JP3264669B2 - レーザ制御法とその装置 - Google Patents
レーザ制御法とその装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 発明の分野 本発明はレーザ制御の方法と装置に関する。さらに詳
細にいえば、本発明はレーザ・ダイオードを制御する方
法と装置に関する。
細にいえば、本発明はレーザ・ダイオードを制御する方
法と装置に関する。
関連する技術の説明 GaAs半導体ダイオード・レーザからの誘導放射が1960
年代の初期に始めて観測された。それから何年か経過し
た後、半導体ダイオード・レーザ（「レーザ・ダイオー
ド」）は、その技術的な重要性の点で、レーザの分野で
支配的になってきた。レーザ・ダイオードは、その応用
する分野がますます増えてきているが、特に光ファイバ
通信および光データ記憶装置において、中心的な要素に
なってきている。この「成功」は、集積回路と両立し得
る電圧レベルおよび電流レベルで半導体レーザに電流を
流すことにより、半導体レーザに対し容易にポンプ作用
を行うことができるという事実によるものである。それ
は、このポンプ作用により、20GHz以上の周波数で半導
体レーザを直接に変調できるからである。レーザ・ダイ
オードはまた、容易に製造することができる。それは、
レーザ・ダイオードは電子回路と同じ光リソグラフィ技
術により大量生産することができるからであり、そし
て、レーザ・ダイオードはこれらの回路と一緒に１つの
チップの上に集積することができるからである。
年代の初期に始めて観測された。それから何年か経過し
た後、半導体ダイオード・レーザ（「レーザ・ダイオー
ド」）は、その技術的な重要性の点で、レーザの分野で
支配的になってきた。レーザ・ダイオードは、その応用
する分野がますます増えてきているが、特に光ファイバ
通信および光データ記憶装置において、中心的な要素に
なってきている。この「成功」は、集積回路と両立し得
る電圧レベルおよび電流レベルで半導体レーザに電流を
流すことにより、半導体レーザに対し容易にポンプ作用
を行うことができるという事実によるものである。それ
は、このポンプ作用により、20GHz以上の周波数で半導
体レーザを直接に変調できるからである。レーザ・ダイ
オードはまた、容易に製造することができる。それは、
レーザ・ダイオードは電子回路と同じ光リソグラフィ技
術により大量生産することができるからであり、そし
て、レーザ・ダイオードはこれらの回路と一緒に１つの
チップの上に集積することができるからである。
けれども、レーザ・ダイオードに欠点がないわけでは
ない。例えば、レーザ・ダイオードは、典型的には、動
作温度の変動に対し強い非線形性を示す。したがって、
動作温度が変動している間、レーザ・ダイオードの光出
力強度を制御することは困難である。レーザ・ダイオー
ドはまた、放射される光出力が時間と共にかなり変動す
ることが知られている、すなわち、レーザ・ダイオード
には経年変化があることが知られている。
ない。例えば、レーザ・ダイオードは、典型的には、動
作温度の変動に対し強い非線形性を示す。したがって、
動作温度が変動している間、レーザ・ダイオードの光出
力強度を制御することは困難である。レーザ・ダイオー
ドはまた、放射される光出力が時間と共にかなり変動す
ることが知られている、すなわち、レーザ・ダイオード
には経年変化があることが知られている。
これらの変動の大きさを緩和するために、光出力の強
度を制御することが必要である。連続動作状態にあるレ
ーザ・ダイオードにより放射される光出力を制御する方
法は、既に知られている。これらの方法では、光出力を
表す電気信号が、基準出力に対応する電気基準信号と比
較される。これらの方法は、もし適切であるならば、エ
ラー信号を発生する装置を有し、そして、このようなエ
ラー信号の発生に応答してレーザ・ダイオードの動作状
態を自動的に変更する装置を有する。
度を制御することが必要である。連続動作状態にあるレ
ーザ・ダイオードにより放射される光出力を制御する方
法は、既に知られている。これらの方法では、光出力を
表す電気信号が、基準出力に対応する電気基準信号と比
較される。これらの方法は、もし適切であるならば、エ
ラー信号を発生する装置を有し、そして、このようなエ
ラー信号の発生に応答してレーザ・ダイオードの動作状
態を自動的に変更する装置を有する。
先行技術による自動出力制御装置は、典型的には、レ
ーザ・ダイオードの閾値電流レベルに近似的に設定され
たバイアス電流を供給する。この方式で、パルス電流が
バイアス電流に付加される時、レーザ・ダイオードは、
パルス電流の波形に対応して、高出力光強度と低出力光
強度との間で実効的に切り替えられる。供給されるバイ
アス電流は制御可能に変更され、それにより、バイアス
電流がレーザ・ダイオードの閾値電流レベルの近くにあ
るようにされる。特に、レーザ・ダイオードの動作温度
の変動により閾値電流レベルが変動する時にも、バイア
ス電流がレーザ・ダイオードの閾値電流レベルの近くに
あるように制御される。
ーザ・ダイオードの閾値電流レベルに近似的に設定され
たバイアス電流を供給する。この方式で、パルス電流が
バイアス電流に付加される時、レーザ・ダイオードは、
パルス電流の波形に対応して、高出力光強度と低出力光
強度との間で実効的に切り替えられる。供給されるバイ
アス電流は制御可能に変更され、それにより、バイアス
電流がレーザ・ダイオードの閾値電流レベルの近くにあ
るようにされる。特に、レーザ・ダイオードの動作温度
の変動により閾値電流レベルが変動する時にも、バイア
ス電流がレーザ・ダイオードの閾値電流レベルの近くに
あるように制御される。
前記説明の理解の明確と便宜のために、典型的なディ
ジタル・ファイバ光通信装置、および、このような装置
に用いられるレーザ・ダイオードと特有の制御装置の役
割について説明する。
ジタル・ファイバ光通信装置、および、このような装置
に用いられるレーザ・ダイオードと特有の制御装置の役
割について説明する。
典型的なディジタル・ファイバ光通信装置は、第１端
部に送信器を有し、第２端部に受信器を有する。送信器
と受信器との間には、光ファイバ接触器と、接続装置
と、光ファイバとが取り付けられる。送信器は増信器
と、レーザ・ダイオードと、レーザ・ダイオードを同じ
動作点に保持する役割を果たす一定の制御装置または制
御回路とを有する電気・光インタフェースである。受信
器はフォトダイオードと、増幅器と、クロック回復回路
とを有する電気・光インタフェースである。。このフォ
トダイオードは一般に、正形・真性形・負形（「PI
N」）のフォトダイオード、または、アバランシェ形の
フォトダイオード（「APD」）のいずれかであることが
できる。
部に送信器を有し、第２端部に受信器を有する。送信器
と受信器との間には、光ファイバ接触器と、接続装置
と、光ファイバとが取り付けられる。送信器は増信器
と、レーザ・ダイオードと、レーザ・ダイオードを同じ
動作点に保持する役割を果たす一定の制御装置または制
御回路とを有する電気・光インタフェースである。受信
器はフォトダイオードと、増幅器と、クロック回復回路
とを有する電気・光インタフェースである。。このフォ
トダイオードは一般に、正形・真性形・負形（「PI
N」）のフォトダイオード、または、アバランシェ形の
フォトダイオード（「APD」）のいずれかであることが
できる。
ディジタル光ファイバ装置では、できるだけ良好な出
力マージンを有することが重要である。出力マージンと
は、最大光出力限界と最小光出力限界との差である。こ
れらの最大光出力限界および最小光出力限界は、典型的
には、受信器により設定される。最大光出力限界は、過
負荷により生ずる増幅器の歪みにより決定される。最小
光出力限界は、通常感度と呼ばれているが、最前段の増
幅器の雑音により主として決定される。
力マージンを有することが重要である。出力マージンと
は、最大光出力限界と最小光出力限界との差である。こ
れらの最大光出力限界および最小光出力限界は、典型的
には、受信器により設定される。最大光出力限界は、過
負荷により生ずる増幅器の歪みにより決定される。最小
光出力限界は、通常感度と呼ばれているが、最前段の増
幅器の雑音により主として決定される。
最大光出力限界は、接触器と接続装置とファイバの中
で光信号の減衰がなければ、送信器から得られる最大出
力を与える。最小光出力限界は、光信号が多数個の接触
器と多数個の接続装置と長さが数キロメートルの光ファ
イバとを通った後、送信器からの光信号が減衰を受け
て、どの位の光出力がなお残っているかを示す。最大限
界および最小限界は、光出力計画を定める。光信号路の
中のすべての部品は、光出力に対し一定の減衰あるいは
損失を生ずることを考えれば、光の経路に沿って計画さ
れた光出力が消滅しないで進むことができるように、限
定された数の接触器と、または、限定された数の接続装
置、または、限定された長さの光ファイバしか光の経路
の中に備えることができない。この光出力計画はまた、
送信器端と受信器端との両方における許容度により縮小
する場合がある。送信器端の許容度は、光出力の制御の
精度により決定される。前記のすべての関係および損失
は、dBmで表される。ここで、第１接続装置の損失、す
なわち、減衰は、10×log（Pin/Pout）dBmで定められ
る。
で光信号の減衰がなければ、送信器から得られる最大出
力を与える。最小光出力限界は、光信号が多数個の接触
器と多数個の接続装置と長さが数キロメートルの光ファ
イバとを通った後、送信器からの光信号が減衰を受け
て、どの位の光出力がなお残っているかを示す。最大限
界および最小限界は、光出力計画を定める。光信号路の
中のすべての部品は、光出力に対し一定の減衰あるいは
損失を生ずることを考えれば、光の経路に沿って計画さ
れた光出力が消滅しないで進むことができるように、限
定された数の接触器と、または、限定された数の接続装
置、または、限定された長さの光ファイバしか光の経路
の中に備えることができない。この光出力計画はまた、
送信器端と受信器端との両方における許容度により縮小
する場合がある。送信器端の許容度は、光出力の制御の
精度により決定される。前記のすべての関係および損失
は、dBmで表される。ここで、第１接続装置の損失、す
なわち、減衰は、10×log（Pin/Pout）dBmで定められ
る。
前記で説明したように、レーザ・ダイオードは非線形
素子であり、そして、その特性は動作温度と経年効果に
強く依存する。正しく動作する場合には、ダイオードの
膝部を越えて動作することが必要である。もし膝部以下
で動作するならば、ダイオードは、ターン・オンの時の
遅延動作、および、減衰する時のリンギング動作を始め
るであろう。これらの動作は、ある程度は許容される
が、しかし、許容されるのはその大きさが小さい時に限
られる。最大光出力と最小光出力との比は消光比と呼ば
れている。消光比はできるだけ大きくなければならない
が、しかし、最大平均出力と最大ターン・オン遅延とに
より限定される。理想値と現実値との間の不整合はすべ
て出力計画を縮小させる欠点となることを考えれば、温
度と経年遅延とをできるだけ補償するように、動作点を
制御により調整しなければならない。
素子であり、そして、その特性は動作温度と経年効果に
強く依存する。正しく動作する場合には、ダイオードの
膝部を越えて動作することが必要である。もし膝部以下
で動作するならば、ダイオードは、ターン・オンの時の
遅延動作、および、減衰する時のリンギング動作を始め
るであろう。これらの動作は、ある程度は許容される
が、しかし、許容されるのはその大きさが小さい時に限
られる。最大光出力と最小光出力との比は消光比と呼ば
れている。消光比はできるだけ大きくなければならない
が、しかし、最大平均出力と最大ターン・オン遅延とに
より限定される。理想値と現実値との間の不整合はすべ
て出力計画を縮小させる欠点となることを考えれば、温
度と経年遅延とをできるだけ補償するように、動作点を
制御により調整しなければならない。
レーザを制御する最も普通の１つの方法は、制御され
たペルチエ素子を用いて、レーザ・ダイオードを一定の
温度で動作させることである。このような制御装置は、
２つの制御ループを有する。１つはペルチエ素子に対す
る制御ループであり、もう１つは平均出力制御に対する
制御ループである。出力制御装置は、モニタPINダイオ
ードで平均光出力を検出し、そして、バイアス電流を調
整して、経年効果で増大したIth、すなわち、閾値電
流、を補償する。このような場合、スコープ効率の変化
は非常に小さい。この種類の制御は良好に動作するが、
実行するにはコストが高く、大きな電力消費（すなわ
ち、温度制御の場合には数ワット）が必要であり、冷却
が必要であり、また、大きなスペースが必要である。さ
らに、ペルチエ素子はレーザ・ダイオード程の信頼性を
有していない。
たペルチエ素子を用いて、レーザ・ダイオードを一定の
温度で動作させることである。このような制御装置は、
２つの制御ループを有する。１つはペルチエ素子に対す
る制御ループであり、もう１つは平均出力制御に対する
制御ループである。出力制御装置は、モニタPINダイオ
ードで平均光出力を検出し、そして、バイアス電流を調
整して、経年効果で増大したIth、すなわち、閾値電
流、を補償する。このような場合、スコープ効率の変化
は非常に小さい。この種類の制御は良好に動作するが、
実行するにはコストが高く、大きな電力消費（すなわ
ち、温度制御の場合には数ワット）が必要であり、冷却
が必要であり、また、大きなスペースが必要である。さ
らに、ペルチエ素子はレーザ・ダイオード程の信頼性を
有していない。
前記で説明したように、温度制御をせずにレーザを制
御する方法は、他に多数ある。このような他の方法の１
つは、平均出力制御のみを行うことである。この方法
は、一定の変調電流と、バイアス電流の単純な制御とを
有する。この方法では、PIN受信器に対しては５−6dBm
の損失があり、そして、APD受信器に対しそれ以上の損
失がある。
御する方法は、他に多数ある。このような他の方法の１
つは、平均出力制御のみを行うことである。この方法
は、一定の変調電流と、バイアス電流の単純な制御とを
有する。この方法では、PIN受信器に対しては５−6dBm
の損失があり、そして、APD受信器に対しそれ以上の損
失がある。
やや複雑な別の方法は、変調電流に対し簡単なフィー
ド・フォワード制御装置を備えた平均出力制御装置を有
する方法である。温度を検出しレーザ・ダイオードの変
調電流を予測することにより、スロープ効率の変動に対
する補償を行うことができる。この方法は非常に簡単で
あるが、検出素子とレーザの特性との間の整合を必要と
し、そして、経年効果は補償しない。この方法での損失
は、数dBmである。
ド・フォワード制御装置を備えた平均出力制御装置を有
する方法である。温度を検出しレーザ・ダイオードの変
調電流を予測することにより、スロープ効率の変動に対
する補償を行うことができる。この方法は非常に簡単で
あるが、検出素子とレーザの特性との間の整合を必要と
し、そして、経年効果は補償しない。この方法での損失
は、数dBmである。
第３の方法は、前記のように平均出力を制御し、そし
てまた、一定の形式の低周波数で変調された光出力によ
り、変調出力を制御することである。光出力は低周波信
号で変調される。その信号の振幅は、データ信号の振幅
の10％またはそれ以下であり、したがって、それは信号
の上に低周波（「LF」）リップルとして見ることができ
る。変調はバイアス電流を通して行うことができ、そし
て、最大光出力と最小光出力との両方を変えることがで
きる。もしこのような変調が完全に膝部の上で行われる
ならば、これらの変動は、最大光出力と最小光出力との
両方に対して同じであるであろう。しかし、もしバイア
ス電流が減少して膝部の近くになる、または、膝部以下
になるならば、最小光出力の変動は抑制されるであろ
う。LF信号のこの変動はモニタにより検出され、フィル
タ作用を受けて、平均出力信号と一緒に、制御のために
用いられる。この第３の方法では、LF変調により生ずる
損失は約1dBmである。さらに、この方法による制御は、
制御が正しく行われるためには、膝部の近くで動作する
ことだけが可能である。最良の動作点は、場合によって
は、この領域の外にあることも可能である。
てまた、一定の形式の低周波数で変調された光出力によ
り、変調出力を制御することである。光出力は低周波信
号で変調される。その信号の振幅は、データ信号の振幅
の10％またはそれ以下であり、したがって、それは信号
の上に低周波（「LF」）リップルとして見ることができ
る。変調はバイアス電流を通して行うことができ、そし
て、最大光出力と最小光出力との両方を変えることがで
きる。もしこのような変調が完全に膝部の上で行われる
ならば、これらの変動は、最大光出力と最小光出力との
両方に対して同じであるであろう。しかし、もしバイア
ス電流が減少して膝部の近くになる、または、膝部以下
になるならば、最小光出力の変動は抑制されるであろ
う。LF信号のこの変動はモニタにより検出され、フィル
タ作用を受けて、平均出力信号と一緒に、制御のために
用いられる。この第３の方法では、LF変調により生ずる
損失は約1dBmである。さらに、この方法による制御は、
制御が正しく行われるためには、膝部の近くで動作する
ことだけが可能である。最良の動作点は、場合によって
は、この領域の外にあることも可能である。
発明の要約 レーザ・ダイオードの光出力強度を制御するために、
本発明による装置を備えることにより、先行技術が有す
る欠点および欠陥が解決される。本発明による装置は、
第１装置と、第２装置と、第３装置と、第４装置とを有
する。第１装置は、レーザ・ダイオードの光出力の一部
分を受取り、レーザ・ダイオードの光出力の平均出力強
度を表す大きさを有する第１信号を生ずる。第２装置
は、レーザ・ダイオードの光出力の一部分を受取り、レ
ーザ・ダイオードの光出力のピーク出力強度を表す大き
さを有する第２信号を生ずる。第３装置は、第１信号の
大きさと基準電流信号とを比較し、その結果を用いて平
均出力強度を調整し、平均出力強度が実質的に一定にな
るようにする。第４装置は、第２信号の大きさと基準電
流信号とを比較し、その結果を用いてピーク出力強度を
調整し、ピーク出力強度が実質的に一定になるようにす
る。
本発明による装置を備えることにより、先行技術が有す
る欠点および欠陥が解決される。本発明による装置は、
第１装置と、第２装置と、第３装置と、第４装置とを有
する。第１装置は、レーザ・ダイオードの光出力の一部
分を受取り、レーザ・ダイオードの光出力の平均出力強
度を表す大きさを有する第１信号を生ずる。第２装置
は、レーザ・ダイオードの光出力の一部分を受取り、レ
ーザ・ダイオードの光出力のピーク出力強度を表す大き
さを有する第２信号を生ずる。第３装置は、第１信号の
大きさと基準電流信号とを比較し、その結果を用いて平
均出力強度を調整し、平均出力強度が実質的に一定にな
るようにする。第４装置は、第２信号の大きさと基準電
流信号とを比較し、その結果を用いてピーク出力強度を
調整し、ピーク出力強度が実質的に一定になるようにす
る。
本発明の実施例はまた、Ｄ−ラッチのようなデータ・
クロッキングを行うことができる構造を有する。
クロッキングを行うことができる構造を有する。
第１装置および第３装置は、実効的に、平均出力制御
ループを形成する。第２装置および第４装置は、実効的
に、ピーク出力制御ループを形成する。本発明の実施例
では、平均出力制御ループおよびピーク出力制御ループ
は、同じ予め定められた時定数で動作することができ
る。
ループを形成する。第２装置および第４装置は、実効的
に、ピーク出力制御ループを形成する。本発明の実施例
では、平均出力制御ループおよびピーク出力制御ループ
は、同じ予め定められた時定数で動作することができ
る。
本発明による装置では、第３装置は変調制御装置を有
することができ、および／または、第４装置はバイアス
制御装置を有することができる。さらに、本発明による
装置は、レーザ故障アラーム、および／または、データ
故障アラームを有することができる。なおさらに、本発
明による装置は、狭帯域チヤンネルおよび広帯域チヤン
ネルを有することができる。
することができ、および／または、第４装置はバイアス
制御装置を有することができる。さらに、本発明による
装置は、レーザ故障アラーム、および／または、データ
故障アラームを有することができる。なおさらに、本発
明による装置は、狭帯域チヤンネルおよび広帯域チヤン
ネルを有することができる。
本発明において、レーザ・ダイオードはパルス電流源
およびバイアス電流源から電流を受取る。データを周期
的に送信するために光通信装置の中で用いられるレーザ
・ダイオードの光出力強度を制御する本発明の方法は、
レーザ・ダイオードの光出力の一部分を受け取る段階お
よびレーザ・ダイオードの光出力の平均出力強度を表す
大きさを有する第１信号を生ずる段階と、レーザ・ダイ
オードの光出力の一部分を受け取る段階およびレーザ・
ダイオードの光出力のピーク出力強度を表す大きさを有
する第２信号を生ずる段階と、第１信号の大きさと基準
電流信号とを比較する段階および平均光出力強度が実質
的に一定になるように平均出力強度を調整する段階と、
第２信号の大きさと基準電流信号とを比較する段階およ
びピーク光出力強度が実質的に一定になるようにピーク
出力強度を調整する段階とを有する。
およびバイアス電流源から電流を受取る。データを周期
的に送信するために光通信装置の中で用いられるレーザ
・ダイオードの光出力強度を制御する本発明の方法は、
レーザ・ダイオードの光出力の一部分を受け取る段階お
よびレーザ・ダイオードの光出力の平均出力強度を表す
大きさを有する第１信号を生ずる段階と、レーザ・ダイ
オードの光出力の一部分を受け取る段階およびレーザ・
ダイオードの光出力のピーク出力強度を表す大きさを有
する第２信号を生ずる段階と、第１信号の大きさと基準
電流信号とを比較する段階および平均光出力強度が実質
的に一定になるように平均出力強度を調整する段階と、
第２信号の大きさと基準電流信号とを比較する段階およ
びピーク光出力強度が実質的に一定になるようにピーク
出力強度を調整する段階とを有する。
したがって、本発明の１つの目的は、送信されたデー
タ信号の直流的不平衡の影響を受けにくいレーザ駆動装
置を得ることである。
タ信号の直流的不平衡の影響を受けにくいレーザ駆動装
置を得ることである。
本発明の別の目的は、その制御ループの中に比較的小
さな時定数を用いたレーザ駆動装置を得ることである。
さな時定数を用いたレーザ駆動装置を得ることである。
本発明のさらに別の目的は、工程の変動と、温度の変
動と、電源の変動とが抑制されるレーザ駆動装置を得る
ことである。
動と、電源の変動とが抑制されるレーザ駆動装置を得る
ことである。
本発明のなおさらに別の目的は、バイアス以下の動作
点とバイアスを越えた動作点との両方を容易に選定する
ことができるレーザ駆動装置を得ることである。
点とバイアスを越えた動作点との両方を容易に選定する
ことができるレーザ駆動装置を得ることである。
図面の簡単な説明 本発明のその他の目的、その他の利点、および、その
他の新規な特徴は、添付図面を参照した以下の詳細な説
明により、明らかになるであろう。
他の新規な特徴は、添付図面を参照した以下の詳細な説
明により、明らかになるであろう。
第１図は、典型的なGaAs/Ga1-xAlxAsレーザの図面で
ある。
ある。
第２図は、第１図のレーザに大きな正のバイアスを加
えた場合の伝導電子バンドおよび価電子バンドの図面で
ある。
えた場合の伝導電子バンドおよび価電子バンドの図面で
ある。
第３図は、第２図に関連した、屈折率の分布および光
電界（基本モード）の分布を示す図面である。
電界（基本モード）の分布を示す図面である。
第４図は、温度効果と経年効果とに基づく典型的なレ
ーザ・ダイオードの動作を示すグラフである。
ーザ・ダイオードの動作を示すグラフである。
第５図は、レーザ・ダイオードを変調する際に関与す
る種々の変数を示すグラフである。
る種々の変数を示すグラフである。
第６図は、本発明によるレーザ駆動装置のブロック線
図である。
図である。
発明の詳細な説明 添付図面において、同等の素子または類似の素子に
は、同じ参照番号が付されている。第１図は、レーザ・
ダイオード10を示す。本発明のレーザ・ダイオードの制
御法および制御装置を理解するために、レーザ・ダイオ
ード10が下記で詳細に説明される。
は、同じ参照番号が付されている。第１図は、レーザ・
ダイオード10を示す。本発明のレーザ・ダイオードの制
御法および制御装置を理解するために、レーザ・ダイオ
ード10が下記で詳細に説明される。
当業者にはよく知られているように、半導体で利得を
得るのに必要である大きなキャリア密度は、Ｐ−Ｎダイ
オードの接合領域の近傍において、適度の電流密度で達
成することができる。半導体ダイオード・レーザの中の
最も重要な種類は、III−Ｖ族半導体を基本とするダイ
オード・レーザである。その１つの装置は、GaAsおよび
Ga1-xAlxAsを基本とする装置である。この場合の活性領
域は、GaAsまたはGa1-xAlxAsである。下付き添字ｘは、
GaAs10の中のGa原子がAl原子で置き換えられた割合を表
す。得られたレーザは、（活性領域の中のモル分率ｘと
その添加濃度に応じて）約0.075ミクロンと約0.85ミク
ロンの間の波長の光を放射する。このスペクトル領域
は、シリカ・ファイバでの短距離（2km以下）の光通信
に対して好都合である。
得るのに必要である大きなキャリア密度は、Ｐ−Ｎダイ
オードの接合領域の近傍において、適度の電流密度で達
成することができる。半導体ダイオード・レーザの中の
最も重要な種類は、III−Ｖ族半導体を基本とするダイ
オード・レーザである。その１つの装置は、GaAsおよび
Ga1-xAlxAsを基本とする装置である。この場合の活性領
域は、GaAsまたはGa1-xAlxAsである。下付き添字ｘは、
GaAs10の中のGa原子がAl原子で置き換えられた割合を表
す。得られたレーザは、（活性領域の中のモル分率ｘと
その添加濃度に応じて）約0.075ミクロンと約0.85ミク
ロンの間の波長の光を放射する。このスペクトル領域
は、シリカ・ファイバでの短距離（2km以下）の光通信
に対して好都合である。
第２の装置は、活性領域としてGa1-xInxAs1-yPyを有
する。このレーザは、ｘとｙの値に応じて、1.1ミクロ
ンないし1.6ミクロンの周波数スペクトル領域の光を放
射する。1.55ミクロンの近傍の領域は、特に好ましい領
域である。その理由は、この波長において、0.15dB/km
のように小さな損失を有する光ファイバが得られている
からである。このことは、長距離で大きなデータ速度の
光通信において、極めて好ましいことである。
する。このレーザは、ｘとｙの値に応じて、1.1ミクロ
ンないし1.6ミクロンの周波数スペクトル領域の光を放
射する。1.55ミクロンの近傍の領域は、特に好ましい領
域である。その理由は、この波長において、0.15dB/km
のように小さな損失を有する光ファイバが得られている
からである。このことは、長距離で大きなデータ速度の
光通信において、極めて好ましいことである。
第１図は、通常用いられるGaAs/Ga1-xAlxAsレーザ・
ダイオード10を示している。このレーザ・ダイオード10
はGaAsの薄い（0.1ミクロンないし0.2ミクロン）領域12
を有し、この薄い領域12が、反対の導電形の不純物がド
ープされたGa1-xAlxAsの２つの領域14、16で挟まれ、し
たがって、２重ヘテロ接合が形成される。第２図の内容
は、この構造の根拠となる理由を説明するのに役立つで
あろう。前記の図面の簡単な説明で示したように、第２
図は、典型的なヘテロ接合において順方向に十分なバイ
アスが加えられた場合の、伝導電子バンド端および価電
子バンド端（それぞれが参照番号18および20で示されて
いる）を示す。この構造の重要な要素は、高さがデルタ
Ecである電子に対する電位ウエル22の形成である。この
電子に対する電位ウエルは、高さがデルタEvであるホー
ルに対するウエル24に、空間的に一致する。エネルギ・
ギャップの不連続は、Ga1-xAlxAsのエネルギ・ギャップ
がAlのモル比率ｘに応じて変化することにより生ずる。
順方向にeVa−Egだけバイアスされた時、ウエルの中に
（Ｎ側から）注入された大きな密度の電子および（Ｐ側
から）注入された大きな密度のホールにより、反転状態
が生ずる。この領域の中で、下記の方程式 を満たすオメガの光が、このウエルの中で増幅される条
件が満足される。このGaAs内部層で誘導放射が起こる
が、この誘導放射が起こる内部層は、活性領域と呼ばれ
る。利得を最大にするためには、光を活性層にできるだ
け強く閉じ込めておくことが必要である。それは、この
領域の外に出た光は誘導放射を起こすことができず、し
たがって、利得に寄与することができないからである。
この閉じ込めは、誘電体の導波効果によって得られる。
この誘電体導波効果は、半導体のエネルギ・ギャップが
小さくなると屈折率が増加し、Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xA
lxAsのサンドイッチ体が活性領域にモード・エネルギが
集中し、それが誘電体導波器として動作する、という事
実により生ずる。典型的なヘテロ接合レーザの屈折率の
分布とモードの形状が、第３図に示されている。ｘによ
る屈折率の変化がデルタｎであり、このデルタｎは−0.
7xにほぼ等しい。
ダイオード10を示している。このレーザ・ダイオード10
はGaAsの薄い（0.1ミクロンないし0.2ミクロン）領域12
を有し、この薄い領域12が、反対の導電形の不純物がド
ープされたGa1-xAlxAsの２つの領域14、16で挟まれ、し
たがって、２重ヘテロ接合が形成される。第２図の内容
は、この構造の根拠となる理由を説明するのに役立つで
あろう。前記の図面の簡単な説明で示したように、第２
図は、典型的なヘテロ接合において順方向に十分なバイ
アスが加えられた場合の、伝導電子バンド端および価電
子バンド端（それぞれが参照番号18および20で示されて
いる）を示す。この構造の重要な要素は、高さがデルタ
Ecである電子に対する電位ウエル22の形成である。この
電子に対する電位ウエルは、高さがデルタEvであるホー
ルに対するウエル24に、空間的に一致する。エネルギ・
ギャップの不連続は、Ga1-xAlxAsのエネルギ・ギャップ
がAlのモル比率ｘに応じて変化することにより生ずる。
順方向にeVa−Egだけバイアスされた時、ウエルの中に
（Ｎ側から）注入された大きな密度の電子および（Ｐ側
から）注入された大きな密度のホールにより、反転状態
が生ずる。この領域の中で、下記の方程式 を満たすオメガの光が、このウエルの中で増幅される条
件が満足される。このGaAs内部層で誘導放射が起こる
が、この誘導放射が起こる内部層は、活性領域と呼ばれ
る。利得を最大にするためには、光を活性層にできるだ
け強く閉じ込めておくことが必要である。それは、この
領域の外に出た光は誘導放射を起こすことができず、し
たがって、利得に寄与することができないからである。
この閉じ込めは、誘電体の導波効果によって得られる。
この誘電体導波効果は、半導体のエネルギ・ギャップが
小さくなると屈折率が増加し、Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xA
lxAsのサンドイッチ体が活性領域にモード・エネルギが
集中し、それが誘電体導波器として動作する、という事
実により生ずる。典型的なヘテロ接合レーザの屈折率の
分布とモードの形状が、第３図に示されている。ｘによ
る屈折率の変化がデルタｎであり、このデルタｎは−0.
7xにほぼ等しい。
第４図は、典型的なレーザ・ダイオードの特性を示し
たグラフである。この特性は、前記の関連した部分で説
明し考察した。雰囲気温度の増加、および／または、レ
ーザ・ダイオードの経年効果により、レーザ・ダイオー
ドの閾値電流が増加し、および、スロープ効率（dP/d
I）が減少することを、第４図が示している。
たグラフである。この特性は、前記の関連した部分で説
明し考察した。雰囲気温度の増加、および／または、レ
ーザ・ダイオードの経年効果により、レーザ・ダイオー
ドの閾値電流が増加し、および、スロープ効率（dP/d
I）が減少することを、第４図が示している。
第５図は、前記で説明したように、レーザ・ダイオー
ドの変調に関与する多数の重要な変数を示す。第５図に
おいて、Ibiasはバイアス電流を示し、そして、Imodは
変調電流を示す。Pmaxは最大出力、すなわち、ピーク出
力である。前記の関連した部分で説明し考察したよう
に、消光比はPmaxPminである。
ドの変調に関与する多数の重要な変数を示す。第５図に
おいて、Ibiasはバイアス電流を示し、そして、Imodは
変調電流を示す。Pmaxは最大出力、すなわち、ピーク出
力である。前記の関連した部分で説明し考察したよう
に、消光比はPmaxPminである。
第６図は、本発明によるレーザ駆動装置40の図面であ
る。この駆動装置40は、先行技術による駆動装置に比べ
て簡単なハードウエアを有し、さらに、１個のチップに
比較的多数個の機能を集積することができる。点線42は
集積回路（「IC」）の境界を示すと考えることができる
ので、本発明によるICは、下記で詳細に説明されるよう
に、大電流出力部と、制御回路と、メンテナンスを実施
する構造とを有する。この駆動装置の特徴はまた、広帯
域チヤンネルと狭帯域チヤンネルとを有することであ
る。
る。この駆動装置40は、先行技術による駆動装置に比べ
て簡単なハードウエアを有し、さらに、１個のチップに
比較的多数個の機能を集積することができる。点線42は
集積回路（「IC」）の境界を示すと考えることができる
ので、本発明によるICは、下記で詳細に説明されるよう
に、大電流出力部と、制御回路と、メンテナンスを実施
する構造とを有する。この駆動装置の特徴はまた、広帯
域チヤンネルと狭帯域チヤンネルとを有することであ
る。
駆動装置40のデータ/HFインタフェースに関して、デ
ータ入力信号D1/ND1（それぞれ、真／非真を表す）が第
６図に参照番号44および46として示されている。同様
に、クロック入力信号CK/NCK（それぞれ、真／非真を表
す）が第６図に参照番号48および50として示されてい
る。モニタ入力MI/NMI（最大入力電流が1mAである場
合）が第６図に参照番号52および54として表される。デ
ータ/HFインタフェース出力は、レーザ・ダイオード出
力信号LDOと、レーザ・ダイオード出力反転信号NLDO
と、メンテナンス・ループA1の真出力および反転出力、
LA1およびNLA1、とを有する。前記出力信号は第６図に
それぞれ参照番号56、58、60および62として表される。
ータ入力信号D1/ND1（それぞれ、真／非真を表す）が第
６図に参照番号44および46として示されている。同様
に、クロック入力信号CK/NCK（それぞれ、真／非真を表
す）が第６図に参照番号48および50として示されてい
る。モニタ入力MI/NMI（最大入力電流が1mAである場
合）が第６図に参照番号52および54として表される。デ
ータ/HFインタフェース出力は、レーザ・ダイオード出
力信号LDOと、レーザ・ダイオード出力反転信号NLDO
と、メンテナンス・ループA1の真出力および反転出力、
LA1およびNLA1、とを有する。前記出力信号は第６図に
それぞれ参照番号56、58、60および62として表される。
制御信号とＹ−インタフェース信号に関して、駆動装
置40に対する２個の基本的なアナログ信号が存在する。
それらは、変調信号OPRMに対する光出力基準と、バイア
ス信号OPRBに対する光出力である。OPRM信号は、光出力
の変調値、すなわち光レベル「１」と光レベル「０」と
の間のレベル差、を調整するための基準入力を与える。
他方、OPRB信号は、光出力の平均値を調整するための基
準入力を与える。OPRM信号およびOPRB信号が第６図に、
それぞれ参照番号64および66として表される。
置40に対する２個の基本的なアナログ信号が存在する。
それらは、変調信号OPRMに対する光出力基準と、バイア
ス信号OPRBに対する光出力である。OPRM信号は、光出力
の変調値、すなわち光レベル「１」と光レベル「０」と
の間のレベル差、を調整するための基準入力を与える。
他方、OPRB信号は、光出力の平均値を調整するための基
準入力を与える。OPRM信号およびOPRB信号が第６図に、
それぞれ参照番号64および66として表される。
駆動回路40に対してその他多数の入力がある。通常、
これらの入力は検査目的のためのものである。これらの
入力により、内部の基準値を変更することができる。駆
動回路40の中のすべての内部基準値は、それ自身のデフ
ォルト値を有するが、これらのデフォルト値は必要なら
ば外部基準電流を加えることにより変更することができ
る。
これらの入力は検査目的のためのものである。これらの
入力により、内部の基準値を変更することができる。駆
動回路40の中のすべての内部基準値は、それ自身のデフ
ォルト値を有するが、これらのデフォルト値は必要なら
ば外部基準電流を加えることにより変更することができ
る。
外部基準入力を有するすべての内部基準源は同じ様に
動作する。外部基準入力が低ければ（例えば、−4V未
満）、デフォルト値が用いられる。電流が入力に加えら
れれば、それは高くなるであろう（例えば、−4V超）。
これによって実効的に内部基準源をオフにし、新しい内
部基準値として用いるために、外部電流のミラー作用を
行なう。
動作する。外部基準入力が低ければ（例えば、−4V未
満）、デフォルト値が用いられる。電流が入力に加えら
れれば、それは高くなるであろう（例えば、−4V超）。
これによって実効的に内部基準源をオフにし、新しい内
部基準値として用いるために、外部電流のミラー作用を
行なう。
前記のその他の入力の中の４個の入力は、SRC1とSRC2
とIRDとIRMBである。SRC1およびSRC2はＹ−インタフェ
ースに接続することができ、そして必要ならばTR−モジ
ュールの外部で調整することができる。SRC1およびSRC2
は、スルー・レート制御に対し効果的である。デフォ10
ルト値が十分でないときには、各装置に対し信号を最適
化するために、SRC1とSRC2がレーザ出力信号の正のスー
プおよび負のスロープを制御するための基準入力を与え
る。SRC1信号およびSRC2信号をＹ−インタフェースに直
接に接続することは不必要であり、TR−モジュールに関
してこれらの信号を直接に調整することができる。SRC1
に対するデフォルト値は約100μＡであることができ
る。SRC2に対するデフォルト値は、変調器電流の約0.4
％であることができる。
とIRDとIRMBである。SRC1およびSRC2はＹ−インタフェ
ースに接続することができ、そして必要ならばTR−モジ
ュールの外部で調整することができる。SRC1およびSRC2
は、スルー・レート制御に対し効果的である。デフォ10
ルト値が十分でないときには、各装置に対し信号を最適
化するために、SRC1とSRC2がレーザ出力信号の正のスー
プおよび負のスロープを制御するための基準入力を与え
る。SRC1信号およびSRC2信号をＹ−インタフェースに直
接に接続することは不必要であり、TR−モジュールに関
してこれらの信号を直接に調整することができる。SRC1
に対するデフォルト値は約100μＡであることができ
る。SRC2に対するデフォルト値は、変調器電流の約0.4
％であることができる。
前記で説明したSRC1信号およびSRC2信号は、本発明の
ある実施例のある特徴を形成するに過ぎないことに注目
することが重要である。前記説明のSRC1信号および／ま
たはSRC2信号、および／またはこれらの信号のいずれも
有しない本発明の他の実施例も可能である。例えば、実
際に構成された本発明の１つの実施例では、前記のSRC1
信号およびSRC2信号はIRRCで示された１個の信号で置き
換えられ、このIRRC信号が前記のSRC1機能とSRC2機能を
実行する。このような変更実施例が本願請求の範囲内の
実施態様に過ぎないことは、本発明の特徴から理解され
るはずである。
ある実施例のある特徴を形成するに過ぎないことに注目
することが重要である。前記説明のSRC1信号および／ま
たはSRC2信号、および／またはこれらの信号のいずれも
有しない本発明の他の実施例も可能である。例えば、実
際に構成された本発明の１つの実施例では、前記のSRC1
信号およびSRC2信号はIRRCで示された１個の信号で置き
換えられ、このIRRC信号が前記のSRC1機能とSRC2機能を
実行する。このような変更実施例が本願請求の範囲内の
実施態様に過ぎないことは、本発明の特徴から理解され
るはずである。
IRD信号およびIRMB信号は、サブモジュールの上で内
部的にのみ調整することができる。IRD信号が電流回路
および検出器回路に対する基準入力を与える。IRD信号
に対するデフォルト値は、約10μＡであることができ
る。IRMB信号が積分器回路mod regおよびバイアスreg
の中の電流に対する基準入力を与える。IRMB信号に対す
る典型的なデフォルト値は、約10μＡであることができ
る。
部的にのみ調整することができる。IRD信号が電流回路
および検出器回路に対する基準入力を与える。IRD信号
に対するデフォルト値は、約10μＡであることができ
る。IRMB信号が積分器回路mod regおよびバイアスreg
の中の電流に対する基準入力を与える。IRMB信号に対す
る典型的なデフォルト値は、約10μＡであることができ
る。
FC1およびFC2は、周波数補償接続体である。これらの
接続体は、遅いモニタPINダイオードの補償のためのも
のである。モニタ信号のピーク値は、データ信号の周波
数スペクトルに応じて変化するであろう。これにより、
モニタPINダイオードのバンド幅の周辺またはこのバン
ド幅を越えて異なる周波数スペクトルの間での変化が起
こる時、光出力レベルが変化することになる。従属性の
一部は、FC1とFC2との間にインダクタを接続することに
より補償することができる。このインダクタのインダク
タンス値の例として50nHとすることができる。この補償
はまた、製造工程の間省略することができ、または、２
個のパッドの間にジャンパを単に接続することにより、
省略することもできる。
接続体は、遅いモニタPINダイオードの補償のためのも
のである。モニタ信号のピーク値は、データ信号の周波
数スペクトルに応じて変化するであろう。これにより、
モニタPINダイオードのバンド幅の周辺またはこのバン
ド幅を越えて異なる周波数スペクトルの間での変化が起
こる時、光出力レベルが変化することになる。従属性の
一部は、FC1とFC2との間にインダクタを接続することに
より補償することができる。このインダクタのインダク
タンス値の例として50nHとすることができる。この補償
はまた、製造工程の間省略することができ、または、２
個のパッドの間にジャンパを単に接続することにより、
省略することもできる。
このバンド幅補償のための別の解決法が、本発明の発
明者により実施された。特別の入力BWC（バンド幅制
御）をこの回路に付加することができる。この入力は増
幅器96を通してデータ基準信号を制御することができ、
それにより、回路96からの出力信号がモニタ増幅器97か
らの出力とほぼ同じに見えるようにする。この機能は、
回路に対し利用可能なバンド幅領域を増大して、モニタ
・ダイオードにバンド幅の制限がある場合でも適切な制
御を行うことができる。
明者により実施された。特別の入力BWC（バンド幅制
御）をこの回路に付加することができる。この入力は増
幅器96を通してデータ基準信号を制御することができ、
それにより、回路96からの出力信号がモニタ増幅器97か
らの出力とほぼ同じに見えるようにする。この機能は、
回路に対し利用可能なバンド幅領域を増大して、モニタ
・ダイオードにバンド幅の制限がある場合でも適切な制
御を行うことができる。
ディジタル入力に関しては、多数の信号について適切
に述べられる。この考察において、基準となるCMOSレベ
ルは負の５ボルトであり、したがって、高レベル、すな
わちＨは０ボルトに等しく、低レベル、すなわちＬは負
の５ボルトに等しい。閉じたループA1信号、すなわちCL
A1信号72はループA1出力をイネーブルにすることにより
ループA1を閉じる。ＨはループA1が接続されたことに等
しい。パワー・ダウン信号、すなわちPD信号74はパワー
・ダウン命令入力である。このPD信号については高レベ
ル信号はパワー・ダウンに等しい。狭帯域モード選択信
号、すなわちSNBM信号76はレーザ駆動装置40を狭帯域ト
ラフィック・モードに設定する。この信号については、
高水旬でエネーブルされることになる。狭帯域データ入
力信号、すなわちNNBDI信号78はレーザ駆動装置が狭帯
域トラフィック・モードで動作している時の負の狭帯域
データ入力である。CMOSレベルは、反転された負の５ボ
ルトを基準とする。入力における高レベルは、光出力を
与えない。本発明による駆動装置40における前記PD信号
とSNBM信号とNNBDI信号に対し、下記の真理値表を適用
することができる。
に述べられる。この考察において、基準となるCMOSレベ
ルは負の５ボルトであり、したがって、高レベル、すな
わちＨは０ボルトに等しく、低レベル、すなわちＬは負
の５ボルトに等しい。閉じたループA1信号、すなわちCL
A1信号72はループA1出力をイネーブルにすることにより
ループA1を閉じる。ＨはループA1が接続されたことに等
しい。パワー・ダウン信号、すなわちPD信号74はパワー
・ダウン命令入力である。このPD信号については高レベ
ル信号はパワー・ダウンに等しい。狭帯域モード選択信
号、すなわちSNBM信号76はレーザ駆動装置40を狭帯域ト
ラフィック・モードに設定する。この信号については、
高水旬でエネーブルされることになる。狭帯域データ入
力信号、すなわちNNBDI信号78はレーザ駆動装置が狭帯
域トラフィック・モードで動作している時の負の狭帯域
データ入力である。CMOSレベルは、反転された負の５ボ
ルトを基準とする。入力における高レベルは、光出力を
与えない。本発明による駆動装置40における前記PD信号
とSNBM信号とNNBDI信号に対し、下記の真理値表を適用
することができる。
クロック・イネーブル信号、すなわちCKE信号80はデー
タ信号のクロック動作をイネーブルにする。CKE信号に
ついては、高レベルはクロックされたデータを意味す
る。NADC信号82は、必要ならば検出器回路のピーク検出
器に余分の静電容量を付加する。低レベルが余分の静電
容量を付加させる。これは、サブキャリアの上のジャン
パにより接続される。
タ信号のクロック動作をイネーブルにする。CKE信号に
ついては、高レベルはクロックされたデータを意味す
る。NADC信号82は、必要ならば検出器回路のピーク検出
器に余分の静電容量を付加する。低レベルが余分の静電
容量を付加させる。これは、サブキャリアの上のジャン
パにより接続される。
２個のディジタル出力信号は、負のレーザ故障アラー
ム信号、すなわちNLFA信号84と負のレーザ・データ誤り
アラームNLDFA信号86である。モニタに光出力が検出さ
れないときは、NLFA信号84がアラームを出す。この信号
については低レベルはアラームを意味する。データ入力
に電流データがない時はNLDFA信号86がアラームを出
す。この信号については低レベルはアラームを意味す
る。
ム信号、すなわちNLFA信号84と負のレーザ・データ誤り
アラームNLDFA信号86である。モニタに光出力が検出さ
れないときは、NLFA信号84がアラームを出す。この信号
については低レベルはアラームを意味する。データ入力
に電流データがない時はNLDFA信号86がアラームを出
す。この信号については低レベルはアラームを意味す
る。
駆動装置40は、外部の補償部品を接続する際に内部信
号を検査するために、駆動装置チップの近くに配置され
た５個の検査点を有する。これらの５個の検査点は、TP
M、TPB、CTS、TP1、および、TP2で示される。TPM検査点
88は、検査点変調に対するものである。TPB検査点90
は、検査点バイアスに対するものである。TPMおよびTPB
は、電圧を制御するためのものである。これらの検査点
を強制的に動かすことにより、この固有の制御に優先す
ることができ、このことにより、光信号の外部制御が可
能になる。積分器の時定数を増加させることが必要なと
きには、これらの検査点に外部コンデンサを接続するこ
ともできる。CTS検査点92はチップの温度に関係する。
温度検知部品94はこの検査点92と連結している。本発明
のレーザ駆動装置40の実施例において、多数の温度セン
サをチップの種々の位置に配置することができる。これ
らのセンサを一度に１個ずつを選定して、出力CTSに接
続することができる。信号NNBDIおよびSNBMにより、こ
れらのセンサを選定することができる。TP1およびTP2は
オプションの検査点である。
号を検査するために、駆動装置チップの近くに配置され
た５個の検査点を有する。これらの５個の検査点は、TP
M、TPB、CTS、TP1、および、TP2で示される。TPM検査点
88は、検査点変調に対するものである。TPB検査点90
は、検査点バイアスに対するものである。TPMおよびTPB
は、電圧を制御するためのものである。これらの検査点
を強制的に動かすことにより、この固有の制御に優先す
ることができ、このことにより、光信号の外部制御が可
能になる。積分器の時定数を増加させることが必要なと
きには、これらの検査点に外部コンデンサを接続するこ
ともできる。CTS検査点92はチップの温度に関係する。
温度検知部品94はこの検査点92と連結している。本発明
のレーザ駆動装置40の実施例において、多数の温度セン
サをチップの種々の位置に配置することができる。これ
らのセンサを一度に１個ずつを選定して、出力CTSに接
続することができる。信号NNBDIおよびSNBMにより、こ
れらのセンサを選定することができる。TP1およびTP2は
オプションの検査点である。
レーザ・ダイオード駆動装置40は、機能に関して、６
個の部分を有する。すなわち、データ・クロッキングお
よび信号路と、変調制御装置と、バイアス制御装置と、
変調器と、管理部と、低電力ビット速度縮小トラフィッ
ク、すなわち毎秒約200キロビットでの狭帯域トラフィ
ックのための部分とを有する。通常、本発明の実施例で
は、狭帯域変調は０から数メガビット／秒の程度までの
領域で動作し、広帯域変調はメガビット／秒からギガビ
ット／秒までの領域で動作する。これらの部分のおのお
のは、下記の各節で説明される。
個の部分を有する。すなわち、データ・クロッキングお
よび信号路と、変調制御装置と、バイアス制御装置と、
変調器と、管理部と、低電力ビット速度縮小トラフィッ
ク、すなわち毎秒約200キロビットでの狭帯域トラフィ
ックのための部分とを有する。通常、本発明の実施例で
は、狭帯域変調は０から数メガビット／秒の程度までの
領域で動作し、広帯域変調はメガビット／秒からギガビ
ット／秒までの領域で動作する。これらの部分のおのお
のは、下記の各節で説明される。
データ・クロッキングおよび信号路は、入力データの
クロッキングのためのＤ−ラッチを有する。この経路は
さらに別の出力、すなわちループA1出力のための駆動装
置を有する。この別の出力は制御信号によりイネーブル
される。通常、この経路はデータを内部で分配する。本
発明の実施例では、Ｄ−ラッチそれ自身は制御信号がバ
イパスすることができる。
クロッキングのためのＤ−ラッチを有する。この経路は
さらに別の出力、すなわちループA1出力のための駆動装
置を有する。この別の出力は制御信号によりイネーブル
される。通常、この経路はデータを内部で分配する。本
発明の実施例では、Ｄ−ラッチそれ自身は制御信号がバ
イパスすることができる。
変調制御装置は、変調電流制御装置を有する。この部
分において、光の「１」レベルがモニタ・ダイオードに
より検出され、「OPRM」基準信号と比較される。この比
較は素子99で実行され、レーザ・ダイオードのP/Iトラ
ンスファ曲線の上で、光振幅、すなわち光「１」レベル
−光「０」レベルを実効的に決定する。本発明の実施例
では、光振幅出力レベルが一定になるように変調が常に
調整される。この部分により実行される機能は、温度効
果および経年効果によるレーザ・ダイオードの外部差動
効率の変動を効果的に補償する。
分において、光の「１」レベルがモニタ・ダイオードに
より検出され、「OPRM」基準信号と比較される。この比
較は素子99で実行され、レーザ・ダイオードのP/Iトラ
ンスファ曲線の上で、光振幅、すなわち光「１」レベル
−光「０」レベルを実効的に決定する。本発明の実施例
では、光振幅出力レベルが一定になるように変調が常に
調整される。この部分により実行される機能は、温度効
果および経年効果によるレーザ・ダイオードの外部差動
効率の変動を効果的に補償する。
レーザ駆動装置40のバイアス制御装置部分は、バイア
ス電流制御装置を有する。この部分では、光の平均レベ
ルがモニタ・ダイオードにより検出され、「OPRB」基準
信号と比較される。この制御装置により、具体的には第
６図に示された素子98および100により、レーザ駆動回
路からのバイアス電流が、変調電流と共に制御されて光
の「０」出力が常に一定になる。この部分により実行さ
れる機能は、経年変化と温度変化による閾値電流の変化
を効果的に補償する。この部分および変調部分102は協
働して、雰囲気温度、電源電圧の変動、レーザ・ダイオ
ードの経年効果等に関係なく、「０」および「１」に対
する光出力レベルを一定に保持する。
ス電流制御装置を有する。この部分では、光の平均レベ
ルがモニタ・ダイオードにより検出され、「OPRB」基準
信号と比較される。この制御装置により、具体的には第
６図に示された素子98および100により、レーザ駆動回
路からのバイアス電流が、変調電流と共に制御されて光
の「０」出力が常に一定になる。この部分により実行さ
れる機能は、経年変化と温度変化による閾値電流の変化
を効果的に補償する。この部分および変調部分102は協
働して、雰囲気温度、電源電圧の変動、レーザ・ダイオ
ードの経年効果等に関係なく、「０」および「１」に対
する光出力レベルを一定に保持する。
本発明によるレーザ駆動装置のこの部分の中で実行さ
れる補償は、先行技術よりも大幅に優れた点であり、関
連する分野の当業者にとって特に関心のある点である。
通常、比較は「データ電圧基準」と「モニタ電圧基準」
との間で行われる。さらに詳細にいえば、ピーク値と平
均値との間の比較は、それぞれ、これらの２つの電圧の
間で行われる。
れる補償は、先行技術よりも大幅に優れた点であり、関
連する分野の当業者にとって特に関心のある点である。
通常、比較は「データ電圧基準」と「モニタ電圧基準」
との間で行われる。さらに詳細にいえば、ピーク値と平
均値との間の比較は、それぞれ、これらの２つの電圧の
間で行われる。
前記の考察を続けるならば、２つの電圧が発生される
方法によりそれらが電気的に等しくなることが分かるは
ずである。したがって、変調器96とモニタ・フロントエ
ンド97（第６図参照）とにより、対称的な平衡が得られ
る。前記の説明を要約すれば、データ信号を内部基準電
圧に変調する変調器96を２つの基準電流が制御する、と
いうことができる。モニタ電流は、モニタ・フロントエ
ンド97の中でモニタ電圧に変換する。したがって、２つ
の基準電流はモニタ電流の中の平均電流とピーク電流を
反映し、データ信号はモニタ信号の中のデータ・パター
ンを反映する。
方法によりそれらが電気的に等しくなることが分かるは
ずである。したがって、変調器96とモニタ・フロントエ
ンド97（第６図参照）とにより、対称的な平衡が得られ
る。前記の説明を要約すれば、データ信号を内部基準電
圧に変調する変調器96を２つの基準電流が制御する、と
いうことができる。モニタ電流は、モニタ・フロントエ
ンド97の中でモニタ電圧に変換する。したがって、２つ
の基準電流はモニタ電流の中の平均電流とピーク電流を
反映し、データ信号はモニタ信号の中のデータ・パター
ンを反映する。
変調器は、出力レーザ駆動部と調整可能変調制御回路
とを有する。第６図の素子102および104はこの変調の一
部を形成する。調整可能変調制御回路はレーザ・ダイオ
ード出力の正および負のスロープを制御する。レーザ・
ダイオードに対して、また駆動装置とそれに付随するレ
ーザの間の接続に対して信号を最適化するために、信号
の立上がり時間と立下がり時間を調整することができ
る。この性能により、レーザ・ダイオードの接続の不整
合により生ずる損失を部分的に緩和することができる。
このレーザ・ダイオードの接続は、異なる設備で異な
る。
とを有する。第６図の素子102および104はこの変調の一
部を形成する。調整可能変調制御回路はレーザ・ダイオ
ード出力の正および負のスロープを制御する。レーザ・
ダイオードに対して、また駆動装置とそれに付随するレ
ーザの間の接続に対して信号を最適化するために、信号
の立上がり時間と立下がり時間を調整することができ
る。この性能により、レーザ・ダイオードの接続の不整
合により生ずる損失を部分的に緩和することができる。
このレーザ・ダイオードの接続は、異なる設備で異な
る。
レーザ駆動装置の管理部分は、２つの管理機能を実行
する。このような管理機能の１つはレーザ故障アラーム
である。このアラーム106はレーザまたはモニタに故障
が起きた時に作動する。アラーム回路は２つの制御電圧
TPBおよびTPMを検出する。その一方または両方が回路に
対する限界電源値を突破していれば、制御が故障してい
ること、そして結局、レーザが故障していることが示さ
れる。その時点において、出力アラームをトリガするこ
とができ、そしてトリガされる。第２の管理機能はデー
タ誤りアラームである。このアラーム108は、データ入
力に送られる電流データがない時に作動する。
する。このような管理機能の１つはレーザ故障アラーム
である。このアラーム106はレーザまたはモニタに故障
が起きた時に作動する。アラーム回路は２つの制御電圧
TPBおよびTPMを検出する。その一方または両方が回路に
対する限界電源値を突破していれば、制御が故障してい
ること、そして結局、レーザが故障していることが示さ
れる。その時点において、出力アラームをトリガするこ
とができ、そしてトリガされる。第２の管理機能はデー
タ誤りアラームである。このアラーム108は、データ入
力に送られる電流データがない時に作動する。
レーザ駆動装置40の低出力／狭帯域トラフィック部分
は、低出力ビット速度縮小トラフィックを処理する。こ
の狭帯域は、０から数メガビット／秒程度のビット速度
を有する。2B＋Ｄのための1SDN Ｕ−インタフェース
は、毎秒160キロビットのビット速度を有する。小さな
バンド幅と改善されたレーザ変調法とを用いることによ
り電力が節約される。典型的には、レーザは完全にオン
で、または完全にオフで動作する。光の１が送られる
時、レーザは「OPRB」基準および「OPRM」基準により決
定されるのと同じ出力レベルで通常のように動作する。
光の０レベルが送られる時にはバイアスがオフになる。
このような場合、入ってくる狭帯域のデータ・ストリー
ムはレーザを直接に変調する。２相コーデングを用いる
こととパルスを短くすることにより電力の消費がまた減
少する。変調器104よりはむしろレーザを変調するため
に、狭帯域部分はバイアス電流部を利用する。
は、低出力ビット速度縮小トラフィックを処理する。こ
の狭帯域は、０から数メガビット／秒程度のビット速度
を有する。2B＋Ｄのための1SDN Ｕ−インタフェース
は、毎秒160キロビットのビット速度を有する。小さな
バンド幅と改善されたレーザ変調法とを用いることによ
り電力が節約される。典型的には、レーザは完全にオン
で、または完全にオフで動作する。光の１が送られる
時、レーザは「OPRB」基準および「OPRM」基準により決
定されるのと同じ出力レベルで通常のように動作する。
光の０レベルが送られる時にはバイアスがオフになる。
このような場合、入ってくる狭帯域のデータ・ストリー
ムはレーザを直接に変調する。２相コーデングを用いる
こととパルスを短くすることにより電力の消費がまた減
少する。変調器104よりはむしろレーザを変調するため
に、狭帯域部分はバイアス電流部を利用する。
前記説明と添付図面とから、本発明のレーザ駆動装置
はバイポーラ−CMOS工程に依存すると考えられる。本発
明の工程は、通常、ディジタル応用に対するものであ
る。さらに詳細にいえば、レーザ駆動装置チップは、電
気経路とレーザ・ダイオードとの間のインタフェースと
しての役割を果たす。本発明によるレーザ駆動装置チッ
プは、他の同様な応用に使用することができる。
はバイポーラ−CMOS工程に依存すると考えられる。本発
明の工程は、通常、ディジタル応用に対するものであ
る。さらに詳細にいえば、レーザ駆動装置チップは、電
気経路とレーザ・ダイオードとの間のインタフェースと
しての役割を果たす。本発明によるレーザ駆動装置チッ
プは、他の同様な応用に使用することができる。
例示の目的のために、本発明の１つの実施例に対して
推奨される動作条件と、電気的特性と、制御信号/Y−イ
ンタフェース信号とが下に示される。
推奨される動作条件と、電気的特性と、制御信号/Y−イ
ンタフェース信号とが下に示される。
推奨される動作条件 電源 最小4.5V 名目5.0V 最大5.3V 電流 最大200mA 動作温度 ０−70C 電気的特性 データ/HFインタフェース すべての値は、０および−5V電源電圧を基準とする。
データ／クロック入力 最小入力レベル ピーク・ツー・ピーク 100mV 共通モード領域 − ３ − −0.3V 最大入力電流（シンキング） 10μＡ 静電容量性負荷 最大 2pF データ出力（LA1） 終端負荷 150オーム、最大静電容量性負荷 5pF 最小入力レベル ピーク・ツー・ピーク 200mV 出力領域 最小−最大 −1.4 − −0.9V 最大立上がり時間および最大立下がり時間（10−90％）
0.8nS モニタ入力 NMIからMIへの最大電流 1.mA MIの電圧レベル −4.2 − −4.0V NMIの電圧レベル 0.0V レーザ・ダイオード出力、LDO 最大変調電流、Im 50mA 最大バイアス電流、Ib 100mA 狭帯域動作における最大変調電流 Imn 100mA レーザ・ダイオード出力 負、NLDO 最大変調電流 50mA 制御信号/Y−インタフェース信号 アナログ入力 OPRM変調基準電流入力 基準電流 0.1 − 1mA 電圧レベル −4.2 − 0V OPRMバイアス基準電流入力 基準電流 0.1 − 1mA 電圧レベル −4.2 − 0V SRC1/SRC2、LDに対する出力信号のスロープを制御する
ために外部基準入力が必要である。
0.8nS モニタ入力 NMIからMIへの最大電流 1.mA MIの電圧レベル −4.2 − −4.0V NMIの電圧レベル 0.0V レーザ・ダイオード出力、LDO 最大変調電流、Im 50mA 最大バイアス電流、Ib 100mA 狭帯域動作における最大変調電流 Imn 100mA レーザ・ダイオード出力 負、NLDO 最大変調電流 50mA 制御信号/Y−インタフェース信号 アナログ入力 OPRM変調基準電流入力 基準電流 0.1 − 1mA 電圧レベル −4.2 − 0V OPRMバイアス基準電流入力 基準電流 0.1 − 1mA 電圧レベル −4.2 − 0V SRC1/SRC2、LDに対する出力信号のスロープを制御する
ために外部基準入力が必要である。
ディスエイブルされる、−4Vより低い電圧レベル 当業者にはすぐに分かるように、本発明によるレーザ
駆動装置は、モニタ・ダイオードからの実際値と内部回
路からの目標値との間で比較を行う。これらの２つのデ
ータ路は、実質的に同じである。モニタに対する平均電
流およびピーク電流は、２つの外部基準電流OPRBおよび
OPRMにより反映される。モニタ増幅器とデータ増幅器と
からのデータ信号は同じ様相を見せる。これら前記のす
べてから多くの利点を生ずる。このような利点の１つは
パターン変動の抑制である。本発明による回路は、送ら
れてきたデータ信号の直流的不平衡に敏感ではない。さ
らに、２つのほぼ同じ信号の間の比較により、ループの
中の時定数を小さくすることができる。さらになお、２
個の制御装置と、ピーク出力および平均出力と、変調器
と、バイアスとは、共同して動作する。それらの時定数
は同じにできる。このことは、他の装置とは異なってい
る。他の装置では、５倍ないし10倍の差が必要である。
さらになお、動作のほぼ完全な対称性は、工程と温度と
電源の変動を抑制する。本発明のレーザ駆動装置によ
り、非常に正確な制御を行うことができる。平均および
ピークの制御を行うことにより、要請された動作点がバ
イアスの下におよびバイアスの上にくるように選定する
ことができる。
駆動装置は、モニタ・ダイオードからの実際値と内部回
路からの目標値との間で比較を行う。これらの２つのデ
ータ路は、実質的に同じである。モニタに対する平均電
流およびピーク電流は、２つの外部基準電流OPRBおよび
OPRMにより反映される。モニタ増幅器とデータ増幅器と
からのデータ信号は同じ様相を見せる。これら前記のす
べてから多くの利点を生ずる。このような利点の１つは
パターン変動の抑制である。本発明による回路は、送ら
れてきたデータ信号の直流的不平衡に敏感ではない。さ
らに、２つのほぼ同じ信号の間の比較により、ループの
中の時定数を小さくすることができる。さらになお、２
個の制御装置と、ピーク出力および平均出力と、変調器
と、バイアスとは、共同して動作する。それらの時定数
は同じにできる。このことは、他の装置とは異なってい
る。他の装置では、５倍ないし10倍の差が必要である。
さらになお、動作のほぼ完全な対称性は、工程と温度と
電源の変動を抑制する。本発明のレーザ駆動装置によ
り、非常に正確な制御を行うことができる。平均および
ピークの制御を行うことにより、要請された動作点がバ
イアスの下におよびバイアスの上にくるように選定する
ことができる。
前記説明を参照すれば多くの修正および変更が可能で
あることは明白である。例えば、本発明の特定の実施例
の説明はディジタル・データ・ストリームに対して行わ
れたけれども、本発明の１つの実施例はまたアナログ応
用に対しても行うことができる。この場合には、データ
・ストリームは正弦波信号であって、その正弦波信号は
周波数変調または位相変調され、あるいは他の方法で変
調される。また別の例として、本発明の発明者は、平均
とピークを組み合わせたものを選定した。（注意：レー
ザ・ダイオードに対するP/I曲線の上の２点を測定する
ために、３個の異なる検出器がある。すなわち、最低値
検出器と、平均値検出器と、ピーク値検出器である。こ
れらの検出器の組み合わせに対し３つの可能性がある。
すなわち、最低値検出器と平均値検出器、または、最低
値検出器とピーク値検出器、または、平均値検出器とピ
ーク値検出器である。）ここで、平均値検出器は簡単で
かつ正確であるから、ピーク値検出器が動作しないとき
にも、動作する平均出力制御が少なくとも存在すること
になる。けれども、平均値検出器を、レーザ制御装置の
中の最小ピーク検出器、すなわち、最低値検出器、で置
き換えることができることは、当業者にはすぐに分かる
であろう。実際、最低値とピーク値の組み合わせは、も
しレーザ・ダイオードに対するP/I曲線が曲がってお
り、その曲がりの曲率半径が温度により変化するならば
（このことは、いくつかのレーザ・ダイオードについて
起こる。特に、大きな駆動電流と高い温度の場合に起こ
りやすい。）、非常に正確な制御を多分与えるであろ
う。回路の観点からは、これらの変更を実行するのは非
常に簡単である。すなわち、検出器を好ましい組み合わ
せに置き換えるために、第１検出器をブロック98とし、
そして、第２検出器をブロック99とする。このような検
出器ブロックが用いられる時、もちろん、平均値の代わ
りに最低値が検出されるであろう。けれども、機能的に
は、残りの回路を含めた全部が同じままであるであろ
う。その他の変更および修正を行うことにより、本発明
の他の実施例を得ることも可能である。したがって、前
記で詳細に説明された実施例以外でも本願請求の範囲内
に包含される実施例により本発明を実施することもまた
可能である。
あることは明白である。例えば、本発明の特定の実施例
の説明はディジタル・データ・ストリームに対して行わ
れたけれども、本発明の１つの実施例はまたアナログ応
用に対しても行うことができる。この場合には、データ
・ストリームは正弦波信号であって、その正弦波信号は
周波数変調または位相変調され、あるいは他の方法で変
調される。また別の例として、本発明の発明者は、平均
とピークを組み合わせたものを選定した。（注意：レー
ザ・ダイオードに対するP/I曲線の上の２点を測定する
ために、３個の異なる検出器がある。すなわち、最低値
検出器と、平均値検出器と、ピーク値検出器である。こ
れらの検出器の組み合わせに対し３つの可能性がある。
すなわち、最低値検出器と平均値検出器、または、最低
値検出器とピーク値検出器、または、平均値検出器とピ
ーク値検出器である。）ここで、平均値検出器は簡単で
かつ正確であるから、ピーク値検出器が動作しないとき
にも、動作する平均出力制御が少なくとも存在すること
になる。けれども、平均値検出器を、レーザ制御装置の
中の最小ピーク検出器、すなわち、最低値検出器、で置
き換えることができることは、当業者にはすぐに分かる
であろう。実際、最低値とピーク値の組み合わせは、も
しレーザ・ダイオードに対するP/I曲線が曲がってお
り、その曲がりの曲率半径が温度により変化するならば
（このことは、いくつかのレーザ・ダイオードについて
起こる。特に、大きな駆動電流と高い温度の場合に起こ
りやすい。）、非常に正確な制御を多分与えるであろ
う。回路の観点からは、これらの変更を実行するのは非
常に簡単である。すなわち、検出器を好ましい組み合わ
せに置き換えるために、第１検出器をブロック98とし、
そして、第２検出器をブロック99とする。このような検
出器ブロックが用いられる時、もちろん、平均値の代わ
りに最低値が検出されるであろう。けれども、機能的に
は、残りの回路を含めた全部が同じままであるであろ
う。その他の変更および修正を行うことにより、本発明
の他の実施例を得ることも可能である。したがって、前
記で詳細に説明された実施例以外でも本願請求の範囲内
に包含される実施例により本発明を実施することもまた
可能である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−98284（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−146457（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−209270（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−96979（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−22083（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−82583（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−39839（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−215983（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (14)
- 【請求項１】周期的にデータを送信する光通信装置に用
いられるレーザ・ダイオードの光出力強度を制御する装
置であって、前記レーザ・ダイオードがパルス電流源お
よびバイアス電流源から電流を受取るものにおいて、レ
ーザ・ダイオードの光出力の一部分を受取り、前記レー
ザ・ダイオードの光出力の平均出力強度を表す大きさを
有する第１信号を生ずる第１装置と、 前記レーザ・ダイオードの光出力の一部分を受取り、前
記レーザ・ダイオードの光出力のピーク出力強度を表す
大きさを有する第２信号を生ずる第２装置と、 前記第１信号の大きさを基準電流信号と比較し、前記平
均出力強度を事実上一定に保つように前記平均出力強度
を調整する第３装置と、 前記第２信号の大きさを基準電流信号と比較し、前記ピ
ーク出力強度を事実上一定に保つように前記ピーク出力
強度を調整する第４装置とを有し、更に前記第１装置お
よび前記第３装置が平均出力制御ループの一部分を形成
し、前記第２装置および前記第４装置がピーク出力制御
ループの一部分を形成し、かつ、前記平均出力制御ルー
プおよび前記ピーク出力制御ループが予め定められた同
じ時定数で動作する装置。 - 【請求項２】第１項記載の装置であって、データ・クロ
ッキングを実行するように動作することが可能な構造を
さらに有する装置。 - 【請求項３】第１項記載の装置であって、前記第３装置
が変調制御装置を有する装置。 - 【請求項４】第１項記載の装置であって、前記第４装置
がバイアス制御装置を有する装置。 - 【請求項５】第１項記載の装置であって、レーザ故障ア
ラームをさらに有する装置。 - 【請求項６】第１項記載の装置であって、データ誤りア
ラームをさらに有する装置。 - 【請求項７】第１項記載の装置であって、狭帯域チヤン
ネルおよび広帯域チヤンネルを有する装置。 - 【請求項８】周期的にデータを送信する光通信装置に用
いられるレーザ・ダイオードの光出力強度を制御する方
法であって、前記レーザ・ダイオードがパルス電流源お
よびバイアス電流源から電流を受取るものにおいて、レ
ーザ・ダイオードの光出力の一部分を受取り、前記レー
ザ・ダイオードの光出力の平均出力強度を表す大きさを
有する第１信号を生ずる第１段階と、 前記レーザ・ダイオードの光出力の一部分を受取り、前
記レーザ・ダイオードの光出力のピーク出力強度を表す
大きさを有する第２信号を生ずる第２段階と、 前記第１信号の大きさを基準電流信号と比較し、前記平
均出力強度を事実上一定に保つように前記平均出力強度
を調整する第３段階と、 前記第２信号の大きさと基準電流信号とを比較し、前記
ピーク出力強度を事実上一定に保つように前記ピーク出
力強度を調整する第４段階とを有し、その際前記第１段
階および前記第３段階が平均出力制御ループの一部分を
形成し、前記第２段階および前記第４段階がピーク出力
制御ループの一部分を形成し、かつ、前記平均出力制御
ループおよび前記ピーク出力制御ループが予め定められ
た同じ時定数で動作する方法。 - 【請求項９】第８項記載の方法であって、データ・クロ
ッキングを実行する段階をさらに有する方法。 - 【請求項１０】第８項記載の方法であって、前記第３段
階が変調制御装置を有する方法。 - 【請求項１１】第８項記載の方法であって、前記第４段
階がバイアス制御装置を有する方法。 - 【請求項１２】第８項記載の方法であって、前記レーザ
・ダイオードが故障した場合アラームをトリガする段階
をさらに有する方法。 - 【請求項１３】第８項記載の方法であって、前記データ
が故障した時アラームをトリガする段階をさらに有する
方法。 - 【請求項１４】第８項記載の方法であって、狭帯域チヤ
ンネルおよび広帯域チヤンネルを有する方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/835,626 US5216682A (en) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | Laser control method and apparatus |
| US835,626 | 1992-02-13 | ||
| PCT/SE1993/000023 WO1993016512A1 (en) | 1992-02-13 | 1993-01-19 | Laser control method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07503812A JPH07503812A (ja) | 1995-04-20 |
| JP3264669B2 true JP3264669B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=25270010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51397393A Expired - Lifetime JP3264669B2 (ja) | 1992-02-13 | 1993-01-19 | レーザ制御法とその装置 |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5216682A (ja) |
| EP (1) | EP0626106B1 (ja) |
| JP (1) | JP3264669B2 (ja) |
| KR (1) | KR100275217B1 (ja) |
| CN (1) | CN1045032C (ja) |
| AU (1) | AU663364B2 (ja) |
| BR (1) | BR9305879A (ja) |
| CA (1) | CA2125390C (ja) |
| DE (1) | DE69318134T2 (ja) |
| DK (1) | DK0626106T3 (ja) |
| ES (1) | ES2118225T3 (ja) |
| FI (1) | FI110970B (ja) |
| MX (1) | MX9206950A (ja) |
| NO (1) | NO309068B1 (ja) |
| WO (1) | WO1993016512A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW432234B (en) * | 1997-08-20 | 2001-05-01 | Advantest Corp | Optical signal transmission apparatus and method |
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