CN103329366B - Dc耦合型激光驱动电路以及半导体激光元件的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及DC耦合型激光驱动电路以及半导体激光元件的驱动方法。DC耦合型激光驱动电路（1）具备被插入至电源和前级驱动器（12）之间的压降器（14）、根据前级驱动器（12）的输出电压来控制压降器（14）的压降量的压降量控制部（16）。

Description

DC耦合型激光驱动电路以及半导体激光元件的驱动方法
技术领域
本发明涉及驱动半导体激光元件的DC耦合型激光驱动电路。另外，涉及使用了DC耦合型激光驱动电路的半导体激光元件的驱动方法。
背景技术
作为发出用于光通信的信号光的光源，广泛应用半导体激光元件。半导体激光元件通常被向该半导体激光元件供给驱动电流的激光驱动电路驱动。这样的激光驱动电路大致分为DC耦合型激光驱动电路和AC耦合型激光驱动电路。
图7（a）示出以往的DC耦合型激光驱动电路的典型构成。图7（a）是表示以往的DC耦合型激光驱动电路100的概要构成的框图。
DC耦合型激光驱动电路100是用于向半导体激光元件LD供给与输入信号（根据数字信号而调制的电压信号）的电压值（电位差）对应的驱动电流ILD的电路，如图7（a）所示，其具备输入缓冲器110、前级驱动器120、主驱动器130、压降器140以及恒流源150。
输入缓冲器110是用于使DC耦合型激光驱动电路100的输入阻抗（负载阻抗）与传送路径的特性阻抗匹配的电路。前级驱动器120是用于调整经由输入缓冲器110输入的输入信号的振幅的电路。主驱动器130是用于将通过前级驱动器120调整了振幅的输入信号转换为电流信号的电路。压降器140是固定电阻或二极管等压降器，其被插入至电压VCC的电源和前级驱动器120之间。
主驱动器130连接有恒流源150和半导体激光元件LD，向半导体激光元件LD供给从由恒流源150流出的流出电流Idc减去流入至主驱动器130的流入电流Imod而得的驱动电流ILD=Idc-Imod。在输入信号的电压值为低电平时，流入电流Imod的电流值为高电平，其结果，驱动电流ILD的电流值成为低电平。相反，输入信号的电压值为高电平时，流入电流Imod的电流值为低电平，其结果，驱动电流ILD的电流值为高电平。
另外，以偏置电流Ibias的大小比激光阈值电流Ith大的方式调整从恒流源150流出的流出电流Idc的大小。这里，所谓偏置电流Ibias指输入信号的电压值为低电平时向半导体激光元件LD供给的驱动电流ILD的电流值。
图7（b）示出以往的AC耦合型激光驱动电路的典型构成。图7（b）是表示以往的AC耦合型激光驱动电路200的概要构成的框图。
图7（b）所示的AC耦合型激光驱动电路200与上述的DC耦合型激光驱动电路100同样，是用于将与数字信号的值对应的驱动电流ILD供给至半导体激光元件LD的电路，如图7（b）所示，其具备输入缓冲器210、前级驱动器220、主驱动器230、压降器240以及恒流源250。
图7（b）所示的输入缓冲器210、前级驱动器220、主驱动器230、压降器240以及恒流源250分别具有与图7（a）所示的输入缓冲器110、前级驱动器120、主驱动器130、压降器140以及恒流源150相同的功能。
对于AC耦合型激光驱动电路200，在主驱动器230和半导体激光元件LD之间存在电容器260这一点与DC耦合型激光驱动电路100不同。因此，在AC耦合型激光驱动电路200中，即便主驱动器230的输出电压Vout具有DC成分，该DC成分也不会被施加至半导体激光元件LD。
与AC耦合型激光驱动电路200相比，DC耦合型激光驱动电路100具有以下优点。
（1）在AC耦合型激光驱动电路200中，作为电容器260，需要使用具有0.1μF左右的容量的大型电容器。因此，AC耦合型激光驱动电路200难以省空间化。另一方面，DC耦合型激光驱动电路100由于不需要这样的电容器，所以容易省空间化。
（2）在AC耦合型激光驱动电路200中，电容器260去除驱动电流ILD的低频成分。因此，AC耦合型激光驱动电路200难以宽带化。另一方面，DC耦合型激光驱动电路100由于不需要这样的电容器，所以容易宽带化。
（3）在AC耦合型激光驱动电路200中，由于需要将主驱动器230的输出阻抗抑制得较低，所以驱动电流ILD的损失容易变大。因此，AC耦合型激光驱动电路200难以节电化。另一方面，DC耦合型激光驱动电路100由于无需将主驱动器130的输出阻抗抑制得较低，所以容易节电化。
例如，搭载于AOC（Active Optical Cable：有源光纤）的激光驱动电路需要省空间化，所以优选DC耦合型。另外，在PON（Passive OpticalNetwork：无源光网络）等中，用于生成脉冲信号的激光驱动电路必须是不去除低频成分的DC耦合型。
作为公开了DC耦合型激光驱动电路的文献，例如有专利文献1。
专利文献1：日本国公开专利公报“日本特开2010-267799号公报”（公开日：2010年11月25日）
但是，在图7（a）所示的以往的DC耦合型激光驱动电路100中，存在为了满足构成主驱动器130的各元件的动作条件，而对前级驱动器120的电源电压进行严格制约的问题。
以下，参照图8对该问题稍详细地进行说明。图8是表示图7（a）所示的DC耦合型激光驱动电路100的具体例子的电路图。
输入缓冲器110具备一对终端电阻。一方的终端电阻的一端与电压Vt的电源连接，另一端与输入端子DATA_P连接。另一方的终端电阻的一端与电压Vt的电源连接，另一端与输入端子DATA_N连接。例如，在传输路径的特性阻抗为50Ω的情况下，使用50Ω的固定电阻作为这2个终端电阻。由此，DC耦合型激光驱动电路100的输入阻抗（负载阻抗）与传输路径的特性阻抗匹配。
前级驱动器120由差动放大电路120a和射极输出电路120b构成。差动放大电路120a是用于差动放大输入信号的构成，射极输出电路120b是用于使前级驱动器120的输出阻抗低于主驱动器130的输入阻抗的构成。
差动放大电路120a具备一对电阻R1、R2、一对晶体管Q1、Q2、和恒流源I1，将输入信号的振幅转换成R1×I1（与R2×I1相同）来进行输出。电阻R1的一端与电阻R2连接，另一端与晶体管Q1的集电极端子连接。同样，电阻R2的一端与电阻R1连接，另一端与晶体管Q2的集电极端子连接。电阻R1和电阻R2的中间点经由压降器140与电压VCC的电源连接。在将压降器140的压降量设为V的情况下，对电阻R1和电阻R2的中间点施加电压Vdc=VCC-V。另外，晶体管Q1的基极端子与输入端子DATA_P连接，发射极端子与晶体管Q2的发射极端子连接。同样，晶体管Q2的基极端子与输入端子DATA-N连接，发射极端子与晶体管Q1的发射极端子连接。晶体管Q1的发射极端子和晶体管Q2的发射极端子的中间点经由恒流源I1与电压VEE的接地端连接。
射极输出电路120b具备一对晶体管Q3、Q4、和一对恒流源I2、I3。晶体管Q3的集电极端子与电压VCC的电源连接，基极端子与差动放大电路120a的一方的输出点（晶体管Q1的集电极端子）连接，发射极端子经由恒流源I2与电压VEE的接地端连接。同样，晶体管Q4的集电极端子与电压VCC的电源连接，基极端子与差动放大电路120a的另一方的输出点（晶体管Q2的集电极端子）连接，发射极端子经由恒流源I3与电压VEE的接地端连接。
主驱动器130具备一对晶体管Q5、Q6、和恒流源I4。晶体管Q5的集电极端子经由恒流源150与电压VCC的电源连接，基极端子与前级驱动器120的输出点（晶体管Q4的发射极端子）连接，发射极端子与晶体管Q6的发射极端子连接。同样，晶体管Q6的集电极端子与电压VCC的电源连接，基极端子与前级驱动器120的另一方的输出点（晶体管Q3的发射极端子）连接，发射极端子与晶体管Q5的发射极端子连接。晶体管Q5的发射极端子和晶体管Q6的发射极端子的中间点经由恒流源I4与电压VEE的接地端连接。
DC耦合型激光驱动电路100的输出端子OUT被设置于恒流源150和主驱动器130的输出点（晶体管Q5的集电极端子）的中间点。因此，从该输出端子OUT向半导体激光元件LD供给的驱动电流ILD成为从由恒流源150流出的流程电流Idc减去流入至晶体管Q5的流入电流Imod而得的Idc-Imod。
在以上构成的DC耦合型激光驱动电路100中，使晶体管Q5的动作条件和恒流源I4的动作条件同时成立极其困难。这里，所谓晶体管Q5的动作条件指晶体管Q5的基极电压为晶体管Q5的集电极电压以下。另外，恒流源I4的动作条件指施加至恒流源I4的电压为0.5V以上。若不满足这些条件，则不能够使晶体管Q5以及恒流源I4正常动作。
以下，以将半导体激光元件LD的偏置电压的变动范围设为1.5V以上2.5V以下（2.0V±25%）、将电源电压VCC的变动范围设为2.97V以上3.63V以下（3.3V±10%）的情况为例，对这2个动作条件不能够同时成立进行说明。
首先，为了满足晶体管Q5的动作条件，需要将压降器140的压降量V设定为1.13V以上。这是因为在电源电压VCC为3.63V、半导体激光元件LD的偏置电压Vout为1.5V的情况下，晶体管Q5的基极电压为3.63V（电源电压）-V（压降器140的压降量）-0.2V（电阻R1的压降量）-0.8V（晶体管Q4的基极-发射极间电压），晶体管Q5的集电极电压与1.5V（半导体激光元件LD的偏置电压）一致。实际而言，若求解不等式3.63-V-0.2-0.8≤1.5，则得到V≥1.13。
然而，若将压降器140的压降量V设定为1.13V以上，则例如在电源电压VCC为2.97V时不满足恒流源I4的动作条件。这是因为施加至恒流源I4的电压，即、晶体管Q5、Q6的发射极电压Ve比2.97V（电源电压）-1.13V（压降器140的压降量的下限值）-0.2V（电阻R1、R2的压降量）-0.8V（晶体管Q4、Q3的基极-发射极间电压）-0.8V（晶体管Q5、Q6的基极-发射极间电压）=0.04V小。如上所述，在该电压为0.5V以下的情况下，不满足恒流源I4的动作条件，恒流源I4不能正常地进行动作。
这样，若将电源电压VCC的变动范围设为2.97V以上3.63V以下，则不能够使晶体管Q5的动作条件和恒流源I4的动作条件同时成立。换句话说，为了使这2个动作条件同时成立，需要比其严格地限制电源电压VCC的变动范围。
另外，在以往的DC耦合型激光驱动电路100中，如上所述那样，压降器140由固定电阻、二极管等构成，该压降量恒定。
发明内容
本发明是鉴于以上问题而完成的，其目的在于实现为了满足构成主驱动器的各元件的动作条件，不对前级晶体管的电源电压进行严格制约的DC耦合型激光驱动电路。
为了解决上述课题，本发明的DC耦合型激光驱动电路具备：前级驱动器，其对根据数字信号调制的电压信号的振幅进行调整；主驱动器，其是将通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号转换为向半导体激光元件供给的电流信号的主驱动器，该主驱动器不经由电容器而与上述半导体激光元件连接；压降量可变的压降器，其被插入至向上述前级驱动器供给电力的电源和上述前级驱动器之间；压降量控制部，其根据通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值来控制上述压降器的压降量。
另外，为了解决上述课题，本发明的半导体激光元件的驱动方法包括：使用前级驱动器对根据数字信号调制的电压信号的振幅进行调整的调整工序；使用不经由电容器而与半导体激光元件连接的主驱动器，来将在上述调整工序中调整了振幅的电压信号转换为向上述半导体激光元件供给的电流信号的转换工序；根据在上述调整工序中调整了振幅的电压信号的值，对被插入至向上述前级驱动器供给电力的电源和上述前级驱动器之间的压降器的压降量进行控制的控制工序。
根据上述构成，根据通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值来设定上述压降器的压降量。因此，上述电源的电压下降，其结果为，在上述前级驱动器的输出电压（通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值）变得过小时，能够据此减小上述压降量。另外，上述电源的电压上升，其结果为，在上述前级驱动器的输出电压变得过大时，能够据此增大上述压降量。
由此，能够避免以往的DC耦合型激光驱动电路所具有的问题，即、能够避免在前级驱动器的电源电压最大时，以满足某元件（例如晶体管）的动作条件的方式设定了压降量的，结果导致在前级驱动器的电源电压最低时，不能够满足其他元件（例如恒流源）的动作条件的问题。
因此，能够实现无需对前级驱动器的电源电压进行严格制约的DC耦合型激光驱动电路。另外，能够实现无需对前级驱动器的电源电压进行严格制约的半导体激光元件的驱动方法。
根据本发明，能够实现无需对前级驱动器的电源电压进行严格制约的DC耦合型激光驱动电路。另外，能够实现无需对前级驱动器的电源电压进行严格制约的半导体激光元件的驱动方法。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的DC耦合型激光驱动电路的概要构成的框图。
图2是表示图1所示的DC耦合型激光驱动电路的第1具体例子的电路图。
图3是表示图1所示的DC耦合型激光驱动电路的第2具体例子的电路图。
图4是表示本发明的第2实施方式的DC耦合型激光驱动电路的概要构成的框图。
图5是表示图4所示的DC耦合型激光驱动电路的第1具体例子的电路图。
图6是表示图4所示的DC耦合型激光驱动电路的第2具体例子的电路图。
图7是表示以往的激光驱动电路的概要构成的框图。图7（a）表示以往的DC耦合型激光驱动电路的概要构成，图7（b）表示以往的AC耦合型激光驱动电路的概要构成。
图8是表示图7（a）所示的以往的DC耦合型激光驱动电路的具体例子的电路图。
具体实施方式
【第1实施方式】
参照图1，对本发明的DC耦合型激光驱动电路的第1实施方式进行说明。图1是表示本实施方式的DC耦合型激光驱动电路1的概要构成的框图。
DC耦合型激光驱动电路1是用于将与输入信号（根据数字信号调制的电压信号）的电压值（电位差）对应的驱动电流ILD供给至半导体激光元件LD的电路，如图1所示，具备输入缓冲器11、前级驱动器12、主驱动器13、压降器14、恒流源15以及压降量控制部16。
输入缓冲器11是用于使DC耦合型激光驱动电路1的输入阻抗（负载阻抗）与传输路径的特性阻抗匹配的电路。前级驱动器12是用于调整经由输入缓冲器11输入的输入信号的振幅的电路。这里，调整输入信号（电压信号）的振幅指使输入信号的振幅与规定值一致。主驱动器13是用于将由前级驱动器12调整了振幅的输入信号转换为电流信号的电路。压降器14是压降量可变的压降器，其被插入至电压VCC的电源和前级驱动器12之间。
恒流源15和半导体激光元件LD与主驱动器13连接。另外，在本实施方式中，虽然采用了使半导体激光元件LD的阴极端子接地，使半导体激光元件LD的阳极端子与主驱动器13连接的构成，但本发明并不局限于此。即，也可以采用使半导体激光元件LD的阳极端子与恒压源连接，使半导体激光元件LD的阴极端子与主驱动器13连接的构成。
向半导体激光元件LD供给从由恒流源15流出的流出电流Idc减去流入主驱动器13的流入电流Imod而得的驱动电流ILD=Idc-Imod。在输入信号的电压值为低电平时，流入电流Imod的电流值为高电平，其结果，驱动电流ILD的电流值为低电平。相反，在输入信号的电压值为高电平时，流入电流Imod的电流值为高电平，其结果，驱动电流ILD的电流值为高电平。
另外，以偏置电流Ibias的大小比激光阈值电流Ith大的方式调整从恒流源15流出的流出电流Idc的大小。这里，所谓偏置电流Ibias指输入信号的电压值为低电平时向半导体激光元件LD供给的驱动电流ILD的电流值。
DC耦合型激光驱动电路1的特征构成是压降量控制部16。压降量控制部16是用于根据前级驱动器12的输出电压V3p、V3n来控制压降器14的压降量V的电路。在本实施方式中，采用了以前级驱动器12的输出电压V3p、V3n的平均电压（V3p+V3n）/2为半导体激光元件LD的偏置电压Vout以下的方式来控制压降器14的压降量的构成。
由于采用这样的构成，电源电压VCC下降，其结果，能够在前级驱动器12的输出电压V3p、V3n的中间值（V3p+V3n）/2变得过小时，据此减小压降量V。相反，电源电压VCC上升，其结果，能够在前级驱动器12的输出电压V3p、V3n的中间值变得过大时，据此增大压降量V。
因此，能够避免以往的DC驱动型激光驱动电路100（参照图8）所具有的问题，即、能够避免在电源电压VCC最大时，以满足晶体管Q5的动作条件的方式设定压降量V，结果导致在电源电压VCC最低时，不能够满足恒流源I4的动作条件的问题。
例如，在图8所示的以往的DC耦合型激光驱动电路100中，为了在电源电压VCC为3.6V的条件下驱动偏置电压Vout=1.5V的半导体激光元件LD，而在设为V3p=1.5V的情况下，需要将压降量V设定为1.3V左右。但是，在压降量V被设定为1.3V的状态下，若电源电压VCC低于3.0V，则施加至恒流源I4的电压为0.1V左右。因此，恒流源I4不能正常地进行动作。
另一方面，在图1所示的DC耦合型激光驱动电路1中，在电源电压VCC为3.6V时，以V3p与偏置电压Vout=1.5一致的方式将压降量控制为1.3V，在电源电压VCC为3.0V时，以V3p与偏置电压Vout=1.5V一致的方式将压降量V控制为0.7V。这样，通过使压降量V根据前级驱动器12的输出电压V3p、V3n来变化，能够将V3p保持为优选值。
（具体例1）
参照图2，对本实施方式的DC耦合型激光驱动电路1的更具体的电路构成进行说明。图2是表示DC耦合型激光驱动电路1的第1具体例子的电路图。另外，输入缓冲器11的构成可以与以往的DC耦合型激光驱动电路100的输入缓冲器110相同，故这里省略图示。
前级驱动器12由差动放大电路12a和射极输出电路12b构成。差动放大电路12a是用于差动放大输入信号的构成，射极输出电路12b是用于使前级驱动器12的输出阻抗比主驱动器13的输入阻抗低的构成。另外，将差动放大电路12a的增益按照使其输出信号的振幅与规定值一致的方式来设定（有时设定为0dB以上的值，有时设定为0dB以下的值）。
差动放大电路12a具备一对电阻R2、R2′、一对晶体管Q1、Q2、一对恒流源I1、I1′，将输入信号的振幅转换为规定值R2×（I1+I1′）=R2′×（I1+I1′）并输出。电阻R2的一端与电阻R2′连接，另一端与晶体管Q1的集电极端子连接。同样，电阻R2′的一端与电阻R2连接，另一端与晶体管Q2的集电极端子连接。电阻R2和电阻R2′的中间点经由压降器14与电压VCC的电源连接。在将压降器14的压降量设为V的情况下，向电阻R2和电阻R2′的中间点施加电压Vdc=VCC-V。另外，晶体管Q1的基极端子与输入端子DATA_P连接，发射极端子与晶体管Q2的发射极端子连接。同样，晶体管Q2的基极端子与输入端子DATA_N连接，发射极端子与晶体管Q1的发射极端子连接。晶体管Q1的发射极端子和晶体管Q2的发射极端子的中间点经由相互并联连接的恒流源I1、I1′与电压VEE的接地端连接。
发射极输出电路12b具备一对晶体管Q3、Q4、和一对恒流源I2、I2′。晶体管Q3的集电极端子与电压VCC的电源连接，基极端子与差动放大电路12a的一方输出点（晶体管Q1的集电极端子）连接，发射极端子经由恒流源I2与电压VEE的接地端连接。同样，晶体管Q4的集电极端子与电压VCC的电源连接，基极端子与差动放大电路12a的另一方输出点（晶体管Q2的集电极端子）连接，发射极端子经由恒流源I2′与电压VEE的接地端连接。
主驱动器13具备一对晶体管Q5、Q6、一对电阻R3、R3′、恒流源I3。晶体管Q5的集电极端子经由恒流源15与电压VCC的电源连接，基极端子与前级驱动器12的输出点（晶体管Q4的发射极端子）连接，发射极端子经由R3、R3′与晶体管Q6的发射极端子连接。同样，晶体管Q6的集电极端子与电压VCC的电源连接，基极端子与前级驱动器12的另一方输出点（晶体管Q3的发射极端子）连接，发射极端子经由电阻R3、R3′与晶体管Q5的发射极端子连接。电阻R3和电阻R3′的中间点经由恒流源I3与电压VEE的接地端连接。
DC耦合型激光驱动电路1的输出端子OUT被设置于恒流源15和主驱动器13的输出点（晶体管Q5的集电极端子）的中间点。因此，从该输出端子OUT向半导体激光元件LD供给的驱动电流ILD为从由恒流源15流出的流出电流Idc减去流入晶体管Q5的流入电流Imod而得的Idc-Imod。
压降器14由电阻R1和电容器C1构成。电阻R1的一端与电源VCC的电源连接。电阻R1的另一端与前级驱动器12的差动放大电路12a连接。作为电阻R1，例如使用电阻值240Ω的固定电阻。另外，电容器C1与电阻R1并列连接。这里，附加电容器C1是为了吸收电源电压VCC所包含的高频噪声，使施加至前级驱动器12的电压Vdc稳定。
压降量控制部16由一对电阻R、R′、运算放大器OP_AMP、场效应晶体管MOSFET_N构成。电阻R和电阻R′具有相同的电阻值，根据电阻R和电阻R′得到前级驱动器12的非反向输出V3p和反向输出V3n的平均电压（V3p+V3n）/2。向运算放大器OP_AMP的非反向输入端子输入该平均电压（V3p+V3n）/2，向运算放大器OP_AMP的反向输入端子输入半导体激光元件LD的偏置电压Vout。由其符号可知，场效应晶体管MOSFET-N是n型MOSFET。场效应晶体管MOSFET-N的栅极端子与运算放大器OP_AMP的输出端子连接，漏极端子与压降器14和前级驱动器12的中间点连接，源极端子与电压VEE的接地端连接。
若平均电压（V3p+V3n）/2比偏置电压Vout大，则压降量控制部16按以下方式动作。即，运算放大器OP_AMP的输出电压上升，其结果，流过场效应晶体管MOSFET-N的电流增加。这样，流过构成压降器14的电阻R1的电流增加，其结果，电阻R1的压降量V变大。由此，施加至前级驱动器12的电压Vdc=VCC-V变小，其结果，前级驱动器12的输出电压V3p、V3n降低。该动作持续至平均电压（V3p+V3n）/2与偏置电压Vout一致。
相反，若平均电压（V3p+V3n）/2比偏置电压Vout小，则压降量控制部16按以下方式动作。即，运算放大器OP_AMP的输出电压降低，其结果，流过场效应晶体管MOSFET-N的电流减少。这样，流过构成压降器14的电阻R1的电流减少，其结果，电阻R1的压降量V变小。由此，施加至前级驱动器12的电压Vdc=VCC-V变大，其结果，前级驱动器12的输出电压V3p、V3n上升。该动作持续至平均电压（V3p+V3n）/2与偏置电压Vout一致。
按以上那样，压降量控制部16控制压降器14的压降量V，使得平均电压（V3p+V3n）/2与偏置电压Vout一致。
另外，在本具体例子中，作为构成压降量控制部16的晶体管使用了场效应晶体管，但并不局限于此。即，作为构成压降量控制部16的晶体管，也可以替换n型MOSFET而使用npn型双极晶体管。
另外，在本具体例子中，采用了将平均电压（V3p+V3n）/2直接输入至运算放大器OP_AMP的构成，但并不局限于此。即，例如也可以采用将平均电压（V3p+V3n）/2经由插入至A点（参照图2）的压降器输入至运算放大器OP_AMP的构成。在采用这样的构成的情况下，若将该压降器的压降量设为ΔV＞0，则能够使平均电压（V3p+V3n）/2与Vout-ΔV一致。由此，能够将晶体管Q5的集电极电压保持在比晶体管Q5的基极电压（与半导体激光元件LD的偏置电压Vout一致）低的值。其结果，能够使晶体管Q5的动作更加稳定。晶体管Q6也同样。
另外，在本具体例子中，采用了将偏置电压Vout以及平均电压（V3p+V3n）/2输入至运算放大器OP_AMP的构成，但并不局限于此。即，也可以采用将偏置电压Vout经由插入至B1点（参照图2）的低通滤波器输入至运算放大器OP_AMP，将平均电压（V3p+V3n）/2经由插入至B2点（参照图2）的低通滤波器输入至运算放大器OP_AMP的构成。在采用这样的构成的情况下，即便偏置电压Vout以及平均电压（V3p+V3n）/2因调制而晃动不稳，也能够抑制起因于此的运算放大器OP_AMP的输入电压的变动。其结果，能够使运算放大器OP_AMP的输出电压稳定化。
（具体例2）
接下来，参照图3对本实施方式的DC耦合型激光驱动电路1的更加具体的电路构成进行说明。图3是表示DC耦合型激光驱动电路1的第2具体例子的电路图。另外，输入缓冲器11的构成能够与以往的DC耦合型激光驱动电路100的输入缓冲器110相同，故这里也省略图示。
本具体例子中的前级驱动器12以及主驱动器13的电路构成分别与第1具体例子中的前级驱动器12以及主驱动器13的电路构成相同。本具体例子与第1具体例子不同的是压降器14以及压降量控制部16的电路构成。
压降器14由场效应晶体管MOSFET-P构成。从其符号可知，场效应晶体管MOSFET-P是P型MOSFET。场效应晶体管MOSFET-P的源极端子与电压VCC的电源连接，场效应晶体管MOSFET-P的漏极端子与前级驱动器12的差动放大电路12a连接。场效应晶体管MOSFET-P作为漏极-源极间电阻变化的可变电阻发挥功能。
压降量控制部16由一对电阻R、R′、运算放大器OP_AMP构成。电阻R和电阻R′具有相同的电阻值，根据电阻R和电阻R′得到前级驱动器12的非反向输出V3p和反向输出V3n的平均电压（V3p+V3n）/2。向运算放大器OP_AMP的非反向输入输入该平均电压（V3p+V3n）/2，向运算放大器OP_AMP的反向输入输入半导体激光元件LD的偏置电压Vout。在运算放大器OP_AMP的输出端子与构成压降器14的场效应晶体管MOSFET-P的栅极端子连接。
若平均电压（V3p+V3n）/2比偏置电压Vout大，则压降量控制部16按以下方式动作。即，运算放大器OP_AMP的输出电压上升，其结果，构成压降器14的场效应晶体管MOSFET-P的栅极电压上升。这样，场效应晶体管MOSFET-P的源极-漏极间电阻变大，其结果，场效应晶体管MOSFET-P的压降量V变大。由此，施加至前级驱动器12的电压Vdc=VCC-V变小，其结果，前级驱动器12的输出电压V3p、V3n降低。该动作持续至平均电压（V3p+V3n）/2与偏置电压Vout一致。
相反，若平均电压（V3p+V3n）/2比偏置电压Vout小，则压降量控制部16按以下方式动作。即，运算放大器OP_AMP的输出电压降低，其结果，构成压降器14的场效应晶体管MOSFET-P的栅极电压上升。这样，场效应晶体管MOSFET-P的源极-漏极间电阻变小，其结果，场效应晶体管MOSFET-P的压降量V变小。由此，施加至前级驱动器12的电压Vdc=VCC-V变大，其结果，前级驱动器12的输出电压V3p、V3n上升。该动作持续至平均电压（V3p+V3n）/2与偏置电压Vout一致。
按以上那样，压降量控制部16控制压降器14的压降量V，使得平均电压（V3p+V3n）/2与偏置电压Vout一致。
另外，在本具体例子中，采用了将平均电压（V3p+V3n）/2直接输入至运算放大器OP_AMP的构成，但也可以采用将平均电压（V3p+V3n）/2经由插入至A点（参照图2）的压降器输入至运算放大器OP_AMP的构成。在采用了这样的构成的情况下，若将该压降器的压降量设为ΔV＞0，则能够使平均电压（V3p+V3n）/2与Vout-ΔV一致。由此，能够将晶体管Q5的集电极电压保持在比晶体管Q5的基极电压（与半导体激光元件LD的偏置电压Vout一致）低的值。其结果，能够使晶体管Q5的动作更加稳定。晶体管Q6也同样。
另外，也可以采用将平均电压（V3p+V3n）/2经由插入至B1点（参照图3）的低通滤波器输入至运算放大器OP_AMP，将偏置电压Vout经由插入至B2点（参照图3）的低通滤波器输入至运算放大器OP_AMP的构成。在采用这样的构成的情况下，即便偏置电压Vout以及平均电压（V3p+V3n）/2因调制而晃动不稳，也能够抑制起因于此的运算放大器OP_AMP的输入电压的变动。其结果，能够使运算放大器OP_AMP的输出电压稳定化。
【第2实施方式】
参照图4对本发明的DC耦合型激光驱动电路的第2实施方式进行说明。图4是表示本实施方式的DC耦合型激光驱动电路2的概要构成的框图。
DC耦合型激光驱动电路2是用于将与输入信号（根据数字信号调制的电压信号）的电压值（电位差）对应的驱动电流ILD供给至半导体激光元件LD的电路，如图4所示，具备输入缓冲器21、前级驱动器22、主驱动器23、压降器24、恒流源25、压降量控制部26、恒压源27。
输入缓冲器21是用于使DC耦合型激光驱动电路2的输入阻抗（负载阻抗）与传输路径的特性阻抗匹配的电路。前级驱动器22是用于调整经由输入缓冲器21输入的输入信号的振幅的电路。这里，调整输入信号（电压信号）的振幅指使输入信号的振幅与规定值一致。主驱动器23是用于将通过前级驱动器22调整了振幅的输入信号转换为电流信号的电路。压降器24是压降量可变的压降器，其被插入至电压VCC的电源和前级驱动器22之间。
主驱动器23连接有恒流源25和半导体激光元件LD。另外，在本实施方式中，采用了使半导体激光元件LD的阴极端子接地，使半导体激光元件LD的阳极端子与主驱动器23连接的构成，但本发明并不局限于此。即，也可以采用使半导体激光元件LD的阳极端子与恒压源连接，使半导体激光元件LD的阴极端子与主驱动器23连接的构成。
将从由恒流源25流出的流出电流Idc减去流入至主驱动器23的流入电流Imod而得的驱动电流ILD=Idc-Imod供给至半导体激光元件LD。在输入信号的电压值为低电平时，流入电流Imod的电流值为高电平，其结果，驱动电流ILD的电流值为低电平。相反，在输入信号的电压值为高电平时，流入电流Imod的电流值为低电平，其结果，驱动电流ILD的电流值为高电平。
另外，以偏置电流Ibias的大小比激光阈值电流Ith大的方式调整从恒流源25流出的流出电流Idc的大小。这里，偏置电流Ibias指输入信号的电压值为低电平时，供给至半导体激光元件LD的驱动电流ILD的电流值。
DC耦合型激光驱动电路2的特征构成是压降量控制部26。压降量控制部26是用于根据前级驱动器22的输出电压V3p、V3n来控制压降器24的压降量V的电路。在本实施方式中，采用了以前级驱动器22的输出电压V3p、V3n的平均电压（V3p+V3n）/2为预先规定的基准电压Vref以下的方式控制压降器24的压降量的构成。因此，输出基准电压Vref的恒压源27与压降量控制部26连接。
通过采用这样的构成，电源电压VCC降低，其结果，在前级驱动器22的输出电压V3p、V3n的中间值（V3p+V3n）/2变得过小时，能够据此减小压降量V。相反，电源电压VCC上升，其结果，在前级驱动器22的输出电压V3p、V3n的中间值变得过大时，能够据此增大压降量V。
因此，能够避免以往的DC耦合型激光驱动电路100（参照图8）所具有的问题，即能够避免在电源电压VCC最大时，以满足晶体管Q5的动作条件的方式设定压降量V，结果导致在电源电压VCC最低时，不能够满足恒流源I4的动作条件的问题。
（具体例子1）
参照图5对本实施方式的DC耦合型激光驱动电路2的更加具体的电路构成进行说明。图5是表示DC耦合型激光驱动电路2的第1具体例子的电路图。其中，输入缓冲器21的构成能够与以往的DC耦合型激光驱动电路100的输入缓冲器110相同，故这里省略图示。
本具体例子的前级驱动器22、主驱动器23、以及压降器24的电路构成分别与第1实施方式的第1具体例子的前级驱动器12、主驱动器13、以及压降器14的电路构成相同。本具体例子与第1实施方式的第1具体例子不同的是压降器控制部26的输入。
本具体例子中的压降量控制部26由一对电阻R、R′、运算放大器OP_AMP、场效应晶体管MOSFET-N构成。电阻R和电阻R′具有相同的电阻值，根据电阻R和电阻R′得到前级驱动器12的非反向输出V3p和反向输出V3n的平均电压（V3p+V3n）/2。向运算放大器OP_AMP的非反向输入端子输入该平均电压（V3p+V3n）/2，向运算放大器OP_AMP的反向输入端子输入由恒压源27生成的基准电压Vref。由其符号可知，场效应晶体管MOSFET-N是n型MOSFET。场效应晶体管MOSFET-N的栅极端子与运算放大器OP_AMP的输出端子连接，漏极端子与压降器24和前级驱动器12的中间点连接，源极端子与电压VEE的接地端连接。
若平均电压（V3p+V3n）/2比基准电压Vref大，则压降量控制部16按以下方式动作。即，运算放大器OP_AMP的输出电压上升，其结果，流过场效应晶体管MOSFET-N的电流增加。这样，流过构成压降器24的电阻R1的电流增加，其结果，电阻R1的压降量V变大。由此，施加至前级驱动器12的电压Vdc=VCC-V变小，其结果，前级驱动器12的输出电压V3p、V3n降低。该动作持续至平均电压（V3p+V3n）/2与基准电压Vref一致。
相反，若平均电压（V3p+V3n）/2比基准电压Vref小，则压降量控制部16按以下方式动作。即，运算放大器OP_AMP的输出电压降低，其结果，流过场效应晶体管MOSFET-N的电流减少。这样，流过构成压降器24的电阻R1的电流增加，其结果，电阻R1的压降量V变小。由此，施加至前级驱动器12的电压Vdc=VCC-V变大，其结果，前级驱动器12的输出电压V3p、V3n上升。该动作持续至平均电压（V3p+V3n）/2与基准电压Vref一致。
按以上那样，压降量控制部16控制压降器24的压降量V，使得平均电压（V3p+V3n）/2与基准电压Vref一致。
另外，在本具体例子中，采用将基准电压Vref以及平均电压（V3p+V3n）/2直接输入至运算放大器OP_AMP的构成，但并不局限于此。即，例如也可以采用将基准电压Vref经由插入至B1点（参照图5）的低通滤波器输入至运算放大器OP_AMP，将平均电压（V3p+V3n）/2经由插入至B2点（参照图5）的低通滤波器输入至运算放大器OP_AMP的构成。在采用这样的构成的情况下，即便基准电压Vref包含高频噪声，平均电压（V3p+V3n）/2因调制而晃动不稳，也能够抑制起因于此的运算放大器OP_AMP的输入电压的变动。其结果，能够使运算放大器OP_AMP的输出电压稳定化。
（具体例子2）
参照图6对本实施方式的DC耦合型激光驱动电路2的其他具体的电路构成进行说明。图6是表示DC耦合型激光驱动电路2的第2具体例子的电路图。另外，输入缓冲器21的构成能够与以往的DC耦合型激光驱动电路100的输入缓冲器110相同，故这里也省略图示。
本具体例子中的前级驱动器22、主驱动器23以及压降器24的电路构成分别与第1实施方式的第2具体例子中的前级驱动器12、主驱动器13以及压降器24的电路构成相同。本具体例子与第1实施方式的第2具体例子不同的是压降量控制部26的输入。
本具体例子中的压降量控制部26由一对电阻R、R′、运算放大器OP_AMP构成。电阻R和电阻R′具有相同的电阻值，根据电阻R和电阻R′得到前级驱动器22的非反向输出V3p和反向输出V3n的平均电压（V3p+V3n）/2。向运算放大器OP_AMP的非反向输入输入该平均电压（V3p+V3n）/2，向运算放大器OP_AMP的反向输入输入由恒压源27生成的基准电压Vref。运算放大器OP_AMP的输出端子与构成压降器24的场效应晶体管MOSFET-P的栅极端子连接。
若平均电压（V3p+V3n）/2比基准电压Vref大，则压降量控制部26按以下方式动作。即，运算放大器OP_AMP的输出电压上升，其结果，构成压降器24的场效应晶体管MOSFET-P的栅极电压上升。这样，场效应晶体管MOSFET-P的源极-漏极间电阻变大，其结果，场效应晶体管MOSFET-P的压降量V变大。由此，施加至前级驱动器22的电压Vdc=VCC-V变小，其结果，前级驱动器22的输出电压V3p、V3n降低。该动作持续至平均电压（V3p+V3n）/2与基准电压Vref一致。
相反，若平均电压（V3p+V3n）/2比基准电压Vref小，则压降量控制部26按以下方式动作。即，运算放大器OP_AMP的输出电压降低，其结果，构成压降器24的场效应晶体管MOSFET-P的栅极电压上升。这样，场效应晶体管MOSFET-P的源极-漏极间电阻变小，其结果，场效应晶体管MOSFET-P的压降量V变小。由此，施加至前级驱动器22的电压Vdc=VCC-V变大，其结果，前级驱动器22的输出电压V3p、V3n上升。该动作持续至平均电压（V3p+V3n）/2与基准电压Vref一致。
按以上那样，压降量控制部26控制压降器24的压降量V，使得平均电压（V3p+V3n）/2与基准电压Vref一致。
另外，在本具体例子中，采用将基准电压Vref以及平均电压（V3p+V3n）/2直接输入至运算放大器OP_AMP的构成，但并不局限于此。即，也可以采用将基准电压Vref经由插入至B1点（参照图5）的低通滤波器输入至运算放大器OP_AMP，将平均电压（V3p+V3n）/2经由插入至B2点（参照图5）的低通滤波器而输入至运算放大器OP_AMP的构成。在采用了这样的构成的情况下，即便基准电压Vref包含高频噪声，平均电压（V3p+V3n）/2因调制而晃动不稳，也能够抑制起因于此的运算放大器OP_AMP的输入电压的变动。其结果，能够使运算放大器OP_AMP的输出电压稳定化。
（总结）
如以上所述，本发明的一实施方式的DC耦合型激光驱动电路是驱动半导体激光元件的DC耦合型激光驱动电路，其具备：前级驱动器，其对根据数字信号调制的电压信号的振幅进行调整；主驱动器，其将通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号转换为向上述半导体激光元件供给的电流信号；压降量可变的压降器，其是被插入至向上述前级驱动器供给电力的电源和上述前级驱动器之间的压降器；压降量控制部，其根据通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值来控制上述压降器的压降量。
根据上述构成，根据通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值来设定上述压降器的压降量。因此，上述电源的电压降低，其结果，在上述前级驱动器的输出电压（通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值）变得过小时，能够据此减小上述压降量。另外，上述电源的电压上升，其结果，在上述前级驱动器的输出电压变得过大时，能够据此增大上述压降量。
因此，能够避免以往的DC耦合型激光驱动电路所具有的问题，即，能够避免在前级驱动器的电源电压最大时，以满足某元件（例如晶体管）的动作条件的方式设定压降量的结果，在前级驱动器的电源电压最低时，不能够满足其他元件（例如恒流源）的动作条件的问题。所以，能够实现无需对前级驱动器的电源电压进行严格制约的DC耦合型激光驱动电路。
在本发明的一实施方式的DC耦合型激光驱动电路中，优选上述压降量控制部按照使通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值为上述半导体激光元件的偏置电压以下的方式来控制上述压降器的压降量。
根据上述构成，能够满足构成上述运算放大器的元件中的、基极端子与上述前级驱动器连接，集电极端子与上述半导体激光元件连接的晶体管的动作条件。特别是，即便在上述半导体激光元件的偏置电压产生偏差的情况下，也能够满足上述晶体管的动作条件。即，能够实现除了无需对前级驱动器的电源电压进行严格制约外，也无需对上述半导体激光元件的偏置电压进行严格制约的DC耦合型激光驱动电路。
在本发明的一实施方式的DC耦合型激光驱动电路中，优选上述压降器具备一端与上述电源连接，另一端与上述前级驱动器连接的电阻，上述压降量控制部具备：运算放大器，其将上述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为反向输出，将上述半导体激光元件的偏置电压作为非反向输出；场效应晶体管，其栅极端子与上述运算放大器的输出端子连接，漏极端子与上述压降器和上述前级驱动器的中间点连接，源极端子接地。
根据上述构成，能够以简单的构成实现压降器以及压降量控制部。
在本发明的一实施方式的DC耦合型激光驱动电路中，优选上述压降器具备源极端子与上述电源连接，漏极端子与上述前级驱动器连接的场效应晶体管，上述压降量控制部具备运算放大器，该运算放大器是将上述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为反向输入，将上述半导体激光元件的偏置电压作为非反向输入的运算放大器，并且其输出端子与上述场效应晶体管的栅极端子连接。
根据上述构成，能够通过简单的构成实现压降器以及压降量控制部。并且，在由电阻构成压降器的情况下，不产生电流损失，因此能够削减消耗电力。
在本发明的一实施方式的DC耦合型激光驱动电路中，优选将上述半导体激光元件的偏置电压经由其他压降器输入至上述压降量控制部。
根据上述构成，能够更加可靠地满足基极端子与上述前级驱动器连接，集电极端子与上述半导体激光元件连接的晶体管的动作条件。这是因为能够使该晶体管的基极电压与上述其他压降器的压降量对应地低于该晶体管的集电极电压。
在本发明的一实施方式的DC耦合型激光驱动电路中，优选上述压降量控制部以通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值为预先规定的基准电压以下的方式控制上述压降器的压降量。
根据上述构成，在上述半导体激光元件的偏置电压比上述基准电压大的情况下，能够满足构成上述运算放大器的元件中基极端子与上述前级驱动器连接，集电极端子与上述半导体激光元件连接的晶体管的动作条件。特别是，即便在上述半导体激光元件的偏置电压产生偏差的情况下，若将上述基准值设定为比其下限值小，则能够满足上述晶体管的动作条件。即，能够实现除了无需对前级驱动器的电源电压进行严格制约外，也无需对上述半导体激光元件的偏置电压进行严格制约的DC耦合型激光驱动电路。
在本发明的一实施方式的DC耦合型激光驱动电路中，优选上述压降器具备一端与上述电源连接，另一端与上述前级驱动器连接的电阻，上述压降量控制部具备：运算放大器，其将上述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为反向输出，将上述基准电压作为非反向输出；场效应晶体管，其在栅极端子连接上述运算放大器的输出端子，漏极端子与上述压降器和上述前级驱动器的中间点连接，源极端子接地。
根据上述构成，能够以简单的构成实现压降器以及压降量控制部。
在本发明的一实施方式的DC耦合型激光驱动电路中，优选上述压降器具备源极端子与上述电源连接，漏极端子与上述前级驱动器连接的场效应晶体管，上述压降量控制部具备运算放大器，该运算放大器是将上述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为反向输出，将基准电压作为非反向输出的运算放大器，并且其输出端子与上述场效应晶体管的栅极端子连接。
根据上述构成，能够以简单的构成实现压降器以及压降量控制部。并且，在由电阻构成压降器的情况下，不产生电流损失，所以能够削减消耗电力。
如以上所述，本发明的一实施方式的驱动方法是使用DC耦合型激光驱动电路来驱动半导体激光元件的驱动方法，上述DC耦合型激光驱动电路具备：前级驱动器，其调整根据数字信号调制的电压信号的振幅；主驱动器，其将通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号转换为向上述半导体激光元件供给的电流信号；压降量可变的压降器，其是介于向上述前级驱动器供给电力的电源和上述前级驱动器之间的压降器，该驱动方法包括根据通过上述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值来控制上述压降器的压降量的压降量控制工序。
根据上述构成，起到与上述DC耦合型激光驱动电路相同的效果。
（附记事项）
本发明并不局限于上述的实施方式，能够在技术方案所示出的范围内进行各种变更。即，在技术方案所示出的范围内进行适当的变更的组合了技术方法而得到的实施方式也包括在本发明的技术范围内。
工业上的可用性
本发明一般能够广泛应用于DC耦合型激光驱动电路。特别优选作为搭载于AOC（Active Optical Cable）的激光驱动电路、在PON（Passive Optical Network）中用于生成脉冲信号的激光驱动电路等进行利用。
符号说明
1、2…DC耦合型激光驱动电路；11、21…输入缓冲器；12、22…前级驱动器；13、23…主驱动器；14、24…压降器；15、25…恒流源；16、26…压降量控制部；27…恒压源。

Claims (9)

1.一种DC耦合型激光驱动电路，其特征在于，具备：
前级驱动器，其对根据数字信号调制的电压信号的振幅进行调整；
主驱动器，其是将通过所述前级驱动器调整了振幅的电压信号转换为向半导体激光元件供给的电流信号的主驱动器，该主驱动器不经由电容器而与所述半导体激光元件连接；
压降量可变的压降器，其是被插入至向所述前级驱动器供给电力的电源和所述前级驱动器之间的压降器；
压降量控制部，其根据通过所述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值来控制所述压降器的压降量。
2.根据权利要求1所述的DC耦合型激光驱动电路，其特征在于，
所述压降量控制部按照使通过所述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值为预先规定的基准电压以下的方式来控制所述压降器的压降量。
3.根据权利要求2所述的DC耦合型激光驱动电路，其特征在于，
所述压降器具备源极端子与所述电源连接，漏极端子与所述前级驱动器连接的场效应晶体管，
所述压降量控制部具备运算放大器，该运算放大器是将所述前级驱动器的非反向输入和反向输出的平均电压作为非反向输出，将所述基准电压作为反向输入的运算放大器，该运算放大器的输出端子与所述场效应晶体管的栅极端子连接。
4.根据权利要求2所述的DC耦合型激光驱动电路，其特征在于，
所述压降器具备一端与所述电源连接，另一端与所述前级驱动器连接的电阻，
所述压降量控制部具备：运算放大器，其将所述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为非反向输入，将所述基准电压作为反向输入；场效应晶体管，其栅极端子连接所述运算放大器的输出端子，漏极端子与所述压降器和所述前级驱动器的中间点连接，源极端子接地。
5.根据权利要求1所述的DC耦合型激光驱动电路，其特征在于，
所述压降量控制部按照使通过所述前级驱动器调整了振幅的电压信号的值为所述半导体激光元件的偏置电压以下的方式来控制所述压降器的压降量。
6.根据权利要求5所述的DC耦合型激光驱动电路，其特征在于，
所述压降器具备一端与所述电源连接，另一端与所述前级驱动器连接的电阻，
所述压降量控制部具备：运算放大器，其将所述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为非反向输入，将所述半导体激光元件的偏置电压作为反向输入；场效应晶体管，其栅极端子连接所述运算放大器的输出端子，漏极端子与所述压降器和所述前级驱动器的中间点连接，源极端子接地。
7.根据权利要求5所述的DC耦合型激光驱动电路，其特征在于，
所述压降器具备源极端子与所述电源连接，漏极端子与所述前级驱动器连接的场效应晶体管，
所述压降量控制部具备运算放大器，该运算放大器是将所述前级驱动器的非反向输出和反向输出的平均电压作为非反向输入，将所述半导体激光元件的偏置电压作为反向输入的运算放大器，该运算放大器的输出端子与所述场效应晶体管的栅极端子连接。
8.根据权利要求5至7中任意一项所述的DC耦合型激光驱动电路，其特征在于，
所述半导体激光元件的偏置电压经由其他压降器被输入至所述压降量控制部。
9.一种半导体激光装置的驱动方法，其特征在于，包括：
调整工序，在该调整工序中使用前级驱动器对根据数字信号调制的电压信号的振幅进行调整；
转换工序，在该转换工序中使用不经由电容器而与半导体激光元件连接的主驱动器，来将在所述调整工序中调整了振幅的电压信号转换为向所述半导体激光元件供给的电流信号；
控制工序，在该控制工序中根据在所述调整工序中调整了振幅的电压信号的值，对被插入至向所述前级驱动器供给电力的电源和所述前级驱动器之间的压降器的压降量进行控制。
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