JPH0563272A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH0563272A JPH0563272A JP22076091A JP22076091A JPH0563272A JP H0563272 A JPH0563272 A JP H0563272A JP 22076091 A JP22076091 A JP 22076091A JP 22076091 A JP22076091 A JP 22076091A JP H0563272 A JPH0563272 A JP H0563272A
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- Japan
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- signal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 常に入力パルス幅と同一のパルス幅の光信号
を出力することができるようにすること、及び入力信号
のデューティ比に依存することなく、半導体レーザのピ
ーク光出力を一定に制御できるようにすること。 【構成】 入力パルス信号のパルス幅をパルス幅検出回
路１６で検出し、半導体レーザ５が出力する光信号をモ
ニタ回路１２でモニタして電気信号に変換した信号のパ
ルス幅をパルス幅検出回路１３で検出する。その各パル
ス幅検出信号（電圧）Ｖ２とＶ１をパルス幅比較回路１
４で比較し、その差に応じた信号Ｖ３によってパルス幅
制御回路１１及び定電流源１５を制御し、両パルス幅が
一致するように入力パルス信号のパルス幅及び半導体レ
ーザ５の駆動電流を制御する。
を出力することができるようにすること、及び入力信号
のデューティ比に依存することなく、半導体レーザのピ
ーク光出力を一定に制御できるようにすること。 【構成】 入力パルス信号のパルス幅をパルス幅検出回
路１６で検出し、半導体レーザ５が出力する光信号をモ
ニタ回路１２でモニタして電気信号に変換した信号のパ
ルス幅をパルス幅検出回路１３で検出する。その各パル
ス幅検出信号（電圧）Ｖ２とＶ１をパルス幅比較回路１
４で比較し、その差に応じた信号Ｖ３によってパルス幅
制御回路１１及び定電流源１５を制御し、両パルス幅が
一致するように入力パルス信号のパルス幅及び半導体レ
ーザ５の駆動電流を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザを利用
した画像形成装置，光ファイバ通信，光ディスク装置等
に利用する半導体レーザ駆動回路に関する。
した画像形成装置，光ファイバ通信，光ディスク装置等
に利用する半導体レーザ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記のような各種の産業分野において半
導体レーザが使用されるようになってきたが、その半導
体レーザを所要のパワーで発光させるための半導体レー
ザ駆動回路として、従来は図２に示すような回路が多用
されていた。
導体レーザが使用されるようになってきたが、その半導
体レーザを所要のパワーで発光させるための半導体レー
ザ駆動回路として、従来は図２に示すような回路が多用
されていた。
【０００３】この図２に示す半導体レーザ駆動回路は、
入力パルス信号のレベルを調整するためのレベルシフト
回路１と、ベースがそれぞれレベルシフト回路１の出力
端子（信号 notφ，φ）に接続されているエミッタ接合
されたトランジスタ２，３と、一端がトランジスタ２の
コレクタに接続され他端が接地された抵抗４と、カソー
ドがトランジスタ３のコレクタに接続されアノードが接
地された半導体レーザ５と、トランジスタ２，３のベー
スに共通に接続された定電流源６とから構成されてい
る。
入力パルス信号のレベルを調整するためのレベルシフト
回路１と、ベースがそれぞれレベルシフト回路１の出力
端子（信号 notφ，φ）に接続されているエミッタ接合
されたトランジスタ２，３と、一端がトランジスタ２の
コレクタに接続され他端が接地された抵抗４と、カソー
ドがトランジスタ３のコレクタに接続されアノードが接
地された半導体レーザ５と、トランジスタ２，３のベー
スに共通に接続された定電流源６とから構成されてい
る。
【０００４】そして、入力パルス信号はレベルシフト回
路１に入力し、そのレベルシフト回路１は、入力パルス
信号が“Ｈ”（ＯＮ）のときに“Ｌ”になる信号 notφ
によってトランジスタ２をＯＦＦすると共に、“Ｈ”に
なる信号φによってトランジスタ３をＯＮにし、定電流
源６により半導体レーザ５に駆動電流を流して発光さ
せ、入力パルス信号が“Ｌ”（ＯＦＦ）のときにはトラ
ンジスタ３をＯＦＦにして定電流源６による電流をトラ
ンジスタ２側に流すように切り替え、半導体レーザ５の
発光を停止させる。
路１に入力し、そのレベルシフト回路１は、入力パルス
信号が“Ｈ”（ＯＮ）のときに“Ｌ”になる信号 notφ
によってトランジスタ２をＯＦＦすると共に、“Ｈ”に
なる信号φによってトランジスタ３をＯＮにし、定電流
源６により半導体レーザ５に駆動電流を流して発光さ
せ、入力パルス信号が“Ｌ”（ＯＦＦ）のときにはトラ
ンジスタ３をＯＦＦにして定電流源６による電流をトラ
ンジスタ２側に流すように切り替え、半導体レーザ５の
発光を停止させる。
【０００５】従って、一定パルス幅の電気信号がレベル
シフト回路１に入力すると、半導体レーザ５は入力パル
ス信号のパルス幅で光信号を発生する。また、半導体レ
ーザは発振しきい値電流と電流／光量変換効率に温度依
存性があるため、一定の光出力を得るための駆動電流も
温度により変化する。このような半導体レーザの特性に
対処するために、通常はＡＰＣ回路（Ａutomatic Ｐowe
r Ｃontrol circuit：自動光出力制御回路）を用いて、
半導体レーザの光出力を一定値に保つことが行なわれ
る。また、ＡＰＣ回路を構成するために、通常、半導体
レーザの内部に光出力モニタ用のＰＩＮホトダイオード
を内蔵している。
シフト回路１に入力すると、半導体レーザ５は入力パル
ス信号のパルス幅で光信号を発生する。また、半導体レ
ーザは発振しきい値電流と電流／光量変換効率に温度依
存性があるため、一定の光出力を得るための駆動電流も
温度により変化する。このような半導体レーザの特性に
対処するために、通常はＡＰＣ回路（Ａutomatic Ｐowe
r Ｃontrol circuit：自動光出力制御回路）を用いて、
半導体レーザの光出力を一定値に保つことが行なわれ
る。また、ＡＰＣ回路を構成するために、通常、半導体
レーザの内部に光出力モニタ用のＰＩＮホトダイオード
を内蔵している。
【０００６】さて、半導体レーザを何らかの信号でＯＮ
／ＯＦＦしてパルス駆動させる場合、常にＡＰＣをかけ
るためには工夫が必要になる。従来このような半導体レ
ーザをパルス動作させる場合、次の２種類によるＡＰＣ
回路の構成が考えられている。第１に、光出力のモニタ
をピークホールドしてＡＰＣをかける方式。第２に、光
出力のモニタを平均化してＡＰＣをかける方式である。
／ＯＦＦしてパルス駆動させる場合、常にＡＰＣをかけ
るためには工夫が必要になる。従来このような半導体レ
ーザをパルス動作させる場合、次の２種類によるＡＰＣ
回路の構成が考えられている。第１に、光出力のモニタ
をピークホールドしてＡＰＣをかける方式。第２に、光
出力のモニタを平均化してＡＰＣをかける方式である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示した従来の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ固
有の発光時間遅れのばらつきや、半導体レーザ等の回路
部品の特性で経時的に劣化すると、半導体レーザが出力
する光信号のパルス占有率が変動するという問題点があ
る。また、上記第１の方式でＡＰＣをかける場合、変調
する周波数が高い場合、光出力モニタの応答が追いつか
なくなるため、正確なピークホールドをすることが出来
ず、半導体レーザのピーク光出力のＡＰＣ動作が得られ
なくなるという欠点を有している。
示した従来の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ固
有の発光時間遅れのばらつきや、半導体レーザ等の回路
部品の特性で経時的に劣化すると、半導体レーザが出力
する光信号のパルス占有率が変動するという問題点があ
る。また、上記第１の方式でＡＰＣをかける場合、変調
する周波数が高い場合、光出力モニタの応答が追いつか
なくなるため、正確なピークホールドをすることが出来
ず、半導体レーザのピーク光出力のＡＰＣ動作が得られ
なくなるという欠点を有している。
【０００８】さらに、第２の方式でＡＰＣをかける場
合、光出力のモニタを平均化してＡＰＣをかけるため、
例えば変調信号のデューティ比が５０％ならば、平均光
出力を１ｍＷになるようにすればピーク光出力は２ｍＷ
に制御される。したがって、第１の方式のようにモニタ
の応答速度の問題はない。しかし、変調信号のデューテ
ィ比が一定でない場合には、ピーク光出力の正確なＡＰ
Ｃ動作は得られないという欠点を有している。
合、光出力のモニタを平均化してＡＰＣをかけるため、
例えば変調信号のデューティ比が５０％ならば、平均光
出力を１ｍＷになるようにすればピーク光出力は２ｍＷ
に制御される。したがって、第１の方式のようにモニタ
の応答速度の問題はない。しかし、変調信号のデューテ
ィ比が一定でない場合には、ピーク光出力の正確なＡＰ
Ｃ動作は得られないという欠点を有している。
【０００９】この発明はこれらの問題点に鑑みてなされ
たものであり、常に入力パルス幅と同一のパルス幅の光
信号を出力することができる半導体レーザ駆動回路を提
供することを目的とする。また、半導体レーザに対する
入力信号のデューティ比に依存することなく、半導体レ
ーザのピーク光出力を一定に制御できるようにすること
も目的とする。
たものであり、常に入力パルス幅と同一のパルス幅の光
信号を出力することができる半導体レーザ駆動回路を提
供することを目的とする。また、半導体レーザに対する
入力信号のデューティ比に依存することなく、半導体レ
ーザのピーク光出力を一定に制御できるようにすること
も目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するため、入力パルス信号により半導体レーザをパ
ルス駆動する半導体レーザ駆動回路において、入力パル
ス信号のパルス幅を検出する第１のパルス幅検出回路
と、半導体レーザが出力する光信号をモニタして電気信
号に変換するモニタ回路と、該回路からの電気信号のパ
ルス幅を検出する第２のパルス幅検出回路と、第１のパ
ルス幅検出回路と第２のパルス幅検出回路によりそれぞ
れ検出されるパルス幅を比較し、両パルス幅が一致する
ように入力パルス信号のパルス幅を制御する回路とを設
けたものである。
達成するため、入力パルス信号により半導体レーザをパ
ルス駆動する半導体レーザ駆動回路において、入力パル
ス信号のパルス幅を検出する第１のパルス幅検出回路
と、半導体レーザが出力する光信号をモニタして電気信
号に変換するモニタ回路と、該回路からの電気信号のパ
ルス幅を検出する第２のパルス幅検出回路と、第１のパ
ルス幅検出回路と第２のパルス幅検出回路によりそれぞ
れ検出されるパルス幅を比較し、両パルス幅が一致する
ように入力パルス信号のパルス幅を制御する回路とを設
けたものである。
【００１１】また、上記半導体レーザ駆動回路におい
て、上記第１のパルス幅検出回路と第２のパルス幅検出
回路によりそれぞれ検出されるパルス幅を比較し、両パ
ルス幅が一致するように半導体レーザの駆動電流を制御
する回路も設けるとよい。
て、上記第１のパルス幅検出回路と第２のパルス幅検出
回路によりそれぞれ検出されるパルス幅を比較し、両パ
ルス幅が一致するように半導体レーザの駆動電流を制御
する回路も設けるとよい。
【００１２】
【作用】この発明にる半導体レーザ駆動回路は、入力信
号のパルス幅を検出する共に半導体レーザが出力する光
信号をモニタして電気信号に変換した信号のパルス幅も
検出し、両パルス幅を比較してそれが一致するように半
導体レーザに対する入力パルス信号のパルス幅を制御す
る。これによって、半導体レーザ固有の発光時間遅れの
ばらつきや、半導体レーザ等の回路部品の特性が経時的
に劣化しても、常に入力するパルス信号のパルス幅と同
一のパルス幅の光信号を半導体レーザが出力することが
できる。さらに、上記両パルス信号のパルス幅が一致す
るように半導体レーザの駆動電流を制御すれば、入力す
るパルス信号のデューティ比に依存することなく、半導
体レーザのピーク光出力を一定にすることができる。
号のパルス幅を検出する共に半導体レーザが出力する光
信号をモニタして電気信号に変換した信号のパルス幅も
検出し、両パルス幅を比較してそれが一致するように半
導体レーザに対する入力パルス信号のパルス幅を制御す
る。これによって、半導体レーザ固有の発光時間遅れの
ばらつきや、半導体レーザ等の回路部品の特性が経時的
に劣化しても、常に入力するパルス信号のパルス幅と同
一のパルス幅の光信号を半導体レーザが出力することが
できる。さらに、上記両パルス信号のパルス幅が一致す
るように半導体レーザの駆動電流を制御すれば、入力す
るパルス信号のデューティ比に依存することなく、半導
体レーザのピーク光出力を一定にすることができる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して具
体的に説明する。図１は、この発明の一実施例を示す半
導体レーザ駆動回路のブロック回路図であり、図２と対
応する部分には同一符号を付してある。
体的に説明する。図１は、この発明の一実施例を示す半
導体レーザ駆動回路のブロック回路図であり、図２と対
応する部分には同一符号を付してある。
【００１４】この半導体レーザ駆動回路においては、後
述するパルス幅比較器１４の出力信号により入力パルス
信号を遅延させるなどしてパルス幅を制御するためのパ
ルス幅制御回路１１を設け、そのパルス幅制御回路から
出力されるパルス信号をレベルシフト回路１へ入力させ
てレベルを調整し、その信号が“Ｈ”のときに“Ｈ”と
なる信号φと“Ｌ”になる信号 notφとを出力させるよ
うにしている。このレベルシフト回路１の出力信号φ，
notφ によってオン・オフ制御される電流スイッチング
用トランジスタ２，３と抵抗４及び半導体レーザ５は、
図２に示した従来例と同様に定電流源１５とアース間に
接続されている。但し定電流源１５は制御端子付きであ
る。
述するパルス幅比較器１４の出力信号により入力パルス
信号を遅延させるなどしてパルス幅を制御するためのパ
ルス幅制御回路１１を設け、そのパルス幅制御回路から
出力されるパルス信号をレベルシフト回路１へ入力させ
てレベルを調整し、その信号が“Ｈ”のときに“Ｈ”と
なる信号φと“Ｌ”になる信号 notφとを出力させるよ
うにしている。このレベルシフト回路１の出力信号φ，
notφ によってオン・オフ制御される電流スイッチング
用トランジスタ２，３と抵抗４及び半導体レーザ５は、
図２に示した従来例と同様に定電流源１５とアース間に
接続されている。但し定電流源１５は制御端子付きであ
る。
【００１５】さらに、この半導体レーザ駆動回路には、
半導体レーザ５が発生する光信号をモニタして、光信号
に応じた電気信号を発生するモニタ用フォトダイオード
１２ａを備えたモニタ回路である光／電気信号変換回路
１２と、その出力信号を電流／電圧変換してそのパルス
幅に応じた電圧Ｖ１を発生するパルス幅検出回路１３
（第２のパルス幅検出回路）と、入力パルス信号のパル
ス幅に応じた電圧Ｖ２を発生するパルス幅検出回路１６
（第１のパルス幅検出回路）と、パルス幅検出回路１３
からの電圧Ｖ１とパルス幅検出回路１６からの電圧Ｖ２
とを比較し、その差に応じた電圧Ｖ３をパルス幅制御回
路１１と定電流源１５に出力するパルス幅比較器１４と
を設けている。
半導体レーザ５が発生する光信号をモニタして、光信号
に応じた電気信号を発生するモニタ用フォトダイオード
１２ａを備えたモニタ回路である光／電気信号変換回路
１２と、その出力信号を電流／電圧変換してそのパルス
幅に応じた電圧Ｖ１を発生するパルス幅検出回路１３
（第２のパルス幅検出回路）と、入力パルス信号のパル
ス幅に応じた電圧Ｖ２を発生するパルス幅検出回路１６
（第１のパルス幅検出回路）と、パルス幅検出回路１３
からの電圧Ｖ１とパルス幅検出回路１６からの電圧Ｖ２
とを比較し、その差に応じた電圧Ｖ３をパルス幅制御回
路１１と定電流源１５に出力するパルス幅比較器１４と
を設けている。
【００１６】次に、上記のように構成されたこの実施例
の動作を説明する。図１において、入力パルス信号はパ
ルス幅制御回路１１を介してレベルシフト回路１に入力
してレベルシフトされ、レベルシフト回路１は図１に示
した従来例と同様に、入力パルス信号が“Ｈ”（ＯＮ）
のときにトランジスタ３をＯＮにして定電流源１５によ
り半導体レーザ５に駆動電流を流して発光させ、入力パ
ルス信号が“Ｌ”（ＯＦＦ）のときにはトランジスタ３
をＯＦＦにして定電流源１５による電流をトランジスタ
２側に流すように切り替え、半導体レーザ５の発光を停
止させる。
の動作を説明する。図１において、入力パルス信号はパ
ルス幅制御回路１１を介してレベルシフト回路１に入力
してレベルシフトされ、レベルシフト回路１は図１に示
した従来例と同様に、入力パルス信号が“Ｈ”（ＯＮ）
のときにトランジスタ３をＯＮにして定電流源１５によ
り半導体レーザ５に駆動電流を流して発光させ、入力パ
ルス信号が“Ｌ”（ＯＦＦ）のときにはトランジスタ３
をＯＦＦにして定電流源１５による電流をトランジスタ
２側に流すように切り替え、半導体レーザ５の発光を停
止させる。
【００１７】この半導体レーザ５が発光した時に出力す
る光信号は、光／電気信号変換回路１２によってモニタ
されて、パルス幅検出回路１３により光信号のパルス幅
に応じた電圧Ｖ１に変換される。一方、パルス幅検出回
路１６は入力信号のパルス幅に応じた電圧Ｖ２を出力す
る。そして、これらの電圧Ｖ１とＶ２はパルス幅比較器
１４によって比較され、その差に応じた電圧Ｖ３がパル
ス幅制御回路１１と定電流源１５に出力される。
る光信号は、光／電気信号変換回路１２によってモニタ
されて、パルス幅検出回路１３により光信号のパルス幅
に応じた電圧Ｖ１に変換される。一方、パルス幅検出回
路１６は入力信号のパルス幅に応じた電圧Ｖ２を出力す
る。そして、これらの電圧Ｖ１とＶ２はパルス幅比較器
１４によって比較され、その差に応じた電圧Ｖ３がパル
ス幅制御回路１１と定電流源１５に出力される。
【００１８】パルス幅制御回路１１は、パルス幅比較器
１４の出力レベルが「０」になるように入力パルス信号
のパルス幅を制御してレベルシフト回路１に出力する。
それによって、半導体レーザ５の固有の発光時間遅れの
ばらつきが発生したり、半導体レーザ５等の回路部品の
特性が経時的に劣化しても、半導体レーザ５が出力する
光信号のパルス占有率を一定にすることができる。
１４の出力レベルが「０」になるように入力パルス信号
のパルス幅を制御してレベルシフト回路１に出力する。
それによって、半導体レーザ５の固有の発光時間遅れの
ばらつきが発生したり、半導体レーザ５等の回路部品の
特性が経時的に劣化しても、半導体レーザ５が出力する
光信号のパルス占有率を一定にすることができる。
【００１９】また、半導体レーザ５がパルス駆動される
ため、光／電気信号変換回路１２によってモニタされる
光出力のモニタ信号も変動するため、それをパルス幅検
出回路１３で平滑化し、その信号をレベル変換して電圧
Ｖ１を出力する。パルス幅検出回路１６も入力パルス信
号を平滑化し、その信号をレベル変換して電圧Ｖ１を出
力する。ここで、平滑化された信号のレベルは、モニタ
信号又は入力パルス信号のデューティ比に比例するた
め、そのデューティ比が小さいときは出力電圧Ｖ１，Ｖ
２は小さく、デューティ比が大きいときは出力電圧Ｖ
１，Ｖ２が大きくなる。
ため、光／電気信号変換回路１２によってモニタされる
光出力のモニタ信号も変動するため、それをパルス幅検
出回路１３で平滑化し、その信号をレベル変換して電圧
Ｖ１を出力する。パルス幅検出回路１６も入力パルス信
号を平滑化し、その信号をレベル変換して電圧Ｖ１を出
力する。ここで、平滑化された信号のレベルは、モニタ
信号又は入力パルス信号のデューティ比に比例するた
め、そのデューティ比が小さいときは出力電圧Ｖ１，Ｖ
２は小さく、デューティ比が大きいときは出力電圧Ｖ
１，Ｖ２が大きくなる。
【００２０】パルス幅比較器１４は、電圧Ｖ１とＶ２と
差に応じた電圧Ｖ３によって定電流源１５も制御し、半
導体レーザ５の駆動電流を制御する。この制御回路は閉
ループを形成しており、電圧Ｖ２に電圧Ｖ１が一致する
ように、すなわち入力パルス信号とモニタ信号のパルス
幅（デューティ比）が一致するように、半導体レーザ５
の光出力が制御される。
差に応じた電圧Ｖ３によって定電流源１５も制御し、半
導体レーザ５の駆動電流を制御する。この制御回路は閉
ループを形成しており、電圧Ｖ２に電圧Ｖ１が一致する
ように、すなわち入力パルス信号とモニタ信号のパルス
幅（デューティ比）が一致するように、半導体レーザ５
の光出力が制御される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明してきたように、この発明によ
れば半導体レーザ固有の発光時間遅れのばらつきや、半
導体レーザ等の回路部品の特性が経時的に劣化しても、
常に安定した一定のパルス幅の光信号を出力することが
できる。また、入力パルス信号のデューティ比に依存す
ることなく、常に一定のピーク光出力を保つこともでき
る。
れば半導体レーザ固有の発光時間遅れのばらつきや、半
導体レーザ等の回路部品の特性が経時的に劣化しても、
常に安定した一定のパルス幅の光信号を出力することが
できる。また、入力パルス信号のデューティ比に依存す
ることなく、常に一定のピーク光出力を保つこともでき
る。
【図１】この発明の一実施例を示す半導体レーザ駆動回
路のブロック回路図である。
路のブロック回路図である。
【図２】従来の半導体レーザ駆動回路の例を示す回路図
である。
である。
１ レベルシフト回路 ２，３ 電流スイッチ
ング用トランジスタ ４ 抵抗 ５ 半導体レーザ １１ パルス幅制御回路 １２ 光／電気信号変
換回路（モニタ回路） １２ａ モニタ用フォトダイオード １３，１６ パルス幅検出回路 １４ パルス幅比較器 １５ 定電流源
ング用トランジスタ ４ 抵抗 ５ 半導体レーザ １１ パルス幅制御回路 １２ 光／電気信号変
換回路（モニタ回路） １２ａ モニタ用フォトダイオード １３，１６ パルス幅検出回路 １４ パルス幅比較器 １５ 定電流源
Claims (2)
- 【請求項１】 入力パルス信号により半導体レーザをパ
ルス駆動する半導体レーザ駆動回路において、 前記入力パルス信号のパルス幅を検出する第１のパルス
幅検出回路と、前記半導体レーザが出力する光信号をモ
ニタして電気信号に変換するモニタ回路と、該回路から
の電気信号のパルス幅を検出する第２のパルス幅検出回
路と、前記第１のパルス幅検出回路と第２のパルス幅検
出回路によりそれぞれ検出されるパルス幅を比較し、両
パルス幅が一致するように前記入力パルス信号のパルス
幅を制御する回路とを設けたことを特徴とする半導体レ
ーザ駆動回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ駆動回路に
おいて、前記第１のパルス幅検出回路と第２のパルス幅
検出回路によりそれぞれ検出されるパルス幅を比較し、
両パルス幅が一致するように前記半導体レーザの駆動電
流を制御する回路を設けたことを特徴とする半導体レー
ザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22076091A JPH0563272A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22076091A JPH0563272A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563272A true JPH0563272A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16756119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22076091A Pending JPH0563272A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563272A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033038A1 (fr) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetecteur |
-
1991
- 1991-08-31 JP JP22076091A patent/JPH0563272A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455837B2 (en) | 1998-02-12 | 2002-09-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector apparatus |
| WO2000033038A1 (fr) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetecteur |
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