第4385387号、1981;K .Petermann「Laser Diode Modulation an d Noise」、Kluwer Academic Publishers, pp.300−302,1991;Misaizuの米国特許第5557445 号)では、低周波パイロット・トーンをレーザ電流上に重ね合わせ、レーザ発生 し きい値に関係する非線形性を検知することにより行われてきた。レーザは、しき い値またはその周辺で光学的に0レベルで動作される。しきい値周辺で動作する のは、レーザ・ノイズの増加、スイッチをオンにしたときの遅延、およびチャー プにより望ましくない。この技術の改良(米国特許第4995045号)は、B urleyによりなされたが、その方法は光データ振幅を直接制御するものであ る。Burleyの回路は、複数動作点もしくはラッチ・アップを避けるための 追加部品を含むが、リプル振幅に対する変調電流の伝達関数は非単調のままとな る。近年、Riesにより特許を取得された方法(米国特許第5394416号 および第4924470号)は、レーザ電流上に重ね合わされた2つの低レベル ・パイロット・トーンの相互変調による結果を測定することで消光比(extincti on ratio)を直接制御する方法を提供する。Riesは、パイロット・トーン法 を含む複数の自動変調制御技術の利点について議論している(さらに詳細な議論 は、米国特許第5394416号を参照)。 本発明において、パイロット・トーンは、変調電流の一部分として挿入され、 しかも変調電流の固定した部分であるので、追加の高速回路と難しい位相整合に ついてのRiesの異議は克服された。Riesにより使用される方法は、消光 比の直接制御を提供するが、回路は本発明よりはるかに複雑になる。 発明の簡単な概要 本発明は、半導体レーザの伝達された消光比の直接制御を行うレーザ変調制御 装置およびその方法に関するものである。本発明によると、比較的低周波数およ び低振幅パイロット・トーンが、レーザを作動させるために使用される信号上に 重ね合わされる。レーザ変調電流の固定した部分にパイロット・トーンの振幅を 設定することにより、伝達された光学パワーは、パイロット・トーン周波数にお ける光データ振幅の固定した部分を変化させる。レーザ変調電流を制御するフィ ードバックを使用することにより、その変化による振幅は、所望の値に保たれ、 次に、動作温度もしくはレーザの老化による変動にかかわらず伝達された光デー タ振幅が一定値に保たれる。 ある固定した値で平均光学パワーを保持するために、分離制御ループが使用さ れる。光データ振幅と平均光学パワーは一定のままであるので、消光比も一定と なる。低周波信号処理は、高周波データ振幅を決定するために使用されるので、 送信器のビット比は、自動変調制御回路により限定されない。この方法の利点は 、パイロット・トーンと変調電流の間の相対振幅に依る技術なので、パイロット ・トーンの絶対振幅は重要ではないことである。したがって、パイロット・トー ン発振器の正確な振幅制御は必要ない。 本発明は、変調電流がレーザ発生しきい値を超えて増加するのにしたがい、光 学パワー変化の振幅が単調のままであるような方法でパイロット・トーンを適用 することによりさらに改良される。この伝達関数を単調のままに保つことにより 、複数動作点またはラッチ・アップの可能性がなくなる。 したがって、本発明の目的は、高ビット・レートでのレーザ変調制御を行う回 路と方法を提供し、 1.高速フォト・ダイオードと検知回路を必要としないこと、 2.レーザしきい値領域内ではレーザ性能が劣化するためこの領域を避けるこ と、 3.一定の光データ振幅を保持することにより消光比の直接制御を行うこと、 4.パイロット・トーンの投入のために追加の高速回路を必要としないこと、 5.回路の複雑さを最小限にとどめること、 を含む。 図面の簡単な説明 第1図は、本発明による実施形態の概略図である。 第2図は、レーザ電流とモニタ・ダイオード電流の間の関係をグラフで示した 図である。 第3図は、本発明による交流電流結合レーザ変調電流を有するレーザの代替の 実施形態の概略図である。 第4図は、第3図の交流電流結合回路用のレーザ電流とモニタ・ダイオード電 流の間の関係をグラフで示した図である。 第5図は、同期検波とモニタ・ダイオード入力における交流電流基準の投入を 含む第1図の修正(代替の実施形態)を示す図である。 第6図は、第3図と第5図の両方の改良点を組み合わせた他の代替実施形態を 示す図である。 発明の詳細な説明 まず、第1図には、本発明の実施形態の概略図が示してある。図を参照すると 分かるように、スイッチが開いており、半導体レーザはバイアス電流IBIAS に加えて、ダブル・エンド入力データ信号D+、D−の状態に依る変調電流Im odで動作する。データが論理1(トランジスタQ1をオンに保つ入力D+の高 い電圧、入力D−の低い電圧がトランジスタQ2をオフに保つように、トランジ スタQ1とQ2の共通のエミッタ接続を高くする)であるならば、Q1が導通し 変調電流Imodがレーザを通過する。データが論理0であるならば、トランジ スタQ1はオフで、かつ、トランジスタQ2はオンとなる。これにより、Imo dを電力供給VCCからレーザとトランジスタQ1を通らずに、トランジスタQ 2を通らせる。 第1図に示すように、追加電流Imod/Xは、比較的低い周波数発振器の状 態に応じて、トランジスタQ1とQ2のエミッタに供給される。レーザ電流は、 0データ・ビットの間、IBIASで構成される。1データ・ビットの間、レー ザ電流は最小値がImod+IBIASで、最大値がImod+IBIAS+I mod/Xであるエンベロープであり、平均値はImod+IBIAS+Imo d/2Xであり、前記エンベロープ変化の振幅はImod/Xである。論理0と 論理1間のレーザ電流内の最小差はImodであり、論理0と論理1の間のレー ザ電流内の平均差はImod+Imod/2X=Imod(1+1/2X)であ る。 レーザが、しきい値より上にある線形領域内だけで作動するならば、レーザに より発せられた光信号は、IBIASに依る0レベルを有し、トランジスタQ1 を通るImod/Xの低周波スイッチングによっては影響されない。論理0と論 理1入力間の光出力の差は、最小差と平均差のいずれかを考慮しようとも、Im odに比例し、トランジスタQ1を通るImod/Xの低周波スイッチングによ って、論理1入力に対する光出力の変化は、Imod/Xに比例する。もちろん 、Imod/X自体もImodに比例する。したがって、同時に、いかなる高周 波制御回路および技術も使用することなしに、レーザの光出力の所定の低周波変 化を得るImodの制御は、論理0と論理1の入力の間の光出力の所定の差を提 供する。また、レーザの平均光出力を測定し、平均測定出力を所望の出力へ駆動 するようにIBIASを制御することで、平均光出力と消光比は単純な低周波回 路により直接制御される。 第1図の回路の機能の前記概略において、電流源Imod/Xを電流源Imo dの固定した部分1/Xに維持することができることが重要であることは明らか である。しかし、これは、ミラーリングされた電流がミラーリング・トランジス タ内の電流の固定した一部であるように、エミッタ領域が異なるトランジスタを 使用した電流ミラーの使用により容易になされる。 第1図の回路の目的の概略説明に引き続き、その詳細を説明する。モニタ・フ ォト・ダイオードMDは、レーザから発せられた光信号の一部分を検知し、光電 流を発する。光電流内の高周波(データ)情報をコンデンサCmdで濾波し、残 りの電流が低周波リプルを有する直流電流であるようにする。所望の直流電流モ ニタ・ダイオード電流が、基準電流源Imdによってモニタ・ダイオード電流か ら引かれる。フィードバック抵抗Rfを有するトランスインピーダンス増幅器A 1は、残留電流(モニタ・フォト・ダイオード電流から基準電流源Imdの電流 を引いたもの)を、自動パワー制御(APC)エラー増幅器A2と低周波振幅検 知器に結合される電圧に変換する。 エラー増幅器A2は、正の利得と、直接結合ローパス出力と、低周波発振器の 周波数よりも低い周波数の補償コンデンサCapcにより設定されるカット・オ フ周波数とを有する。増幅器A1の負のフィードバックを用いて、増幅器A2の 出力は直流モニタ・フォト・ダイオード電流が所望の電流Imdと等しくなるよ うにIbiasの値を制御する。したがって、レーザにより発せられた平均光信 号は、モニタ・フォト・ダイオードへの平均照度がそれを通る電流をImdとす るレベルに保たれる。レーザ放射とモニタ電流間の関係と同じように、レーザ電 流とレーザ放射の間の関係は単調であることに注意したい。したがって、平均パ ワー制御(APC)制御ループは、容易に安定する単一の動作点を有する。 前記自動パワー制御(APC)ループが閉じているならば、増幅器A1の出力 は低周波発振器の振幅ΔImdの周波数の方形波になる。低周波振幅検知器が、 増幅器A1の出力上に低周波リプルの振幅を検知すると、これに対応して、直流 電流信号をリプルに比例する自動変調制御(AMC)エラー増幅器A3に結合す る。この目的のため、例として、低周波振幅検知器は、増幅器A1の出力のリプ ルに比例する直接結合信号を提供する整流回路でもある。 増幅器A3は、検知されたリプル振幅ΔImdを、AMCREF(直流基準電 圧)により設定される所望の値と比較する。再び、負フィードバックを使用し、 A3の出力は、リプル振幅ΔImdがAMCREFと等しくなるように変調電流 Imodを調整する。この場合の負フィードバックは、低周波振幅検知器により 検知されるリプルの振幅が位相に応答するものではないので、増幅器A1により 与えられない。その代わりに、負フィードバックは、増幅器A3により与えられ 、第1図に示す入力接続は検知されたリプルを増加させるためにImodを減少 させる。コンデンサCamcは、APCループの周波数応答より低くAMCルー プの周波数応答を設定する。このようにすることにより、もちろんAPCとAM Cループのいずれもレーザの温度と老化変動によるレーザの偏移よりずっと早く 応答するが、APCループは、常に、AMCループが光データ信号の振幅を設定 する前に、直流光学パワーを設定する。 論理1ビットである間のパイロット・トーン電流リプルの振幅は、変調電流I modの知られている固定した部分であるので、モニタ・フォト・ダイオードに より検知される光学パワーの振幅は、低周波光リプル振幅ΔImdの知られてい る特定の倍数である。低周波フォト・ダイオード電流は、以下のように与えられ る。 ただし、ΔImdはモニタ・ダイオードで検知された低周波リプルの振幅であ り、光信号の伝達された振幅に比例し、ηtotalはレーザ電流に対するモニタ・ ダイオード電流のしきい値から上の合計傾斜であり、ImdACは検知されたフ ォト・ダイオード電流の振幅であり、Xはパイロット・トーン電流に対する変調 電流の固定した部分である。フォト・ダイオードは平均光信号を検知するので、 2つの要因が含まれなければならない。論理0ビットはパイロット・トーンによ り修正されないので、平均パワーはエンベロープ振幅の1/2のところで変化す る。第2図は、前記記述の関係をグラフで示す。第2図において、レーザ電流エ ンベロープとモニタ・ダイオード電流エンベロープはエンベロープ、すなわち高 周波データ信号の上(「1」)と下(「0」)の値を表す。エンベロープ自体を 図に示すのは周波数が高すぎる。 これまでに説明したように、Imodがレーザ発生しきい値を超えて増加して も、この装置は、単調のまま変わらず、ΔImdへの変調電流の伝達関数が得ら れる。この技術はIBIASに適用され、論理1と論理0の両方におけるリプル を用いてデータ・エンベロープとする。しかし、変調電流がレーザ発生しきい値 を超えて増加すると、低周波リプル振幅は、論理0におけるリプルが完全に取り 去られるまで減少する。これにより、伝達関数に複数可能動作点を与える。 本発明が、第3図のコンデンサCacなどの交流結合変調電流を有するレーザ に適用されるならば、交流電流結合ネットワークのカットオフより上に残るよう にパイロット・トーン周波数を調整することが望ましい。しかし、この回路を用 いると、交流電流結合ネットワークが落ち込むので、光学的に0レベルのところ にリプルがわずかに現れる。これが起こったときには、複数動作点あるいはラッ チ・アップがまだ問題となる。変調電流の固定した部分Yと同等の振幅を有する 小さいパイロット・トーンImod/Yが180°位相がずれてIBIASに加 えられるならば、それ(複数動作点またはラッチアップ)をもう一度伝達関数を 単調にすることにより回避することができる。これは第2次効果なので、YはX の10%以下に設定される。この修正は第3図の概略図の中に示される。そこに 示すように、Imod/Xに加えて、電流Imod/Yの成分が生成される。こ れらの電流成分は、図に示された回路により生成されるので、お互いに同位相と なる。しかし、示された電流ミラーは、Imod/Yの位相を反転し、図に示す ように、Imodが実際に電流シンクとして動作するとき、Imod/Yを本当 の電流源に変更する(「電流源」は、通常、一般的な感覚として電流源と電流シ ンクの両方に使用される用語であるが、電流源は他の回路に電流を提供し、電流 シンクは他の回路から電流を受け取るまたは引き込むものとする)。 他の修正が、本発明の精神を変えることなくなされる。例えば、低周波振幅検 知器は、ピーク検知器または同期振幅検知回路になることもある。また、所望の モニタ・ダイオード・リプル信号ΔImdの信号代表は、増幅器A1の入力にお けるモニタ・ダイオード電流から直接引かれることもある。これは、第1図と同 様な図である第5図と、第3図と同様な図である第6図に記述された修正で示さ れる。これらの場合、同期検知が必要であり、増幅器A3の変換入力は、先に記 述された参照の代わりに接地される。したがって、以上本発明を特定の好ましい 実施形態について開示し、述べたが、その精神および範囲から逸脱することなく 、本発明に変更を加えることができることを、当業者なら理解するであろう。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成10年5月5日(1998.5.5) 【補正内容】 【図1】 【図2】【図5】 【図6】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.光信号を提供するために、レーザ駆動信号により変調された平均レーザ駆 動装置を有する半導体レーザを制御する方法であって、 レーザ駆動信号に比例するパイロット・トーンをレーザ駆動信号に重ね合わせ るステップと、 レーザの平均光出力を測定し、パイロット・トーンによって引き起こされるレ ーザの光出力の変動を測定するために、レーザからの光信号の一部分を検知する ステップと、 平均レーザ出力を与えるために、レーザの平均光出力に応答して平均レーザ駆 動装置を制御するステップと、 パイロット・トーンによって引き起こされるレーザの光出力の所定の変動を生 じさせるために、平均レーザ駆動装置の制御とは別に、パイロット・トーンによ って引き起こされるレーザの光出力の変動に応答してレーザ駆動信号を制御する ステップと 含む方法。 2.所定の平均レーザ出力を提供する平均レーザ駆動装置の制御が、パイロッ ト・トーンにより引き起こされるレーザの光出力を変動させるためのレーザ駆動 信号の制御より短い時定数で行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。 3.パイロット・トーンにより引き起こされる所定の変動を生じさせるために 、レーザ駆動信号を制御するステップが、パイロット・トーンにより引き起こさ れるレーザからの光信号の振幅を感知し、基準振幅に対する前記振幅との比較に 基づくレーザ駆動信号を制御することにより行われることを特徴とする請求項1 に記載の方法。 4.所定の平均レーザ出力を与えるレーザを制御するステップが、所定の平均 レーザ出力を与える最小レーザ駆動装置を制御するステップと含むことを特徴と する請求項1に記載の方法。 5.パイロット・トーンが、実質上レーザ駆動信号の周波数よりも低い周波数 を有すること特徴とする請求項1に記載の方法。 6.パイロット・トーンが、レーザ駆動信号の振幅の約10%以下の振幅を有す ることを特徴とする請求項5に記載の方法。 7.光信号を提供するためにレーザ駆動信号により変調される平均レーザ駆動 装置を有する半導体レーザを制御する方法であって、 レーザを介して第1制御可能電流を流すステップと、 レーザを介して第2制御可能電流を流し、第2電流が入力信号によりオンとオ フの状態の間で変調されるステップと、 レーザを介する第2電流に比例する第3電流を流し、第3電流は入力信号によ りオンとオフの状態の間で変調され、さらに、第3電流がパイロット・トーンに よりオンとオフの状態の間で変調され、パイロット・トーンは入力信号の周波数 より低い周波数を有するステップと、 パイロット・トーンにより引き起こされるレーザの平均光出力を測定し、レー ザの光出力の変化を測定するためにレーザからの光信号の部分に検出するステッ プと、 レーザからの所定の平均光信号を出力させる第1電流を制御するステップと、 パイロット・トーンにより引き起こされるレーザからの光信号に所定の変動を 与えるための第2電流を制御するステップと を含むことを特徴とする方法。 8.所定の平均光信号を出力させる第1電流の制御が、パイロット・トーンに より引き起こされるレーザからの光信号へ所定の変動を与えるための第2電流の 制御より短い時定数で動作することを特徴とする請求項7に記載の方法。 9.パイロット・トーンにより引き起こされるレーザからの光信号へ所定の変 動を与えるために、第2電流を制御するステップが、パイロット・トーンにより 引き起こされるレーザからの光信号の振幅に応答し、基準振幅に対する前記振幅 との比較に基づく第2電流を制御することによって行われることを特徴とする請 求項7に記載の方法。 10.レーザからの所定の平均光信号を出力させる第1電流を制御するステッ プが、レーザからの所定の平均光信号を提供するレーザを介して最小電流を制御 することを含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。 11.第3電流が、第2電流の振幅の約10%以下の振幅を有することを特徴 とする請求項7に記載の方法。 12.第2電流と第3電流が、半導体レーザに容量結合されることを特徴とす る請求項7に記載の方法。 13.第4電流が第3電流に比例し、第4電流が、第3電流がパイロット・ト ーンに応答して変調される半導体レーザを通るように、第3電流に関して180 °位相がずれてパイロット・トーンに応答する半導体レーザに結合されることを さらに特徴とする請求項12に記載の方法。 14.半導体レーザおよびレーザ制御システムであって、 半導体レーザと、 半導体レーザにバイアスをかける第1制御可能電流源と、 入力信号に応答して半導体レーザに選択的にスイッチング可能な第2制御可能 電流と、 第2電流源に比例し、入力信号の周波数より実質的に低い周波数のパイロット ・トーンに応答し、次に、入力信号に応答する半導体レーザに選択的にスイッチ ング可能な第3電流源と、 レーザ放射の部分を検知し、それに応答するセンサ出力を出力するセンサと、 所定の平均レーザ放射を維持するための第1電流源を制御する平均センサ出力 に応答する第1回路と、 パイロット・トーン周波数で所定のレーザ放射を維持する第2電流源をパイロ ット・トーン周波数で制御するセンサ出力の変化に応答する第2回路と を含むことを特徴とするシステム。 15.第3電流源が、第2電流源と並列で、また、入力信号に応答する半導体 レーザに選択的にスイッチング可能であることを特徴とする請求項14に記載の 半導体レーザおよびレーザ制御システム。 16.第1回路が、第2回路の時定数より短い時定数で動作することを特徴と する請求項14に記載の半導体レーザおよびレーザ制御システム。 17.第3電流源が、第2電流源の約10%以下のことを特徴とする請求項1 4に記載の半導体レーザおよびレーザ制御システム。 18.第2電流源と第3電流源が、半導体レーザに容量結合されることを特徴 とする請求項14に記載の半導体レーザおよびレーザ制御システム。 19.第4電流源が第3電流源に比例し、第4電流源が、第3電流源がパイロ ット・トーンに応答する半導体レーザにスイッチング可能であるように、第3電 流源に関して180°位相がずれてパイロット・トーンに応答する半導体レーザ にスイッチング可能であることをさらに特徴とする請求項18に記載の半導体レ ーザおよびレーザ制御システム。 20.半導体レーザ制御システムであって、 半導体レーザにバイアスをかける第1制御可能電流源と、 入力信号に応答する半導体レーザを横切って選択的にスイッチング可能な第2 制御可能電流源と、 第2電流源に比例し、入力信号の周波数より実質的に低い周波数のパイロット ・トーンに応答し、次に、入力信号に応答する半導体レーザに選択的にスイッチ ング可能な第3電流源と、 半導体レーザの放射の部分を検知し、それに対応するセンサ出力を出力するセ ンサと、 平均センサ出力を維持する第1電流源を制御する平均センサ出力に応答する第 1回路と、 パイロット・トーン周波数で所定のセンサ出力を維持する第2電流源をパイロ ット・トーン周波数で制御するセンサ出力の変化に応答する第2回路とを含むこ とを特徴とするシステム。 21.第3電流源が、第2電流源と並列で、また、入力信号に応答する半導体 レーザに選択的にスイッチング可能であることを特徴とする請求項20に記載の 半導体レーザ制御システム。 22.第1回路が、第2回路の時定数よりも短い時定数で動作することを特徴 とする請求項20に記載の半導体レーザ制御システム。 23.第3電流源が、第2電流源の約10%以下のことを特徴とする請求項2 0に記載の半導体レーザ制御システム。 24.第2電流源と第3電流源が、半導体レーザに容量結合されることを特徴 とする請求項20に記載の半導体レーザ制御システム。 25.第4電流源が第3電流源に比例し、第4電流源が、第3電流源がパイロ ット・トーンに応答する半導体レーザを横切ってスイッチング可能であるように 、第3電流源に関して180°位相がずれるパイロット・トーンに応答する半導 体レーザにスイッチング可能であることを特徴とする請求項24に記載の半導体 レーザ制御システム。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173611A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Fujitsu Access Ltd レーザダイオード駆動回路
JP2008523630A (ja) * 2004-12-10 2008-07-03 インテル コーポレイション リアルタイム一定発振率(er)レーザー駆動回路
JP2009071369A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Fuji Xerox Co Ltd 光信号伝送装置、光信号送信装置及び光信号送信装置
JP2011165866A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Fujitsu Telecom Networks Ltd レーザダイオード駆動回路およびレーザダイオード駆動方法
JP2012138643A (ja) * 2012-04-23 2012-07-19 Fujitsu Optical Components Ltd 光源駆動装置および光源駆動方法

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2856247B2 (ja) * 1996-11-12 1999-02-10 日本電気株式会社 消光比劣化を防止するapc方式
US6016326A (en) * 1997-12-15 2000-01-18 Motorola, Inc. Method for biasing semiconductor lasers
US6021144A (en) * 1999-02-24 2000-02-01 Nvision, Inc. Automatic power control circuit for a laser driver
US6414974B1 (en) 1999-09-07 2002-07-02 Analog Devices, Inc. Method and a control circuit for controlling the extinction ratio of a laser diode
US6392215B1 (en) * 1999-09-20 2002-05-21 International Business Machines Corporation Laser diode driving circuit
DE19948689A1 (de) 1999-09-30 2001-04-19 Infineon Technologies Ag Regelvorrichtung für Laserdioden
US6931214B1 (en) 2000-05-10 2005-08-16 Tellabs Operations, Inc. Method and apparatus for maintaining a pre-determined ratio of a pilot tone power and a mean optical output power of an optical signal
DE10029070A1 (de) 2000-06-13 2002-01-10 Siemens Ag Verfahren und Anordnung zur Regelung modulierter Laser
WO2002037622A2 (en) 2000-11-06 2002-05-10 Vitesse Semiconductor Corporation Method of controlling the turn off characteristics of a vcsel diode
US6539038B1 (en) * 2000-11-13 2003-03-25 Jds Uniphase Corporation Reference frequency quadrature phase-based control of drive level and DC bias of laser modulator
US20030002046A1 (en) * 2001-05-29 2003-01-02 Myers Michael H. Compound asymmetric interferometric wavelength converter
US6993459B2 (en) 2001-07-17 2006-01-31 Tellabs Operations, Inc. Extinction ratio calculation and control of a laser
US7403551B2 (en) * 2001-08-03 2008-07-22 Finisar Corporation Method and device for adjusting a laser
US7295783B2 (en) * 2001-10-09 2007-11-13 Infinera Corporation Digital optical network architecture
US6738401B2 (en) * 2001-10-11 2004-05-18 Quantum Bridge Communications, Inc. High speed switching driver
US6907055B2 (en) * 2001-11-13 2005-06-14 Analog Devices, Inc. Method and circuit for measuring the optical modulation amplitude (OMA) in the operating region of a laser diode
US6870864B2 (en) * 2002-01-28 2005-03-22 International Business Machines Corporation Optical margin testing system for automatic power control loops
WO2003077423A2 (en) 2002-03-08 2003-09-18 Quellan, Inc. High speed analog-to-digital converter using a unique gray code having minimal bit transitions
AU2003256569A1 (en) 2002-07-15 2004-02-02 Quellan, Inc. Adaptive noise filtering and equalization
US6941080B2 (en) * 2002-07-15 2005-09-06 Triquint Technology Holding Co. Method and apparatus for directly modulating a laser diode using multi-stage driver circuitry
US6760353B2 (en) * 2002-07-30 2004-07-06 Broadcom Corporation Jitter suppression techniques for laser driver circuits
US7002128B2 (en) * 2002-08-15 2006-02-21 Jds Uniphase Corporation Laser diode driving circuit with safety feature
US8971362B2 (en) * 2002-10-08 2015-03-03 Infinera Corporation Monitoring of a laser source with front and rear output photodetectors to determine frontal laser power and power changes over laser lifetime
US6990412B2 (en) * 2002-10-17 2006-01-24 Intel Corporation Techniques to manufacture optical signal transmitters
WO2004045078A2 (en) 2002-11-12 2004-05-27 Quellan, Inc. High-speed analog-to-digital conversion with improved robustness to timing uncertainty
US6928094B2 (en) * 2002-12-16 2005-08-09 Intel Corporation Laser driver circuit and system
KR100545589B1 (ko) * 2003-03-29 2006-01-24 한국전자통신연구원 레이저 다이오드의 특성 보상 장치 및 이를 구비한 광송신기
US7142574B2 (en) * 2003-05-21 2006-11-28 Intel Corporation Laser driver circuit and system
WO2005018134A2 (en) 2003-08-07 2005-02-24 Quellan, Inc. Method and system for crosstalk cancellation
US7804760B2 (en) 2003-08-07 2010-09-28 Quellan, Inc. Method and system for signal emulation
US7145928B1 (en) 2003-08-18 2006-12-05 Maxim Integrated Products, Inc. Systems and methods for using cascoded output switch in low voltage high speed laser diode and EAM drivers
US7123676B2 (en) 2003-11-17 2006-10-17 Quellan, Inc. Method and system for antenna interference cancellation
US7502568B1 (en) * 2003-12-04 2009-03-10 National Semiconductor Corporation Method of using low bandwidth sensor for measuring high frequency AC modulation amplitude
US7616700B2 (en) 2003-12-22 2009-11-10 Quellan, Inc. Method and system for slicing a communication signal
US7522883B2 (en) 2004-12-14 2009-04-21 Quellan, Inc. Method and system for reducing signal interference
US7725079B2 (en) 2004-12-14 2010-05-25 Quellan, Inc. Method and system for automatic control in an interference cancellation device
US7630422B1 (en) 2005-01-14 2009-12-08 National Semiconductor Corporation Driver for vertical-cavity surface-emitting laser and method
US20060222370A1 (en) * 2005-02-28 2006-10-05 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for optical modulation amplitude measurement
JP5078991B2 (ja) 2006-04-26 2012-11-21 ケラン エルエルシー 通信チャネルからの放射性放出を削減する方法とシステム
US8306419B2 (en) * 2009-06-11 2012-11-06 Lg-Ericsson Co., Ltd. Techniques for controlling a light source in a wavelength division multiplexed passive optical network
US8576888B2 (en) 2010-10-29 2013-11-05 Maxim Integrated Products, Inc. Dual laser-power-level control and calibration system for burst-mode and continuous-mode transmitter
CN102549946B (zh) * 2011-12-12 2014-11-05 华为技术有限公司 光时域反射仪测试信号调制电路、无源光网络系统与装置
WO2014038239A1 (ja) 2012-09-06 2014-03-13 住友電気工業株式会社 光通信モジュール、宅側装置および発光素子の制御方法
US10749605B2 (en) * 2016-07-08 2020-08-18 Hilight Semiconductor Limited Laser power controller
GB2541291B (en) * 2016-07-08 2018-06-20 Hilight Semiconductor Ltd Laser power controller
US9985414B1 (en) 2017-06-16 2018-05-29 Banner Engineering Corp. Open-loop laser power-regulation
CN107168453B (zh) * 2017-07-03 2018-07-13 电子科技大学 一种基于纹波预放大的全集成低压差线性稳压器
WO2019215798A1 (ja) * 2018-05-07 2019-11-14 三菱電機株式会社 レーザ装置、レーザ加工機およびレーザ装置の出力制御方法
US11609116B2 (en) 2020-08-27 2023-03-21 Banner Engineering Corp Open-loop photodiode gain regulation
CN117080860B (zh) * 2023-10-16 2024-01-19 成都明夷电子科技有限公司 调制电流控制电路及数据传输电路

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2841433C2 (de) * 1978-09-22 1983-08-25 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorstromregelung von Laserdioden
US4359773A (en) * 1980-07-07 1982-11-16 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Semiconductor lasers with selective driving circuit
DE3817836A1 (de) * 1988-05-26 1989-11-30 Philips Patentverwaltung Optischer sender mit einer laserdiode
US4924470A (en) * 1989-07-25 1990-05-08 Gordon Ries Laser diode control apparatus
US4995045A (en) * 1990-02-01 1991-02-19 Northern Telecom Limited Laser control circuit
US5187713A (en) * 1992-01-30 1993-02-16 Northern Telecom Limited Nonlinear device control methods and apparatus
DE4316811A1 (de) * 1993-05-19 1994-11-24 Philips Patentverwaltung Optisches Übertragungssystem mit einer Laserdiode
US5402433A (en) * 1994-01-05 1995-03-28 Alcatel Network Systems, Inc. Apparatus and method for laser bias and modulation control
JPH07240555A (ja) * 1994-02-25 1995-09-12 Fujitsu Ltd 自動バイアス電流制御型apc回路を有する光送信器
US5394416A (en) * 1994-05-11 1995-02-28 Alcatel Network Systems, Inc. Laser modulation controller using additive and amplitude modulation control tones
JP3241246B2 (ja) * 1995-11-16 2001-12-25 富士通株式会社 レーザダイオード電流制御回路

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008523630A (ja) * 2004-12-10 2008-07-03 インテル コーポレイション リアルタイム一定発振率(er)レーザー駆動回路
JP2007173611A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Fujitsu Access Ltd レーザダイオード駆動回路
JP4663512B2 (ja) * 2005-12-22 2011-04-06 富士通テレコムネットワークス株式会社 レーザダイオード駆動回路
JP2009071369A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Fuji Xerox Co Ltd 光信号伝送装置、光信号送信装置及び光信号送信装置
JP2011165866A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Fujitsu Telecom Networks Ltd レーザダイオード駆動回路およびレーザダイオード駆動方法
JP2012138643A (ja) * 2012-04-23 2012-07-19 Fujitsu Optical Components Ltd 光源駆動装置および光源駆動方法

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Publication number Publication date
CA2284259A1 (en) 1998-10-01
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