JP2019021839A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】十分な消光比を確保でき、光出力の精度を確保でき、変調信号により動的に光出力を可変できる半導体レーザ駆動回路。【解決手段】アナログ変調信号v_MODによりレーザ光が変調される半導体レーザLD、インピーダンス素子11,12、トランジスタQ1,Q2から構成される差動対回路、電流源13、アナログ変調信号によりトランジスタQ1,Q2のオンオフを切り替えるための差動電圧を生成する差動ドライバ22、半導体レーザが発光する閾値を流すための閾値電流を生成する閾値電流生成部34、アナログ変調信号に対して所定のスロープ係数によりレベル変換してスロープ信号V_SLOPEを生成するスロープ信号生成部32、スロープ信号生成部で生成されたスロープ信号と閾値電流生成部で生成された閾値電流とを加算し加算出力により電流源の電流値を制御する加算器35を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、半導体レーザのレーザ光をアナログ変調する半導体レーザ駆動回路に関する。
レーザ光を用いた分析計測機器では、システムの高スループットを図るために、しばしば、レーザ光の光強度を高速に変調して使用する。レーザ光の強度変調方式としては、レーザの励起強度(駆動電流等)を変調する直接変調方式と、光変調器を用いてレーザ装置の出射光を変調する外部変調方式がある。
近年、半導体レーザの波長が可視光領域まで拡大し、様々なアプリケーションに適用されている。
半導体レーザは、キャリアのライフタイムが短いため、駆動電流による高速変調が行える。一般的に、半導体レーザを用いたレーザ装置での変調方式は、直接変調による高速光強度変調が主流となっている。
直接変調方式には、デジタル変調とアナログ変調がある。デジタル変調は光通信等で用いられるように、光強度としては二値の変化をデジタル信号として捉えるため、制御が比較的容易である。アナログ変調は、外部から入力される目標値(変調信号)に追従して、光強度をアナログ的に変化させるため、制御が複雑になる。
対象物の個体差によって、レーザ光の光強度を調整するアプリケーションにおいては、高速にアナログ変調を行う必要がある。レーザ光の光強度をアナログ変調する方法としては、光出力をフィードバック制御して光出力を一定に保持するAPC(自動パワー制御)が一般的に用いられるが、フィードバックループの安定性を考慮すると、変調速度は、〜MHzにとどまる。
これに対して、半導体レーザの駆動電流をアナログ的に変化させて、所望の出力を得るACC(自動電流制御)では、光出力のフィードバックループが存在しない。このため、APCに比べて、高速なアナログ変調を実現することができる。
ACCを行う従来技術として、例えば、特許文献1に記載されたものが知られている。特許文献1は、半導体レーザの電流と発光出力との特性の微分量子効率を測定して、微小なバイアス電流を決定し、変調の初期段階において、バイアス電流に、閾値電流と変調電流と初期オン変調電流とからなる補正電流を加算して、加算された電流を半導体レーザに供給する。
特許第3466599号公報
しかしながら、閾値電流以下にバイアス電流の値を調整しても、自然放出光が存在するため、十分な消光比を確保することができない。
また、半導体レーザにバイアス電流や補正電流を流すために、複数の定電流源が必要となる。このため、加算された光出力と目標値との誤差が大きくなる可能性がある。
さらに、変調電流を構成する電流源の値が予め決定されるため、変調信号により動的に光出力を可変することができない。
本発明の課題は、十分な消光比を確保することができ、光出力の精度を確保でき、変調信号により動的に光出力を可変きる半導体レーザ駆動回路を提供する。
本発明に係る半導体レーザ駆動回路は、上記課題を解決するために、第1電極が電源に接続され、レーザ光を出力し且つアナログ変調信号により前記レーザ光が変調される半導体レーザと、一端が前記半導体レーザの第2電極に接続された第1インピーダンス素子と、一端が前記半導体レーザの前記第1電極と前記電源に接続された第2インピーダンス素子と、第1トランジスタの第1主電極が前記第1インピーダンス素子の他端に接続され、第2トランジスタの第1主電極が前記第2インピーダンス素子の他端に接続され、前記第1トランジスタの第2主電極と前記第2トランジスタの第2主電極が接続される差動対回路と、一端が前記第1トランジスタの第2主電極と前記第2トランジスタの第2主電極とに接続される電流源と、前記アナログ変調信号により前記差動対回路の前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとのオンオフを切り替えるための差動電圧を生成する差動ドライバと、前記半導体レーザの閾値電流を生成する閾値電流生成部と、前記アナログ変調信号に対して所定のスロープ係数によりレベル変換してスロープ信号を生成するスロープ信号生成部と、前記スロープ信号生成部で生成されたスロープ信号と前記閾値電流生成部で生成された閾値電流とを加算し加算出力により前記電流源の電流値を制御する加算器とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、差動対回路を用いて、アナログ変調信号により半導体レーザに流れる電流をスイッチするので、十分な消光比を確保することができる。また、スロープ信号生成部は、アナログ変調信号に対して所定のスロープ係数によりレベル変換してスロープ信号を生成する。加算器は、スロープ信号生成部で生成されたスロープ信号と閾値電流生成部で生成された閾値電流とを加算し加算出力により電流源の電流値を制御する。即ち、アナログ変調信号は、スロープ信号生成部で生成されたスロープ信号のみに寄与するため、アナログ変調信号に対して線形に光出力を制御することができる。
また、変調電流を生成する電流源は、単一であり、各信号生成部のパラメータが定期的に出力校正されるため、アナログ変調信号に対する光出力の精度を確保できる。
本発明の実施例1の半導体レーザ駆動回路の構成図である。 本発明の実施例1の半導体レーザ駆動回路の半導体レーザの電流光出力特性とスロープ信号と閾値電流参照電圧との関係を示す図である。 本発明の実施例1の半導体レーザ駆動回路の各部の波形を示す図である。 本発明の実施例2の半導体レーザ駆動回路の構成図である。 本発明の実施例2の半導体レーザ駆動回路のスロープ効率を示す図である。 本発明の実施例2の半導体レーザ駆動回路の定数G_th及びスロープ効率を算出するためのフローチャートである。
(実施例1)
以下、本発明の実施形態に係る半導体レーザ駆動回路を図面を参照しながら詳細に説明する。
半導体レーザ駆動回路は、LD駆動部1、差動駆動部2、電流制御部3を備えている。
LD駆動部1は、半導体レーザLD、インピーダンス素子11,12、バイポーラトランジスタQ1,Q2、電流源13、電流設定回路14を備え、光通信等で一般的に使用されるデジタル変調回路である。LD駆動部1は、差動対に印加する差動電圧vdffの極性をスイッチすることで、電流源13の電流を高速にオンオフする。
半導体レーザLDは、レーザ光を出力し且つアナログ変調信号によりレーザ光が変調される。
半導体レーザLDのアノード(第1電極)は電源VLDに接続され、カソード(第2電極)にはインピーダンス素子11(第1インピーダンス素子)の一端が接続されている。
半導体レーザLDのアノードと電源VLDには、インピーダンス素子12(第2インピーダンス素子)の一端が接続されている。
インピーダンス素子11の他端には、バイポーラトランジスタ(第1トランジスタ)Q1のコレクタ(第1主電極)が接続されている。インピーダンス素子12の他端には、バイポーラトランジスタ(第2トランジスタ)Q2のコレクタ(第1主電極)が接続されている。
バイポーラトランジスタQ1のエミッタ(第2主電極)とバイポーラトランジスタQ2のエミッタ(第2主電極)とは、共通に接続されている。バイポーラトランジスタQ1とバイポーラトランジスタQ2とで差動対回路を構成している。
なお、実施例では、バイポーラトランジスタQ1,Q2による差動対を示したが、これらに代えて、Q1,Q2をFETで構成しても良い。
バイポーラトランジスタQ1のエミッタとバイポーラトランジスタQ2のエミッタとには、電流源13が接続されている。電流設定回路14は、電流制御部33の出力電圧を基に、電流源13の電流を設定する。
差動駆動部2は、基準電源V_ref1、比較器21、差動ドライバ22を備えている。比較器21は、基準電源V_ref1の基準電圧とアナログ変調信号部31からのアナログ変調信号v_MODとを比較し、アナログ変調信号v_MODが基準電圧以上の場合には、Hレベルからなる出力信号v_IOを差動ドライバ22に出力する。
差動ドライバ22は、アナログ変調信号v_MODによりバイポーラトランジスタQ1とバイポーラトランジスタQ2とのオンオフを切り替えるための差動電圧v_diffを生成する。差動電圧v_diffは、バイポーラトランジスタQ1のベースに印加されるベース電圧と、バイポーラトランジスタQ2のベースに印加されるベース電圧との差電圧である。
差動ドライバ22は、比較器21からのHレベルからなる出力信号v_IOにより、差動電圧の極性が正(バイポーラトランジスタQ1のベース電位がバイポーラトランジスタQ2のベース電位よりも高い)となるので、バイポーラトランジスタQ1をオンさせて、半導体レーザLDに電流iLDを流す。
また、基準電源V_ref1の基準電圧は、アナログ変調信号部31からのアナログ変調信号v_MODの下限値に設定されている。半導体レーザLDのオフ指令時には、比較器21は、Lレベルからなる出力信号v_IOを差動ドライバ22に出力するので、差動ドライバ22は、比較器21からのLレベルからなる出力信号v_IOにより、差動電圧の極性が負(バイポーラトランジスタQ2のベース電位がバイポーラトランジスタQ1のベース電位よりも高い)となる。このため、バイポーラトランジスタQ2をオンさせて、半導体レーザLDを完全に消灯し、消光比を確保することができる。
電流制御部3は、アナログ変調信号部31、スロープ信号生成部32、時定数回路33、閾値電流生成部34、加算器35を備えている。
アナログ変調信号部31は、半導体レーザLDの光強度を制御するアナログ変調信号v_MODを生成し、アナログ変調信号v_MODを比較器21とスロープ信号生成部32に出力する。
スロープ信号生成部32は、アナログ変調信号部31からのアナログ変調信号v_MODに所定のスロープ係数を乗算することによりレベル変換してスロープ信号v_SLOPEを生成する。
時定数回路33は、スロープ信号生成部32で生成されたスロープ信号に対して時定数τを乗算する。時定数τは、例えば、抵抗RとコンデンサCとの積RCであり、このとき、時定数回路33は、抵抗RとコンデンサCとの直列回路又は抵抗RとコンデンサCとの並列回路で構成される。時定数τを必要な変調速度を満足する最大値に設定することにより、出力波形が緩やかになり、アナログ変調時の過渡的なリンギングを防止することができる。
閾値電流生成部34は、基準電源V_ref2の基準電圧に定数G_thを乗算することによりレベル変換して閾値電流参照電圧v_THを生成する。閾値電流参照電圧v_THは、半導体レーザLDが発光する閾値を流すための閾値電流を生成する信号である。
加算器35は、時定数回路33を介するスロープ信号生成部32で生成されたスロープ信号v_SLOPEと閾値電流生成部34で生成された閾値電流参照電圧v_THを加算し加算出力により電流設定回路14を介して電流源13の電流値i_CTRLを制御する。
図2に、実施例1の半導体レーザ駆動回路の半導体レーザLDの電流光出力特性とスロープ信号v_SLOPEと閾値電流参照電圧v_THとの関係を示す。
閾値電流参照電圧v_THは、電流と光出力特性の閾値電流を生成する信号であり、 アナログ変調信号v_MODのレベルに関わらず、定常的にLD駆動部1に入力される。
次に、図2の各部のタイミングチャートを参照しながら、半導体レーザ駆動回路の動作を説明する。
まず、差動電圧v_diffが負であり、半導体レーザLDが消灯している状態から任意の光出力に相当するアナログ変調信号v_MODが時刻t0において、ステップ入力される。
アナログ変調信号v_MODの立ち上がり直後に、アナログ変調信号v_MODが基準電圧以上となるので、比較器21は、Hレベルからなる出力信号v_IOを差動ドライバ22に出力する。
差動ドライバ22は、比較器21からのHレベルからなる出力信号v_IOにより、差動電圧v_diffの極性が正に反転し、電流源13をバイポーラトランジスタQ1側にスイッチし、バイポーラトランジスタQ1がオンして、半導体レーザLDに電流i_LDが流れる。
このとき、電流源13の電流i_CTRLは、閾値電流参照電圧v_THにより制御された閾値電流であり、電流i_LDを高速に閾値付近まで立ち上げることができる。その後、時定数回路33により、時定数τに応じた速度でスロープ信号v_SLOPEが立ち上がり、電流源13の電流i_CTRLが増加して、電流i_LDを目標の光出力に相当する電流値まで立ち上げる。
一方、アナログ変調信号v_MODが時刻t1において、ステップ状に立ち下がった場合には、比較器21は、Lレベルからなる出力信号v_IOを差動ドライバ22に出力する。
差動ドライバ22は、比較器21からのLレベルからなる出力信号v_IOにより、差動電圧v_diffの極性が負に反転する。このため、時定数τを伴わずに、半導体レーザLDを消灯させることができる。
このように実施例1の半導体レーザ駆動回路によれば、差動対回路のバイポーラトランジスタQ1,Q2を用いて、アナログ変調信号v_MODにより半導体レーザLDに流れる電流をスイッチするので、十分な消光比を確保することができる。
また、スロープ信号生成部32は、アナログ変調信号v_MODに対して所定のスロープ係数によりレベル変換してスロープ信号v_SLOPEを生成する。加算器は、スロープ信号生成部で生成されたスロープ信号v_SLOPEと閾値電流生成部で生成された閾値電流とを加算し加算出力により電流源13の電流値i_CTRLを制御する。
即ち、アナログ変調信号v_MODは、スロープ信号生成部32で生成されたスロープ信号v_SLOPEのみに寄与するため、アナログ変調信号v_MODに対して線形に光出力を制御することができる。
また、変調電流を生成する電流源は、単一であり、各信号生成部32,34のパラメータが定期的に出力校正されるため、アナログ変調信号v_MODに対する光出力の精度を確保できる。
(実施例2)
図4は、本発明の実施例2の半導体レーザ駆動回路の構成図である。実施例2の半導体レーザ駆動回路は、図1に示す実施例1の半導体レーザ駆動回路の構成に、さらに、マイクロコンピュータ4、デジタルアナログ変換器(DAC)5、フォトダイオード(PD)6、スイッチ7を備えている。
半導体レーザLDの電流光出力特性は、経年的に変化するので、少なくとも、レーザ起動時毎に定数G_th及びスロープ信号v_SLOPEを更新することが望ましい。
図5は、実施例2の半導体レーザ駆動回路のスロープ効率を示す図である。図5では、レーザ起動時に半導体レーザLDの電流光出力特性のスロープ部における任意の2点(i,p),(i,p)によりスロープ効率dp/diの求め方と、任意の2点(i,p),(i,p)を結ぶ直線が横軸(電流軸)に交差する点、即ち、閾値電流ithを示している。
次に、図6に示すフローチャートを参照しながら、実施例2の半導体レーザ駆動回路の定数G_th及びスロープ効率の算出処理を説明する。
まず、図4に示すシステムが安定するのを待つ(ステップS11)。次に、マイクロコンピュータ4は、切替信号によりスイッチ7の端子aを選択してDAC5を電流源13に接続する。
DAC5は、マイクロコンピュータ4からのデジタル信号をアナログ信号に変換し、電流iに対応したアナログ信号を電流源13に出力する(ステップS12)。これにより、半導体レーザLDには電流iが流れる。電流iの値に応じて半導体レーザLDが発光するので、その光出力pをPD6で検知する。そして、光出力が安定するのを待つ(ステップS13)。
光出力pは、図示しないADC(アナログデジタル変換器)によりデジタル信号に変換されて、マイクロコンピュータ4に送られる(ステップS14)。
次に、DAC5は、電流iに対応したアナログ信号を電流源13に出力する(ステップS15)。これにより、半導体レーザLDには電流iが流れる。電流iの値に応じて半導体レーザLDが発光するので、その光出力pをPD6で検知する。そして、光出力が安定するのを待つ(ステップS16)。
光出力pは、図示しないADCによりデジタル信号に変換されて、マイクロコンピュータ4に送られる(ステップS17)。
マイクロコンピュータ4は、電流i1、光出力p1、電流i2、光出力pに基づいて、スロープ効率di/dpを算出し、2点(i,p),(i,p)を結ぶ直線が横軸に交差する点である閾値電流ithを算出する(ステップS18)。
パラメータを算出した後、アナログ変調信号レベルに対する光出力、例えば、1mW/Vを設定することにより、スロープ効率dp/diに基づきスロープ信号v_SLOPEを決定することができる。また、定数G_thに基づき閾値電流ithを直ちに決定することができる。
次に、半導体レーザLDを消灯させ(ステップS19)、スイッチ7を端子bに接続して、レーザオペレーションを行う。
本発明は、レーザ光を利用した分析計測機器に搭載されるレーザ装置に適用可能である。
LD 半導体レーザ
VLD 電源
Q1,Q2 バイポーラトランジスタ
V_ref1,V_ref2 基準電源
1 LD駆動部
2 差動駆動部
3 電流制御部
4 マイクロコンピュータ
5 デジタルアナログ変換器(DAC)
6 フォトダイオード(PD)
11,12 インピーダンス素子
13 電流源
14 電流設定回路
21 比較器
22 差動ドライバ
31 アナログ変調信号部
32 スロープ信号生成部
33 時定数回路
34 閾値電流生成部
35 加算器
バイポーラトランジスタQ1のエミッタとバイポーラトランジスタQ2のエミッタとには、電流源13が接続されている。電流設定回路14は、電流制御部の出力電圧を基に、電流源13の電流を設定する。
次に、図の各部のタイミングチャートを参照しながら、半導体レーザ駆動回路の動作を説明する。
マイクロコンピュータ4は、電流i1、光出力p1、電流i2、光出力pに基づいて、スロープ効率d/dを算出し、2点(i,p),(i,p)を結ぶ直線が横軸に交差する点である閾値電流ithを算出する(ステップS18)。

Claims (3)

  1. 第1電極が電源に接続され、レーザ光を出力し且つアナログ変調信号により前記レーザ光が変調される半導体レーザと、
    一端が前記半導体レーザの第2電極に接続された第1インピーダンス素子と、
    一端が前記半導体レーザの前記第1電極と前記電源に接続された第2インピーダンス素子と、
    第1トランジスタの第1主電極が前記第1インピーダンス素子の他端に接続され、第2トランジスタの第1主電極が前記第2インピーダンス素子の他端に接続され、前記第1トランジスタの第2主電極と前記第2トランジスタの第2主電極が接続される差動対回路と、
    一端が前記第1トランジスタの第2主電極と前記第2トランジスタの第2主電極とに接続される電流源と、
    前記アナログ変調信号により前記差動対回路の前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとのオンオフを切り替えるための差動電圧を生成する差動ドライバと、
    前記半導体レーザが発光する閾値を流すための閾値電流を生成する閾値電流生成部と、
    前記アナログ変調信号に対して所定のスロープ係数によりレベル変換してスロープ信号を生成するスロープ信号生成部と、
    前記スロープ信号生成部で生成されたスロープ信号と前記閾値電流生成部で生成された閾値電流とを加算し加算出力により前記電流源の電流値を制御する加算器と、
    を備えることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
  2. 前記閾値電流生成部で生成される閾値電流及び前記閾値電流生成部で生成されるスロープ信号は、定期的に更新されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動回路。
  3. レーザ起動時に前記半導体レーザの電流と光出力特性のスロープ部における任意の2点において、前記半導体レーザの電流及び光出力を測定し、測定結果に基づき前記閾値電流及び電流変化に対する光出力の変化を示すスロープ効率を算出し、算出されたスロープ効率に基づき前記スロープ信号を決定する決定部を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体レーザ駆動回路。
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