JP6582640B2 - レーザ駆動回路 - Google Patents
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Description
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係るレーザ駆動回路は、差動入力信号を受け、電流源と直列に接続された半導体レーザ素子を駆動するレーザ駆動回路であって、第1の可変電流源と、該第1の可変電流源に直列に接続された一対の第1のトランジスタと、該一対の第1のトランジスタのそれぞれに接続された一対の第1の抵抗と、を有し、該一対の第1のトランジスタが差動入力信号を受けて差動出力信号を生成する差動回路と、基準電位を生成する基準電位回路と、一対の第1の抵抗と電源との間に接続された可変抵抗を有し、可変抵抗を調整して差動出力信号の平均電位を基準電位に一致させる調整回路と、半導体レーザ素子と並列に接続され、差動出力信号の一方を受けて電流源が供給する電流を分流するバイパス回路と、を備える。
本発明の実施形態に係るレーザ駆動回路の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
Vtgt≒2×Vbe+Iout(DC)/RE
≒2×Vbe+Iout(DC)/m’×m×RE ・・・(1)
調整回路38において、駆動信号Vmodの平均電位Vcomがオペアンプ38bの非反転入力端子に入力され、上記の基準電位Vtgtがオペアンプ38bの反転入力端子に入力されると、オペアンプ38bは、これらの差電圧を増幅して出力する。この増幅された差電圧はトランジスタ38aの制御端子に入力される。pMOS型FETであるトランジスタ38aは、可変抵抗として3極管領域で動作する。すなわち、制御端子の電位(ゲート電位)が他方の電流端子(ソース)の電位に対してpMOS型FETの閾値電圧よりも下がると、両電流端子間(ドレイン−ソース間)の抵抗値が低下し、駆動信号Vmodの平均電位Vcomが上昇する。逆に、制御端子の電位(ゲート電位)が他方の電流端子(ソース)の電位に対してpMOS型FETの閾値電圧よりも上昇すると、両電流端子間(ドレイン−ソース間)の抵抗値が増加し、駆動信号Vmodの平均電位Vcomが低下する。このような平均電位Vcomの増減を利用することにより、振幅調整の際に平均電位Vcomを一定値(基準電位)に保つことができ、ひいては、トランジスタ35aを流れる電流Ioutの直流成分Iout(DC)の大きさを一定に保つことができる。従って、光信号の消光比の調整の際に、レーザダイオード23における平均発光パワーを一定に保つことができる。
ER=10×log10{(Idc−Ilow−Ith)/(Idc−Ihigh−Ith)} ・・・(2)
図11は、上記実施形態の一変形例に係る調整回路39の構成を示す回路図である。上記実施形態のレーザ駆動回路22は、調整回路38に代えて、本変形例の調整回路39を備えてもよい。
Claims (4)
- 差動入力信号を受け、電流源と直列に接続された半導体レーザ素子を駆動するレーザ駆動回路であって、
第1の可変電流源と、該第1の可変電流源に直列に接続された一対の第1のトランジスタと、該一対の第1のトランジスタのそれぞれに接続された一対の第1の抵抗と、を有し、該一対の第1のトランジスタが前記差動入力信号を受けて差動出力信号を生成する差動回路と、
基準電位を生成する基準電位回路と、
前記一対の第1の抵抗と電源との間に接続された可変抵抗を有し、前記可変抵抗を調整して前記差動出力信号の平均電位を前記基準電位に一致させる調整回路と、
前記半導体レーザ素子と並列に接続され、前記差動出力信号の一方を受けて前記電流源が供給する電流を分流するバイパス回路と、
を備え、
前記バイパス回路は、前記差動出力信号の一方を受けて動作する第2のトランジスタと、該第2のトランジスタに直列に接続された第2の抵抗と、を有し、
前記基準電位回路は、それぞれ互いに直列に接続された第2の可変電流源、ダイオード接続されたダイオード接続トランジスタ、及び第3の抵抗を有し、
前記ダイオード接続トランジスタのサイズは前記第2のトランジスタのサイズの1/n倍であり、前記第3の抵抗は前記第2の抵抗のn倍であり、前記基準電位は、前記第2の可変電流源が供給する電流が前記ダイオード接続トランジスタ及び前記第3の抵抗を流れて発生する降下電圧を含んで生成される、レーザ駆動回路。 - 前記差動出力信号の平均電位は、前記一対の第1のトランジスタと前記一対の第1の抵抗とがそれぞれ接続された一対の接続点の間にそれぞれ互いに直列に接続された2つの第5の抵抗の中間点により与えられる、請求項1に記載のレーザ駆動回路。
- 差動入力信号を受け、電流源と直列に接続された半導体レーザ素子を駆動するレーザ駆動回路であって、
第1の可変電流源と、該第1の可変電流源に直列に接続された一対の第1のトランジスタと、該一対の第1のトランジスタのそれぞれに接続された一対の第1の抵抗と、を有し、該一対の第1のトランジスタが前記差動入力信号を受けて差動出力信号を生成する差動回路と、
基準電位を生成する基準電位回路と、
前記一対の第1の抵抗と電源との間に接続された可変抵抗を有し、前記可変抵抗を調整して前記差動出力信号の平均電位を前記基準電位に一致させる調整回路と、
前記半導体レーザ素子と並列に接続され、前記差動出力信号の一方を受けて前記電流源が供給する電流を分流するバイパス回路と、
を備え、
前記調整回路は、前記差動回路に並列に接続され、且つ、互いに直列に接続された第3の可変電流源及び第4の抵抗を更に有し、
前記第3の可変電流源は、前記第1の可変電流源の1/m倍(m>1)の電流を生成し、
前記第4の抵抗は、前記一対の第1の抵抗のm/2倍であり、
前記差動出力信号の平均電位は、前記第3の可変電流源の供給する電流が前記第4の抵抗を流れて発生する降下電圧で与えられる、レーザ駆動回路。 - 前記可変抵抗はMOS型FETによって構成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ駆動回路。
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