CN104767117A - 一种高速激光器驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高速激光器驱动电路,包括输入缓冲级、信号放大级、输出驱动级、激光器电流源和直接调制激光器,所述输出驱动级包括输出放大器和晶体管,输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接,所述晶体管为BJT晶体管或MOSFET晶体管,所述激光器电流源只设一个,该激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。本发明的激光器驱动器电路可用于直接驱动高速分布式反馈激光器等,降低目前的高速直接调制激光器驱动电路的设计难度。
Description
技术领域
本发明属于光通信系统领域,涉及一种高速激光器驱动电路。
背景技术
光模块是实现光通信系统的基本硬件,高速激光器驱动电路是高速光模块实现光发射功能的基本元件。相对电吸收调制方式,采用直接调制方式可大幅降低光发射机的成本,从而明显降低光模块和系统的成本。目前,针对直接调制激光器(例如,分布式反馈激光器,Distributed Feedback Laser, DFB)的直接调制驱动电路一般将激光器的电流分成偏置电流和调制电流两个部分,并分别产生提供给激光器。其中,偏置电流用于提供激光器导通或接近导通时所需要的电流,以使激光器处于发光状态;调制电流则由输入电信号(即激光器调制信号)通过驱动电路来产生,以调制激光器的出光功率大小,从而将输入电信号转换成光信号。在高速工作状态下,这种电路结构需具有很好的高速大电流驱动能力以及与激光器间的良好高频阻抗匹配,这导致高速直接调制驱动电路很难设计。
目前已报道的、针对直接调制激光器的驱动电路(Laser Driver)主要包括单端驱动和差分驱动两种电路结构,分别如图1和图2所示,其中,CP1和CP2分别为输出端OUT+和OUT-的寄生电容;RF和CF为滤波电阻和滤波电容,用于减小过冲;RD为匹配电阻,用于将输出端OUT+和OUT-的阻抗调整至相等的状态,即阻抗匹配状态;VCC为电源;BIAS为激光器偏置电流源连接端口。其基本原理都是将晶体管以电流源形式与激光器连接,即晶体管与激光器以通过串联的形式来连接的,通过输入驱动信号来控制流经晶体管的电流,进而控制和调整流经激光器的电流和激光器的出光功率。在中低速率情况下,对驱动电路的驱动能力和高频阻抗匹配要求不是很高,此电路结构可达到直接驱动激光器的能力要求。但高速率的直接调制激光器则要求其驱动电路能同时提供大驱动电流能力和良好的高频阻抗匹配,并且实际情况下,驱动电路的输出端和激光器间存在的较长连线会导致高频阻抗存在一定的失配,这使得高速率的直接调制激光器驱动电路很难设计和实现。
综上所述,现有技术针对中低速率下的直接调制激光器驱动电路的产品已比较成熟,并已被大规模产业化应用。而在高速率(如10Gbps及以上速率)下,由于激光器驱动电路的高速大电流驱动能力要求以及其与直接调制激光器之间的高频阻抗匹配很难设计,导致目前还未见有出现能够大规模商业化应用的高速率直接调制激光器驱动电路。
发明内容
为解决高速激光器的直接调制驱动电路问题,本发明提出了一种高速直接调制激光器驱动电路结构。
本发明的技术方案提供一种高速激光器驱动电路,包括输入缓冲级、信号放大级、输出驱动级、激光器电流源和直接调制激光器,所述输出驱动级包括输出放大器和晶体管,输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接,
所述晶体管为BJT晶体管或MOSFET晶体管,所述BJT晶体管为双极型晶体管,所述MOSFET晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管,
当采用BJT晶体管时,BJT晶体管的集电极连接直接调制激光器的阳极,BJT晶体管的发射极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接BJT晶体管的基极;
当采用MOSFET晶体管时,MOSFET晶体管的漏极连接直接调制激光器的阳极,MOSFET晶体管的源极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接MOSFET晶体管的栅极;
所述激光器电流源只设一个,该激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。
而且,所述输入缓冲级的输入信号为单端输入。
或者,所述输入缓冲级的输入信号为差分输入。
而且,所述输入信号为激光器调制信号,激光器调制信号先经输入缓冲级进行均衡和补偿处理,然后经信号放大级将输入缓冲级的输出信号进行放大处理,接着由输出驱动极直接调制激光器的出光功率,其中输出放大器将信号放大级的输出信号调整至能直接驱动晶体管的电压水平,输出放大器的输出直接迅速控制晶体管。
而且,激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间时,当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,晶体管导通,从激光器电流源中分流出一部分电流,使流经激光器的电流变小,导致激光器的出光信号功率减弱;当输出缓冲级的输出信号为低电压信号时,晶体管截止,激光器电流源的电流全部流入激光器,使激光器的出光信号功率保持为高光功率状态。
而且,激光器电流源连接在直接调制激光器的阴极和地之间时,当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,晶体管导通,激光器电流源从激光器中抽取的电流中有一部分电流改由晶体管的发射极电流或源极电流提供,使流经激光器的电流变小,导致激光器的出光信号功率减弱;当输出缓冲级的输出信号为低电压信号时,晶体管截止,激光器电流源的电流全部通过从激光器抽取电流来满足,使得流经激光器的电流为最大状态,使激光器的出光信号功率保持为高光功率状态。
本发明针对高速直接调制激光器的驱动电路研究难题,提供一种新的输出驱动电路,在设计输出驱动级时,利用高速晶体管的快速开启和关断特性以及快速大电流分流能力来快速调节流经直接调制激光器的电流大小及其出光功率强度,从而以高速开关形式来实现对高速激光器的直接调制。本发明的高速直接调制激光器驱动电路能够解决当前高速直接调制激光器(例如,高速分布式反馈激光器)的驱动电路设计难题,更好地解决其实际应用问题。
附图说明
图1为现有技术中激光器的单端驱动电路示意图。
图2为现有技术中激光器的双端驱动电路示意图。
图3为本发明实施例一的结构示意图。
图4为本发明实施例二的结构示意图。
图5为本发明实施例三的结构示意图。
图6为本发明实施例四的结构示意图。
图7为本发明实施例五的结构示意图。
图8为本发明实施例六的结构示意图。
图9为本发明实施例七的结构示意图。
图10为本发明实施例八的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明技术方案进行具体描述。
本发明提出了一种新的直接调制驱动电路结构,其基本原理是将传统以电流源串联形式实现的激光器直接调制方式变更为以高速开关形式控制激光器出光功率的直接调制方式,即将激光器的工作电流改由同一个电流源来提供,通过控制晶体管的开启和关断来快速调整流经激光器的电流大小及其出光功率,从而实现对高速激光器的直接调制。
本发明提供的一种高速激光器驱动电路,包括:
一个输入缓冲级,其作用是对输入信号进行均衡和补偿;
一个信号放大级,其作用是对输入信号进行放大;
一个输出驱动级,其作用是为激光器提供调制电流信号,以驱动激光器输出调制光信号,从而将驱动电路的输入信号转换成光信号;
一个电流源,其作用是为激光器提供导通和正常发光时的工作电流,以驱动激光器发光;
一个直接调制激光器,其作用是将电信号转换成光信号;
所述输出驱动级包含一个输出放大器和一个晶体管,其中,所述输出放大器为晶体管提供输入调制信号;输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接。
所述晶体管为双极型晶体管(Bipolar Transistor, BJT)或金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET),具有导通电阻小、快速开启和关断以及快速分流大电流的特性。
所述双极型晶体管的基极连接输出放大器的输出端口,双极型晶体管的集电极连接直接调制激光器的阳极,双极型晶体管的发射极连接直接调制激光器的阴极;
所述金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极连接输出放大器的输出端口,金属-氧化物-半导体场效应晶体管的漏极连接直接调制激光器的阳极,金属-氧化物-半导体场效应晶体管的源极连接激光器的阴极。
激光器工作一般需要外接直流电压源(这里简称为电源),例如3.3V的直流电压源。所述电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。
如图3所示的实施例一所提供高速直接调制激光器驱动电路共包括五个部分:输入缓冲级,信号放大级,输出驱动极,直接调制激光器和电流源。输入信号(即激光器调制信号)先经输入缓冲级进行均衡和补偿处理,以补偿输入信号在传输至输入缓冲级输入端口的过程中因链路损耗所产生的衰减;然后,经信号放大级将输入缓冲级的输出信号进行放大处理,以调整其驱动能力;接着,由输出驱动极直接调制激光器的出光功率,其中,输出放大器将信号放大级的输出信号调整至能直接驱动双极晶体管的电压水平,其输出端连接至双极晶体管的基极,直接迅速控制双极晶体管的开启和判断;双极晶体管为高频、大电流晶体管,能被迅速开启和判断,而且其导通电阻与激光器的导通电阻相当,能够满足从激光器电流源中快速分流和快速调整流经激光器的电流大小能力的要求:当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,双极晶体管导通,从激光器电流源中分流出相当一部分电流,使流经激光器的电流变小,从而导致激光器的出光信号功率减弱;当输出缓冲级的输出信号为低电压信号时,双极晶体管截止,激光器电流源的电流全部流入激光器,从而使激光器的出光信号功率保持为高光功率状态。依照上述工作原理便完成了输入信号对激光器的出光信号功率的直接调制。
如图4所示的实施例二所提供高速激光器驱动电路,与图1的区别在于将激光器电流源从电源和双极晶体管的集电极之间移动到了双极晶体管的发射极和地之间,其从双极晶体管和激光器抽取电流。当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,双极晶体管导通,激光器电流源从激光器中抽取的电流中有相当一部分电流改由双极晶体管的发射极电流提供,使流经激光器的电流变小,从而导致激光器的出光信号功率减弱;当输出缓冲级的输出信号为低电压信号时,双极晶体管截止,激光器电流源的电流全部通过从激光器抽取电流来满足,使得流经激光器的电流为最大状态,从而使激光器的出光信号功率保持为高光功率状态。依此过程便完成了输入信号对激光器的出光信号功率的直接调制。
如图5所示的实施例三所提供高速激光器驱动电路,与 图3的区别在于将双极晶体管替换成金属-氧化物-半导体场效应晶体管。该金属-氧化物-半导体场效应晶体管的性能也同样需要满足高速工作要求,能被迅速开启和判断,并且其导通电阻与激光器的导通电阻相当,能够满足从激光器电流源中快速分流和快速调整流经激光器的电流大小能力的要求。其工作原理与图3所示高速激光器驱动电路的工作原理相同。
如图6所示的实施例四所提供高速激光器驱动电路,与 图4的区别在于将双极晶体管替换成金属-氧化物-半导体场效应晶体管,当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,MOSFET晶体管导通,激光器电流源从激光器中抽取的电流中有相当一部分电流改由MOSFET晶体管的源极电流提供。该金属-氧化物-半导体场效应晶体管的性能也同样需要满足高速工作要求,能被迅速开启和判断,并且其导通电阻与激光器的导通电阻相当,能够满足从激光器电流源中快速分流和快速调整流经激光器的电流大小能力的要求。其工作原理与图4所示高速激光器驱动电路的工作原理相同。
此外,本发明的高速激光器驱动电路的输入信号可以是单端输入或差分输入,图3、4、5和6列举了单端输入的情况,输入缓冲级、信号放大级采用相应的单端输入输出电路即可。对于差分输入情况下的高速激光器驱动电路则如图7、8、9和10所示实施例五、六、七、八,其与单端输入情况下的高速激光器驱动电路的主要差别在于:输入缓冲级为差分输入、差分输出放大器电路;信号放大级为差分输入转单端输出放大级;其输出驱动级的结构和工作原理与单端输入情况下的输出驱动级相同,本领域技术人员能够实现相应技术方案,本发明不予赘述。
本发明的高速激光器驱动电路能够解决目前针对高速直接调制激光器的驱动电路设计与实现难题,促进其商业化应用,并降低现有高速光模块的成本。
以上实施例仅供说明本发明之用,而非对本发明的限制,有关技术领域的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变换或变型,因此所有等同的技术方案,都落入本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种高速激光器驱动电路,其特征在于:包括输入缓冲级、信号放大级、输出驱动级、激光器电流源和直接调制激光器,所述输出驱动级包括输出放大器和晶体管,输入缓冲级的输出连接信号放大级的输入,信号放大级的输出连接输出放大器的输入,输出放大器的输出和晶体管相连接,
所述晶体管为BJT晶体管或MOSFET晶体管,所述BJT晶体管为双极型晶体管,所述MOSFET晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管,
当采用BJT晶体管时,BJT晶体管的集电极连接直接调制激光器的阳极,BJT晶体管的发射极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接BJT晶体管的基极;
当采用MOSFET晶体管时,MOSFET晶体管的漏极连接直接调制激光器的阳极,MOSFET晶体管的源极连接直接调制激光器的阴极,输出放大器的输出连接MOSFET晶体管的栅极;
所述激光器电流源只设一个,该激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间或连接在直接调制激光器的阴极和地之间。
2.根据权利要求1所述高速激光器驱动电路,其特征在于:所述输入缓冲级的输入信号为单端输入。
3.根据权利要求1所述高速激光器驱动电路,其特征在于:所述输入缓冲级的输入信号为差分输入。
4.根据权利要求1或2或3所述高速激光器驱动电路,其特征在于:所述输入信号为激光器调制信号,激光器调制信号先经输入缓冲级进行均衡和补偿处理,然后经信号放大级将输入缓冲级的输出信号进行放大处理,接着由输出驱动极直接调制激光器的出光功率,其中输出放大器将信号放大级的输出信号调整至能直接驱动晶体管的电压水平,输出放大器的输出直接迅速控制晶体管。
5.根据权利要求4所述高速激光器驱动电路,其特征在于:激光器电流源连接在电源和直接调制激光器的阳极之间时,当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,晶体管导通,从激光器电流源中分流出一部分电流,使流经激光器的电流变小,导致激光器的出光信号功率减弱;当输出缓冲级的输出信号为低电压信号时,晶体管截止,激光器电流源的电流全部流入激光器,使激光器的出光信号功率保持为高光功率状态。
6.根据权利要求4所述高速激光器驱动电路,其特征在于:激光器电流源连接在直接调制激光器的阴极和地之间时,当输出缓冲级的输出信号为高电压信号时,晶体管导通,激光器电流源从激光器中抽取的电流中有一部分电流改由晶体管的发射极电流或源极电流提供,使流经激光器的电流变小,导致激光器的出光信号功率减弱;当输出缓冲级的输出信号为低电压信号时,晶体管截止,激光器电流源的电流全部通过从激光器抽取电流来满足,使得流经激光器的电流为最大状态,使激光器的出光信号功率保持为高光功率状态。
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